JP2003342058A

JP2003342058A - 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料

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Publication number: JP2003342058A
Application number: JP2002149687A
Authority: JP
Inventors: Shinji Tsujimoto; 真司辻本; Taisuke Hirooka; 泰典廣岡; Shinzo Ajitomi; 晋三味冨
Original assignee: Nippon Tungsten Co Ltd; Sumitomo Special Metals Co Ltd
Current assignee: Nippon Tungsten Co Ltd; Proterial Ltd
Priority date: 2002-05-23
Filing date: 2002-05-23
Publication date: 2003-12-03
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Abstract

(57)【要約】【課題】第２相を構成する粒子の硬度およびイオンビ
ームエッチング速度と第１相を構成する粒子の硬度およ
びイオンビームエッチング速度とをほぼ同じにすること
によって、優れた加工性を備える薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板材料を提供する。【解決手段】本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミックス
基板材料は、２４〜７５ｍｏｌ％の第１相および残部の
第２相を含む。前記第１相はAｌ₂Ｏ₃からなる。前記第
２相は、組成式（Ｍ_aＭ’_b）（Ｃ_xＯ_yＮ_z）（Ｍは、Ｎ
ｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＶおよびＴａのなかから選ばれる
少なくとも一種の元素、Ｍ’は、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆ
のなかから選ばれる少なくとも一種の元素、ａ＋ｂ＝
１、ｂ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．５≦ｘ≦０．９
９５、０．００５≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．２０）
で表される化合物からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ装置の薄膜磁気ヘッドスライダーに用いられる薄
膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信・情報技術分野の発展に伴っ
て、コンピュータで扱える情報量が飛躍的に増大してき
ている。特に、従来ではアナログ信号としてのみ扱うこ
とが可能であった音声や音楽、画像などの情報もデジタ
ル信号に変換してパーソナルコンピュータで処理できる
ようになってきている。このような音楽や画像などのマ
ルチメディアデータは、多くの情報を含むため、パーソ
ナルコンピュータなどに用いられる情報記録装置の容量
を大きくすることが求められている。

【０００３】ハードディスクドライブ装置は、パーソナ
ルコンピュータなどに従来より用いられている典型的な
情報記録装置である。上述した要求に応えるため、ハー
ドディスクドライブの容量をより大きくし、また、装置
を小型化することが求められている。

【０００４】このようなハードディスクドライブ装置の
薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板の材料として、Ａｌ
₂Ｏ₃−ＴｉＣ系のセラミックス焼結体（以下、ＡｌＴｉ
Ｃと略す）が知られている。ＡｌＴｉＣは、Ａｌ₂Ｏ₃を
第１相とし、ＴｉＣを第２相として含んでおり、電気伝
導性に優れ、精密加工にも適している。このため、従来
のハードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘッドにはほ
とんどすべてＡｌＴｉＣが用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したようにハード
ディスクドライブ装置を小型化する要求が高まるにつれ
て、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板を従来よりも高
精度に加工する必要が生じている。しかしながら、Ａｌ
ＴｉＣはＡｌ₂Ｏ₃セラミックスとＴｉＣセラミックスの
混合体であるため、２つのセラミックスの性質の違いに
より、種々の問題が生じる。

【０００６】具体的には、ＡｌＴｉＣにおいて、ＴｉＣ
粒子のビッカース硬度Ｈｖは２４００以上であるのに対
して、Ａｌ₂Ｏ₃粒子のビッカース硬度Ｈｖは２０００で
あり、２つの粒子の硬度差は大きい。このため、ＡｌＴ
ｉＣ基板を研磨すると、Ａｌ ₂Ｏ₃粒子のほうがＴｉＣ粒
子よりも多く研磨されてしまい、ＡｌＴｉＣ基板の表面
において、ＴｉＣ粒子とＡｌ₂Ｏ₃粒子との間に段差が生
じる。この段差は平均面粗さで５ｎｍ以下であり、従来
のハードディスクドライブ装置に用いられる薄膜磁気ヘ
ッド用セラミックス基板では、問題とならない値であっ
た。

【０００７】しかし、ハードディスクドライブ装置の小
型化にともなって、薄膜磁気ヘッドがディスクから浮上
する高さも小さくなり、薄膜磁気ヘッドのスライダーの
エアーベアリングサーフェイス（ＡＢＳ）の面粗さも、
さらに高品位のものが要求されるようになってきてい
る。特に３．５インチのハードディスクドライブ装置に
おいてガラス基板が磁気記録媒体のディスクに採用され
るようになり、ディスクの回転数も１００００回転／分
を超えるようになってきた。このため、ＡｌＴｉＣ基板
の平均面粗さをさらに小さくする必要が生じている。

【０００８】また、図３（ａ）に示すように、薄膜磁気
ヘッド２０は、ＡｌＴｉＣ基板２１、Ａｌ₂Ｏ₃膜２２、
読み出しあるいは書き込み素子２３、およびＡｌ₂Ｏ₃膜
２４を積層して形成される。薄膜磁気ヘッド２０を作製
する際、ＡＢＳ面となる面２５は、まず研磨によって平
坦になるよう仕上げられる。面２５には、ＡｌＴｉＣ基
板２１とＡｌ₂Ｏ₃膜２２、２４と素子２３とが露出して
いるため、面２５を研磨する際に、これらの要素におい
て硬度の違いが問題となる。具体的には、ＡｌＴｉＣ基
板１１のＡｌ₂Ｏ₃およびＴｉＣのビッカース硬度Ｈｖは
それぞれ２０００および２４００であり、Ａｌ₂Ｏ₃膜お
よび素子２３（金属）のビッカース硬度Ｈｖは７００〜
９００および１００〜３００である。

