JPS6339115A - 薄膜磁気ヘツド用基板材料 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド用基板材料Info
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- JPS6339115A JPS6339115A JP61183090A JP18309086A JPS6339115A JP S6339115 A JPS6339115 A JP S6339115A JP 61183090 A JP61183090 A JP 61183090A JP 18309086 A JP18309086 A JP 18309086A JP S6339115 A JPS6339115 A JP S6339115A
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 229910000311 lanthanide oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910010062 TiCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンピュータの周辺18!であるフロッピー
ディスク装置やハードディスク装置に組み込まれる磁気
ヘッドの基板材料で、特に薄膜磁気ヘッドの非磁性基板
材料に間するものである。
ディスク装置やハードディスク装置に組み込まれる磁気
ヘッドの基板材料で、特に薄膜磁気ヘッドの非磁性基板
材料に間するものである。
一般にコンピュータ、VTR1又はオーディオ関係の磁
気ヘッドは、磁性材料であるフェライトと非磁性材料の
セラミックスをガラスボンディングして構成されている
。また、薄膜磁気ヘッドの場合には、磁性あるいは非磁
性セラミックス基板上へセンダスト、パーマロイなどの
磁性薄膜をメツキ、蒸着あるいはスパッタリングして成
膜し作製される。−船釣には、薄膜型磁気ヘッドの基板
材料としては、Al2O3−TiCセラミックスが他材
料に比へて比較的耐摩耗性に隈れており、基板、Lに成
膜される磁性膜と熱膨張率が一致するなとの利点から実
用化されている。近年デジタル磁気記録用ヘッドは、記
録媒体の高密度記録化への技術推移に伴ってより小型化
、狭ギャップ化、高品質化が要求されてきている。この
ため、薄膜を磁気ヘッドの基板材料としては、高密度で
気孔が少ないこと、耐摩耗特性ζこ優れていること、加
工性に優れていることなどが要求される。特に、理論密
度の99.95%以上の相対密度が必要であり耐摩耗性
の点では、ビッカース硬度で2500以上の硬度が必要
である。ところが一般に薄膜磁気ヘッドの基板材i4と
して用いられているAl2O3−TiCセラミックスは
Al2O3とTiCのぬれ性があまり良くないことから
焼結性が恋く、残存する気孔が多い。また加工性も極め
て悪く小型化の要求に対応できない。ところで、現在用
いられているAl2O3−TiCセラミックスの製造方
法としてはHIP(熱間静水圧プレス)法を利用したも
のがあげられるが、HI P処理によるち密化の効果を
得るためには、その前処理として相対密度95%以上の
焼結体を得る事が必要となる。
気ヘッドは、磁性材料であるフェライトと非磁性材料の
セラミックスをガラスボンディングして構成されている
。また、薄膜磁気ヘッドの場合には、磁性あるいは非磁
性セラミックス基板上へセンダスト、パーマロイなどの
磁性薄膜をメツキ、蒸着あるいはスパッタリングして成
膜し作製される。−船釣には、薄膜型磁気ヘッドの基板
材料としては、Al2O3−TiCセラミックスが他材
料に比へて比較的耐摩耗性に隈れており、基板、Lに成
膜される磁性膜と熱膨張率が一致するなとの利点から実
用化されている。近年デジタル磁気記録用ヘッドは、記
録媒体の高密度記録化への技術推移に伴ってより小型化
、狭ギャップ化、高品質化が要求されてきている。この
ため、薄膜を磁気ヘッドの基板材料としては、高密度で
気孔が少ないこと、耐摩耗特性ζこ優れていること、加
工性に優れていることなどが要求される。特に、理論密
度の99.95%以上の相対密度が必要であり耐摩耗性
の点では、ビッカース硬度で2500以上の硬度が必要
である。ところが一般に薄膜磁気ヘッドの基板材i4と
して用いられているAl2O3−TiCセラミックスは
Al2O3とTiCのぬれ性があまり良くないことから
焼結性が恋く、残存する気孔が多い。また加工性も極め
て悪く小型化の要求に対応できない。ところで、現在用
いられているAl2O3−TiCセラミックスの製造方
法としてはHIP(熱間静水圧プレス)法を利用したも
のがあげられるが、HI P処理によるち密化の効果を
得るためには、その前処理として相対密度95%以上の
焼結体を得る事が必要となる。
