JPS61127111A - セラミツク電子部品の電極形成方法 - Google Patents
セラミツク電子部品の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS61127111A JPS61127111A JP24849284A JP24849284A JPS61127111A JP S61127111 A JPS61127111 A JP S61127111A JP 24849284 A JP24849284 A JP 24849284A JP 24849284 A JP24849284 A JP 24849284A JP S61127111 A JPS61127111 A JP S61127111A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- ceramic
- main body
- plating
- ceramic electronic
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、セラミックコンデンサやセラミック抵抗器の
ようなセラミック電子部品の本体に電極を形成する方法
に関する。
ようなセラミック電子部品の本体に電極を形成する方法
に関する。
〈従来の技術〉
セラミック電子部品には、その本体にＮ１、Ｃｕ等の金
属を含むメッキ液で無電解メッキを施して電極を形成す
るのであるが、この無電解メッキを施す場合、一般には
、そのメッキ処理前に、エツチングにより本体表面を粗
面にしたのら、パラジウム（Ｐｄ）等の貴金属の溶液を
塗布して本体表面をメッキに対して活性化する前処理が
行なわれていた。
属を含むメッキ液で無電解メッキを施して電極を形成す
るのであるが、この無電解メッキを施す場合、一般には
、そのメッキ処理前に、エツチングにより本体表面を粗
面にしたのら、パラジウム（Ｐｄ）等の貴金属の溶液を
塗布して本体表面をメッキに対して活性化する前処理が
行なわれていた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが、メッキ処理前にエツチングを行なうと、その
エツチングにより本体の粒界が浸食される。その後の無
電解メッキ時には、この本体かメッキ液中に浸漬される
ことになるので、本体の粒子間にメッキ液が浸透し、そ
の残留イオンにより絶縁抵抗の低下が起こり電子部品と
しての特性を劣化させる種々の不都合を生じる欠点があ
った。
エツチングにより本体の粒界が浸食される。その後の無
電解メッキ時には、この本体かメッキ液中に浸漬される
ことになるので、本体の粒子間にメッキ液が浸透し、そ
の残留イオンにより絶縁抵抗の低下が起こり電子部品と
しての特性を劣化させる種々の不都合を生じる欠点があ
った。
これに対して、本体にＰｄを主成分とするペーストを焼
き付けたのち、無電解メッキを施す方法もあるが、ペー
ストの主成分が貴金属であるため、ペースト自体が高価
であり、電子部品のコストがかさむ欠点があった。
き付けたのち、無電解メッキを施す方法もあるが、ペー
ストの主成分が貴金属であるため、ペースト自体が高価
であり、電子部品のコストがかさむ欠点があった。
また、Ｚｎを主成分とするペーストを焼き付けたのち、
置換メッキを施す方法もあるが、膜厚の厚いものが得に
くいため、膜強度が小さく、電極やリード線が不測に剥
離、もしくは脱落する欠点があった。
置換メッキを施す方法もあるが、膜厚の厚いものが得に
くいため、膜強度が小さく、電極やリード線が不測に剥
離、もしくは脱落する欠点があった。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、電気特性に優れたセラミック電子部品を安価に製造で
き、かつ！ｌｉｌ産性に優れた方法を提供することを目
的とする。
、電気特性に優れたセラミック電子部品を安価に製造で
き、かつ！ｌｉｌ産性に優れた方法を提供することを目
的とする。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、上記の目的を達成するために、セラミックの
本体の表面所要部にアルミニウムを主成分とするペース
トを塗布し焼き付けることにより核部にアルミニウム粒
子を付着させたのち、この本体に無電解メッキ処理を施
して前記アルミニウム付着部上に電極を形成することを
特徴とするものである。
本体の表面所要部にアルミニウムを主成分とするペース
トを塗布し焼き付けることにより核部にアルミニウム粒
子を付着させたのち、この本体に無電解メッキ処理を施
して前記アルミニウム付着部上に電極を形成することを
特徴とするものである。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。図面は本発明の方法により得られた粒界絶縁半導