【０００９】このため、面２５においてもっとも広い面
積を占め、ＡＢＳ面の主要な構成となるＡｌＴｉＣ基板
１１（特にＴｉＣ）の研磨量が最適となるように面２５
を研磨すると、ＴｉＣより硬度の小さいＡｌ₂Ｏ₃膜２
２、２４および素子２３が研磨されすぎてしまう。その
結果、図３（ｂ）に示すように、平坦であるべき面２５
において、Ａｌ₂Ｏ₃膜２２および２４の部分は、ＡｌＴ
ｉＣ基板２１の部分に比べて一段低くなり、素子２３の
部分はそれよりさらに低くなってしまう。一般に、この
段差はポールチップリセッション（以下、「ＰＴＲ」と
略す）と呼ばれる。このＰＴＲの発生によって、磁気ヘ
ッドと磁気記録媒体との間の余分な空隙が形成されてし
まい、ハードディスクドライブの小型化の妨げとなる。
この際、ＡｌＴｉＣ基板１１中のＡｌ₂Ｏ₃もＴｉＣより
多く研磨されるため、ＡｌＴｉＣ基板１１の表面の粗さ
も上述した程度の値となる。

【００１０】また、研磨を行った後、薄膜磁気ヘッド２
０の面２５には、ＡＢＳの形状に加工するためのイオン
ビームエッチング等のドライエッチングが施される。ド
ライエッチングにおいては、化学種の違いによってエッ
チング速度が異なるため、面２５には、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔｉ
Ｃ、および素子２３を構成する金属という３つの異なる
化学種が存在する。ＡｌＴｉＣ基板２１およびＡｌ₂Ｏ₃
膜２２、２４のＡｌ₂Ｏ₃は、イオンビームエッチングに
おいては同じエッチング速度を有する。

【００１１】一般に、ドライエッチングにおいて、エッ
チング速度の異なる２つの化学種のエッチング量は、エ
ッチング条件を適切に選択、調整することによって制御
することが可能である。しかし、エッチング速度の異な
る３つの化学種のエッチング量を制御することは、現在
考えられる通常の方法では非常に困難である。したがっ
て、面２５をイオンビームによりエッチングする場合に
も、化学種の違いによるエッチング量の違いが必然的に
生じてしまう。例えば、ＡｌＴｉＣ基板２１のＡｌ₂Ｏ₃
粒子およびＴｉＣ粒子のエッチング量を等しくしようと
エッチング条件を調節した場合、素子２３のエッチング
量を適切な値にすることは困難である。また、Ａｌ₂Ｏ₃
粒子および素子２３のエッチング量を等しくしようとエ
ッチング条件を調節した場合、ＴｉＣ粒子のエッチング
量を適切な値にすることは困難である。

【００１２】この問題を解決する１つの方法として、薄
膜磁気ヘッド２０の基板の材料を、ＡｌＴｉＣのような
複合材料から単相材料へ変更することが考えられる。例
えば、ＺｒＯ₂、ＳｉＣといったセラミックス材料やＣ
ＶＤ−ＳｉＣ、サファイア、Ｓｉ単結晶を薄膜磁気ヘッ
ド２０用の基板として用いることが検討されている。

【００１３】しかし、単結晶材料は劈開性を有している
ため、精密な加工が要求される薄膜磁気ヘッドには適し
ていない。また、他のセラミックス材料は、単相材料で
あることによるエッチングの均一性を備えるものの、薄
膜磁気ヘッドとして必要な他の物性条件を満たさない。
例えば、ＺｒＯ₂は、単相材料であるため、均一なエッ
チングが得られ、硬度も小さいという点で薄膜磁気ヘッ
ド用セラミックス基板の材料としてＡｌＴｉＣよりも優
れている。しかし、熱伝導率が非常に悪く、ヘッドの磁
気特性に悪影響を与えるほどであり、また、電気抵抗も
高すぎる。特に、電気抵抗が小さく、適当な熱膨張率お
よび熱伝導率を備えた安価な単相セラミックス材料は知
られていない。

【００１４】本発明は、上記課題の少なくとも１つを解
決するためになされたものであって、その目的とすると
ころは、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板に適した加
工性を備える薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料を
提供する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
用セラミックス基板材料は、２４〜７５ｍｏｌ％の第１
相および残部の第２相を含む。前記第１相はAｌ₂Ｏ₃か
らなる。前記第２相は、組成式（Ｍ_aＭ’_b）（Ｃ_xＯ_yＮ
_z）（Ｍは、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＶおよびＴａのな
かから選ばれる少なくとも一種の元素、Ｍ’は、Ｔｉ、
ＺｒおよびＨｆのなかから選ばれる少なくとも一種の元
素、ａ＋ｂ＝１、ｂ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．５
≦ｘ≦０．９９５、０．００５≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ
≦０．２０）で表される化合物からなる。

【００１６】また、本発明の他の薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板材料は、２４〜７５ｍｏｌ％の第１相およ
び残部の第２相を含む。前記第１相はAｌ₂Ｏ₃からな
る。前記第２相は、組成式（Ｍ’’_cＭ’’’_d）（Ｃ_x
Ｏ_yＮ_z）（Ｍ’’は、Ｎｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのなか
から選ばれる少なくとも一種の元素、Ｍ’’’は、Ｖ、
Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのなかから選ばれる少なく
とも一種の元素、ｃ＋ｄ＝１、ｄ≦０．８、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１、０．５≦ｘ≦０．８、０．２≦ｙ≦０．３０、０
≦ｚ≦０．１０）で表される化合物からなる。

【００１７】ある好ましい実施形態において、前記第２
相を構成する粒子のビッカース硬度は、前記第１相を構
成する粒子のビッカース硬度の±５％の範囲にある。

【００１８】ある好ましい実施形態において、前記第２
相を構成する粒子のイオンビームエッチング速度は、前
記第１相を構成する粒子のイオンビームエッチング速度
の±２０％の範囲にある。

【００１９】ある好ましい実施形態において、前記Ｍ’
は、Ｎｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのなかから選ばれる少な
くとも一種の元素である。