しかし、A12O1−TiCセラミックスは焼結性が悪
いため、 1850〜1900℃の高温での焼結を行わ
ないと相対密度95%以上のものは得られない。さらに
、この様な高温にさらされるためAl2O3、TiC粒
子の著しい粒成長が起こり機械強度が低下し、故に加工
性の低下も見られ、また高温処理のために作業性が悪く
、省エネルギーの観点からも問題があった。
いため、 1850〜1900℃の高温での焼結を行わ
ないと相対密度95%以上のものは得られない。さらに
、この様な高温にさらされるためAl2O3、TiC粒
子の著しい粒成長が起こり機械強度が低下し、故に加工
性の低下も見られ、また高温処理のために作業性が悪く
、省エネルギーの観点からも問題があった。
このため、Al2O3とTiCの主成分に対して副成分
を添加する試みがなされ、例えば、特開昭56−140
068、特開昭57−2O5372なとに開示されてい
る。
を添加する試みがなされ、例えば、特開昭56−140
068、特開昭57−2O5372なとに開示されてい
る。
本願は」二記のような諸問題を解決すべく研究した結果
、新しい添加物の添加効果により良好な基板を得ろこと
を可能としたものである。
、新しい添加物の添加効果により良好な基板を得ろこと
を可能としたものである。
本発明は、上記の問題点に鑑みて、焼結性に優れ、15
℃っで高iF、度かつ気孔が少なく、耐摩耗性に優れ、
良好な加工特性を示す薄膜磁気ヘット用基板材料を提供
するものである。
℃っで高iF、度かつ気孔が少なく、耐摩耗性に優れ、
良好な加工特性を示す薄膜磁気ヘット用基板材料を提供
するものである。
本発明者は種々の実験を行った結果、TiCl3〜60
wt%、残部Al2O3よりなる主成分100wt%に
対してざらにランタノイドの酸化物l〜l Ow L%
i4 )川することにより、Al2O3とTICのめれ
性が向上するため、焼結性が向上し残存する気孔が少な
く相対密度99.95%以上を示し、かつ耐摩耗性、加
工性に優れた薄膜磁気ヘット用基板材料を容易に製造す
るものである。
wt%、残部Al2O3よりなる主成分100wt%に
対してざらにランタノイドの酸化物l〜l Ow L%
i4 )川することにより、Al2O3とTICのめれ
性が向上するため、焼結性が向上し残存する気孔が少な
く相対密度99.95%以上を示し、かつ耐摩耗性、加
工性に優れた薄膜磁気ヘット用基板材料を容易に製造す
るものである。
以下本発明を実施例に従って詳細に説明する。
(以下余白)
〔実施例〕
平均粒径0.1〜0.2.u m、 純度99%以上
のAl2O3、TiC% La2O3、CeO2、S
m2O3の各粉末原料を表−1に示す組成比となるよう
に秤量し、Nl11〜Nα15の各試料とした。なおラ
ンタノイドの酸化物として添加するLa2Ox、CeO
2、Sm2O3の各秤量値は、すべてAl2O3とTi
Cを合わせて100 w t%とした主成分に対する割
合である。また試料Na8〜15は比較のためのもさ′
のてあ る。
のAl2O3、TiC% La2O3、CeO2、S
m2O3の各粉末原料を表−1に示す組成比となるよう
に秤量し、Nl11〜Nα15の各試料とした。なおラ
ンタノイドの酸化物として添加するLa2Ox、CeO
2、Sm2O3の各秤量値は、すべてAl2O3とTi
Cを合わせて100 w t%とした主成分に対する割
合である。また試料Na8〜15は比較のためのもさ′
のてあ る。
各試料をそれぞれ上述のように秤量後エタノールを溶媒
とし、ボールミルにて2O〜40時間混合し、濾過、乾
燥後有機系バインダーを添加し、30 mm X 30
au++ X 10 m+wのブロック体に加圧成形
した。さらにこれをArガス雰囲気中で1700℃の温
度で2時間の焼結を行った後、Ar雰囲気にて圧力10
00kg/c+w2、温度1600℃、保持時間2時間
の条件で熱間静水圧プレス(HI P )処理を行った
。
とし、ボールミルにて2O〜40時間混合し、濾過、乾
燥後有機系バインダーを添加し、30 mm X 30
au++ X 10 m+wのブロック体に加圧成形
した。さらにこれをArガス雰囲気中で1700℃の温
度で2時間の焼結を行った後、Ar雰囲気にて圧力10
00kg/c+w2、温度1600℃、保持時間2時間
の条件で熱間静水圧プレス(HI P )処理を行った
。
以上の工程により得られた各試料よりそれぞれ5 mm
X 5 mm X 2O +++mの角柱を切り出し
た後、該角柱の隣接する5 M X 2O−の2面をそ
れぞれ鏡面に加工し、陵部に生した5×5μm以上のチ
ッピング数を500倍の1a率を有する光学顕微鏡を用
いて力「クントし、 1 cm当りのチッピング発生率
に1!l!Hし、加工性の評価項目とした。ざらに、機
械強度の評価項目として、ビッカース硬度Hv(荷ff
41 kg)及び抗折強度Fを測定した。また、アルキ
