JPH0425951B2 - - Google Patents
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- JPH0425951B2 JPH0425951B2 JP59141700A JP14170084A JPH0425951B2 JP H0425951 B2 JPH0425951 B2 JP H0425951B2 JP 59141700 A JP59141700 A JP 59141700A JP 14170084 A JP14170084 A JP 14170084A JP H0425951 B2 JPH0425951 B2 JP H0425951B2
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性スメクチツク液相の電界へ
の応答を利用して電気光学素子を有用な新規の液
晶化合物に関する。 〔従来の技術〕 液相は、既に種々の電気光学素子として応用さ
れ、時計や電卓等の表示に実用化されてきてい
る。現在実用化されている液晶表示素子は、ネマ
テイツク液晶やコレステリツク液晶の誘電的配列
効果を利用したものが大部分である。しかし、期
待されている画素数の多い表示素子への応用に当
つては、応答性の面や、駆動マージンが取れない
事によるコントラスト、視角特性の面で問題とな
つている。そのため、各画素毎にスイツチング素
子を形成するMOSパネルやTFTパネルが一方に
おいて研究開発がさかんになつている。 こうした中で、Clarkら(V.S.pat.4367924)
は、かかる液晶素子の欠点を除去する、スメクチ
ツク相を用いた新しい表示原理による液晶素子を
考案した。これについて若干の説明をする。 図1は、スメクチツクC*相またはH相の模式
図である。液晶は各分子層1から成つており、
個々の層の中では、分子長軸の平均的な方向が、
層に垂な方向と角度Ψ0だけ傾いている。Meyer
らはLe Journal de Physique Vol.36(March、
1975 PPL−69 toL−71)の「強誘電性液晶」と
いうタイトルの論文において、光学活性な分子か
らなるスメクチツクC*あるいはH相は、一般に
電子双極子密度P→は、分子の傾むき方向n〓に垂直
で、スメクチツクの層面に平行である。彼らの示
したことは、スメクチツクH相でも適用可能であ
るがH相では、層に垂直な軸のまわりの回転に対
する粘性がより大きくなる。これらのカイラルス
メクチツク液晶における電気双極子の存在は、誘
電異方性におけるよりも、電場に対してずつと強
い結合力を与える。更に、この結合力は、P→の好
ましい方向が電場E→と平行な方向であるという意
味で極性のあるものので、印加した電場の方向を
反転することにより、P→の方向を反転させること
になる。つまり、電場を反転させることにより、
図2で示したように、分子をコーンに沿つた運動
により(このコーの角2Ψ0を以下、コーン角とい
う)、その方向を制御するとが出来る。そしてこ
の分子の平均的な長軸方向の変化を2枚の偏光板
で検出することにより、電気光学素子とし利用し
得る。 このスメクチツクC*相またはH相の電界への
応答を利用した電気光学素子は、その自発分極と
電界との結合力が、誘電異方性による結合力より
も3〜4オーダー大きい故に、TN型液晶素子に
比して、優れた高速応答性を有し、かつ適当な配
向制御を選択するこにより、メモリー性をもたす
ことが可能であり、高速光学シヤツターや表示情
報量の多いデイスプレイとしての応用が期待され
ている。 ところで、この強誘電性を有するカイマルスメ
クチツク液晶材料は、種々合成され研究されてき
ている。強誘電性液晶として最初に合成されたも
のは、DOBAMBCと呼称されている。 P−decyloxybenzilidene−P′−amino−2−
methylbut−ylcynnamateであり、この系列の液
晶は、以下の構造式の形で、強誘電性液晶の研究
対称として種種合成されている。 (ここで、Xは−H、−Cl、−CNであり、Yは−
Cl、−C2H5であり、*印は不整炭素原子である。) しかし、この系列の液晶は、室温以上の比較的
高温側でカイラルスメクチツク相を呈するため、
室温では使えない事や、シツフ系であり、水分に
より分解し、安定性が悪い事などの欠点がある。 この系の発展系として、一般式 で表わされる一方のベンゼン環に水酸基が導入さ
れ、分子内の水素結合を有するシツフ系のカイラ
ルスメクチツク液晶化合物が、B.I.Ostrovskiiら
