JPS63146466A - ベース・エミッタコンタクト構成体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １亙立夏 本発明は、大略、バイポーラトランジスタの構成及びそ
の製造方法に関するものであり５更に詳細には、ポリシ
リコンのストリンガ−（ｓ、ｔｒｉｎｇｅｒ）即ち縦桁
のベースコンタクトを使用する極めて小さな寸法のバイ
ポーラトランジスタ及びその製造方法に関するものであ
る。

従来ユ権 バイポーラトランジスタの周波数応答及びスイッチング
速度は、トランジスタ構成体における寄生容量の量に関
係している。バイポーラトランジスタにおいては、エミ
ッタ・ベース接合に関連する接合容量があり、更にベー
ス・コレクタ接合に関連する別の接合容量がある。トラ
ンジスタの動作に影響を与えるコレクタ・基板容量の如
きその他の接合容量もある。接合容量は、接合の面積に
直接的に比例する。従って、接合の面積が小さければ小
さい程、容量が一層小さくなる。更に、バイポーラトラ
ンジスタにおいては、２つの成分から或るベース抵抗が
ある。第１の成分は外因的べ、−大抵抗と呼ばれるもの
であり、ベースコンタクトの中央からエミッタ領域の端
部へのベースを介しての経路の抵抗である。ベース抵抗
の第２の成分は、エミッタの端部からエミッタの中央へ
のベース領域を介しての、即ちエミッタ領域の直下のベ
ース領域の部分の経路の抵抗である。

長いあいだ知られていたことであるが、ベース領域の寸
法を減少させることが可能であり、且つエミッタの幅を
減少させることが可能である場合には、トランジスタの
性能を改善する有益的な効果が発生する。これらの効果
の１つは、エミッタ・ベース及びベース・コレクタ接合
の寸法が減少されるということである。このことは、こ
れらの接合に影響を与える寄生容量を減少させる。更に
、ベース領域の寸法が減少されると、経路長さが短くな
るので、ベース抵抗の外因的部分も減少される。又、エ
ミッタの寸法を減少させることが可能であると、ベース
領域を介してのエミッタ端部からエミッタ中央への経路
長さが一層短くなるので、ベース抵抗の内因的部分も減
少される。経路長さが減少されると、全体的な抵抗が減
少されるので、ベース及びエミッタの寸法における寸法
上の変化によって、寄生容量の値を低下させ且つ寄生抵
抗の値を低下させる。その結果は、高周波数カットオフ
を一層高くし且つスイッチング速度を一層低下させるこ
ととなる。

従って、寸法を減少させたベース及びエミッタ領域を持
ったバイポーラトランジスタに対する要求が発生してい
る。

且−血 本発明は１以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、新規な構成を有する
バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供するこ
とを特徴とする特に、本発明は、ポリシリコンからなる
縦桁ベースコンタクトを具備するバイポーラトランジス
タ及びその製造方法を提供することを目的とする。

璽−崖 本発明は、ベース領域の寸法及びエミッタ領域幅を減少
させその際に非常に高性能としたバイポーラトランジス
タを提供するものである０本発明の１つの重要な側面に
おいては、基板内のエミッタ領域上にシリサイドを被覆
したポリシリコンエミッタコンタクトストライプ及びシ
リサイド縦桁ベースコンタクトを持っているバイポーラ
トランジスタ構成体を提供している。このシリサイドベ
ースコンタクト縦桁は基板の表面に垂直で該エミッタコ
ンタクトストライプの側部上に形成されているが、該ス
トライプからは非等方的にエツチングした縦桁の形状で
の二酸化シリコンスペーサによってＪ＠縁されている。

シリサイドベースコンタクト縦桁は、分離島状部の境界
の外側のコンタクトパッド上に位置しているベースコン
タクト窓又は支柱型貫通導体へ延在しており、且っ縦桁
ベースコンタクトと接触させることが可能な上側に積層
する金属層へ延在している。ベースコンタクトパッドは
シリサイドであり、且つベース領域分離島状部の境界の
外側に位置されている。シリサイド縦桁ベースコンタク
トは、ベースコンタクトパッドのシリサイドの延長部を
形成する。

