JPS6330300B2

JPS6330300B2 -

Info

Publication number: JPS6330300B2
Application number: JP59137491A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Taguchi; Hitoshi Suenaga
Original assignee: Seiko Epson Corp; Teikoku Hormone Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Seiko Epson Corp; Aska Pharmaceutical Co Ltd
Priority date: 1984-07-03
Filing date: 1984-07-03
Publication date: 1988-06-17
Also published as: JPS6117541A; EP0167328A2; US4710585A; EP0167328A3

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕本発明は、強誘電性スメクチツク液晶の電界へ
の応答を利用した電気光学素子に有用な新規の液
晶化合物に関する。〔従来の技術〕液晶は、既に種々の電気光学素子として応用さ
れ、時計や電卓等の表示に実用化されてきてい
る。現在実用化されている液晶表示素子は、ネマテ
イツク液晶やコレステリツク液晶の誘電的配列効
果を利用したものが大部分である。しかし、期待
されている画素数の多い表示素子への応用に当つ
ては、応答性の面や、駆動マージンが取れない事
によるコントラスト・視角特性の面で問題となつ
ている。そのため、各画素毎にスイツチング素子
を形成するMOSパネルやTFTパネルが一方にお
いて研究開発がさかんになつている。こうした中で、Clarkら（V.S.pat.4367924）
は、かかる液晶素子の欠点を除去する、スメクチ
ツク相を用いた新しい表示原理による液晶素子を
考案した。これについて若干の説明をする。図１は、スメクチツクC^*相またはＨ相の模式
図である。液晶は各分子層１から成つており、個
個の層の中では、分子長軸の平均的な方向が、層
に垂直な方向と角度Ψ₀だけ傾いている。Meyer
らはLe Journal de Physique Vol.36（March、
1975 ppL−69 toL−71）の「強誘電性液晶」と
いうタイトルの論文において、光学活性な分子か
ら成るスメクチツクC^*あるいはＨ相は、一般に
電気双極子密度Ｐを有し、強誘電的であることを
示している。この双極子密度Ｐは、分子の傾き方
向n^に垂直で、スメクチツクの層面に平行であ
る。彼らの示したことは、スメクチツクＨ相でも
適用可能であるが、Ｈ相では、層に垂直な軸のま
わりの回転に対する粘性がより大きくなる。これ
らのカイラルスメクチツク液晶における電気双極
子の存在は、誘電異方性におけるよりも、電場に
対してずつと強い結合力を与える。更に、この結
合力は、Ｐの好ましい方向が電場Ｅと平行な方向
であるという意味で極性のあるものなので、印加
した電場の方向を反転することにより、Ｐの方向
を反転させることになる。つまり、電場を反転さ
せることにより、図２で示したように、分子をコ
ーンに沿つた運動により（このコーンの角2Ψ₀を
以下、コーン角という）、その方向を制御するこ
とが出来る。そしてこの分子の平均的な長軸方向
の変化を２枚の偏光板で検出することにより、電
気光学素子として利用し得る。このスメクチツクC^*相またはＨ相の電界への
応答を利用した電気光学素子は、その自発分極と
電界との結合力が、誘電異方性による結合力より
も３〜４オーダー大きい故に、TN型液晶素子に
比して、優れた高速応答性を有し、かつ適当な配
向制御を選択することにより、メモリー性をもた
すことが可能であり、高速光学シヤツターや表示
情報量の多いデイスプレイとしての応用が期待さ
れている。ところで、この強誘電性を有するカイラルスメ
クチツク液晶材料は、種々合成され研究されてき
ている。強誘電性液晶として最初に合成されたの
は、DOBAMBCと呼称されているＰ−decyloxy
−benzilidene−P′−amino−２−methylbuty−
cyunamateであり、この系列の液晶は、以下の
構造式の形で、強誘電性液晶の研究対象として種
種合成されてきている。（ここで、Ｘは−Ｈ、−Cl、−CNであり、Ｙは、
−Cl、−C₂H₅であり、＊印は不整炭素原子であ
る。）しかし、この系列の液晶は、室温以上の比較的
高温側でカイラルスメクチツク相を呈するため、
室温では使えない事や、シツフ系であり、水分に
より分解し、安定性が悪い事などの欠点がある。この系の発展系として、一般式で表わされる。一方のベンゼン環に水酸基が導入
され、分子内の水素結合を有するシツフ系のカイ
ラルスメクチツク液晶化合物が、B.I.Ostrovskii
ら〔Ferroellectrics 24（1980）309〕やA.
Hallabyら〔Mol.Cryst.Liq.Cryst.、Letter82
（1982）61〕によつて発表され、室温を含む広い
温度範囲で、スメクチツクC^*相を呈する化合物
として注目されている。又、分子内水素結合を有
するため、水分による分解が起りにくく、安定性
の面でも、通常のシツフ系液晶に比べ優れてい
る。しかし、実用的には、０℃以下でも、結晶化
しない事が要求されるので、いまだ、この系で合
成されている液晶材料だけでは不十分である。他に、アゾキシ系の液晶材料がP.Kellerら
〔Amn.Phys.（1978）139〕によつて発表されてい
るが、温度範囲の面で十分でなく、又、濃い黄色
の化合物であるため実用上問題がある。こうした中で、TN型液晶材料として広く実用
化され、安定性の面で実積のあるエステル系液晶
は注目し得る液晶材料である。公知の文献では、
B.I.Ostrovskiiらによつて、の構造式で表わされる液晶化合物が、比較的室温
に近い温度範囲でカイラルスメクチツク液晶を呈
する材料として報告されている。又、G.W・
Grayら〔Mol・Cryst.Liq.Cryst.、37（1976）
189、（1978）37〕により、高い温度範囲でカイラ
ルスメクチツク液晶相を呈するビフエニルエステ
ル系材料が報告されている。〔発明が解決しようとする問題点〕以上見てきたように、現状では、実用に供せら
れる、室温を含む広い温度範囲でカイラルスメク
チツク相を呈する液晶材料はいまだ存在せず、
又、比較的広い温度範囲でカイラルスメクチツク
相を呈する材料でも、安定性に問題があつたりし
た。そこで、本発明は、安定性に優れ、かつ、室温
を含む広い温度範囲のカイラルスメクチツク液晶
組成物を得ていくに当つての有力な新規液晶化合
物を提供することを目的としている。〔問題点を解決するための手段〕上記問題点を解決するため、次の一般式で表わ
される新規化合物を合成した。

