WO2006115016A1

WO2006115016A1 - 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料

Info

Publication number: WO2006115016A1
Application number: PCT/JP2006/307470
Authority: WO
Inventors: Hidetaka Sakumichi; Shinzoh Mitomi
Original assignee: Hitachi Metals, Ltd.; Nippon Tungsten Co., Ltd.
Priority date: 2005-04-21
Filing date: 2006-04-07
Publication date: 2006-11-02
Also published as: JPWO2006115016A1; CN101006029A; JP5354901B2; US20090068498A1

Abstract

　薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板に適した高度の熱伝導性と加工性とを備えており、発塵を抑えられる薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料を提供する。本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料は、２５体積％以上７０体積％以下のＷＣと、主にＡｌ2Ｏ3を含む残部とからなる。ＷＣ中に含まれる金属、酸素、および窒素の含有量は、それぞれ、０．１質量％以下、０．５質量％以下、および０．５質量％以下であり、ＷＣの平均粒径は０．６μｍ以下である。

Description

明細書

薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料

技術分野

[0001] 本発明は、ハードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘッドスライダーに用いられる薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料に関する。

背景技術

[0002] 近年、通信 '情報技術分野の発展に伴って、コンピュータで扱える情報量が飛躍的に増大してきている。特に、従来ではアナログ信号としてのみ扱うことが可能であった音声や音楽、画像などの情報もデジタル信号に変換してパーソナルコンピュータで処理できるようになってきて!/、る。このような音楽や画像などのマルチメディアデータは、多くの情報を含むため、パーソナルコンピュータなどに用いられる情報記録装置の容量を大きくすることが求められて、る。

[0003] ハードディスクドライブ装置は、パーソナルコンピュータなどに従来より用いられている典型的な情報記録装置である。上述した要求に応えるため、ハードディスクドライブの容量をより大きくし、また、装置を小型化することが求められている。

[0004] このようなハードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板の材料として、 Al O—TiC系のセラミックス（以下、 AlTiCと略す）が知られている。 AlTiCは、

2 3

Al Oを第 1相とし、 TiCを第 2相として含んでおり、熱伝導性に優れ、精密加工にも

2 3

適している。このため、従来のハードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘッドにはほとんどすべて AlTiCが用いられて!/、た。

[0005] し力しながら、ハードディスクドライブ装置を小型化する要求がますます高まるにつれて、 AlTiCよりも熱伝導性に優れ、より高精度の加工が可能な薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料の提供が望まれてヽる。

[0006] 熱伝導性の高い材料として、例えば、 Al O—SiC系セラミックス、 Al O—TiB—T

2 3 2 3 2 iC系セラミックスなどが挙げられる。しかしながら、これらのセラミックス中に存在する分散粒子は極めて硬質であり、微細かつ精密な加工が施され、極めて平滑な加工面が要求される薄膜磁気ヘッドには適して、な、。 [0007] 熱伝導性の高い他の材料として、 Al Oに WCを添カ卩した Al O WC系セラミック

2 3 2 3

スが挙げられる（例えば、特許文献 1から特許文献 4を参照)。 Al O WC系セラミツ

2 3

タスは、 Al O粉末および WC粉末の硬度がほぼ同等であり、おおむね、良好な加工

2 3

性を備えている。

[0008] 特許文献 1には、 Al Oに比べて熱伝導率が高!、WCを 10容量％〜90容量％含

2 3

み、残部が実質的に Al O力もなる Al O—WC系セラミックスが開示されている。特

2 3 2 3

許文献 2には、特許文献 1に開示された AI O— WC系セラミックスの強度や靭性をさ

2 3

らに改善するため、このセラミックスに対して MgOをさらに 0. 5重量％〜2. 0重量％添加した WC— Al O系複合焼結体が開示されている。特許文献 3には、 WC以外に