【００２０】ある好ましい実施形態において、薄膜磁気
ヘッド用セラミックス基板材料は、前記第１相および前
記第２相の合計に対して、０〜２．０ｍｏｌ％の第１の
添加剤となるＭｇ、Ｃａ、ＺｒおよびＣｒの酸化物のな
かから選ばれる少なくとも一種と、前記第１相および前
記第２相の合計に対して、０〜２．０ｍｏｌ％の第２の
添加剤となる希土類元素の酸化物から選ばれる少なくと
も一種とを更に含み、前記第１の添加剤および前記第２
の添加剤の合計は、前記第１相および前記第２相の合計
に対して、０〜３．０ｍｏｌ％の範囲である。

【００２１】ある好ましい実施形態において、前記第１
の添加剤および前記第２の添加剤は、それぞれ単独の酸
化物、それらの複合酸化物、または、前記第１相との複
合酸化物として存在している。

【００２２】ある好ましい実施形態において、前記薄膜
磁気ヘッド用セラミックス基板材料の平均結晶粒径は
０．３〜１．５μｍである。

【００２３】また、本発明の他の薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板材料は、２４〜７５ｍｏｌ％の第１相とな
るＡｌ₂Ｏ₃と、残部が第２相とからなる薄膜磁気ヘッド
用セラミックス基板材料であって、前記第２相を構成す
る粒子のビッカース硬度は、前記第１相を構成する粒子
のビッカース硬度の±５％の範囲にあり、前記第２相を
構成する粒子のイオンビームエッチング速度は、前記第
１相を構成する粒子のイオンビームエッチング速度の±
２０％の範囲にある。

【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基
板は、上記いずれかの薄膜磁気ヘッド用セラミックス基
板材料からなる。

【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドスライダーは、上
記いずれかの薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料か
らなる基板と、前記基板に保持された書き込み素子およ
び読み出し素子とを備える。

【００２６】本発明のハードディスクドライブ装置は、
上記薄膜磁気ヘッドスライダーを備える。

【００２７】

【発明の実施の形態】本願発明者は、ＡｌＴｉＣセラミ
ックスの第２相であるＴｉＣの炭酸窒化物を他の材料に
置き換えるか、あるいは、ＴｉＣに他の材料を固溶させ
ることによって、第２相の硬度をＡｌ₂Ｏ₃と同程度以下
に低下させることができることを見出した。これによっ
て、Ａｌ₂Ｏ₃と第２相とからなるセラミックス全体にお
いて、硬度を均一にすると共に、全体の硬度を低下させ
て、薄膜磁気ヘッドのＡｌ₂Ｏ₃膜と読み出しまたは書き
込み素子を構成する金属との硬度差も小さくすることが
できる。好ましくは、第２相の粒子のビッカース硬度
は、Ａｌ₂Ｏ₃粒子のビッカース硬度の±５％の範囲内に
ある。

【００２８】また、同様にして、第２相およびＡｌ₂Ｏ₃
のイオンエッチングにおけるエッチング速度をおおよそ
等しくできることを見出した。これによって、Ａｌ₂Ｏ₃
と第２相とからなる混合セラミックスであるにもかかわ
らず、ドライエッチングに対しては１つの化学種からな
るセラミックスのように、全体を均一にエッチングする
ことができるようになる。好ましくは、第２相の粒子の
エッチング速度は、Ａｌ₂Ｏ₃粒子のエッチング速度の±
２０％の範囲内にある。

【００２９】上述のセラミックス粒子のビッカース硬度
は、物理的な性質に関連しているのに対して、セラミッ
クス粒子のイオンエッチング速度は化学的な性質に関連
している。一般に、物質の物理的な性質と化学的な性質
との間に直接的な関連はないことが多いが、本願発明者
は、これら２つの性質を同時に満たすことのできる組成
範囲が第２相に存在することを見出した。

【００３０】したがって、Ａｌ₂Ｏ₃粒子と上述の２つの
性質を備える第２相とを含むセラミックスからなる薄膜
磁気ヘッド用セラミックス基板は、より精密な加工に適
しており、小型で高い記録密度を有するハードディスク
ドライブ装置を実現することができる。

【００３１】従来より、ＡｌＴｉＣ基板において、Ｔｉ
Ｃの炭酸窒化物の一部を他の材料に置き換えることは知
られていた。しかし、従来技術は、Ｔｉの等価で置換可
能な他の元素として、種々の元素が用いられているに過
ぎず、構成粒子の硬度を制御する目的や構成粒子のイオ
ンエッチング速度を制御する目的でＴｉを他の元素に置
き換えることはなされていなかった。

【００３２】なお、本願明細書において、複合セラミッ
クスを構成している２つ以上の相のそれぞれの粒子の硬
度に言及しているが、これらの粒子の硬度は、通常のビ
ッカース、ヌープ、ブリネルなどの硬度を測定する方法
では測定できない。これらの方法は、１個の粒子の硬度
ではなく、数百〜数万個の粒子からなる集合の平均的な
硬度の値を求めるものである。本発明では、粒子１個の
硬度を求めるために、マイクロインデンテーション法を
用いた。そして、マイクロインデンテーション法による
硬度Ｈをビッカース硬度Ｈｖに換算している。マイクロ
インデンテーション法による計測方法や、ビッカース硬
度への換算については、後述する実験例において説明す
る。

【００３３】以下、本発明による薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板材料を詳細に説明する。本発明の薄膜磁気
ヘッド用セラミックス基板材料は第１相と第２相とを含
み、第２相を構成する化合物の組成には２つの条件が存
在する。

【００３４】第１の条件では、本発明の薄膜磁気ヘッド
用セラミックス基板材料は、第１相である２４〜７５ｍ
ｏｌ％のＡｌ₂Ｏ₃と、残部が組成式（Ｍ_aＭ’_b）（Ｃ_x
Ｏ_yＮ _z）で表される化合物からなる第２相とを含む。