体セラミックコンデンサの断面図で、同図中、符号１は
セラミックの本体、２は本体１の表面所要部のアルミニ
ウム付着部、３は該アルミニウム付着部２上に形成され
たＮｉ、Ｃｕ等の電極、４は前記電極３に取り付けたリ
ード線である。
する。図面は本発明の方法により得られた粒界絶縁半導
体セラミックコンデンサの断面図で、同図中、符号１は
セラミックの本体、２は本体１の表面所要部のアルミニ
ウム付着部、３は該アルミニウム付着部２上に形成され
たＮｉ、Ｃｕ等の電極、４は前記電極３に取り付けたリ
ード線である。
しかして、前記電極３は以下に述べるような工程を経て
本体ｌの表面の所要部に形成される。
本体ｌの表面の所要部に形成される。
工程■：（Ｓ ｒｏ、ｍｓ、Ｙ ｏ、ｏｏｓ）Ｔ ｉ＋
、ｏｏ＋ｏ ｓの組成を有する半導体セラミックが得ら
れるよう、まず原料である５ｒＣＯｓ、Ｔｉ１ｔ、Ｙ、
０．を秤量、混合し、この混合物を【１５０℃で２時間
仮焼した。
、ｏｏ＋ｏ ｓの組成を有する半導体セラミックが得ら
れるよう、まず原料である５ｒＣＯｓ、Ｔｉ１ｔ、Ｙ、
０．を秤量、混合し、この混合物を【１５０℃で２時間
仮焼した。
工程■：次いで、この仮焼原料に酢酸ビニル系樹脂を１
０重量％加え、ポリポットで１０時時間式粉砕した。粉
砕した原料を脱水したのち１．３０メツシユのフルイで
整粒し、７５０ｋｇ／ａｓ”の成彩圧力で成形し直径１
０ｍ＠、厚み０．５０ｍ５の円板に成形した。
０重量％加え、ポリポットで１０時時間式粉砕した。粉
砕した原料を脱水したのち１．３０メツシユのフルイで
整粒し、７５０ｋｇ／ａｓ”の成彩圧力で成形し直径１
０ｍ＠、厚み０．５０ｍ５の円板に成形した。
工程■、このようにして得られた成形円板を、空気中で
１１５０℃、１時間の条件で一旦、予備焼成し、さらに
窒素９９容量％、水素ｌ容量％からなる還元雰囲気中に
て１４００℃、３時間、焼成して半導体セラミックを得
た。得られた半導体セラミックは直径８１１ＩＲ１厚み
０．４ｍｍの大きさであった。
１１５０℃、１時間の条件で一旦、予備焼成し、さらに
窒素９９容量％、水素ｌ容量％からなる還元雰囲気中に
て１４００℃、３時間、焼成して半導体セラミックを得
た。得られた半導体セラミックは直径８１１ＩＲ１厚み
０．４ｍｍの大きさであった。
工程■・この半導体セラミックには、酸化剤ペーストを
、該半導体セラミックの重量に対して０５〜１．５重量
％の割合で塗布した。この酸化剤ペーストの組成は、ｐ
ｂ、ｏ、が２４重員％、Ｂ ｉｔｏ ｓが２４重量％、
ＣｕＯが２重量％、育機フェスが５０重量％てあった。
、該半導体セラミックの重量に対して０５〜１．５重量
％の割合で塗布した。この酸化剤ペーストの組成は、ｐ
ｂ、ｏ、が２４重員％、Ｂ ｉｔｏ ｓが２４重量％、
ＣｕＯが２重量％、育機フェスが５０重量％てあった。
酸化剤ペーストを塗布した半導体セラミックを空気中で
１１００〜１１５０℃、２時間、熱処理して、酸化剤ペ
ーストを半導体セラミック内部に拡散させ、これによっ
て、結晶粒界が絶縁体化された粒界絶縁半導体セラミッ
クを得た。これが粒界絶縁半導体セラミックコンデンサ
の本体！である。
１１００〜１１５０℃、２時間、熱処理して、酸化剤ペ
ーストを半導体セラミック内部に拡散させ、これによっ
て、結晶粒界が絶縁体化された粒界絶縁半導体セラミッ
クを得た。これが粒界絶縁半導体セラミックコンデンサ
の本体！である。
工程■：この本体１の表面の所要部に、アルミニウムを
主体とするペーストを塗布し、空気中にて８００℃で３
０分間、焼き付けて、本体１の表面所要部にアルミニウ
ム粒子を付着させ、アルミニウム付着部２を形成した。
主体とするペーストを塗布し、空気中にて８００℃で３
０分間、焼き付けて、本体１の表面所要部にアルミニウ
ム粒子を付着させ、アルミニウム付着部２を形成した。
工程■・こののち、このアルミニウム付きの本体１を無
電解メッキ処理するのであるが、そのメッキ浴は、硫酸
鋼および錯化剤を主成分としたちので、ホルマリンを主
成分とする還元剤と、カセイソーダを主成分とするｐＨ
Ｈ整剤等を含む。本体１のメッキ処理は、前記のメッキ
浴中で８０℃、１０分間の条件で行なった。メッキ液に
対して、前記アルミニウム付着部２のアルミニウム粒子
が核となり、このアルミニウム付着部２上にメッキ液中
の金属（銅）が付着する。これによって、アルミニウム
付着部２上に銅の電極３が形成される。
電解メッキ処理するのであるが、そのメッキ浴は、硫酸
鋼および錯化剤を主成分としたちので、ホルマリンを主
成分とする還元剤と、カセイソーダを主成分とするｐＨ
Ｈ整剤等を含む。本体１のメッキ処理は、前記のメッキ
浴中で８０℃、１０分間の条件で行なった。メッキ液に
対して、前記アルミニウム付着部２のアルミニウム粒子
が核となり、このアルミニウム付着部２上にメッキ液中