エミッタストライプを画定する為にポリシリコンのエツ
チングを行う前に、ダイの全表面を被覆するポリシリコ
ンの全部の層を被覆する耐火性金属の層を付着すること
によってポリシリコンスドライブの上にシリサイド層を
形成する。次いで、該ダイについて既知の態様でヒート
パルス処理を行い、その際にポリシリコンと接触してい
る全ての個所において該耐火性金屑からシリサイドを形
成する。

該エミッタコンタクトは、その幅がホトリソグラフィに
よって得られる最小距離りに等しいポリシリコンからな
るストライプ乃至はストリップ即ち細条部である。幾つ
かの実施例においては、このエミッタコンタクトストラ
イプは最小距離りよりも一層細く且つＤの幅を持ったマ
スクを使用してポリシリコンスドライブを過剰にエツチ
ングすることによって形成される。該ポリシリコンエミ
ッタストライプを被覆するシリサイドは、エミッタスト
ライプを形成する為に該ポリシリコンをエツチングする
前に形成されているので、自己整合されている。このエ
ミッタストライプは、ベースコンタクト分離島状部の境
界の外側に位置しているエミッタコンタクトパッドへ延
在している。ベース及びエミッタの両方のコンタクトパ
ッドは十分に大きな寸法を有しており、それらの境界内
に。

全ての側部上でＤに等しい寸法を持ったコンタクト窓乃
至は支柱型貫通導体及び該窓乃至は貫通導体の境界の全
ての側部上の整合余裕乃至は公差によって消費される面
積を収容している。この様な整合「クッシ１ン」面積は
、製造の間の整合誤差から発生する歩留まりの損失を防
止する為に必要である。別の実施例においては、エミッ
タストライプのポリシリコンを回路内の別の位置へ延在
させて回路内の別のノードと接触させることが可能であ
り、又はそれは別の分離島状部上方を延在して、それか
らポリシリコンエミッタストライプが形成された元のト
ランジスタとエミッタを共用する別のトランジスタのエ
ミッタを形成することが可能である。ベースコンタクト
パッドのシリサイドに関しても同様のことを行うことが
可能である。

従って、これらの２つの層は、第１金属層即ちポリシリ
コン相互接続層の下側において「自由」な相互接続層を
提供している。

エミッタコンタクトストライプは、二酸化シリコンから
形成される絶縁性ショルダー乃至はスペーサによってシ
リサイドベースコンタクト縦桁から分離されている。そ
の他の実施例においては、その他の絶縁性物質であって
本トランジスタの電気的機能及びその構造的一体性と電
気的及び熱的に適合性のあるものを使用することも可能
である。

この絶縁性ショルダーはそれを形成する為に使用するプ
ロセスの為に非常に幅狭である。この絶縁性ショルダー
を形成するために使用するプロセスは、複合層が該ショ
ルダーの所望の厚さを持つ様に熱成長される酸化物の薄
い層の上にＣＶＤ酸化物の層を付着形成させる。この酸
化物層はウェハ面積全体を被覆する。平担な表面上に載
置されているツーバイフォー（２インチＸ４インチ）の
角材上に雪が体積すると雪のカーペットがその個所で膨
らむ様に、該酸化物層も該エミッタストライプの位置で
膨らむので、非等方性エツチングを効果的に使用して該
酸化物ショルダーを形成する。

この非等方性エツチングを十分に長く継続して行い、水
平な表面、即ち基板の表面に平行な表面、の上の全ての
酸化物を除去し、垂直な表面、即ち基板表面に垂直な表
面、に隣接する酸化物のみを残存させる。このことは、
エミッタストライプの端部に沿って酸化物縦桁を形成さ
せ、それは基板の表面に垂直なポリシリコンエミッタス
トライプの表面を完全に絶縁する。これらの酸化物縦桁
は、被覆された端部と「上部」表面、即ち基板の表面に
平行な表面、の交差部においてポリシリコンエミッタス
トライプの端部と自己整合される。この絶縁性物質から
なる縦桁は絶縁性のスペーサ乃至はショルダーであって
、それはエミッタストライプをベースコンタクト縦桁か
ら分層させている。