【００３５】ここで、Ｍは、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ
およびＴａのなかから選ばれる少なくとも一種の元素で
あり、Ｍ’は、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのなかから選ばれ
る少なくとも一種の元素である。また、上記組成式の組
成比は、ａ＋ｂ＝１、ｂ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０．５≦ｘ≦０．９９５、０．００５≦ｙ≦０．３０、
０≦ｚ≦０．２０を満たす。

【００３６】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、ＷおよびＭｏの炭酸窒化物のビッカース硬度はそれ
ぞれ、２４００、２３００、１９００、２３００、１５
５０、１４００、１７５０、１３５０および１７００程
度である。このうち、Ａｌ₂Ｏ₃のビッカース硬度（２０
００〜２１００）より小さいものは、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、ＷおよびＭｏの炭酸窒化物である。これらの元素
からなる集合をグループＡと呼ぶ。また、Ａｌ₂Ｏ₃のビ
ッカース硬度より大きいものは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆ
の炭酸窒化物である。これらの元素からなる集合をグル
ープＢと呼ぶ。

【００３７】これらの９つの元素の炭酸窒化物は任意の
割合で互いに固溶し合い、ひとつの相をつくる。また、
グループＡおよびグループＢからそれぞれ選ばれる元素
の炭酸窒化物の固溶体は、混合した炭酸窒化物のそれぞ
れの硬度の平均的な値となる硬度を備え、その値は混合
する金属炭酸窒化物の割合によって変化することを確認
した。例えば、Ｔｉの炭酸窒化物およびＮｂの炭酸窒化
物の硬度はそれぞれ２４００および１５５０であり、Ｔ
ｉの炭酸窒化物に対してＮｂの炭酸窒化物の量を増やし
ていくと、２つの炭酸窒化物の固溶体の硬度は小さくな
っていく。

【００３８】したがって、グループＡおよびグループＢ
からそれぞれ選ばれる１つまたは複数の元素の炭酸窒化
物を選択し、その混合割合を調節することにより所望の
ビッカース硬度を備えた固溶体を得ることができる。

【００３９】本発明では、ＡｌＴｉＣセラミックスの第
２相であるＴｉＣを他の材料に置き換えるか、あるい
は、ＴｉＣに他の材料を固溶させることによって、第２
相の硬度をＡｌ₂Ｏ₃と同程度以下に低下させることにあ
る。

【００４０】このためには、Ｍ：Ｍ’は８：２以上であ
ることが好ましい。つまり、組成式（Ｍ_aＭ’_b）（Ｃ_x
Ｏ_yＮ_z）において、ａ＋ｂ＝１かつｂ≦０．２であるこ
とが好ましい。Ｍ：Ｍ’が８：２未満であれば、アルミ
ナよりも硬度が大きくなってしまうので、好ましくな
い。Ｍ：Ｍ’の比は大きいほうが好ましく、具体的には
９：１以上、すなわち、ａ＋ｂ＝１かつｂ≦０．１であ
ることがより好ましい。

【００４１】組成式（Ｍ_aＭ’_b）（Ｃ_xＯ_yＮ_z）のｘ、
ｙ、ｚの値は、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．５≦ｘ≦０．９９
５、０．００５≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．２０を満
たすことが好ましい。ｘは炭素の含有比率を規定し、ｘ
が０．９９５よりも大きくなると、著しく粒子が脱粒し
てしまう。また、ｘが０．５未満である場合には、薄膜
磁気ヘッドと磁気記録媒体とのトライボロジー特性が劣
化する。炭素の含有比率ｘは、０．７≦ｘ≦０．９を満
たしていることがより好ましい。

【００４２】酸素の含有比率ｙは、正確に制御される必
要である。ｙが０．３を超えると、切断抵抗が高くなり
すぎてしまう。また、ｙが０．００５より小さい場合、
結合促進効果が十分ではなく、低温焼結性が悪くなる。
その結果、平均結晶粒径が大きくなってしまう。切断抵
抗を小さくし、平均結晶粒径を小さくするためには、ｙ
は０．０２≦ｙ≦０．１２を満たすことがより好まし
い。

【００４３】窒素の含有比率ｚは、粒成長を抑制するの
ために重要な要素である。ｚが０．２よりも大きいと、
窒素が切断用のダイアモンド砥石と反応して切断抵抗を
著しく大きくしてしまう。

【００４４】Ａｌ₂Ｏ₃と組成式（Ｍ_aＭ’_b）（Ｃ_xＯ_yＮ
_z）で示される第２相との混合比率は磁気記録媒体との
トライボロジー特性に関係する。２４〜７５ｍｏｌ％の
Ａｌ ₂Ｏ₃に対して、第２相が残部（７６〜２５ｍｏｌ
％）を占めることが好ましい。Ａｌ₂Ｏ₃が７５ｍｏｌ％
を超えると、Ａｌ₂Ｏ₃の結晶粒子成長を抑制する効果が
少なく、Ａｌ₂Ｏ₃粒子が粗大化する可能性があるため好
ましくない。また、Ａｌ ₂Ｏ₃が２３ｍｏｌ％未満である
場合には、緻密な焼結体を得ることが困難となり、塵埃
をトラップするポアが焼結体中に増えてしまうので好ま
しくない。Ａｌ₂Ｏ₃の結晶粒子成長を抑え、より緻密な
焼結体を得るためには、４０〜６０ｍｏｌ％のＡｌ₂Ｏ₃
に対して、第２相が残部（６０〜４０ｍｏｌ％）を占め
ることがより好ましい。