〔Ferroellectrics24(1980)309〕やA.Hallsbyら
〔Mol.Cryst.Liq、Cryst.、Letter82(1982)61〕
によつて発表され、室温を含む広い温度範囲で、
スメクチツクC*相を呈する化合物として注目さ
れている。又、分子内水素結合を有するため、水
分による分解が起りにくく、安定性の面でも、通
常のシツフ系液晶に比べ優れている。しかし、実
用的には、0℃以下でも、結晶化しない事が要求
されているので、いまだ、この系で合成されてい
る液晶材料だけでは不十分である。 他に、アゾキシ系の液晶材料がP.Kellerら
〔Amn.Phys.(1978)139〕によつて発表されてい
るが、温度範囲の面で十分でなく、又、濃い黄色
の化合物であるため実用上問題がある。 こうした中で、TN型液晶材料として広く実用
化され安定性の面で実績のあるエステル系液晶は
注目し得る液晶材料である。公知の文献では、
B.I.Ostrovskiiらによつて の構造式で表わされる液晶化合物が、比較的室温
に近い温度範囲でカイラルスメチツク液晶を呈す
る材料として報告されている。又、G.W.Grayら
〔Mol.Cryst.Liq、Cryst.、(37(1976)189、
(1978)37〕により、高い温度範囲でカイラルス
メチツク液晶相を呈するビフエニルエステル系材
料が報告されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上見てきたように、現状では、実用に供せら
れる室温を含む広い温度範囲でカイラルスメチツ
ク相を呈する液晶材料はいまだ存在せず、又、比
較的広い温度範囲でカイラルスメチツク相を呈す
る材料でも、安定性に問題があつたりした。 そこで、本発明は、安定性に優れ、かつ、室温
を含む広い温度範囲のカイラルスメチツク液晶組
成物を得ていくに当つての有力な新規液晶化合物
を提供することを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため、次の一般式で表わ
される新規化合物を合成した。 (ここで、mは1〜8、nは5〜18、*印は不整
炭素原子を示す。)で表わされる光学不活性な液
晶化合物である。 〔作用〕 上式の液晶化合物は、室温近辺の広い温度範囲
でSc*相を呈する化合物が多く、かつ応答が速い
ことが明らかになつた。応答速度については、一
般式
の応答を利用して電気光学素子を有用な新規の液
晶化合物に関する。 〔従来の技術〕 液相は、既に種々の電気光学素子として応用さ
れ、時計や電卓等の表示に実用化されてきてい
る。現在実用化されている液晶表示素子は、ネマ
テイツク液晶やコレステリツク液晶の誘電的配列
効果を利用したものが大部分である。しかし、期
待されている画素数の多い表示素子への応用に当
つては、応答性の面や、駆動マージンが取れない
事によるコントラスト、視角特性の面で問題とな
つている。そのため、各画素毎にスイツチング素
子を形成するMOSパネルやTFTパネルが一方に
おいて研究開発がさかんになつている。 こうした中で、Clarkら(V.S.pat.4367924)
は、かかる液晶素子の欠点を除去する、スメクチ
ツク相を用いた新しい表示原理による液晶素子を
考案した。これについて若干の説明をする。 図1は、スメクチツクC*相またはH相の模式
図である。液晶は各分子層1から成つており、
個々の層の中では、分子長軸の平均的な方向が、
層に垂な方向と角度Ψ0だけ傾いている。Meyer
らはLe Journal de Physique Vol.36(March、
1975 PPL−69 toL−71)の「強誘電性液晶」と
いうタイトルの論文において、光学活性な分子か
らなるスメクチツクC*あるいはH相は、一般に
電子双極子密度P→は、分子の傾むき方向n〓に垂直
で、スメクチツクの層面に平行である。彼らの示
したことは、スメクチツクH相でも適用可能であ
るがH相では、層に垂直な軸のまわりの回転に対
する粘性がより大きくなる。これらのカイラルス
メクチツク液晶における電気双極子の存在は、誘
電異方性におけるよりも、電場に対してずつと強
い結合力を与える。更に、この結合力は、P→の好
ましい方向が電場E→と平行な方向であるという意
味で極性のあるものので、印加した電場の方向を
反転することにより、P→の方向を反転させること
になる。つまり、電場を反転させることにより、
図2で示したように、分子をコーンに沿つた運動
により(このコーの角2Ψ0を以下、コーン角とい