【式】または

【式】（式中Ｒは直鎖アルキル基であり、Ａは

【式】

【式】または

〔作用〕

これらの液晶化合物は、室温近辺でSc^*相を呈
する化合物が多く、これらの液晶化合物をブレン
ドすることにより、低温領域までSc^*相を呈する
液晶組成物が得られることが判明した。また、こ
れらの液晶化合物で、側鎖の短かい化合物は、
Sc^*相をとらず、コレステリツク相のみを呈する
ものが多いが、他のSc^*相を呈する液晶化合物と
ブレンドすることにより、低温までSc^*相を有す
る液晶組成物を得ることができ、ブレンド材料と
して使用できることがわかつた。更に、我々の実験では、一般式

【式】または

【式】（式中Ｒは直鎖アルキル基であり、Ａは

【式】

【式】または

【式】＊印は不斉炭素であることを示す。）で表わされる両側
の側鎖に−Ｏ−または−COO−が入つた系では、
この−Ｏ−または−COO−が分子短軸方向（以
下、横方向という）の強いダイポールをもち、そ
れが２つあるため、分子間の横方向の相互作用が
強くなり、スメクチツク性が高く、室温より高い
温度領域で広い温度範囲でSc^*相を呈するが、同
時に横方向の相互作用が強いため、コーンに沿つ
た分子運動が起りづらく、応答性が悪いというこ
とが明らかになつた。それに比べ、本発明の液晶
化合物のように、片側の側鎖にだけ、横方向のダ
イポールを有する液晶化合物は、分子間の横方向
の相互作用が弱くなり、スメクチツク性が弱くな
る。そのため、こうした系の液晶化合物は、常温
近辺の低い温度領域で、Sc^*相を呈するものが多
いが、両側の側鎖に−Ｏ−または−COO−が入
つた液晶化合物に比較して、かなり応答速度が速
いことが明らかになつた。更に、液晶分子の骨格がビフエニルエステルの
３環の液晶化合物は、２環の液晶化合物に比べ、
高い温度領域でSc^*相を呈するため、液晶組成物
のSc^*相の上限温度を上げるブレンド材として、
使用できることが明らかになつた。以下、実施例を示す。実施例１光学活性な4′−（６−メチルオクチルオキシ）
安息香酸4″−オクチルフエニルエステルまずこの合成法を記す。第１段 50ml三ツ口フラスコに、水酸化ナトリウム2.01
ｇ、水10ml、エタノール20mlを入れ、次に４−ｎ
−ヒドロキシ安息香酸3.16ｇを加えて溶解させ
た。この混合物に、市販の活性アミルアルコール
より合成した光学活性な１−ブロモ−６−メチル
オクタン4.75ｇを加え、加熱還流下、19時間反応
した。反応終了後、エーテル洗浄し、水層を濾過
し、酸性にした。析出した結晶を濾取し、精製を
行ない、４−（６−メチルオクチルオキシ）安息
香酸4.75ｇを得た。 nujol υ max（cm^-1） 2500〜2200 1675 1605 1580 1250 δCDCl₃ TMS（ppm）11.54、broad、ｓ、1H 8.08、ｄＪ＝９Hz、2H 6.94、ｄＪ＝９Hz、2H 3.99、ｔＪ＝６Hz、2H 第二段光学活性な4^-−（６−メチルオクチルオキシ）
安息香酸2.2ｇに塩化チオニル11mlを加え、４時
間加熱還流下反応した後、過剰の塩化チオニルを
減圧下留去し、油状の酸塩化物を得た。（υ^film _nax1765、1740cm^-1）これに、氷冷下、４−ｎ−オクチルフエノール
1.72ｇ、乾燥ピリジン10mlを加え、入れ、ゆつく
りと室温にもどしながら一昼夜反応した。反応終