この絶縁性ショルダーは元の酸化物層の付着深さの幅を
持っている。

シリサイドベースコンタクト縦桁は、絶縁性ショルダー
と同一の態様で形成される。エミッタポリシリコンスト
ライブを付着させ且つエツチングした後で且つ酸化物絶
縁性ショルダーを形成した後に、いずれかの従来の態様
で全ウェハ表面上にシリサイドの層を形成する。このシ
リサイドは適切な極性にドープされてベースコンタクト
を形成する。該シリサイドはカーペットを形成し、該カ
ーペットはエミッタストライプ及び酸化物ショルダーが
存在する全ての個所において膨らみを持って全ウェハを
被覆している０次いで、非等方性プラズマエツチングを
行って、基板の表面に平行な表面の上に存在する全ての
シリサイドを除去し、その際に基板の表面に垂直な表面
上にシリサイド縦桁を形成する。これは、酸化物ショル
ダーに隣接しており且つ酸化物ショルダーによってエミ
ッタコンタクトストライプから分離されているベース領
域分離島状部上方にシリサイドベースコンタクトを形成
する。

本発明のトランジスタ構成体を製造するプロセス即ち方
法は、最初に、トランジスタを形成すべき基板内の全て
の位置において任意の既知の方法によって分離島状部を
形成する。実際に、１個の分離島状部を各ベース・エミ
ッタ区域に対して形成すべきである。コレクタコンタク
トに対して別の分離島状部を形成する。これらの分離島
状部を形成する為の任意の方法を使用することが可能で
あるが、ファアチャイルド社のアイソプレーナ方法が好
適である。分離島状部の表面を好適には既知の技術を使
用して平坦化させて所謂「バードヘッド」を除去する。

好適には、ＮＰＮトランジスタを形成すべき全ての分離
島状部位置において、Ｐ−基板内のＮ十埋込層を形成す
る。Ｐ−型エピタキシャルシリコンをこの埋込層の上に
形成してベース領域として機能させる。

次に、ウェハ表面全体の上にポリシリコンの層を付着さ
せる１次いで、シリサイドの層を全ポリシリコン層の上
に形成し、且つこのシリサイドをＮ及びＰ型不純物の両
方でＮ十及びＰ−濃度へ夫々ドープさせる。シリサイド
の形成に続いて、絶縁性物質、好適にはＣＶＤによって
付着される二酸化シリコン（以下、ＣＶＤ酸化物と呼称
する）からなる層を全シリサイド表面上に付着形成する
。

次いで、これらの結合された３つの層を既知の態様でエ
ツチングして、エミッタコンタクトストライプ及びエミ
ッタコンタクトパッドを形成する。

幾つかの実施例においては、エミッタコンタクトポリシ
リコンをオーバーエッチ即ち過剰にエツチングして、ホ
トレジストの窒化物がポリシリコンの端部からオーバー
ハング即ち突出する。好適には、該ホトレジストを現像
して、エミッタコンタクトストライプの幅をホトリソグ
ラフィにおいて得られる最小距離りとさせる。従って、
オーバーエッチした実施例においては、エミッタコンタ
クトストライプはホトリソグラフィにおいて得られる最
小距離りの半分迄の幅とさせることが可能である。

次いで、該ホトレジストを溶解させ、且つ熱酸化物の層
を成長させて、ポリシリコンエミッタストライプの上部
を除いた側部を包含する全ての露出されているシリコン
表面及びＰ−エピタキシャルの上表面の露出されている
部分を被覆する。

絶縁性シ目ルダーを形成する為に、ＣＶＤ酸化物の層を
全ウェハ上に付着形成する。該ＣＶＤ酸化物は、形成す
べき酸化物ショルダーに対して所望する近似的な厚さか
ら既に形成されている熱酸化物の厚さを差し引いた分だ
け付着形成させる。

次いで、上述した如く非等方性エツチングを行って、エ
ミッタコンタクトストライプを完全に取り囲む酸化物シ
ョルダーを形成する。

次に、ベースコンタクト縦桁及びベースコンタクトパッ
ドを形成する。このプロセスにおける最初のステップは
、シリサイドの層を全面に形成し、且つＮＰＮトランジ
スタ用にそれをＰ＋にドープすることである１次いで、
エミッタコンタクトパッドから反対端部においてエミッ
タコンタクトストライプの端部の上に積層するドープさ
れたシリサイドの部分の上にエッチマスクを形成する。