2 3

所定量の W Cを添加することによって靭性ゃ硬度がさらに高められた Al O—WC系

2 2 3 セラミックスが開示されている。特許文献 4には、特許文献 3に開示された Al O -W

2 3

C系セラミックスの耐酸ィ匕性ゃ耐摩耗性を高めるため、その表面が第 4a族元素や A1 の化合物などで被覆された表面被覆セラミックスが開示されている。

特許文献 1：特開平 3 - 290355号公報

特許文献 2：特開平 6— 9264号公報

特許文献 3 :特開平 5— 279121号公報

特許文献 4：特開平 6— 340481号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0009] このように Al O WC系セラミックスの特性を改善するため、種々の技術が提案さ

2 3

れている。し力しながら、 Al O—WC系セラミックスを薄膜磁気ヘッド用セラミックス基

2 3

板に適用するには、熱伝導性やカ卩ェ性などの更なる向上が望まれている。

[0010] また、磁気ヘッドの表面に微細な粒子が付着すると、情報の書き込みや読み出しの動作を正確に行うことができないため、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料には、発塵を抑えられること、すなわち、発塵特性が低いことも要求される。

[0011] 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、薄膜磁気ヘッドに適した高度の熱伝導性と加工性とを備えており、発塵特性が低、セラミックス基板材料を提供する。課題を解決するための手段

[0012] 本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料は、 25体積％以上 70体積％以下の WCと、主に Al Oを含む残部とからなる。前記 WC中に含まれる金属、酸素、およ

2 3

び窒素の含有量は、それぞれ、 0. 1質量％以下、 0. 5質量％以下、および 0. 5質量

%以下であり、前記 WCの平均粒径は 0. 6 m以下である。

[0013] ある好ましい実施形態において、前記金属は、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Zr、

Nb、および Moよりなる群力選択される少なくとも 1種であり、前記 WC中に固溶して

V、る力、または前記金属の炭化物若しくは前記金属の酸ィ匕物として存在する。

[0014] 本発明の基板は、上記の、ずれかの薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料力もなる。

[0015] 本発明の薄膜磁気ヘッドスライダーは、上記のいずれかの薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料からなる基板と、前記基板に保持された書き込み素子および読み出し素子とを備える。

[0016] 本発明のハードディスクドライブ装置は、上記の薄膜磁気ヘッドスライダーを備える

[0017] 上記の、ずれかの薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料を作製する方法は、平均粒径が 0. 6 /z m以下の WC粉末と、 Al O粉末とを混合し、前記 WC粉末と前記 Al O

2 3 2 粉末との混合粉末を得る工程と、前記混合粉末を、熱間プレス若しくは熱間静水圧

3

プレス、またはこれらを組合わせて焼結を行う工程と、を包含する。

発明の効果

[0018] 本発明のセラミックス基板材料は、熱伝導性や加工性に優れており、発塵も抑えられるため、記録密度の高ヽノヽードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板に好適に用いることができる。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1]実験例 2において、 WC粉末の平均粒径と発塵特性との相関を示すグラフである。

[図 2]実験例 2において、 Al O WC系セラミックスに占める WCの体積比率と発塵

2 3

特性との相関を示すグラフである。 [図 3]実験例 3において、 WCの体積比率および WC粉末の平均粒径と、体積抵抗率との相関を示すグラフである。

発明を実施するための最良の形態

[0020] 本発明者は、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板に適した材料を提供するため、 A1

2

O—WC系セラミックスに着目して検討を行った。その結果、平均粒径が小さぐ且つ

3

、そのなかに含まれる不純物の量が低減された WCを所定量含有する Al O -WC

2 3 系セラミックスを用いると、 AlTiCに比べて熱伝導性やカ卩ェ性が向上するとともに、発塵も抑えられることを見出し、本発明に到達した。

[0021] まず、本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料を構成する各成分を説明する。

[0022] 本発明に用いられる WCの平均粒径は、 0. 6 m以下である。このように平均粒径が小さい WCを用いることによって発塵量を抑えることができる（後記する実験例 2を参照)。さらに、ユアコンタクトの磁気ヘッド用基板などに要求される高度の面粗度（おおむね、 Ra^ lnm)を確保することもできる。発塵特性の低減や面粗度の向上という観点からすれば、 WCの平均粒径は小さい方が良ぐ好ましい平均粒径は 0. 3 /z m 以下である。 WCの平均粒径の好ましい下限は、発塵特性の観点からは特に制限されないが、取り扱いの容易さ、プレス成形性、および粉末の調製コストなどを考慮すると、おおむね、 0. 05 μ mである。