う)、その方向を制御するとが出来る。そしてこ
の分子の平均的な長軸方向の変化を2枚の偏光板
で検出することにより、電気光学素子とし利用し
得る。 このスメクチツクC*相またはH相の電界への
応答を利用した電気光学素子は、その自発分極と
電界との結合力が、誘電異方性による結合力より
も3〜4オーダー大きい故に、TN型液晶素子に
比して、優れた高速応答性を有し、かつ適当な配
向制御を選択するこにより、メモリー性をもたす
ことが可能であり、高速光学シヤツターや表示情
報量の多いデイスプレイとしての応用が期待され
ている。 ところで、この強誘電性を有するカイマルスメ
クチツク液晶材料は、種々合成され研究されてき
ている。強誘電性液晶として最初に合成されたも
のは、DOBAMBCと呼称されている。 P−decyloxybenzilidene−P′−amino−2−
methylbut−ylcynnamateであり、この系列の液
晶は、以下の構造式の形で、強誘電性液晶の研究
対称として種種合成されている。 (ここで、Xは−H、−Cl、−CNであり、Yは−
Cl、−C2H5であり、*印は不整炭素原子である。) しかし、この系列の液晶は、室温以上の比較的
高温側でカイラルスメクチツク相を呈するため、
室温では使えない事や、シツフ系であり、水分に
より分解し、安定性が悪い事などの欠点がある。 この系の発展系として、一般式 で表わされる一方のベンゼン環に水酸基が導入さ
れ、分子内の水素結合を有するシツフ系のカイラ
ルスメクチツク液晶化合物が、B.I.Ostrovskiiら
〔Ferroellectrics24(1980)309〕やA.Hallsbyら
〔Mol.Cryst.Liq、Cryst.、Letter82(1982)61〕
によつて発表され、室温を含む広い温度範囲で、
スメクチツクC*相を呈する化合物として注目さ
れている。又、分子内水素結合を有するため、水
分による分解が起りにくく、安定性の面でも、通
常のシツフ系液晶に比べ優れている。しかし、実
用的には、0℃以下でも、結晶化しない事が要求
されているので、いまだ、この系で合成されてい
る液晶材料だけでは不十分である。 他に、アゾキシ系の液晶材料がP.Kellerら
〔Amn.Phys.(1978)139〕によつて発表されてい
るが、温度範囲の面で十分でなく、又、濃い黄色
の化合物であるため実用上問題がある。 こうした中で、TN型液晶材料として広く実用
化され安定性の面で実績のあるエステル系液晶は
注目し得る液晶材料である。公知の文献では、
B.I.Ostrovskiiらによつて の構造式で表わされる液晶化合物が、比較的室温
に近い温度範囲でカイラルスメチツク液晶を呈す
る材料として報告されている。又、G.W.Grayら
〔Mol.Cryst.Liq、Cryst.、(37(1976)189、
(1978)37〕により、高い温度範囲でカイラルス
メチツク液晶相を呈するビフエニルエステル系材
料が報告されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上見てきたように、現状では、実用に供せら
れる室温を含む広い温度範囲でカイラルスメチツ
ク相を呈する液晶材料はいまだ存在せず、又、比
較的広い温度範囲でカイラルスメチツク相を呈す
る材料でも、安定性に問題があつたりした。 そこで、本発明は、安定性に優れ、かつ、室温
を含む広い温度範囲のカイラルスメチツク液晶組
成物を得ていくに当つての有力な新規液晶化合物
を提供することを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため、次の一般式で表わ
される新規化合物を合成した。 (ここで、mは1〜8、nは5〜18、*印は不整
炭素原子を示す。)で表わされる光学不活性な液
晶化合物である。 〔作用〕 上式の液晶化合物は、室温近辺の広い温度範囲
でSc*相を呈する化合物が多く、かつ応答が速い
ことが明らかになつた。応答速度については、一
般式
【式】や
【式】(ここでR
m*は不整炭素原子を有するアルキル基であり、
Rnは直鎖アルキル基である)で表わされる液晶
化合物より速い系であることが判明した。 本発明のピリミジン系液晶化合物が分子の骨格
部分がベンゼン環とピリミジン環が直結して短い
にもかかわらず、高いスメクチツク性を示し、広
い温度範囲でSc*相を呈するのは、ピリミジン環
とベンゼン環の電気陰性度の違いによる分子軸方
向の分極が大きく、これによる分子間相互作用が
大きいためと思われる。又、速い応答性を有する