了後、沈澱物を濾別し、エーテル抽出した。エー
テル層は、水、2NHCl、５％NaOHで順次洗浄
後、さらに中性になるまで水、飽和食塩水で洗浄
した。有機層を、乾燥後、減圧下エーテルを留去
し、結晶性の化合物を得た。これを繰り返し精製
し目的のエステルを3.21ｇを得た。 nujol υ max（cm^-1） 1740 1610 1580 δCDCl₃ TMS（ppm）6.84〜8.19、ｍ、8H、Aromatic
Ｈ３・98、tJ＝６Hz、2H、−CH₂
−Ｏ− 2.59、ｔ 2H、−CH₂−Ar この液晶化合物は、以下のような転移温度であ
つた。（ここで＊印は過冷却であることを示す。）この液晶化合物は、モノトロピツクのスメクチ
ツク液晶であるが、室温即ち過冷却状態で長時間
Sc^*相を呈した。この液晶化合物は、PVAラビングの一軸配向
処理を施した基板間に挾持し、液晶層厚を3μｍ
とし、±10Vの電圧印加で、直交ニコル下で、特
性を測定した。測定温度は30℃であつた。 Cone−44゜コントラスト（Ton／Toff）−14.0 応答速度−1.0ｍsec 実施例２光学活性な、４−ｎ−オクチル安息香酸4′−
（6′−メチルオクチルオキシ）フエニルエステ
ルこの化合物の合成法を記す。第一段 25mlのフラスコにヒドロキノン0.637ｇ、光学
活性なノーブロム−６−メチルオクタン１ｇ、無
水炭酸カリウム0.667ｇ、NN−ジメチルホルム
アミド４mlを入れ、90℃で9.5時間反応した。反
応後不溶物を濾別し、エーテル抽出した。エーテ
ル層は、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、減圧
下エーテルを留去した。得られた粗生成物をシリ
カゲルクロマトグラフイーで精製し、光学活性な
４−（6′−メチルオクチルオキシ）フエノール
0.32ｇを得た。 film υ max（cm^-1） 3350 1520 1110 δCDCl₃ TMS（ppm）6.73、ｓ、4H Aromatic Ｈ 5.42、broad ｓ、1H −OH 3.87、tJ＝6Hz、2H −CH₂−
Ｏ− 第二段ｎ−オクチル安息香酸2.97ｇに塩化チオニル15
mlを加え、４時間還流下反応した。過剰の塩化チオニルを減圧下留去し、油状の酸
塩化物を得た。（υ^film _nax1775、1740、1602cm^-1）第三段この酸塩化物に氷冷下、第一段のようにして得
た４−（６−メチルオクチルフエノール３ｇ、乾
燥ピリジン10mlを加え入れ、ゆつくりと室温にも
どしながら一昼夜反応した。反応終了後、沈澱物
を濾別し、エーテル抽出した。エーテル層は、
水、2NHCl、５％NaOHで順次洗浄後、中性に
なるまで水、飽和食塩水で洗浄した。有機層は、
乾燥後、減圧下溶媒を留去した。得られた残渣
を、繰り返し精製し、目的のエステル体4.48ｇを
得た。 nujol υ max（cm^-1） 1742 1615 1600 δCDCl₃ TMS（ppm）6.85〜8.22、ｍ、8H、Aromatic
Ｈ 3.94、tJ＝６Hz、2H、−CH₂−
Ｏ− 2.70、ｔ、2H、−CH₂−Ar この液晶化合物は、以下のような転移温度であ
つた。この液晶化合物は、モノトロピツクのスメクチ
ツク液晶であつた。この液晶化合物を、PVAラビングの一軸配向
処理を処した基板間に挾持し、液晶層厚を3μｍ