【００４５】第２の条件では、第２相は、組成式
（Ｍ’’_cＭ’’’_d）（Ｃ_xＯ_yＮ_z）で表される化合物
からなる。第２の条件を満たしていても第２相の硬度を
Ａｌ₂Ｏ₃と同程度以下に低下させることができる。第２
の条件では、Ｍ’’は、Ｎｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのな
かから選ばれる少なくとも一種の元素であり、Ｍ’’’
は、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのなかから選ばれ
る少なくとも一種の元素である。また、上記組成式の組
成比は、ｃ＋ｄ＝１、ｄ≦０．８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０．６≦ｘ≦０．８、０．２≦ｙ≦０．３、０≦ｚ≦
０．１０を満たす。

【００４６】第２の条件では、Ｃ、ＯおよびＮの組成比
を最適に選択することによって、Ｍ’’’として選ばれ
る金属の含有量が多くても、第２相のビッカース硬度Ｈ
ｖをＡｌ₂Ｏ₃の値の±５％以内の範囲にすることができ
る。

【００４７】炭素の含有比率ｘが０．８を超えると、第
２相のビッカース硬度ＨｖがＡｌ₂Ｏ₃の値より５％以上
大きくなってしまうので好ましくない。一方、ｘが０．
５未満である場合には、第１の条件と同様、トライボロ
ジー特性が劣化する。炭素の含有比率ｘは、０．６≦ｘ
≦０．７を満たしていることがより好ましい。

【００４８】また、酸素の含有比率ｙが０．３を超える
と、切断抵抗が高くなりすぎてしまう。一方、ｙが０．
２より小さい場合、第２相のビッカース硬度ＨｖがＡｌ
₂Ｏ₃の値より５％以上大きくなってしまうので好ましく
ない。より好ましいｙの範囲は、０．２３≦ｙ≦０．２
６である。

【００４９】窒素の含有比率ｚが、０．１より大きくな
ると、第２相のビッカース硬度ＨｖがＡｌ₂Ｏ₃の値より
５％以上大きくなってしまうので好ましくない。窒素の
含有比率ｚは、０≦ｚ≦０．０５を満たしていることが
より好ましい。

【００５０】Ａｌ₂Ｏ₃と組成式（Ｍ’’_cＭ’’’_d）
（Ｃ_xＯ_yＮ_z）で表される第２相との混合比率の好まし
い値は第１の条件と同じである。つまり、２４〜７５ｍ
ｏｌ％のＡｌ₂Ｏ₃に対して、第２相が残部（７６〜２５
ｍｏｌ％）を占めることが好ましく、４０〜６０ｍｏｌ
％のＡｌ₂Ｏ₃に対して、第２相が残部（６０〜４０ｍｏ
ｌ％）を占めることがより好ましい。

【００５１】上述の第１の条件または第２の条件による
組成を備えた薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料に
添加剤を加え、平均結晶粒径を調節し、また、焼結性を
改善してもよい。具体的には、第１相および第２相によ
って構成材料の１００％を占める薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板材料に対して、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｒ、および
Ｃｒの酸化物からなる第１の添加剤のグループから選ば
れる少なくとも一種を０〜２．０ｍｏｌ％を添加し、希
土類元素の酸化物からなる第２の添加剤を０〜２．０ｍ
ｏｌ％添加してもよい。ここで、第２の添加剤はＣｅ、
Ｙ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｙｂ等である。また、第１の添加剤お
よび第２の添加剤の合計は０〜３．０ｍｏｌ％であるこ
とが好ましい。さらに、第１の添加剤を０．０１〜１．
０ｍｏｌ％添加し、第２の添加剤を０．０３〜０．８ｍ
ｏｌ％添加することがより好ましく、第１の添加剤およ
び第２の添加剤の合計は、０．０１〜１．０３ｍｏｌ％
であることがより好ましい。

【００５２】第１の添加剤は第１相であるＡｌ₂Ｏ₃の粒
成長を抑制する効果を有する。しかし、添加量が２ｍｏ
ｌ％を超えると、ドライエッチング特性が著しく悪化す
るため好ましくない。第２の添加剤は、焼結を促進させ
る焼結助材として働き、添加量が少なくても効果があ
る。第２の添加剤の添加量が２ｍｏｌ％を超えると、第
１の添加剤と同様、ドライエッチング特性が著しく悪化
する。第１の添加剤を０．０１〜１．０ｍｏｌ％添加
し、第２の添加剤を０．０３〜０．８ｍｏｌ％添加する
ことにより、それぞれの添加効果が顕著に現れる。

【００５３】また、第２相においてＮｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍ
ｏ、ＷおよびＴａの炭酸窒化物中、酸素の量が多い（ｘ
＞０．２）場合には、第１および第２の添加剤を添加し
なくても焼結させることができる。

【００５４】第１の添加剤および第２の添加剤は、出発
原料として酸化物の形で薄膜磁気ヘッド用セラミックス
基板材料に混合することが好ましい。しかし、第１の添
加剤および第２の添加剤を水酸化物、炭酸塩、有機塩も
しくは無機塩の形で材料に混合し、焼結用原料粉末の製
造工程あるいは焼結工程中に酸化物となる成分であれ
ば、上記効果を奏する。第１の添加剤および第２の添加
剤は、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料では、そ
れぞれ単独の酸化物、それらの複合酸化物、または、第
１相との複合酸化物として存在している。

【００５５】次に第１の条件および第２の条件を備えた
薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料のイオンエッチ
ング速度について説明する。

【００５６】従来のＡｌＴｉＣセラミックスの場合、Ａ
ｌ₂Ｏ₃のイオンビームエッチング速度は１２．５ｎｍ／
分であり、ＴｉＣのイオンビームエッチング速度は９ｎ
ｍ／分であった。Ａｌ₂Ｏ₃のイオンビームエッチング速
度が、ＴｉＣのイオンビームエッチング速度よりも約３
８％も大きいため、ＡｌＴｉＣセラミックスの表面をイ
オンビームエッチングによって均一にエッチングしよう
としても、Ａｌ₂Ｏ₃粒子が速く削れてしまう。その結
果、従来のＡｌＴｉＣセラミックスをイオンビームによ
ってエッチングした場合、その表面の面粗さは悪かっ
た。