のは、ピリミジン環は、ベンゼン環より巾が大き
いため、分子形状として、中央部がふくらんだ形
をしており、このふくらみが分子間の距離を大き
くする働きをし、分子の回転粘度を小さくし、応
答を速めていると思われる。 合成法を化学式で記すと以下のようになる。 若しくは
Rnは直鎖アルキル基である)で表わされる液晶
化合物より速い系であることが判明した。 本発明のピリミジン系液晶化合物が分子の骨格
部分がベンゼン環とピリミジン環が直結して短い
にもかかわらず、高いスメクチツク性を示し、広
い温度範囲でSc*相を呈するのは、ピリミジン環
とベンゼン環の電気陰性度の違いによる分子軸方
向の分極が大きく、これによる分子間相互作用が
大きいためと思われる。又、速い応答性を有する
のは、ピリミジン環は、ベンゼン環より巾が大き
いため、分子形状として、中央部がふくらんだ形
をしており、このふくらみが分子間の距離を大き
くする働きをし、分子の回転粘度を小さくし、応
答を速めていると思われる。 合成法を化学式で記すと以下のようになる。 若しくは
【式】を用い、先に
【式】をつくり、上記に做
つて
【式】
(YはOH又はハロゲンを示す)をつくり脱ベン
ジルしたのち、
ジルしたのち、
【式】ハロゲン
を反応させることによつても目的化合物を得るこ
とができる。 ここで、光学活性アルコールは以下のように、
合成する。 活性アミノアルコール
とができる。 ここで、光学活性アルコールは以下のように、
合成する。 活性アミノアルコール
【式】を出発原料とし
てアルキルマロン酸合成法にて増炭反応を行ない
各炭素数の
各炭素数の
【式】が合成
される。かくして得られた光学活性なアルコール
は、通常行なわれる方法で、脂肪族及び芳香族、
スルホン酸エステルもしくは、ハロゲン化物に変
換することができる。 以下実施例を挙げる。 実施例 1 光学活性は5−n−オクチル−2−〔4−(6−
メチルオクチルオキシ)フエニル〕ピリミジンま
ずこの合成法を記す。 第一段 光学活性な4−(6−メチルオクチルオキシ)
ベンゾニトリルの合成 100ml四つ口フラスコに、4−シアノフエノー
ル5.75g、市販の活性アミルアルコールより合成
した1ブロム−6−メクチルオクタン10g、無水
炭酸カリウム6.67g、N、N−ジメチルホルムア
ミド30mlを入れ、窒素雰囲気下、110℃で8時間
反応した。反応後、不溶物を過し、エーテル抽
出した。有機層は、5%はNaOH、水、飽和食
塩水で洗浄後、乾燥し、エーテルを留去した。得
た油状物を精製し、光学活性な4−(6−メチル
オクチルオキシ)ベンゾニトリル11.4gを得た。 film υ max(cm-1) 2230 1605 1570 1115 CDCl3 δ TMS(RPm)6.92、dJ=9Hz、2H、AromaticH 7.57、dJ=9Hz、2H、AromaticH 3.97、5J=6Hz、2H、−CH2−O 第二段 光学活性な4−(6−メチルオクチルオキシ)
ベンズアミゾン塩酸塩の合成 100ml四つ口フラスコに、光学活性な4−(6−
メチルオクチルオキシ)ベンゾニトリル10g、乾
燥エタノール12.5ml、乾燥ベンゼン16mlを入れ
た。この混合物に、乾燥した塩化水素ガスを撹拌
しながら、3℃以下で吹き込んだ。室温で2日放
置後、溶媒を留去し、粗結晶を得た。 粗結晶は、乾燥エタノール64mlを300ml四つ口
フラスコに入れた。これに、アンモニア11.08g
を含む乾燥エタノール30mlを、室温でゆつくりと
滴下した。滴下後、3日間室温で放置した。アン
モニア、エタノールを留去し、粗結晶を得た。こ
れを精製し、9.58gの光学活性な4−(6−メチ
ルオクチルオキシ)ベンズアミゾン・塩酸塩を得
た。 nujol υ max(cm-1) 3060 1680 1655 1105 DMSO−d6 δ TMS(ppm)9.4、broads、3H、
は、通常行なわれる方法で、脂肪族及び芳香族、
スルホン酸エステルもしくは、ハロゲン化物に変
換することができる。 以下実施例を挙げる。 実施例 1 光学活性は5−n−オクチル−2−〔4−(6−
メチルオクチルオキシ)フエニル〕ピリミジンま
ずこの合成法を記す。 第一段 光学活性な4−(6−メチルオクチルオキシ)
ベンゾニトリルの合成 100ml四つ口フラスコに、4−シアノフエノー
ル5.75g、市販の活性アミルアルコールより合成
した1ブロム−6−メクチルオクタン10g、無水
炭酸カリウム6.67g、N、N−ジメチルホルムア
ミド30mlを入れ、窒素雰囲気下、110℃で8時間