とし、±10Vの電圧印加で、直交ニコル下で、特
性を測定した。測定温度は34℃であつた。 Cone角−40゜コントラスト（Ton／Toff）−9.5 応答速度−1.7ms 実施例３光学活性な４−（６−メチルオクチルカルボキ
シ）安息香酸4′−ｎ−オクチルフエニルエステ
ルまずこの合成法を記す。第一段４−ベンジルオキシ安息香酸4′−ｎ−オクチル
フエニルエステルの合成 100mlのフラスコに４−ベンジルオキシ安息香
酸8.2ｇ、塩化チオニル50mlを入れ、還流下2.5時
間反応した。過剰の塩化チオニルを減圧下留去
し、粗結晶を得た。これを再結晶し、酸塩化物
7.9ｇを得た。（υ^nujol _nax1770、1600cm^-1）m.p 106〜108.2゜酸塩化物６ｇは、乾燥ピリジン35ml、４−ｎ−
オクチルフエノール5.01ｇの混合物に氷冷下加え
た。加えた後、ゆつくりと室温にもどし、さらに
50℃で２時間反応した。反応終了後、沈澱物を濾
別し、酢酸エチルで抽出した。有機層は、水、
2NHCl、水、５％NaOH、水、飽和食塩水で順
次洗浄し、乾燥後、減圧下有機溶媒を留去した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフイーで
精製し、8.13ｇのエステルを得た。 mp. 119.5〜120.5゜ nujol υ max（cm^-1） 1715 1605 δCDCl₃ TMS（ppm）6.97〜8.24、ｍ、13H、Aromatic
Ｈ 5.11、Ｓ、2H、−Ｏ−CH₂− 2.10、ｔ、2H、−CH₂−Ar 第二段４−ヒドロキシ安息香酸4′−ｎ−オクチルフエ
ニルエステルの合成ル４−ベンジルオキシ安息香酸4′−ｎ−オクチル
フエニルエステル7.3ｇ、10％pd/C 0.73ｇ、酢
酸エチル250mlをフラスコに入れた。この混合物は、油浴45℃で、理論量の水素と反
応するまで撹拌を続けた。反応後触媒を濾別し、
有機溶媒を留去した。得られた粗結晶を再結晶
し、４−ヒドロキシ安息香酸4′−ｎ−オクチルフ
エニルエステル5.43ｇを得た。 m.p129.5〜130.8℃ nujol υ max（cm^-1） 3460 3370 1730 δCDCl₃ TMS（ppm）6.60〜8.01、ｍ、8H、Aromatic
Ｈ 2.54、ｔ、2H、−CH₂−Ar 第三段光学活性な４−（６−メチルオクチルカルボキ
シ）安息香酸4′−ｎ−オクチルフエニルエステ
ルの合成光学活性な６−メチルオクタン酸２ｇに塩化チ
オニル15mlを加え入れ、３時間還流下反応した。
反応後過剰の塩化チオニルを減圧下留去し、油状
の酸塩化物を得た。（υ^film _nax、1800、1480cm^-1）これに、冷却下、４−ヒドロキシ安息香酸4′−
オクチルフエニルエステル4.23ｇ、乾燥ピリジン
30mlを加え入れ、ゆつくりと室温にもどしながら
一昼夜反応した。反応後、沈澱物を濾別し、エー
テル抽出した。エーテル層は、水、2NHCl、５
％NaCHで順次洗浄し、中性になるまで水、飽和
食塩水で洗浄した。エーテル層は、乾燥後、エー
テルを減圧下留去した。得られた残渣を繰り返し
精製し、目的のエステル化合物1.38ｇを得た。 nujol υ max（cm^-1） 1765 1722 1605 δCDCl₃ TMS（ppm）6.99〜8.30、ｍ、8H、Aromatic
Ｈ 2.47〜2.77、ｍ、4H、