【００５７】本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基
板材料では、第２相を構成する粒子が、Ａｌ₂Ｏ₃のイオ
ンビームエッチング速度と同程度のイオンビームエッチ
ング速度を備えるように第２相の材料を選択する。イオ
ンビームエッチング速度が比較的速く、Ａｌ₂Ｏ₃のイオ
ンビームエッチング速度に近いものとしては、Ｗ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｒの炭酸窒化物が上げられる。したがっ
て、これらの金属の炭酸窒化物を主成分とし、その成分
に固溶する他の物質を用いてエッチング速度を調整する
ことによって、第２相のイオンビームエッチング速度を
第１相であるＡｌ₂Ｏ₃のイオンビームエッチング速度と
ほぼ同じ値にすることできる。これによって、薄膜磁気
ヘッド用セラミックス基板材料において、粒子によるイ
オンエッチング速度差がなく、材料全体が均一にエッチ
ングされ、表面の面粗さを小さくすることができる。第
１相と第２相とのイオンビームエッチング速度の差は４
０％程度であれば、現在用いられるハードディスクドラ
イブ装置に適した薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材
料が得られる。しかし、高密度のハードディスクドライ
ブ装置に適した薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料
としては、第１相と第２相とのイオンビームエッチング
速度の差は２０％以内が好ましく、１０％以内であるこ
とがより好ましい。通常、ヘッドを製造する場合の最大
エッチング深さは、０．１〜０．８μｍである。

【００５８】焼結した薄膜磁気ヘッド用セラミックス基
板材料の平均粒径は０．３〜１．５μｍの範囲であるこ
とが好ましい。平均粒径は小さいほうが基板表面の面粗
さを小さくできるので好ましいが、平均粒径が０．３μ
ｍより小さくなると、薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体と
が接触したときに、薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板
から粒子が脱落して、ヘッドクラッシュしてしまう可能
性がある。また、平均粒径が１．５μｍを超えると、薄
膜磁気ヘッド用セラミックス基板を切断加工する際、チ
ッピングが大きくなってしまう。平均粒径は、０．３〜
１．０μｍの範囲にあることがより好ましい。

【００５９】（実験例）表１に示す割合で第１相、第２
相および添加剤を含む試料番号１〜１５の実施例および
試料番号１６〜２３の比較例を作製した。試料の製造手
順は以下のとおりである。

【００６０】

【表１】

【００６１】まず、第１相として純度が９９．９５％以
上であり、平均粒子径が０．６μｍ、最大粒子径が３．
０μｍ以下のα−Ａｌ₂Ｏ₃粉末を用意した。また、表１
に示す比率で第２相の構成元素を含むように、炭化物、
酸化物および窒化物粉末を混合し、真空、不活性または
非酸化性雰囲気下で混合物を５００〜１５００℃で熱処
理をした。その後、合成粉をボールミル等によって平均
結晶粒子径が１．５μｍ以下で最大粒子径が３μｍ以下
となるように粉砕し第２相を調整した。

【００６２】添加剤には、純度が９９％以上である平均
結晶粒子径が１．５μｍ以下の粉末を使用した。

【００６３】第１相および第２相は熱処理前に混合して
もよい。

【００６４】これらの調整原料を、表１に示す割合で混
合した。混合した調整原料を不純物の混入がないように
手段を講じたボールミル機や強力な粉砕機を用いて平均
粒子径が１．０μｍ以下であり、最大粒子径が２μｍ以
下になるように湿式粉砕し、粉砕メディアの欠片が混入
しないように、５μｍのフィルタを通した。なお、湿式
粉砕では、第１相よりも第２相の粉砕速度が速いため、
第２相が微紛化し、混合物はスラリー状になる。その
後、得られたスラリーをスラリー噴霧造粒機などを用い
て成分の分離が発生しないよう短時間で乾燥、整粒し、
焼結用原料粉末を得た。

【００６５】得られた焼結用混合粉を、所定の寸法を有
する金型でプレス成形し、板状の圧粉体を作製した。こ
れを表２に示す非酸化性雰囲気の条件において、熱間プ
レス（ＨＰ）あるいは熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）によ
って焼結し、試料番号１〜２４の焼結体を得た。焼結体
はいずれも相対密度９９％以上であり、添加剤であるＭ
ｇ等の金属元素および希土類元素が過剰に偏在すること
による偏析もなく、良好な焼結体が得られた。

【００６６】

【表２】

【００６７】得られた焼結体の第２相の硬度は、マイク
ロインデンテーション装置（Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製）に
よって求めた。この装置は、焼結体中の１個の粒子の硬
度を測定できるが、ビッカース法により求めた硬度Ｈｖ
とは異なる値となる。このため、マイクロインデンテー
ションにより求めた硬度Ｈをビッカース硬度Ｈｖに換算
した。まず、ホットプレスによるＡｌ₂Ｏ₃、通常の方法
により焼結させたＡｌ ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃膜およびＳｉＣ膜
の硬度をマイクロインデンテーション法およびビッカー
ス法により求めた。図１に示すように、マイクロインデ
ンテーションにより求めた硬度Ｈとビッカース硬度Ｈｖ
とは比例している。測定結果から、相関式はＨｖ（Ｋｇ
ｆ／ｍｍ²）＝７０．６５７×Ｈ（ＧＰａ）となる。こ
の相関式を用いて、試料１〜２４中の第２相のビッカー
ス硬度Ｈｖを求めた。

【００６８】また、第２相のイオンビームエッチングの
エッチング速度は、加速電圧５００Ｖ、電流密度０．６
５ｍＡ／ｃｍ²およびＡｒガス圧０．０１３Ｐａの条件
にて、１μｍエッチングを行い、その際のエッチング深
さを触針式段差計によって計測した。第１相であるＡｌ
₂Ｏ₃のエッチング速度を１２．５ｎｍ／分として、第１
相とのエッチング速度比も求めた。表３に測定結果を示
す。