最後に、非等方性エツチングを行って、シリサイドベー
スコンタクト縦桁を形成する。

ベースコンタクト縦桁を形成した後、ベース領域用の分
離島状部の外側に位置しているエミッタコンタクトパッ
ドを取り囲んでいる縦桁の部分を除去することが望まし
い、何故ならば、このことは、エミッタコンタクトポリ
シリコンが相互接続ラインとして他のノードへ延在する
ことを許容するからである。これを行う為に、ホトレジ
ストを付着させ、露光させ、且つ現像させることによっ
てエミッタ縦桁除去用エッチマスクを形成し、従ってそ
れはベース領域分離島状部、その上にベースコンタクト
パッドが形成されるエミッタコンタクトストライプの端
部、及びエミッタコンタクトパッドとエミッタコンタク
トパッドへ接続するエミッタコンタクトストライプの一
部とを除いたエミッタコンタクトポリシリコンストライ
ブの全ての部分を被覆する０次いで、ｉｌ択的エツチン
グを行って、全ての露出されているシリサイドをエツチ
ング除去するが露出されているＣＶＤ酸化物又はその他
の絶縁性物質は除去せず、その際にエミッタコンタクト
パッドの境界の周りからベースコンタクト縦桁を除去す
る。

次いで、エミッタ縦桁除去エッチマスクを除去する。こ
れにより、ベースコンタクト縦桁及びポリシリコンエミ
ッタストライプ及びエミッタコンタクトパッドを露出さ
せる。

次いで、ヒートドライブインステップを行い、シリサイ
ドから不純物を基板内へ移動させて、基板内に、エミッ
タコンタクト、エミッタ領域、及びベースコンタクト領
域を形成する。本構成体全体を約８００乃至１，０００
℃に約３０分間加熱する。このことは、エミッタコンタ
クトストライプの内に積層するシリサイド内のＮ及びＰ
型不純物をエミッタコンタクトストライプポリシリコン
内へ及びそれを介して外拡散させる。Ｐ型不純物はＮ型
不純物を追い越し、且つエミッタコンタクトストライプ
を介して基板内へ拡散してベース領域を形成する。Ｎ型
不純物はエミッタコンタクトストライプ内へ及びそれを
介して基板内へ拡散してエミッタ領域を形成する。シリ
サイドベースコンタクト縦桁内のＰ型不純物は下側に存
在する基板内へ拡散し且つ今形成されたばかりのＰ濃度
ベース領域と一緒になるＰ十濃度のベースコンタクト領
域を形成する。

これにより、外部からのエミッタ及びベースコンタクト
パッドへのコンタクトの形成を除いて、トランジスタ構
成体が完成される。

好適には、トランジスタへのコンタクトは、二酸化シリ
コン又はその他の適合性の或る絶縁性物質からなる上側
に積層する層を貫通する支柱型貫通導体を介して行われ
る。然し乍ら、その他の実施例においては、上側に積層
するパッシベーション層内に形成した標準のコンタクト
窓を使用することも可能である。好適実施例においては
、構成体全体の上に厚いホトレジストの層を付着形成さ
せることによって支柱型ビア（貫通導体）を形成する。

次いで、支柱型貫通導体を形成すべき個所を除いて全て
の個所の前記ホトレジストに対して照射を行う。１つの
貫通導体はエミッタコンタクトパッド上に位置させ、且
つ他の貫通導体はベース縦桁コンタクト上に位置させる
。次いで、未露光のホトレジストを除去して、各支柱を
形成すべき位置において厚いホトレジストパターン内に
孔を形成する０次いで、ウェハの全面上に支柱を形成す
る金属を一面に付着させる。この金属は、該ホトレジス
ト内の孔の中に進入し、且つホトレジストの上表面を被
覆する。然し乍ら、ホトレジストの厚さの為に、孔の端
部におけるステップカバレッジ即ち段差被覆は不完全で
ある。次いで、該ホトレジストを除去し、それにより、
所望の位置に立設する支柱が残存される。ホトレジスト
内の孔の端部におけるステップカバレッジが非常に悪い
ので、ホトレジストを除去することにより、孔内の支柱
を形成する金属には何等影響を与えること無しに該ホト
レジストの上部上の全ての金属も除去される。この技術
はりフトオフ技術と呼称される。然し乍ら、この様な支
柱を形成する為のその他の技術も知られており、これら
の公知の技術のいずれをも本発明の目的の為に使用する
ことが可能である。