メデス法により、各試料の密度を測定し、理論密度に対
する相対:!′度を計算した。以上の結果を表−1に示
す。
X 5 mm X 2O +++mの角柱を切り出し
た後、該角柱の隣接する5 M X 2O−の2面をそ
れぞれ鏡面に加工し、陵部に生した5×5μm以上のチ
ッピング数を500倍の1a率を有する光学顕微鏡を用
いて力「クントし、 1 cm当りのチッピング発生率
に1!l!Hし、加工性の評価項目とした。ざらに、機
械強度の評価項目として、ビッカース硬度Hv(荷ff
41 kg)及び抗折強度Fを測定した。また、アルキ
メデス法により、各試料の密度を測定し、理論密度に対
する相対:!′度を計算した。以上の結果を表−1に示
す。
(以下余白)
試料陽1〜7の本発明例と試料NG8〜15′−の比較
例から明かなように、ランタノイドの酸化物を一種ある
いは二種以上合わせて1〜10wt%添加した場合、ビ
ッカース硬度は無添加例(醜8〜10)と比較して50
0〜700の著しい向上を示すが1 w t%未満(N
llll)及び、添加物の合計量が10 w t%を越
える(Nu12〜15)とビッカース硬度が低下し望ま
しくない、抗折強度においても、1〜10wt%の添加
量が効果的である。さらにチッピング発生率においても
、無添加例(11に+8〜10)に比較して、ランタノ
イドの酸化物添加により、チッピングの発生が抑制され
ることが明らかであるが、 1〜10wt%の添加例(
Nal〜7)がチッピング発生率0.5ケ/罰未満と比
較例(Na 8〜15)のチッピング発生率2〜5ケ/
jに比較して極めて効果的であることがわかる。また、
相対強度も無添加例に比較して著しく向上している。こ
れは、ランタノイドの酸化物の添加が1〜10wL%の
範囲内でAl2O3−TiCの粒径成長を抑制し、均一
な結晶粒組織をつくり焼結を促進することに寄与するた
めである。
例から明かなように、ランタノイドの酸化物を一種ある
いは二種以上合わせて1〜10wt%添加した場合、ビ
ッカース硬度は無添加例(醜8〜10)と比較して50
0〜700の著しい向上を示すが1 w t%未満(N
llll)及び、添加物の合計量が10 w t%を越
える(Nu12〜15)とビッカース硬度が低下し望ま
しくない、抗折強度においても、1〜10wt%の添加
量が効果的である。さらにチッピング発生率においても
、無添加例(11に+8〜10)に比較して、ランタノ
イドの酸化物添加により、チッピングの発生が抑制され
ることが明らかであるが、 1〜10wt%の添加例(
Nal〜7)がチッピング発生率0.5ケ/罰未満と比
較例(Na 8〜15)のチッピング発生率2〜5ケ/
jに比較して極めて効果的であることがわかる。また、
相対強度も無添加例に比較して著しく向上している。こ
れは、ランタノイドの酸化物の添加が1〜10wL%の
範囲内でAl2O3−TiCの粒径成長を抑制し、均一
な結晶粒組織をつくり焼結を促進することに寄与するた
めである。
しかし、添加物の合計量が10wt%を越えると、添加
物の偏析が生じるとともに、不均一粒成長が生じ、ビッ
カース硬度抗折強度が低下しチッピングの発生率が再び
増加してくる。
物の偏析が生じるとともに、不均一粒成長が生じ、ビッ
カース硬度抗折強度が低下しチッピングの発生率が再び
増加してくる。
従って、ランタノイドの酸化物La2O3、CeO2、
Sm2O3の一種もしくは、二種以上を合わせて1〜1
0wt%添加することにより、ビッカース硬度ならびに
抗折力に優れた機械特性の良好な高密度セラミックス基
板材料が得られた0本発明では、ランタノイドの酸化物
のうち精製技術及び価格の面からみて有利なことらL
a2Oi、Ce 02、Sm2O3に限定を加えたもの
である。
Sm2O3の一種もしくは、二種以上を合わせて1〜1
0wt%添加することにより、ビッカース硬度ならびに
抗折力に優れた機械特性の良好な高密度セラミックス基
板材料が得られた0本発明では、ランタノイドの酸化物
のうち精製技術及び価格の面からみて有利なことらL
a2Oi、Ce 02、Sm2O3に限定を加えたもの
である。
なお、主成分に関してはTiCとAl2O3の合計に対
するTiCの重量%が15%以下ではビッカース硬度)
(Vが2O00以下となり、また60%以上では焼結性
が著しく低下して密度が向上しないため、主成分のT1
Cf1tを15〜60 w t%に限定している。
するTiCの重量%が15%以下ではビッカース硬度)
(Vが2O00以下となり、また60%以上では焼結性
が著しく低下して密度が向上しないため、主成分のT1
Cf1tを15〜60 w t%に限定している。
(以下余白)
〔発明の効果〕
以上の結果から明らかなように、本発明によれば、従来
製造の困難であった耐摩耗性に優れ、気孔が少なく、機
械加工性も良好な薄膜磁気ヘッド用高密度セラミックス
基板材料を容易に製造する事ができた。
