JPS63246809A

JPS63246809A - セラミツク電子部品の電極形成方法

Info

Publication number: JPS63246809A
Application number: JP62082099A
Authority: JP
Inventors: 治文万代; 孝木村; 康行内藤; 豊島原
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1987-04-01
Filing date: 1987-04-01
Publication date: 1988-10-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、セラミックコンデンサ、セラミック抵抗器等
のセラミック電子部品における電極形成方法に関する。

〈従来の技術〉従来、セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の
本体に電極を形成する方法としては、銀ペーストを焼き
付けろ方法と、無電解メッキによる方法とがある。

上記の両方法のうち、無電解メッキによる電極形成方法
は、銀ペーストを焼き付ける方法に比へ、低廉なコスト
で済むため、広く採用されている。

ところで、一般に無電解メッキは、被メッキ物の表面全
面にメッキ膜を形成することになるので、これまでは、
無電解メッキによりセラミック電子部品に電極を形成す
る場合、本体の表面全面にメッキ膜を形成したのち、不
要部分のメッキ膜をエツチングや研摩により除去するよ
うにしていた。

これに対して、近年は、活性化ペーストを用いて無電解
メッキで部分メッキを行ない、電極を形成する方法が採
用されている。

上記のように活性化ペーストを用いて無電解メッキによ
り電極を形成するには、まず本体の脱脂洗浄を行ない、
この本体の表面所要部に、パラジウムあるいは白金を主
成分とする活性化ペーストを塗布し焼き付けて、該所要
部にパラジウム等の金属粒子を付着させ、この本体に銅
やニッケルの無電解メッキを施す。本体の表面所要部で
は、パラジウム等の金属粒子が核となって、メッキ膜か
成長し、これによって、活性化ペーストを焼き付けた部
分にのみ、電極となるメッキ膜が形成されろことになる
。

〈発明が解決しようとする問題点〉上記したように、無電解メッキにより部分メッキを行な
い電極を形成する場合は、無電解メッキを施す前に、本
体の表面所要部に活性化ペーストを塗布する必要がある
が、この活性化ペーストは、パラジウム等の高価な金属
を主成分とするものであり、コストがかさむ、という問
題かある。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、活性化ペーストの材料コストの低減化を図り、セラミ
ックの電子部品本体への電極形成を安価に行なえるよう
にすることを目的とする。

〈問題点を解決するための手段〉本発明は、上記の目的を達成するために、セラミックの
電子部品本体の表面所要部に、亜鉛、ニッケル、鉄、ク
ロム、コバルト、マンガン、錫、鉛、チタン、モリブデ
ン、タングステンおよびタンタルの一種らしくは複数種
の金属を主成分とする活性化ペーストを付１１させて焼
き付ける工程と、活性化ペーストを焼き付けた電子部品
本体に無電解メクキを施す工程とを含んでセラミック電
子部品の電極形成方法を構成した。

〈作用〉上記の各工程によれば、セラミック電子部品本体の表面
所要部にのみメッキ膜が形成され、そのメッキ膜がその
まま電極となる。そのため、エツチングや研摩等による
不要メッキ膜の除去を行なう必要がない。

また、活性化ペーストは、亜鉛、ニッケル等の安価な金
属を主成分とするものであるから、材料コストが低下す
る。

〈実施例〉以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。

この実施例は粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサの
本体に電極を形成する場合の例である。

■第１工程；この第１工程は、粒界絶縁型半導体セラミックコンデン
サの本体である粒界絶縁型半導体セラミックｌを用意す
る工程である（第１図参照）。

まず、（Ｓ　ｒｏ、５ａ７Ｙ　ｏ、ｎｏｓ）Ｔ　Ｌ　、
ｎｏ＋　０３の組成を有する半導体セラミックが得られ
るよう、所定の材料を秤量、混合し、１．ｔｏｏ〜１，
２５０℃で２時間、仮焼する。この材料に、酢酸ビニル
系樹脂を１０重量％加え、ポリポットで１０時間、湿式
粉砕、脱水したのち、整粒し、この整粒材料を、直径１
０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板にプレス成形する。

このようにして得られた成形円板を、空気中で一旦予備
焼成し、さらに、窒素ガスに少量の水素を加えた還元雰
囲気中で焼成して、半導体セラミックを得る。

別に、Ｐｂ３０．を２０重量％、Ｂｉｔ’３を２５重量
％、ＣｕＯを５重量％、フェスを５０重量％含んでなる
酸化剤を用意しておき、この酸化剤を前記の半導体セラ
ミックの表面所要部に０．５〜１．５重量％の割合で塗
布し、空気中で加熱して拡散させ、これによりて、粒界
絶縁型半導体セラミ−／りｌを得る。

■第２工程；この工程は、粒界絶縁型半導体セラミック１１すなわち
本体の表面所要部に活性化ペースト２を塗布等の方法で
付着させる工程である（第２図参照）。活性化ペースト
２の塗布は、本体１の脱脂洗浄ののちに行なう。活性化
ペースト２は、亜鉛、ニッケル、鉄等の比較的安価な金
属を主成分とするペーストである。活性化ペースト２は
、上記した金属のほかに、クロム、コバルト、マンガン
、錫、鉛、チタン、モリブデン、タングステンあるいは
タンタルを主成分とするものでもよく、また上記金属の
複数種、たとえば亜鉛−鉛、あるいはニッケルー鉛を主
成分とするものであってもよい。