このようにして支柱を形成した後に、絶縁性物質からな
るパッシベーション層を形成する。このことは、支柱の
高さよりも一層高い高さへ〇ＶＤ酸化物の厚い層を付着
形成させることによって行われる。次いで、該支柱の頂
部が露出される迄、この酸化物をエッチバックする。こ
れにより、平坦化した酸化物の層が形成され、支柱の先
端部が該平担な表面の多少上方に露出されている。次い
で、従来の方法によって金属導電性層を形成して、該支
柱の頂部と接触させ且つその際にトランジスタと接触さ
せる。その後に、構成体全体の上に別の絶縁性層を形成
して回路をパッシベーションさせることも可能である。

去」１号 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。

第１図を参照すると、本発明のトランジスタ用のベース
・エミッタコンタクト構成体の分離島状部を概略断面で
示しである。第１図の断面は第２図の１−１′線に沿っ
て取ったものである６第２図は本発明トランジスタ用の
ベース・エミッタコンタクト構成体の概略平面図であり
、分離島状部の境界の外側の位置におけるベース及びエ
ミッタ用のコンタクトパッドの位置を示している。第１
図の断面は、ベース及びエミッタのコンタクト構成体、
及び本発明トランジスタの基板内のベース及びエミッタ
領域のみを示している。コレクタ構造は任意の従来公知
の構成とすることが可能であり、且つ当業者ならば、こ
れらの従来のコレクタ及びコレクタコンタクト構成体の
いずれかを本発明のベース・エミッタ構成体へ接続させ
ることが可能であるかを容易に理解することが可能であ
る。

本発明をＮＰＮトラシジスシス場合に付いて説明するが
、当業者等にとって明らかな如く、ＰＮＰトランジスタ
を製造する為には単にドーピングを変化させれば良い。

第１図において、Ｎ型のエピタキシャル的に成長させた
シリコンからなる分離島状部３０がフィールド酸化物２
９によって画定されている。フィールド酸化物２９の該
分離島状部を画定する端部は３２及び３４で示しである
。

エピタキシャル層３０の下側には埋込層３６が設けられ
ている。埋込層３６を設けることが望ましく、それによ
り直列コレクタ抵抗が低下される。

然し乍ら、トランジスタを不作動とさせることなく該埋
込層３６を省略することも可能であり、且つ本発明のト
ランジスタを製造する本発明の好適な製造方法の以下に
説明においては省略しである。

エピタキシャル層３０の上にＮ＋ドープしたポリシリコ
ンエミッタコンタクト３８を形成する。

このポリシリコンエミッタコンタクトは第２図に示した
形状を持っており、且つ分離島状部上方を延在し且つフ
ィールド酸化物２９上方を外部へ正及び負のＹ方向へ（
第１図及び第２図に示した座標系において、尚原点は任
意に選択しており且つ図面毎に代わることが可能である
）分離島状部の境界の外側に位置されているエミッタコ
ンタクトパッド３１及びベースコンタクトパッド３３の
位置へ延在している。このポリシリコン層３８の目的は
、エピタキシャル層３０内のエミッタ領域３９と接触す
る導体を提供することである。このエミッタ領域は、ト
ランジスタ動作が発生することを可能とする為にベース
領域４１内へ注入すべき電流キャリアの供給源としで機
能する。エミッタ領域３９及びベース領域４１が形成さ
れる態様に付いて以下に更に詳細に説明する。好適実施
例においては、Ｎ＋ドープしたエピタキシャル層のエミ
ッタ領域は基板表面４３より約５００人下方へ延在する
。

好適実施例においては、Ｘ方向におけるポリシリコンエ
ミッタコンタクト３８の帽は、本トランジスタを製造す
る為に使用されるプロセス即ち方法を使用して得ること
の可能な最小寸法りである。

１９８６年の光学的ホトリソグラフィにおいては、多く
の半導体製造プラントにおいてＤの値は約１ミクロンで
ある。Ｘ線を照射源として使用したり又は直接書込型の
電子ビームシステム等を使用することによるホトリソグ
ラフィにおいて更に改良がなされると、１ミクロン未満
のＤの値が可能となる。更に、制御型オーバーエッチ処
理を使用することによって、Ｄを約０．６ミクロンの値
へ減少させることも可能である。

ベース・エミッタ接合の面積を最小とさせる為に、Ｄの
値を可及的に最小とすることが望ましい。

Ｄの値を小さく維持することによってベース・エミッタ
接合の面積を最小とさせることによって、ベース・エミ
ッタ接合の寄生容量が最小とされる。

このことは、デバイスのスイッチング速度を減少させ且
つトランジスタの高周波数カットオフを増加させること
によってミラー効果入力容量を低下させることによりデ
バイスの性能を改善させている。