製造の困難であった耐摩耗性に優れ、気孔が少なく、機
械加工性も良好な薄膜磁気ヘッド用高密度セラミックス
基板材料を容易に製造する事ができた。
Claims (1)
- (1)TiCを15〜60wt%含み、残部Al_2O
_3よりなる主成分100重量部に対し、さらにLa_
2O_3、CeO_2、Sm_2O_3の一種又は二種
以上を1〜10wt%添加することを特徴とする薄膜磁
気ヘッド用基板材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61183090A JPS6339115A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 薄膜磁気ヘツド用基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61183090A JPS6339115A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 薄膜磁気ヘツド用基板材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6339115A true JPS6339115A (ja) | 1988-02-19 |
JPH0373043B2 JPH0373043B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=16129583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61183090A Granted JPS6339115A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 薄膜磁気ヘツド用基板材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6339115A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006115016A1 (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Hitachi Metals, Ltd. | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料 |
DE102005032331A1 (de) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Ceram Tec Ag | Mischkeramik mit hoher Bruchzähigkeit |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53105513A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Ngk Spark Plug Co | Method of manufacturing ceramic sintered articles |
JPS5926967A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-13 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜基板用磁器の製造方法 |
JPS60231308A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | アルミナ系磁気ヘッド用基板材料及びその製造方法 |
JPS61158862A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-18 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気ヘツドスライダ材料 |
-
1986
- 1986-08-04 JP JP61183090A patent/JPS6339115A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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DE102005032331B4 (de) * | 2005-07-08 | 2008-03-27 | Ceram Tec Ag | Mischkeramik mit hoher Bruchzähigkeit, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0373043B2 (ja) | 1991-11-20 |
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