■第３工程；この工程では、本体ｌに付着させた活性化ペースト２を
、空気中もしくは窒素雰囲気中で２５０〜８５０°Ｃに
加熱して焼き付ける。これによって、本体１の表面所要
部には、活性化ペースト２の主成分である亜鉛等の金属
粒子が付着し、金属付着部２ａが形成される（第３図参
照）。

■第４工程；この工程では、金属付着部２ａが形成された本体ｌに対
して銅の無電解メッキを施す。メッキ浴は、硫酸銅およ
び錯化剤を主成分とするもので、このほか、ホルマリン
が主成分である還元剤と、カセイソーダが主成分である
ｐｉ−（Ｒ整剤とを含む。

本体ｌはこのメッキ浴中に、温度８０℃で１０分間、浸
漬する。

このメッキ浴中において、本体１表面の金属粒子が核と
なり、これにメッキ浴に含まれる金属（銅）が付着し、
所要部全体に電極となる銅のメッキ膜３が形成される（
第４図参照）。

以上のようにして形成されたメッキ膜３がそのまま電極
となるのであって、これによって、電極付きの本体ｌが
得られる。

この電極３付き本体ｌを２３０℃の半田浴に浸漬して電
極３にリード線を取り付け、そのリード線の引張強度を
測定したところ、１．５ｋｇの値が得られた。このこと
から、上記の各工程により形成された電極３は、本体ｌ
との接合強度が充分に大きく、強度的に問題がないこと
が分かる。

また、上記実施例の方法により製作された粒界絶縁型半
導体セラミックコンデンサの電気特性を測定したところ
、別表に示す結果が得られた。

別表において、静電容量（Ｃａｐ）および誘電体損失（
ＤＦ）は、温度２０℃、周波数ＩＫＨｚＳ電圧０．２Ｖ
ｒｍｓ以下で測定した。絶縁抵抗（Ｉ　Ｒ）は、温度２
０℃で、厚さ１ｍｍ当たり直流電圧２５Ｖを印加して、
１５秒後にｊ、ｌ１１定した。耐電圧（ＢＤＶ）は、温
度２０°Ｃで直流電圧を印加して測定した。

以下、次頁く表〉Ｚｎ　　　　１８５　　　１．０　　１６００　　　２
０ＯＮｉ　　　　１８０　　　０．９　　１５００　　
　２１５Ｆｅ　　　　１７７　　　１．３　　１７００
　　　２０５Ｃｒ　　　　１８０　　　１．２　　１８
００　　　２２０Ｃｏ　　　　１８３　　　１．２　　
２２（ｔｏ　　　　２３ＧＭｎ　　　　１７８　　　１
．４　　１６００　　　２００Ｓｎ　　　　１ｇ４　　
　１．３　　２２００　　　２２０Ｐｂ　　　　１８２
　　　１．５　　１９００　　　２００Ｔｉ　　　　１
７５　　　１．７　　２０００　　　２３０Ｍｏ１８４
　　　１．２　　１６００　　　２１０Ｗ　　　　　１
８５　　　１．２　　１６００　　　２００Ｔａ　　　
　１８２　　　１．２　　１５００　　　２２５Ｚｎ−
Ｎｉ　　　１７８　　　１．３　　１８００　　　２２
５Ｎｉ−Ｐｂ　　　１８４　　　１．２　　２０００　
　　２５０上記の表に示した試験結果から、本発明方法
により得られた粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ
は、各電気特性が水準値と同等、もしくは水準値を越え
る値を示し、特に絶縁抵抗値が大きく、コンデンサとし
て機能的に優れたしのであることが分かる。

なお、上記の実施例では、粒界絶縁コンデンサの本体に
電極を形成する場合を示したが、本発明の方法を、他の
タイプのセラミックコンデンサ、セラミック抵抗器、正
特性ザーミスタ、電圧非直線抵抗体等のセラミック電子
部品の電極形成に適用しうろことは、いうまでもない。

〈発明の効果〉以上のように、本発明によれば、エツチングや研摩等に
よる不要メッキ膜の除去を行なうことなく、セラミック
電子部品の本体にメッキ膜による電極を形成することが
でき、これに使用する活性化ペーストは、罷鉛、ニッケ
ル等の安価な金属を主成分とするものであるから、従来
の方法に比べ材料コストを低下させることができろ。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の一実施例の各工程を示す
説明図である。ｌ・・・セラミック電子部品本体（粒界絶縁型半導体セ
ラミック）、２・・・活性化ペースト、２ａ・・・金属
付着部、３・・・メッキ膜（電極）。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）セラミックの電子部品本体の表面所要部に、亜鉛
、ニッケル、鉄、クロム、コバルト、マンガン、錫、鉛
、チタン、モリブデン、タングステンおよびタンタルの
一種もしくは複数種の金属を主成分とする活性化ペース
トを付着させて焼き付ける工程と、活性化ペーストを焼
き付けた電子部品本体に無電解メッキを施す工程とを含
むセラミック電子部品の電極形成方法。