ポリシリコンエミッタコンタクト３８は好適にはａ、ｏ
ｏｏ人の厚さであるが、この寸法は本発明にとって特に
臨界的なものではない、このポリシリコンエミッタスト
ライプ３゛８はその上表面がシリサイド４０の自己整合
した層で完全に被覆されている。このシリサイド層４０
はＸ及びＹの両方の軸に沿ってポリシリコンエミッタコ
ンタクトストライプ３８の端部と自己整合されている。

即ち、ポリシリコンコンタクトストライプ３８は。

Ｚ軸と平行であり且つＸ及びＹ軸に沿ってのポリシリコ
ンコンタクトストライプ３８の範囲を画定する端部を持
っている。シリサイド４０の端部は、ポリシリコンコン
タクトストライプ３８の端部によって画定される面に一
致するＹ−Ｚ面と平行な面を画定する。シリサイド層４
０はポリシリコンコンタクトストライプ３８のシート抵
抗を低下させ、且つそれが存在することは望ましいが、
必須なものではない。

シリサイド層４０及びポリシリコンエミッタコンタクト
ストライプ３８の上に絶縁性物質の層４２を形成する。

この絶縁性物質は、ポリシリコン層３８の端部及びシリ
サイド４０の端部と自己整合されている。絶縁物質の層
４２の構成の説明に関連して使用される［自己整合」と
いう用語は、シリサイド層４０の説明に関連する該用語
の使用に対して上に定義したものと同一の意義を持って
いる。絶縁層４２、シリサイド層４０．及びポリシリコ
ン層３８の端部によって画定される面が一致する様にな
るという態様は、第１図に示した構成が形成される好適
な態様の以下の説明において明らかになる。好適実施例
においては、絶縁層４２は、ＣＶＤ又は低圧力ＣＶＤに
よって形成される二酸化シリコン（以下、ＣｖＤ酸化物
と呼ぶ）から構成される。好適実施例においては、絶縁
層４２は約５，０００Åの厚さである。絶縁層４２の目
的は、エミッタコンタクト３８の頂部及びその上側に存
在するシリサイド層４０（使用される場合）を絶縁して
、爾後にベースとエミッタのコンタクトを短絡させるこ
となしにエミッタコンタクトの一端上にベースコンタク
トパッドを形成す゛　ることを可能とすることである。

ポリシリコンエミッタコンタクト３８及びシリサイド層
４０（この層４０が使用されている実施例において）の
端部は、以下に説明するベースコンタクト縦桁又はその
他の構造への短絡を防止する為に絶縁されねばならない
。この機能を実施する為に、ポリシリコンエミッタコン
タクト３８．。

シリサイド層４０、上側に存在する絶縁層４２の端部の
周りに絶縁性スペーサ４４を形成する。このスペーサは
、第２図に最も良く示される如く、ポリシリコンエミッ
タコンタクト３８の周りを完全に延在している。このス
ペーサはどのようにして形成するかの以下の記載から理
解される如く、その厚さは選択事項である。好適実施例
においては、絶縁性スペーサ４４は酸化物の２つの層か
ら構成されている。ポリシリコンエミッタコンタクト３
８に近い方の層は熱酸化物の薄い層であり、且つポリシ
リコンエミッタコンタクトから遠い方の層はＣＶＤ酸化
物の層である。好適には、スペーサ４４は、それが被覆
する基板及びベース領域の面積を最小とする為に、絶縁
体としての一体性を失うこと無しにＸ方向において可及
的に幅狭であることが望ましい。Ｘ−Ｙ面内において該
スペーサの断面の面積を最小とすることによって、ベー
ス・コレクタ接合の面積を最小とさせることが可能であ
る。当業者等によって理解される如く、ベース・コレク
タ接合面積を一層小さくすることにより、接合に悪影響
を与える寄生接合容量を一層小さくすることが可能とな
り、そのことはデバイスの性能を改良させ且つ一層高速
のスイッチング速度を可能とさせる。