[0023] 本明細書にぉ、て、平均粒径は、レーザ回折散乱法による粒度分布測定装置 (装置名：マイクロトラック HRA)を用いて得られた粒度分布の体積 50%径を意味する。

[0024] WC中に含まれる金属、酸素、および窒素の含有量は、それぞれ、 0. 1質量％以下、 0. 5質量％以下、および 0. 5質量％以下である。このように WC中に含まれる不純物の含有量を低減することによって熱伝導率がさらに向上する（後記する実験例 1 を参照）。上記金属は、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Zr、 Nb、および Moよりなる群力も選択される少なくとも 1種である。これらの金属は、 WC粉末の作製工程などで不可避的に含まれるものであり、通常、 WC中に固溶する力、または金属炭化物として存在するが、金属酸化物として WC中に存在することもある。これら不純物の含有量は、少ないほど良ぐ WC中に含まれる金属、酸素、および窒素の好ましい含有量は、それぞれ、 0. 01質量％以下、 0. 1質量％以下、および 0. 1質量％以下である。熱伝導率向上の観点力すれば、これら不純物の含有量の下限値は特に制限されず

、少なければ少ないほど良ぐ 0質量％を含み得る。

[0025] 上記金属の含有量は、誘導結合プラズマ (ICP)分析装置を用いて測定する。酸素および窒素の含有量は、酸素 ·窒素同時分析装置 (酸素は赤外線吸収法、窒素は熱伝導度法)を用いて測定する。

[0026] 本発明によるセラミックス中に占める WCの比率は、 25体積％以上 70体積％以下である。 WCの比率が 25体積％未満になると熱伝導性が低下する（後記する実験例 1および実験例 3を参照)。熱伝導性向上の観点からすれば、 WCの比率は多い方が好ましいが、 70体積％を超えて添加しても上記作用が飽和し、コストの上昇を招くだけである。 WCの好ましい比率は、 30体積％以上 50体積％以下である。

[0027] 本発明のセラミックス基板材料は、上記の要件を満足する WCを含み、残部は主に Al Oである。本発明に用いられる Al Oは、 Al O—WC系セラミックス材料に通常

2 3 2 3 2 3

使用されるものであれば、特に制限されない。例えば、結晶 α相の割合が 90体積％以上であり、平均粒径が約 5 μ m以下の Al Oを用いると焼結性が向上する。 Al O

2 3 2 3 の好ましい平均粒径は、 1 m以下である。

[0028] 本発明のセラミックスは、 WCと Al Oとの 2成分から構成されていてもよいが、本発

2 3

明による作用を損なわない範囲で、機械的特性などの他の特性を改善するため、 A1

2

O— WC系セラミックス材料に通常用いられる成分をさらに含有することもできる。残

3

部に含まれる、 Al O以外の成分としては、 Mg、 Si、 Ca、 Zr、 Cr、 Y、 Erおよび Ybの

2 3

酸化物、ならびにこれらの複合物を挙げることができ、これらの含有比率はトータルで、セラミックス基板材料の全体に対して、 1. 0質量⁰ /₀以下である。

[0029] 次に、本発明によるセラミックス基板材料を作製する方法を説明する。

[0030] まず、平均粒径が 0. 6 μ m以下の WC粉末を用意する。このように平均粒径が小さい WC粉末は、例えば、ボールミルなどを用い、 WCの粗粒を機械的に粉砕することによって得ることができる。あるいは、 WC粉末の製造時に、原料の金属 Wや Wの酸化物などの粒度を調整したり、製造条件を調整したりすることによつても得ることができる。 [0031] 次に、 WC粉末の比率が 25体積％以上 70体積％以下となるように、上記の WC粉末に Al O粉末を添加し、混合する。ボールミルを用いて WC粉末の粒径を調整する