【００６９】

【表３】

【００７０】表２に示すように、試料番号１〜１５の実
施例において、第２相のビッカース硬度Ｈｖはいずれも
２０００以下の値になっており、第１相であるＡｌ₂Ｏ₃
のビッカース硬度Ｈｖ（２０００〜２１００）よりも小
さくなっている。このように、組成を調整することによ
って第２相のビッカース硬度Ｈｖを自由に調整できる。
例えば試料番号３、８および１５の実施例のように、第
２相のビッカース硬度Ｈｖを第１相であるＡｌ₂Ｏ₃のビ
ッカース硬度Ｈｖとほぼ同じにすることもできる。ま
た、第２相のエッチング速度もおおよそＡｌ₂Ｏ₃のエッ
チング速度の±２０％以内になっている。特に、Ｍある
いはＭ’’として、Ｎｂ、Ｃｒ、ＷおよびＭｏを選択し
た場合には、第２相のエッチング速度はＡｌ₂Ｏ₃のエッ
チング速度の±１０％以内になっている。

【００７１】一方、試料番号１６の比較例では第２相の
配合比率が多すぎるため、ポアが多く生じている。試料
番号１７の比較例では、逆に第２相の配合比率が少なす
ぎるため、第１相であるＡｌ₂Ｏ₃粒子が粗大化してしま
っている。

【００７２】試料番号１８および２１の比較例ではＭ’
であるＴｉの添加量ｂが０．２を超えているため、ビッ
カース硬度Ｈｖが２３００になってしまっている。ま
た、試料番号１９および２０の比較例では、それぞれ、
ＯおよびＮの添加量ｙおよびｚが多すぎるため、切断抵
抗が大きくなりすぎている。

【００７３】試料番号２２の比較例では、添加剤の添加
量が多すぎるため、イオンビームエッチングのエッチン
グ速度が著しく小さくなってしまい、エッチング特性が
悪くなっている。また、試料番号２３の比較例では、Ｃ
の添加量ｘが多すぎるため、ビッカース硬度Ｈｖが２３
５０になってしまっている。

【００７４】このように、本発明によれば、薄膜磁気ヘ
ッド用セラミックス基板材料において第２相の硬度を第
１相であるＡｌ₂Ｏ₃と同程度にすることができる。ま
た、第２相のイオンビームエッチング速度を第１相と同
程度にすることができる。したがって、本発明による薄
膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料は、第１相および
第２相を含む複合セラミックスであるにもかかわらず、
単一組織のセラミックスであるかのように均一に物理的
な研磨およびイオンビームエッチングを行うことができ
る。その結果、本発明による薄膜磁気ヘッド用セラミッ
クス基板材料を非常に滑らかな表面加工が求められる記
録密度の高いハードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘ
ッド用セラミックス基板に好適に用いることができる。

【００７５】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミッ
クス基板材料は、電気抵抗が小さく、適当な熱膨張率お
よび熱伝導率を備えていることを確認した。これは、本
発明による基板材料の第１相はＡｌＴｉＣと同じＡｌ₂
Ｏ₃であり、加えて第２相がＡｌＴｉＣに含まれるＴｉ
Ｃと同様の導電性を示し、かつ熱膨張係数および熱伝導
率もＴｉＣと大きく異ならないからである。

【００７６】本発明の効果を確認するために、試料番号
３に示す組成を備えた薄膜磁気ヘッド用セラミックス基
板材料を用いて基板を作製し、薄膜磁気ヘッドスライダ
ーを作製した。図２に示すように、試料番号３に示す組
成の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板１２上にＡｌ₂
Ｏ₃膜１３を形成し、書き込み素子１４、コイル１５お
よび読み出し素子１６を形成した後、書き込み素子１
４、コイル１５および読み出し素子１６を覆うようにＡ
ｌ₂Ｏ₃膜１３’を形成した。基板１２をポリッシングに
より平坦化したあと、イオンビームドライエッチングに
よりＡＢＳを形成し、ジンバル１０に取り付けて、薄膜
磁気ヘッドスライダー１１を完成させた。基板１２をポ
リッシングにより平坦化したあとの薄膜磁気ヘッドスラ
イダー１１の面１１ａにおいて、基板１２の表面粗さは
１．０ｎｍ（Ｒａ）であった。また、従来の基板に含ま
れていたＴｉＣほど硬い粒子が存在しないため、面１１
ａにおいて、ＰＴＲによって生じる段差は従来よりも小
さくすることが出来た。これは、基板１２において第１
相と第２相との硬度の差を小さくできたことおよび、基
板１２全体として硬度を小さくすることができたため、
基板１２と書き込み素子１４、あるいは読み出し素子１
６を構成する金属との硬度差を従来より小さくできたか
らである。

【００７７】更に、ＡＢＳを形成するためのイオンビー
ムエッチングの際、基板１２における第２相のイオンビ
ームエッチング速度は第１相のイオンビームエッチング
の速度とほぼ等しい。また、Ａｌ₂Ｏ₃膜１３および１
３’のイオンビームエッチング速度も基板１２の第１相
に等しい。つまり、基板１２とＡｌ₂Ｏ₃膜１３および１
３’とはひとつの化学種として扱える。このため、ＡＢ
Ｓ面を形成するにあたって、面１１ａにおけるイオンビ
ームエッチング速度の異なる化学種は、素子１４および
１５を構成する金属と基板１２等の２つとなり、エッチ
ングの条件を適切に制御することによって、２つの化学
種のエッチング量を調節することができた。

【００７８】このようにして作製された磁気ヘッドスラ
イダーを用い、公知の技術によってハードディスドライ
ブ装置を作製することができる。これによって、記録密
度の高いハードディスクドライブ装置を実現することが
できる。