反応した。反応後、不溶物を過し、エーテル抽
出した。有機層は、5%はNaOH、水、飽和食
塩水で洗浄後、乾燥し、エーテルを留去した。得
た油状物を精製し、光学活性な4−(6−メチル
オクチルオキシ)ベンゾニトリル11.4gを得た。 film υ max(cm-1) 2230 1605 1570 1115 CDCl3 δ TMS(RPm)6.92、dJ=9Hz、2H、AromaticH 7.57、dJ=9Hz、2H、AromaticH 3.97、5J=6Hz、2H、−CH2−O 第二段 光学活性な4−(6−メチルオクチルオキシ)
ベンズアミゾン塩酸塩の合成 100ml四つ口フラスコに、光学活性な4−(6−
メチルオクチルオキシ)ベンゾニトリル10g、乾
燥エタノール12.5ml、乾燥ベンゼン16mlを入れ
た。この混合物に、乾燥した塩化水素ガスを撹拌
しながら、3℃以下で吹き込んだ。室温で2日放
置後、溶媒を留去し、粗結晶を得た。 粗結晶は、乾燥エタノール64mlを300ml四つ口
フラスコに入れた。これに、アンモニア11.08g
を含む乾燥エタノール30mlを、室温でゆつくりと
滴下した。滴下後、3日間室温で放置した。アン
モニア、エタノールを留去し、粗結晶を得た。こ
れを精製し、9.58gの光学活性な4−(6−メチ
ルオクチルオキシ)ベンズアミゾン・塩酸塩を得
た。 nujol υ max(cm-1) 3060 1680 1655 1105 DMSO−d6 δ TMS(ppm)9.4、broads、3H、
【式】
D2、OeXchangeable
7.14、dJ=9Hz、2H、AromaticH
8.06、dJ=9Hz、2H、AromaticH
4.09、tJ=6Hz、2H、−O−CH2−
第三段
光学活性な5−n−オクチル−2−〔4−(6−
メチルオクチルオキシ)フエニル〕−4,6−
ジヒドロキシ−ピリミジンの合成 100ml四つ口フラスコに、金属ナトリウム1.15
g、乾燥メタノール33mlを入れた。このナトリウ
ムメチラート溶液に、光学活性は4−(6メチル
オクチルオシ)ベンズアミジン、塩酸塩5g、次
いで、n−オクチルマロン酸ジエチル4.55gを入
れ、加熱還流下18時間反応した。冷却後、濃硫酸
を用い酸性とし、結晶を析出させた。粗結晶を精
製し、光学活性な5−n−オクチル−2−〔4−
(6−メチルオクチルオキシ)フエニル〕−4,6
−ジヒドロキシ−ピリミジン6.32gを得た。 nujol υ max(cm-1) 2660 1664 1610 1110 第四段 光学活性な5−n−オクチル−2−〔4−(6−
メチルオクチルオキシ)フエニル〕−4,6−
ジクロロ、ピリジンの合成 50mlのフラスコに、光学活性な5−n−オクチ
ル−2−〔4−(6−メチルオクチルオキシ)フエ
ニルJ−4,6−ジヒドロキシ−ピリミジン6
g、オキシ塩化リン27ml、N−ジエチルアニリン
4mlを入れ、加熱還流下21時間反応した。反応
後、過剰のオキシ塩化リンを留去し、氷水に加え
入れた。これをエーテル抽出し、アルカリ水溶液
で洗浄、さらに水、飽和食塩水で中性になるまで
洗浄した。有機層を乾燥後、エーテルを留去し、
粗生成物を得た。これを精製し、光学活性な5−
n−オクチル−2−〔4−(6−メチルオクチルオ
キシ)フエニル〕−4,6−ジクロロ−ピリミジ
ン3.6gを得た。 nujol υ max(cm-1) 1610 1122 1090 CDCl3 δ TMS(ppm)8.22、dJ=9Hz、2H、AromaticH 6.85、dJ=9Hz、2H、AromaticH 3.94、tJ=6Hz、2H、−CH2−O− 2.82、t、2H、
メチルオクチルオキシ)フエニル〕−4,6−
ジヒドロキシ−ピリミジンの合成 100ml四つ口フラスコに、金属ナトリウム1.15
g、乾燥メタノール33mlを入れた。このナトリウ
ムメチラート溶液に、光学活性は4−(6メチル
オクチルオシ)ベンズアミジン、塩酸塩5g、次
いで、n−オクチルマロン酸ジエチル4.55gを入
れ、加熱還流下18時間反応した。冷却後、濃硫酸
を用い酸性とし、結晶を析出させた。粗結晶を精
製し、光学活性な5−n−オクチル−2−〔4−
(6−メチルオクチルオキシ)フエニル〕−4,6
−ジヒドロキシ−ピリミジン6.32gを得た。 nujol υ max(cm-1) 2660 1664 1610 1110 第四段 光学活性な5−n−オクチル−2−〔4−(6−
メチルオクチルオキシ)フエニル〕−4,6−
ジクロロ、ピリジンの合成 50mlのフラスコに、光学活性な5−n−オクチ