2 3

場合には、 WC粉末と Al O粉末とを混合する前に WC粉末の粒径を調整してもよい

2 3

し、あるいは、これらの粉末を混合した後にボールミルを用いて WC粉末の粒径を調整してちょい。

[0032] 次に、得られた混合粉末を熱間プレス (HP)または熱間静水圧プレス (HIP)によつて焼結し、所望とする焼結体を得る。あるいは、これらを組合わせて焼結を行ってもよい。

[0033] 焼結は、例えば、熱間プレスでは、焼結雰囲気を不活性雰囲気または真空下に制御し、約 1400°C以上 1800°C以下の温度、約 lOMPa以上 50MPa以下の圧力で、約 30分から 300分焼結することが好ましい。また、熱間静水圧プレスでは、焼結雰囲気を不活性雰囲気下に制御し、約 1400°C以上 1800°C以下の温度、約 lOOMPa以上 2000MPa以下の圧力で、約 30分から 300分焼結することが好まし!/、。

[0034] (実験例 1)

本実験例では、表 1に示すように WCの体積比率や平均粒径が異なる実施例 (試料番号 2〜7)および比較例（試料番号 8〜12)の Al O—WC系セラミックスを作製し

2 3

、熱伝導性や力学特性などに及ぼす影響を調べた。試料番号 1は Al O TiC

2 3 系セラミックスの従来例であり、比較のために用いた。

[0035] [表 1]

A l ₂0₃ WC WC中の不純物含有量（質量％) WCの平均粒径試料番号

(体積％) (体積％») 金属酸素至 3¾ ( w m)

1 * - - - 1.00

2 75 25 0.01 0.3 0.1 0.42

3 70 30 0.01 0.3 0.1 0.39

4 60 40 0.01 0.3 0.1 0.39

5 50 50 0.01 0.3 0.1 0.40

6 40 60 0.01 0.3 0.1 0.43

7 30 70 0.01 0.3 0.1 0.50

8 80 20 0.01 0.3 0.1 0.46

9 70 30 0.50 0.3 0.1 0.40

10 70 30 0.01 1 .2 0+1 0.45

1 1 70 30 0.01 0.3 1.5 0.38

12 70 30 0.01 0.3 0.1 1 .20 注： 1 *=70%A I ₂0₃-30%T i Cを使用。

[0036] 実施例および比較例のセラミックスは、以下のようにして作製した。

[0037] まず、 Al O粉末（平均粒径約 0. 5 m)と、表 1に示す WC粉末とを用意する。 WC

2 3

中に含まれる不純物の量は、 WC粉末の製造条件を制御することによって調整した。 WC粉末の平均粒径は、 WCの粗粒（平均粒径約 1. 5 m)を用い、ボールミルによる粉砕時間を変えることによって調整した。

[0038] 次に、 WC粉末と Al O粉末とを、表 1に示す配合比となるように秤量し、約 40時間

2 3

ボールミルで湿式混合した後、スプレードライヤを用いて乾燥させ、造粒粉末を得た。この造粒粉末を Arガス雰囲気下、 20MPaの圧力、約 1400°C力ら約 1800°Cの温度で約 60分力も約 120分、熱間プレスによって焼結することによってセラミックスを得た。

[0039] このようにして得られた実施例および比較例のセラミックス、並びに従来例 (試料番号 1)のセラミックスを用い、表 2に示す種々の特性を測定した。熱伝導率 WIS R 1 611に基づくレーザフラッシュ法、破壊靭性 «JIS R1607に基づく方法、ヤング率 WIS R1602の 3点曲げ法、曲げ強度 ¾JISの R1610 (3点曲げ試験）に基づく方法で、それぞれ、測定した。各セラミックスの研摩能率は、平均粒径 0. 5 mの単結晶ダイヤモンドパウダーを用い、 20分間あたりの研摩量をリニアゲージで測定することによって評価した。ここでは、従来例 (試料番号 1)における研摩能率を 100としたときの相対特性で評価した。

[0040] これらの結果を表 2に併記する

[0041] [表 2]