の金属（銅）が付着する。これによって、アルミニウム
付着部２上に銅の電極３が形成される。
工程■：さらに、電極３付き本体ｌを２３０℃の半田の
中に浸漬して電極３にリード線４を取り付けた。そのリ
ード線４の引張強度を測定したところ、１．５ｋｇであ
った。
中に浸漬して電極３にリード線４を取り付けた。そのリ
ード線４の引張強度を測定したところ、１．５ｋｇであ
った。
このコンデンサの電気特性を第１表に示す。
１７ｇ、１ｎＦ ｌ （１，９２％１１８００ＭΩ１＋
１３．８％＋ ２２０Ｖ１ １ １−１
２．２％１ 上記第１表において、Ｃａｐ（静電容量）およびＤＦ（
誘電体損失）は、温度２０℃、周波数ＩＫＨｚ。
１３．８％＋ ２２０Ｖ１ １ １−１
２．２％１ 上記第１表において、Ｃａｐ（静電容量）およびＤＦ（
誘電体損失）は、温度２０℃、周波数ＩＫＨｚ。
電圧０．２Ｖｒｍｓ以下で測定。
ＩＲ（絶縁抵抗）は、温度２０℃で厚さ１１ＩＩ１１当
たり直流電圧２５Ｖを印加して、１５秒後に測定。
たり直流電圧２５Ｖを印加して、１５秒後に測定。
ΔＴＣ（静電容量温度特性）は、２０℃を基準とし、−
２５℃〜＋８５℃の温度範囲における最大許容量変化率
を示した値。
２５℃〜＋８５℃の温度範囲における最大許容量変化率
を示した値。
ＢＤＶ（耐電圧）は、温度２０℃で直流電圧を印加して
測定。
測定。
第１表の試験結果から、本発明方法による粒界絶縁半導
体コンデンサは、コンデンサとしての各電気特性が水準
値、もしくは水準値を越える値を示し、特に絶縁抵抗値
が大きいことが分かる。
体コンデンサは、コンデンサとしての各電気特性が水準
値、もしくは水準値を越える値を示し、特に絶縁抵抗値
が大きいことが分かる。
なお、上記実施例には粒界絶縁半導体コンデンサの本体
に電極を形成する場合を示したが、本発明の方法を、他
のタイプのセラミックコンデンサやセラミック抵抗器等
のセラミック電子部品の本体に電極を形成するのに適用
しうろことは、いうまでもない。
に電極を形成する場合を示したが、本発明の方法を、他
のタイプのセラミックコンデンサやセラミック抵抗器等
のセラミック電子部品の本体に電極を形成するのに適用
しうろことは、いうまでもない。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明によれば、本体の表面所要部にア
ルミニウムを主体とするペーストを焼き付けたのち、無
電解メッキを施し、従来のように無電解メッキの前にエ
ツチング処理や貴金属溶液による活性化処理を行なわな
いから、本体の粒子間にメッキ液が浸透するようなこと
がなく、メッキ液が浸透することに伴なう絶縁抵抗の減
少等の不都合を生ぜず、電気特性に優れたセラミック電
子部品が得られる。
ルミニウムを主体とするペーストを焼き付けたのち、無
電解メッキを施し、従来のように無電解メッキの前にエ
ツチング処理や貴金属溶液による活性化処理を行なわな
いから、本体の粒子間にメッキ液が浸透するようなこと
がなく、メッキ液が浸透することに伴なう絶縁抵抗の減
少等の不都合を生ぜず、電気特性に優れたセラミック電
子部品が得られる。
また、本発明方法によれば、上記のように従来行なわれ
ていたエツチング処理や貴金属溶液による活性化処理が
省略され、しかもＰｄペーストのような高価なペースト
を使用しないから、コストの低減化を図ることができ、
安価なセラミック電子部品を蜆造することができる。
ていたエツチング処理や貴金属溶液による活性化処理が
省略され、しかもＰｄペーストのような高価なペースト
を使用しないから、コストの低減化を図ることができ、
安価なセラミック電子部品を蜆造することができる。
さらに本発明では、無電解メッキの前処理が簡略化され
るので、メッキ処理全体に要する時間が短縮されて高速
メッキが可能となり、量産性に優れる。
るので、メッキ処理全体に要する時間が短縮されて高速
メッキが可能となり、量産性に優れる。
このほか、アルミニラ・ムを主体とするペーストを焼き
付けたところに電極が形成され、本体の所要部以外の部
分にメッキ膜が形成されることがな・ い。したがって
、不要なメッキ膜を除去するための研摩作業や、その研
摩作業のために本体を定位置にセットする操作の必要が
なくなり、この点からも工程の簡略化を図りうる。
付けたところに電極が形成され、本体の所要部以外の部
分にメッキ膜が形成されることがな・ い。したがって
、不要なメッキ膜を除去するための研摩作業や、その研
摩作業のために本体を定位置にセットする操作の必要が
なくなり、この点からも工程の簡略化を図りうる。
図面は本発明方法により得られるコンデンサの断面図で
ある。 １・・セラミックの本体、２・・・アルミニウム付着部
、３・・・電極。
ある。 １・・セラミックの本体、２・・・アルミニウム付着部
、３・・・電極。
Claims (1)
- （１）セラミックの本体の表面所要部にアルミニウムを