【式】−CH₂−Ar この液晶化合物は、以下のような転移温度であ
つた。（ここで＊印は過冷却であることを示す。）この液晶化合物を、PVAラビングの一軸配向
処理を施した基板間に挾持し、液晶層厚を3μｍ
とし、±10Vの電圧印加で、直交ニコル下で、特
性を測定した。測定温度は、34℃であつた。 Cone角−40゜コントラスト（Ton／Toff）−10.5 応答速度−700μsec 実施例４光学活性な、４−ｎ−ヘプチルビフエニル−
4′−カルボン酸、4″−（6″−メチルオクチルオ
キシ）フエニルエステル合成法を以下に記す。第一段光学活性なベンジルオキシフエニル６−メチル
オクチルエーテルの合成 100mlの四つ口フラスコに、NaH3.74ｇ（50％
oil含）、NN−ジメチルホルムアミド50mlを入れ
た。N₂気流下、氷水浴で冷却し、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド30mlに溶かしたヒドロキノンモ
ノベンジルエーテル15.46ｇを20分にわたつて滴
下した。20分後光学活性な１−ブロム−６−メチ
ルオクタン16ｇを45分にわたつて加えた後、さら
に室温で６時間反応した。反応混合物は、エーテ
ル抽出した。エーテル層は、水、５％NaOH、
水、飽和食塩水で順次洗浄後、乾燥し、減圧下有
機溶媒を留去し、粗生成物を得た。これを製精製
し、24.37ｇのエーテル化合物を得た。 film υ max（cm^-1） 1590 1505 1110 δCDCl₃ TMS（ppm）7.37〜7.67、ｍ、5H、Aromatic
Ｈ 6.87、Ｓ、4H、Aromatic Ｈ 4.99、Ｓ、2H、−Ｏ−CH₂ −Ar 3.87、tJ＝６Hz、2H、−CH₂−
CH₂−Ｏ− 第二段光学活性な４−（6′−メチルオクチルオキシ）
フエノールの合成光学活性な４−ベンジルオキシフエニル６−メ
チルオクチルエーテル23.37ｇ、10％Pd/C2.33ｇ、
エタノール230mlをフラスコに入れた。これを、
理論量の水素と反応するまで室温で反応させた。
反応後、触媒を濾別し、有機溶媒を減圧下留去
し、粗生成物を得た。これを精製し、目的のフエ
ノール16.91ｇを得た。 film υ max（cm^-1） 3350 1520 1110 δCDCl₃ TMS（ppm）6.73、Ｓ、4H Aromatic Ｈ 5.42、broad ｓ、1H −ＯＨ 3.87、ｔＪ＝６Hz、2H −
CH₂−Ｏ− 第三段４−ｎ−ヘプチルビフエニル−4′−カルボン酸
の合成 500mlの四つ口フラスコに、水酸化ナトリウム
43.26ｇエタノール120ml、水120mlを入れた。次
に室温で、4′−ｎ−ヘプチル−４−シアノビフエ
ニル10ｇを加え入れた。この混合物を、加熱還流
下18時間反応し、反応終了後、氷水に流し込み、
濃塩酸を用い酸性にした。析出した結晶は、濾取し、乾燥した。この粗結
晶を再結晶し、４−ｎ−ヘプチルビフエニル−
4′−カルボン酸8.92ｇを得た。 nujol υ max（cm^-1） 2750〜2000 1680 1605 δDMSO−d₆ TMS（ppm）7.24〜8.18、ｍ、8H、Aromatic
Ｈ 2.62、ｔ、2H、−CH₂ −Ar 第四段光学活性な４−ｎ−ヘプチルビフエニル−4′−
カルボン酸4″−（6″−メチルオクチルオキシ）
フエニルエステルの合成４−ｎ−ヘプチルビフエニル−4′−カルボン酸
３ｇに塩化チオニル30mlを加え、4.5時間加熱還
流下反応後、過剰の塩化チオニルを減圧下留去
し、油状の酸塩化物を得た。（υ^film _nax、1770、1740、1600cm^-1）この酸塩化物に、氷冷下、４−（６−メチルオ
クチルオキシ）フエノール2.39ｇ、乾燥ピリジン