注：研摩能率 *= No. 1を 100としたときの相対比率で表す。

[0042] 試料番号 2から 7の実施例の熱伝導率は、すべて、 26W/m'K以上であり、 WCの体積比率が多くなると熱伝導率は高くなつた。研摩能率は、 AlTiCセラミックスよりも約 2倍の高値を示しており、加工性が著しく向上していることが分かる。曲げ強度および破壊靭性は、薄膜磁気ヘッドに適用するに当たつて実用上何の問題もなヽレベルの値を備えている。

[0043] これに対し、 WCの体積比率が小さい試料番号 8の比較例、並びに、 WC中に含まれる金属、酸素、および窒素の含有量が、それぞれ、多い試料番号 9、 10、および 1 1の比較例の熱伝導率は、いずれも、 21WZm'K力 24WZm.Kであり、実施例に比べて熱伝導性が低下した。これらの比較例では、 WC粉末の平均粒径は実施例とほぼ同等にも力かわらず、熱伝導性が低下したことから、熱伝導性を高めるためには、 WCの体積比率や WC中に含まれる不純物の含有量を適切に制御することが重要であることが分かる。

[0044] また、 WCの体積比率が小さ 1、試料番号 8の比較例では、熱伝導率のほか、破壊靭性ゃヤング率も低下した。 [0045] WC粉末の平均粒径が 1. 20 μ mと大きい試料番号 12の比較例では、表 1に示すように、熱伝導率や曲げ強度などの特性は実施例と同程度に優れているが、発塵特性が低下することを確認している。 WC粉末の平均粒径と発塵量との関係は、後記する実験例 3で詳しく述べる。

[0046] (実験例 2)

本実験例では、表 3に示すように WCの体積比率や平均粒径が異なる Al O -WC

2 3 系セラミックス (試料番号 21から 27)を作製し、発塵特性に及ぼす影響を調べた。試料番号 21から 23は、 Al Oと WCとの体積比率は 75% : 25%と一定である力平均

2 3

粒径が異なる WC粉末を用いた例であり、試料番号 21から 22は実施例、試料番号 2 3は比較例である。一方、試料番号 24から 27は、 WC粉末の平均粒径はすべて 0. 2 μ mと一定であるが、 Al Oと WCとの体積比率が異なる例であり、試料番号 24から 2

2 3

5は比較例、試料番号 26から 27は実施例である。

[0047] これらのセラミックスは以下のようにして作製した。

[0048] まず、実験例 1と同様にして、 Al O粉末 (平均粒径約 0. 5 m)と、表 3に示す種

2 3

々の WC粉末とを用意する。なお、 WC中に含まれる不純物の含有量は、いずれの試料も同じであり、金属、酸素、および窒素の含有量は、それぞれ、 0. 01質量％、 0 . 3質量％、および 0. 1質量％である。

[0049] 次、で、このようにして得られた WC粉末と、 Al O粉末とを、表 3に示す配合比とな

2 3

るように秤量し、実験例 1と同様にして混合した後、表 4に示す条件で熱間プレスおよび熱間静水圧プレスを順次、行って焼結を実行した。

[0050] このようにして得られた実施例および比較例のセラミックスを用い、発塵特性を調べた。発塵特性は、棒状に加工したサンプル（サイズ:約 50mm X I. 2mm X O. 4mm )を超純水中に浸漬し、 68kHzの超音波を用いて 1分間洗浄した後、洗浄液中のパ一ティクル（平均粒径約 0. 5 μ m以上）の数を、 LPC (レーザ光散乱カウンター）を用いて測定することによって評価した。この洗浄操作を合計 5回繰り返した。ここでは、上記の洗浄操作を 1回行った後の洗浄液中のパーティクル数が 30000個以下の場合、「発塵特性に優れる」と評価した。

[0051] これらの結果を表 4に併記する。さらに、試料番号 21から 23の発塵特性を図 1に、試料番号 24から 27の発塵特性を図 2に示す,

[0052] [表 3]

[0053] [表 4]