ル−2−〔4−(6−メチルオクチルオキシ)フエ
ニルJ−4,6−ジヒドロキシ−ピリミジン6
g、オキシ塩化リン27ml、N−ジエチルアニリン
4mlを入れ、加熱還流下21時間反応した。反応
後、過剰のオキシ塩化リンを留去し、氷水に加え
入れた。これをエーテル抽出し、アルカリ水溶液
で洗浄、さらに水、飽和食塩水で中性になるまで
洗浄した。有機層を乾燥後、エーテルを留去し、
粗生成物を得た。これを精製し、光学活性な5−
n−オクチル−2−〔4−(6−メチルオクチルオ
キシ)フエニル〕−4,6−ジクロロ−ピリミジ
ン3.6gを得た。 nujol υ max(cm-1) 1610 1122 1090 CDCl3 δ TMS(ppm)8.22、dJ=9Hz、2H、AromaticH 6.85、dJ=9Hz、2H、AromaticH 3.94、tJ=6Hz、2H、−CH2−O− 2.82、t、2H、
【式】
第五段
光学活性な5−n−オクチル−2−〔4−(6−
メチルオクチルオキシ)フエニル〕ピリミジン
の合成 200mlのフラスコに、光学活性な5−n−オク
チル−2−〔4−(6−メチルオクチルオキシ)フ
エニル〕−4,6−ジクロロ−ピリミジン1.88g、
10%パラジウム−炭素0.4g、酸化マグネシウム
0.55g、エタノール60ml、水45mlを入、油溶50℃
で理論量の水素が吸収されるまで、水素添加し
た。触媒を別し、エーテル抽出した。エーテル
層は、水、飽和食塩で洗浄後、乾燥し、エーテル
を留去した。得た粗生成物をくり返し精製し、光
学活性な5−n−オクチル−2−〔4−(6−メチ
ルオクチルオキシ)フエニル〕ピリミジン0.9g
を得た。 film υ max(cm-1) 1610 1584 1110 CDCl3 δ TMS(TMS)8.55、S
メチルオクチルオキシ)フエニル〕ピリミジン
の合成 200mlのフラスコに、光学活性な5−n−オク
チル−2−〔4−(6−メチルオクチルオキシ)フ
エニル〕−4,6−ジクロロ−ピリミジン1.88g、
10%パラジウム−炭素0.4g、酸化マグネシウム
0.55g、エタノール60ml、水45mlを入、油溶50℃
で理論量の水素が吸収されるまで、水素添加し
た。触媒を別し、エーテル抽出した。エーテル
層は、水、飽和食塩で洗浄後、乾燥し、エーテル
を留去した。得た粗生成物をくり返し精製し、光
学活性な5−n−オクチル−2−〔4−(6−メチ
ルオクチルオキシ)フエニル〕ピリミジン0.9g
を得た。 film υ max(cm-1) 1610 1584 1110 CDCl3 δ TMS(TMS)8.55、S
【式】
8.35、dJ=9Hz、2H、AromaticH
6.94、tJ=9Hz、2H、AromaticH
3.99、tJ=6Hz、2H、−CH2−O−
2.57、t、2H、
【式】
この液晶化合物は、以下のような転移温度であ
つた。 (*印は過冷却であることを示す。) 以上のように、室温を含む約35℃と広い温度範
囲でSc*相を呈し、かつSc*相の下にSB相を有す
るため、低温側は3℃まで、スメクチツクドメイ
ン状態を保持する。SB相は、表示の応答はしない
が、結晶化によるスメクチツクメイン状態の破壊
がないため、温度を上げてSc*相にもどすと、同
じ表示状態をon−offするので、Lcパネルにした
時の保存温度範囲としうる。 この液晶化合物を、PVAラビングの一軸配向
処理を施した基板間に挾持し、液晶層厚を2.5μm
とし、±20Vの電圧印加で、直交ニコル下で、特
性を測定した。 測定温度は25℃であつた。 コーン角−40.5℃ コントラスト(Ton/Toff)−12.5 応答速度−600μsec このセル応答の温度依存性データを第3図に示
す。 実施例 2 光学活性は5−n−オクチル−2−〔4−(4−
メチルヘキシルオキシ)フエニル〕ピリミジン まず合成法を以下に記す。 温度計、冷却管、塩化カルシウム管、滴下ロー
トを備えた30ml三つ口フラスコに、水素化ナトリ
ウム0.35g(7mmol)(abt.50%oil Suspension)
乾燥N,N−ジメチルホルムアミド5mlを入れ
た。次に、氷冷下、乾燥N,N−ジメチルホルム
アミド5mlに溶解した4−(5−n−オフチル−
2−ピリミジル)フエノール1.9g(6.6mmol)
を20分にわたつて滴下した。室温で、30分間反応
した後、光学活性は4−メチルヘキサノール−1
のP−トルエンスルホン酸エステル1.8g
(6.6mmol)を滴下した。滴下後、95℃で9時間