本発明のベース及びエミッタのコンタクト構成体を完成
する為に、ベース区域４１へのベースコンタクトが必要
である。ベース・コレクタ接合４３の面積を更に最小と
する為に、本発明は縦桁ベースコンタクト４６を使用し
ている。好適実施例　　−においては、縦桁ベースコン
タクト４６は、任意の従来の方法で付着又は形成したシ
リサイドから形成されている。この縦桁ベースコンタク
トは絶縁性スペーサ４４の上部へ２方向へ延在しており
、それ自身は絶１＃ｃ層４２の上部へ延在している。こ
の絶縁層４２の幾何学的形態は、エミッタコンタクト３
８内のポリシリコンが這い出してエミッタコンタクト３
８をベースコンタクト縦桁４６へ短絡させることのある
シリサイドを形成することを防止し、且つシリサイド層
４０が偶然的にエミッタコンタクト３８をベースコンタ
クト４６へ短絡させることを防止する為である。

縦桁ベースコンタクト４６の厚さは非常に小さく、且つ
以下に説明する方法の記載から理解される如く、縦桁を
形成する各ステップの前に形成したシリサイド層の厚さ
を制御することによって制御することが可能である。こ
のことは、Ｘ軸に沿ってのベースコンタクト縦桁の寸法
をＤよりもかなり小さな最小値に維持することを可能と
し、その際にベース・コレクタ接合の面積を更に最小と
することを可能とさせている。

ベースコンタクトを完成する為に、ベースコンタクト縦
桁４６の直下においてエピタキシャル層３０内にＰ＋ド
ープした領域４８を形成する。この領域４８の形成方法
に付いて以下に更に説明する。Ｐ＋ドープ領域４８は、
縦桁ベースコンタクト４６の端部から正及び負のＸ方向
に横方向に離れて延在し、且つベース領域４１と接続し
それと電気的接触を形成してベースコンタクト構造を完
成する。パッシベーションを行う為に、構成体全体の上
にＣＶＤ酸化物の最終的な層（不図示）を形成する。こ
の層は、ベース及びエミッタのコンタクトがその上側に
存在する金属層と短絡を形成することを防止し、且つ本
構成体を周囲の大気から封止する。

第２図は本発明の完成したエミッタ・ベースコンタクト
構成体の概略平面図である。第１図及び第２図において
、同一の参照番号は同一の構成要素を示している。注意
すべきことであるが、ベースコンタクト縦桁４６は、エ
ミッタコンタクトストライプ３８の全長に渡って延在す
るものではない、その代わりに、ベースコンタクト縦桁
４６は、ベースコンタクトパッド３３から１分離島状部
３０上方を且つベースコンタクトパッド３３から反対側
の分離島状部の側部上のフィールド酸化物上へ延在して
いる６然し乍ら、ベースコンタクト縦桁４６はエミッタ
コンタクトバッド３１の手前で停止している。この理由
は２つある。第１に、エミッタコンタクトバッド３１の
周りのベースコンタクト縦桁を除去することには、コン
タクトホール又は支柱型貫通導体であって例えばエミッ
タコンタクト構造と接触する為に使用されるエミッタコ
ンタクトパッド上あ支柱型貫通導体５０の不整合の場合
に、ベースとエミッタとが短絡することを防止する６例
えば、支柱型貫通導体５０が不整合となり１例えばその
面積の一部がエミッタコンタクトパッド５０の境界とオ
ーバーラツプすると、支柱型貫通導体５０の金属が、エ
ミッタコンタクトストライプ及びベースコンタクト縦桁
の両方と接触し、その際にベースとエミッタとの短絡を
形成し、それはトランジスタを動作不能とさせる。

エミッタコンタクトバッド３１の廟りから上記縦桁を取
り除いた場合には、この°ことは発生することはない。

エミッタコンタクトバッド３１の周りから縦桁を除去す
る別の理由は、１つのトランジスタのエミッタの別のト
ランジスタのエミッタへの接続を簡単化させることであ
る。集積回路においては、２つのトランジスタが共通の
エミッタ領域及びそれの関連するエミッタコンタクト構
造を共用することは非常に一般的である。

第３図はこの様な状態を示している。この場合、分離島
状部５２を持った第１トランジスタは、共通エミッタコ
ンタクト構造部５４を、分離島状部５６を持った第２ト
ランジスタと共用している。