20mlを入れ、室温にもどした後、さらに油浴45℃
で一昼夜反応した。反応後、沈澱物を濾別し、エ
ーテル抽出した。有機層は、水、2NHCl、５％
NaOHで順次洗浄後、さらに水、飽和食塩水で
中性になるまで洗浄、乾燥し、エーテルを減圧下
留去した。得られた粗生成物を繰り返し精製し、
4.07ｇのエステル体を得た。 nujol υ max（−cm^-1） 1735 1610 1110 δCDCl₃ TMS（ppm）6.81〜8.30、ｍ、12H、Aromatic
Ｈ 3.92、tJ＝６Hz、2H、−CH₂ −
Ｏ− 2.64、ｔ、2H、−CH₂ −Ar この液晶化合物は、以下のような転移温度であ
つた。この液晶化合物（LC−４とする）は、室温よ
りかなり高い温度領域でSc^*相をとるため、液晶
組成物のSc^*相の上限温度を上げるためのブレン
ド材として使用できる。更に、応答速度への影響を見るために、この液
晶化合物１に対し、構造式で表わされるMBRA8を１及び３の割合でブレン
ドした液晶組成物をつくり、応答の温度依存性の
データをとつた。比較の意味で、MBRA8単体の
データも記載した。第３図に示す。これらのデータは、PVAラビングの一軸配向
処理を施した基板間に、液晶層厚が3μｍになる
ように挾持し、±10Vの電圧を印加し、直交ニコ
ル下で採取した。第３図が示すように、この液晶化合物は、
MBRA8と混合しても、応答速度を悪くすること
は、ほとんどないことが判明した。実施例５実施例１の液晶化合物（LC−１とする）と、
実施例２の液晶化合物（LC−２とする）をブレ
ンドした時の相図を第４図に示す。第４図において、LC−１、LC−２ともに、昇
温過程の相変化を採用したため、Sc^*相を有しな
い形になつている。第４図より明らかなように、LC−１とLC−２
をブレンドすることにより、室温近くで、Sc^*相
を呈する液晶組成物が得られることが明らかにな
つた。実施例６実施例１の液晶組成物（LC−１）と実施例３
の液晶組成物（LC−３とする）をブレンドした
場合の相図を第５図に示す。第５図より明らかなように、LC−１とLC−３
をブレンドすることにより、室温近辺でSc^*相を
呈する液晶組成物が得られることが明らかになつ
た。実施例７実施例１の液晶化合物（LC−１）とMBRA8
とをブレンドした時の相図を第６図に示す。第６図より明らかなように、LC−１と
MBRA8をブレンドすることにより、室温以下ま
でSc^*相を呈する液晶組成物が得られることが明
らかになつた。実施例８実施例３の液晶化合物（LC−３）とMBRA8
とをブレンドした場合の相図を第７図に示す。第７図から明らかなように、LC−３と
MBRA8をブレンドすることにより、室温近辺で
Sc^*相を有する液晶組成物が得られた。以上、実施例で見てきたように、本発明による
新規の液晶化合物は、応答性が良好であり、室温
近辺の液晶組成物を得るブレンド材または、Sc^*
相の上限温度を上げるブレンド材として有効であ
り、室温を含む広い温度範囲の実用的なSc^*液晶
組成物を得ていく上で、画期的な材料である。強
誘電性液晶デイスプレイの実用化に大きく寄与す
るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はスメクチツクC^*相またはＨ相の模式
図であり、第２図はカイラルスメクチツク相の液
晶分子の電界によるコーンに沿つた運動を示す模
式図であり、第３図は応答速度の温度依存性を示
すグラフであり、第４図から第７図は、２種類の
液晶をブレンドした時の相図である。

Claims

【特許請求の範囲】１一般式【式】または【式】（上式中、Ｒは直鎖アルキル基であり、Ａは
【式】【式】または【式】であり、＊印は不斉炭素であることとを示す。）で表わされる光学活性な液晶化合物。