反応を行ない、冷却後、氷水に流し込み、酢酸エ
チルで抽出した。有機層は、5%NaOH、水、
飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、有機溶媒を留去し
た。得た残渣を繰り返し精製し、5−n−オクチ
ル−2−〔4−(4−メチルヘキシルオキシ)フエ
ニル〕ピリミジン2.2g(86%)を得た。 I.R.(Nujol):ν=1605、1584、1245、1164、
1105-1cm ′H−N.M.R(60MHz、CDCl3/TASint) δ(ppm)=8.59(s、2H、PyrimidineH) 8.39(d、2H、J=9Hz、AromaticH) 7.02(d、2H、J=9Hz、AromaticH) 4.02(t、2H、J=6Hz、−CH2−O−) 2.62(t、2H、−CH2−Pyrimidine) この液晶化合物は、以下のような転移温度であ
つた。 (*印は、過冷却であることを示す。) この液晶化合物を、実施例1と同じ配向処理を
施した2.5μmのセルを封入して、同じ条件で応答
速度を測定したら、250μsecであつた。 実施例 3 以下、下記光学活性アルキル化剤とアルキルピ
リミジンフニノールを用いて、実施例2と同様に
つた。 (*印は過冷却であることを示す。) 以上のように、室温を含む約35℃と広い温度範
囲でSc*相を呈し、かつSc*相の下にSB相を有す
るため、低温側は3℃まで、スメクチツクドメイ
ン状態を保持する。SB相は、表示の応答はしない
が、結晶化によるスメクチツクメイン状態の破壊
がないため、温度を上げてSc*相にもどすと、同
じ表示状態をon−offするので、Lcパネルにした
時の保存温度範囲としうる。 この液晶化合物を、PVAラビングの一軸配向
処理を施した基板間に挾持し、液晶層厚を2.5μm
とし、±20Vの電圧印加で、直交ニコル下で、特
性を測定した。 測定温度は25℃であつた。 コーン角−40.5℃ コントラスト(Ton/Toff)−12.5 応答速度−600μsec このセル応答の温度依存性データを第3図に示
す。 実施例 2 光学活性は5−n−オクチル−2−〔4−(4−
メチルヘキシルオキシ)フエニル〕ピリミジン まず合成法を以下に記す。 温度計、冷却管、塩化カルシウム管、滴下ロー
トを備えた30ml三つ口フラスコに、水素化ナトリ
ウム0.35g(7mmol)(abt.50%oil Suspension)
乾燥N,N−ジメチルホルムアミド5mlを入れ
た。次に、氷冷下、乾燥N,N−ジメチルホルム
アミド5mlに溶解した4−(5−n−オフチル−
2−ピリミジル)フエノール1.9g(6.6mmol)
を20分にわたつて滴下した。室温で、30分間反応
した後、光学活性は4−メチルヘキサノール−1
のP−トルエンスルホン酸エステル1.8g
(6.6mmol)を滴下した。滴下後、95℃で9時間
反応を行ない、冷却後、氷水に流し込み、酢酸エ
チルで抽出した。有機層は、5%NaOH、水、
飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、有機溶媒を留去し
た。得た残渣を繰り返し精製し、5−n−オクチ
ル−2−〔4−(4−メチルヘキシルオキシ)フエ
ニル〕ピリミジン2.2g(86%)を得た。 I.R.(Nujol):ν=1605、1584、1245、1164、
1105-1cm ′H−N.M.R(60MHz、CDCl3/TASint) δ(ppm)=8.59(s、2H、PyrimidineH) 8.39(d、2H、J=9Hz、AromaticH) 7.02(d、2H、J=9Hz、AromaticH) 4.02(t、2H、J=6Hz、−CH2−O−) 2.62(t、2H、−CH2−Pyrimidine) この液晶化合物は、以下のような転移温度であ
つた。 (*印は、過冷却であることを示す。) この液晶化合物を、実施例1と同じ配向処理を
施した2.5μmのセルを封入して、同じ条件で応答
速度を測定したら、250μsecであつた。 実施例 3 以下、下記光学活性アルキル化剤とアルキルピ
リミジンフニノールを用いて、実施例2と同様に
【表】
操作を行ない目的化合物を得た。
これらの液晶化合物の転移温度及び、実施例1
と同様にして、測定した応答速度のデータを以下
の表にまとめる。 (*印は不斉炭素)
と同様にして、測定した応答速度のデータを以下
の表にまとめる。 (*印は不斉炭素)
【表】
以上実施例で見てきたように、本発明による新
規液晶化合物は、応答性が良好であり、かつ、室