【００７９】

【発明の効果】本発明によれば、第１相および第２相を
含む薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料において、
第２相の硬度をＡｌ₂Ｏ₃からなる第１相の硬度と同程度
にすることが出来る。また、第２相のイオンビームエッ
チング速度をＡｌ₂Ｏ₃からなる第１相のイオンビームエ
ッチング速度と同程度にすることが出来る。したがっ
て、第１相および第２相を含む複合セラミックスである
にもかかわらず、単一のセラミックスであるかのように
均一に物理的な研磨およびイオンビームエッチングを行
うことができる。また、本発明による薄膜磁気ヘッド用
セラミックス基板材料を非常に滑らかな表面加工が求め
られる記録密度の高いハードディスクドライブ装置の薄
膜磁気ヘッド用セラミックス基板に好適に用いることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】マイクロインデンテーション法による硬度
（Ｈ）とビッカース法による硬度（Ｈｖ）との相関を示
すグラフである。

【図２】本発明による薄膜磁気ヘッド用セラミックス基
板材料を用いた磁気ヘッド１１スライダーの構造を示す
図である。

【図３】（ａ）および（ｂ）は、従来の磁気ヘッドの製
造工程を説明する模式図である。

【符号の説明】

１１薄膜磁気ヘッドスライダー１２基板１３、１３’、２２、２４Ａｌ₂Ｏ₃膜１３１４書き込み素子１５読み出し素子２１ＡｌＴｉＣ基板２３素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者廣岡泰典大阪府三島郡島本町江川２丁目15番17号住友特殊金属株式会社山崎製作所内 (72)発明者味冨晋三佐賀県三養基郡基山町大字園部3173番地２日本タングステン株式会社生産技術部内Ｆターム(参考） 4G030 AA08 AA11 AA12 AA14 AA16 AA17 AA18 AA19 AA20 AA21 AA22 AA23 AA24 AA45 AA49 BA13 BA19 CA01 GA03 GA04 GA05 GA08 GA11 GA22 GA24 GA29 5D033 BA52 CA00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２４〜７５ｍｏｌ％の第１相および残部
の第２相を含む薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料
であって、前記第１相はＡｌ₂Ｏ₃からなり、前記第２相は、組成式（Ｍ_aＭ’_b）（Ｃ_xＯ_yＮ_z）（Ｍ
は、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＶおよびＴａのなかから選
ばれる少なくとも一種の元素、Ｍ’は、Ｔｉ、Ｚｒおよ
びＨｆのなかから選ばれる少なくとも一種の元素、ａ＋
ｂ＝１、ｂ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．５≦ｘ≦
０．９９５、０．００５≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．
２０）で表される化合物からなる薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板材料。
【請求項２】２４〜７５ｍｏｌ％の第１相および残部
の第２相を含む薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料
であって、前記第１相はＡｌ₂Ｏ₃からなり、前記第２相は、組成式（Ｍ’’_cＭ’’’_d）（Ｃ_xＯ_yＮ
_z）（Ｍ’’は、Ｎｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのなかから
選ばれる少なくとも一種の元素、Ｍ’’’は、Ｖ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのなかから選ばれる少なくと
も一種の元素、ｃ＋ｄ＝１、ｄ≦０．８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１、０．５≦ｘ≦０．８、０．２≦ｙ≦０．３０、０≦
ｚ≦０．１０）で表される第２相となる化合物からなる
薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料。
【請求項３】前記第２相を構成する粒子のビッカース
硬度は、前記第１相を構成する粒子のビッカース硬度の
±５％の範囲にある請求項１または２に記載の薄膜磁気
ヘッド用セラミックス基板材料。
【請求項４】前記第２相を構成する粒子のイオンビー
ムエッチング速度は、前記第１相を構成する粒子のイオ
ンビームエッチング速度の±２０％の範囲にある請求項
１から３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用セラミッ
クス基板材料。
【請求項５】前記Ｍ’は、Ｎｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷ
のなかから選ばれる少なくとも一種の元素である請求項
１に記載の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料。
【請求項６】前記第１相および前記第２相の合計に対
して、０〜２．０ｍｏｌ％の第１の添加剤となるＭｇ、
Ｃａ、ＺｒおよびＣｒの酸化物のなかから選ばれる少な
くとも一種と、前記第１相および前記第２相の合計に対して、０〜２．
０ｍｏｌ％の第２の添加剤となる希土類元素の酸化物か
ら選ばれる少なくとも一種と、を更に含み、前記第１の
添加剤および前記第２の添加剤の合計は、前記第１相お
よび前記第２相の合計に対して、０〜３．０ｍｏｌ％の
範囲である請求項１から５のいずれかに記載の薄膜磁気
ヘッド用セラミックス基板材料。
【請求項７】前記第１の添加剤および前記第２の添加
剤は、それぞれ単独の酸化物、それらの複合酸化物、ま
たは、前記第１相との複合酸化物として存在している請
求項６に記載の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材
料。
【請求項８】前記薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板
材料の平均結晶粒径は０．３〜１．５μｍである請求項
１から７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用セラミッ
クス基板材料。
【請求項９】２４〜７５ｍｏｌ％の第１相となるＡｌ
₂Ｏ₃と、残部が第２相とからなる薄膜磁気ヘッド用セラミックス
基板材料であって、前記第２相を構成する粒子のビッカース硬度は、前記第
１相を構成する粒子のビッカース硬度の±５％の範囲に
あり、前記第２相を構成する粒子のイオンビームエッチング速
度は、前記第１相を構成する粒子のイオンビームエッチ
ング速度の±２０％の範囲にある薄膜磁気ヘッド用セラ
ミックス基板材料。
【請求項１０】請求項１から９のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料からなる基板。
【請求項１１】請求項１から９のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料からなる基板と、
前記基板に保持された書き込み素子および読み出し素子
とを備えた薄膜磁気ヘッドスライダー。
【請求項１２】請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッドス
ライダーを備えたハードディスクドライブ装置。