[0054] 図 1に示すように、平均粒径が 0. 6 mおよび 0. 2 mと小さい WC粉末を用いた試料番号 21および 22の実施例では、 1回の洗浄操作により、洗浄液中のパーテイクル数を 30000個未満に低減することができた。発塵特性は、試料番号 22に比べ、 W C粉末の平均粒径が小さい試料番号 21の方が優れている。これに対し、平均粒径が 1. 5 mの WC粉末を用いた試料番号 23の比較例では、発塵量が多くなつた。したがって、 WC粉末の平均粒径は発塵を抑えるために重要な要因であることが分かる。

[0055] また、平均粒径が 0. 6 μ mの WC粉末を用いた場合、試料番号 24から試料番号 2 7のように、 WCの体積比率を 10%力も 40%の範囲内で変化させても、発塵量は、ほぼ、同程度に低く抑えられることも分力つた（図 2を参照)。

[0056] (実験例 3)

本実験例では、表 5に示すように WCの体積比率および平均粒径が異なる種々の Al O—WC系セラミックスを、実験例 1と同様にして作製し、体積抵抗率との関係を

2 3

調べた。 WC中に含まれる不純物の含有量は、いずれの試料も同じであり、金属、酸素、および窒素の含有量は、それぞれ、 0. 01質量％、 0. 3質量％、および 0. 1質量％である。

[0057] このようにして得られたセラミックスの体積抵抗率を 4端子 4探針法を用いて測定した。これらの結果を表 5に併記する。さらに、 WCの体積比率および WC粉末の平均粒径と、体積抵抗率との関係を図 3に示す。

[0058] [表 5]

[0059] 図 3に示すように、 Al O—WC系セラミックスの体積抵抗率は、 WCの体積比率

2 3

25%を境にして著しく低くなり、 WCの体積比率が 25%以上の場合、おおむね、 0. 12 Ω 'cm以下となった。このようなセラミックスを磁気ヘッドスライダーの材料に用いても静電気の問題は発生せず、十分なレベルの導電性を備えてヽる。

[0060] 上述したように、本発明によると、 AlTiCよりも熱伝導性や加工性が高ぐ発塵を抑えられたセラミックスを得ることができる。従って、本発明のセラミックスは、高密度記録 HDD用の磁気ヘッドスライダーの材料として好適に用いられる。また、本発明によるセラミックス基板材料を用いて作製された磁気ヘッドスライダーを用いることによつて、信頼性の高い高密度記録 HDDを得ることができる。なお、本発明によるセラミツタス基板材料を用いて磁気ヘッドスライダーおよびそれを用いて HDDを製造する方法は、公知の方法で実行できるので、説明を省略する。

産業上の利用可能性

[0061] 本発明によると、ハードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘッドスライダーに用いられる薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料が提供される。

Claims

請求の範囲

[1] 25体積％以上 70体積％以下の WCと、主に Al Oを含む残部とからなる薄膜磁気

2 3

ヘッド用セラミックス基板材料であって、

前記 WC中に含まれる金属、酸素、および窒素の含有量は、それぞれ、 0. 1質量 %以下、 0. 5質量％以下、および 0. 5質量％以下であり、

前記 WCの平均粒径は 0. 6 /z m以下である、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料。

[2] 前記金属は、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Zr、 Nb、および Moよりなる群から選択される少なくとも 1種であり、前記 WC中に固溶している力、または前記金属の炭化物若しくは前記金属の酸化物として存在する、請求項 1に記載の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料。

[3] 請求項 1または 2に記載の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料カゝらなる基板。

[4] 請求項 1または 2に記載の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料力もなる基板と、前記基板に保持された書き込み素子および読み出し素子とを備えた薄膜磁気ヘッドスライダー。

[5] 請求項 4に記載の薄膜磁気ヘッドスライダーを備えたノヽードディスクドライブ装置。

[6] 請求項 1または 2に記載の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料を作製する方法であって、

平均粒径が 0. 6 /z m以下の WC粉末と、 Al O粉末とを混合し、前記 WC粉末と前

2 3

記 Al O粉末との混合粉末を得る工程と、

2 3

前記混合粉末を、熱間プレス若しくは熱間静水圧プレス、またはこれらを組合わせて焼結を行う工程と、

を包含する、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料の作製方法。