温近辺の広い温度範囲でSc*相を呈する化合物で
あり、実用的なSc*相温度範囲を有する液晶組成
物を得ていく上で、画期的な材料である。強誘電
性液晶デイスプレイの実用化に大きく寄与するも
のである。
規液晶化合物は、応答性が良好であり、かつ、室
温近辺の広い温度範囲でSc*相を呈する化合物で
あり、実用的なSc*相温度範囲を有する液晶組成
物を得ていく上で、画期的な材料である。強誘電
性液晶デイスプレイの実用化に大きく寄与するも
のである。
第1図はスメクチツクC*相またはH相の模式
図であり、第2図はカイラルスメクチツク相の液
晶分子の電界によるコーンに沿つた運動を示す模
式図であり、第3図は、応答速度の温度依存性を
示すグラフである。
図であり、第2図はカイラルスメクチツク相の液
晶分子の電界によるコーンに沿つた運動を示す模
式図であり、第3図は、応答速度の温度依存性を
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中、mは1〜8、nは5〜18、*印は不整
炭素原子を示す)で表わされる光学不活性なピリ
ミジン系液晶化合物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14170084A JPS6122072A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 液晶化合物 |
EP85902658A EP0191860B1 (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
US06/830,530 US4725688A (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
PCT/JP1985/000302 WO1986000087A1 (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
DE8585902658T DE3577211D1 (de) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Fluessigkristallverbindung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14170084A JPS6122072A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 液晶化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6122072A JPS6122072A (ja) | 1986-01-30 |
JPH0425951B2 true JPH0425951B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=15298167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14170084A Granted JPS6122072A (ja) | 1984-06-07 | 1984-07-09 | 液晶化合物 |
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JP (1) | JPS6122072A (ja) |
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Citations (1)
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-
1984
- 1984-07-09 JP JP14170084A patent/JPS6122072A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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JPS59117209A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | 日通工株式会社 | アルミニユウム電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
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