主成分とするペーストを塗布し焼き付けることにより該
部にアルミニウム粒子を付着させたのち、この本体に無
電解メッキ処理を施して前記アルミニウム付着部上に電
極を形成することを特徴とするセラミック電子部品の電
極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24849284A JPS61127111A (ja) | 1984-11-24 | 1984-11-24 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24849284A JPS61127111A (ja) | 1984-11-24 | 1984-11-24 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127111A true JPS61127111A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17178967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24849284A Pending JPS61127111A (ja) | 1984-11-24 | 1984-11-24 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61127111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428807A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-31 | Murata Manufacturing Co | Manufacture of porcelain capacitor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710216A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Murata Manufacturing Co | Method of forming electrode for ceramic capacitor |
| JPS5718316A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Murata Manufacturing Co | Method of forming external electrode for laminated ceramic capacitor |
| JPS5771117A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing ceramic electronic part |
-
1984
- 1984-11-24 JP JP24849284A patent/JPS61127111A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710216A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Murata Manufacturing Co | Method of forming electrode for ceramic capacitor |
| JPS5718316A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Murata Manufacturing Co | Method of forming external electrode for laminated ceramic capacitor |
| JPS5771117A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing ceramic electronic part |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428807A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-31 | Murata Manufacturing Co | Manufacture of porcelain capacitor |
| JPH0616459B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1994-03-02 | 株式会社村田製作所 | 磁器コンデンサの製造方法 |
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