コンタクト窓５８乃至は支柱型貫通導体は、回路内のそ
の他のノード又は外部への接続点として機能する。第１
トランジスタは、そのトランジスタのベースを回路内の
その他のノードへ又は外部ピンへ接続させる為のベース
コンタクトパッド６０及びコンタクト窓６２を持ってい
る。第２トランジスタは、該トランジスタのベースを回
路内のその他のノードへ接続させる為に、コンタクト窓
６６又は支柱型貫通導体用のベースコンタクトパッド６
４を持っている。エミッタコンタクトストライプ５４の
周りにベースコンタクト縦桁４６が存在しないことがど
のように２つのトランジスタの相互接続を簡単化させて
いるかを注意すべきである。何故ならば、第１トランジ
スタ用のエミッタコンタクトのポリシリコンは、単に第
２トランジスタの分離島状部５６上方を延在させて、第
２トランジスタ用のエミッタコンタクト及びエミッタ領
域を形成することが可能だからである。エミッタコンタ
クトストライプの周りに完全にベースコンタクト縦桁が
存在する場合には、各島状部に対して１つづつの２つの
別々のエミッタコンタクトストライプが必要となる。２
つのエミッタの相互接続は２つのエミッタコンタクト孔
を必要とし。

例えば２つのエミッタを相互接続する為にＣＶＤ酸化物
パッジベージ五ン層の上に存在する金属層内にエツチン
グした金属相互接続パターンを持った第２図におけるコ
ンタクトホール５０の如き孔を必要とする。この様な構
造は、エキストラなコンタクトホールによって面積が占
有されるのでより多くのチップ面積が消費され、且つ不
良の金属相互接続１例えば金属内のギャップ、又は不整
合エラー、によって発生される一層歩留まりを減少させ
る欠陥を発生させる傾向となる。

然し乍ら、幾つかの実施例においては、ベースコンタク
ト縦桁４６はエミッタコンタクト縦桁を取り囲んだまま
とさせることが可能であり１本発明のベース及びエミッ
タのコンタクト構成体はなおかつ動作可能である。

第２図における分離島状部３０の境界の外部へエミッタ
コンタクトストライプが延長していること、分離島状部
を一層小型化し且つベース・エミッタ及びベース・コレ
クタの接合面積を一層小さくさせることを可能としてい
る。この理由は、ニーミッタへのコンタクト窓を分離島
状部の境界内に形成せねばならない場合には、エミッタ
ストライプ３８はコンタクト窓及び取り囲み整合クッシ
ョン部を収容するのに十分な大きさでなければならない
からである。

これらの整合クッション部は、屡々、「ネスティング（
取り込み）公差」と呼称され、且つ集積回路の特定のレ
ベル上の特徴部が集積回路の別のレベル上の特徴部内に
ネスト即ち取り込まれなければならない場合に使用され
る設計基準公差のことを意味する。製造プロセス中には
幾っがの不確定性があるので、このネスティング公差は
必要である。これらは、第２レベル上の特徴部の端部の
正確な位置の不確定性、及び第２レベル上の特徴部の端
部の正確な位置の不確定性、及びオーバーレイ整合正確
さの不確定性を包含している。露光が不適切であったり
その他の要因によって、マスク特徴部の寸法はチップ毎
にマスク上で変化することがある。１２５ｍｍ平方マス
クを横断して±０゜２μ瓢の絶対寸法変動はめずらしく
ない。これらの変動可能な寸法のマスク特徴部がリソグ
ラフィによってウェハへ転写されると、オリジナルのレ
イアウトからの一層大きな逸れが発生する。レジストの
厚さ、ベーキング温度、露光、現像条件等のりソグラフ
ィ処理変数のいずれか又は全てにおける変動があると、
レジスト像はマスク像から変化することが可能である。

エッチプロセスの等方性における変動の為に、レジスト
像をポリシリコン又はその他の物質内へ転零するエツチ
ングプロセスは又ウェハ毎及び作業日毎にエッチした像
の寸法を変化させることがある。１年間の製造に渡って
、最終的なエツチングした像が±０．４μｍの絶対変動
を発生することが可能である。

コンタクト窓及びネスティング公差によって消費される
面積を取り込むのに十分に大きな分離島状部上の区域を
必要としていたエミッタは、第２図の構成のエミッタス
トライプ３８よりも面積が実質的に一層大きいものであ
る。これは、形成することの可能な最小のコンタクト窓
は各側部の寸法がＤだからである。整合誤差を許容する
為に、コンタクト窓の全ての側部上に整合誤差クッショ
ン部を設けねばならない。その結果１側部上の最小エミ
ッタコンタクト寸法は、Ｄに整合クッション部Ｃを加え
たものである。その結果、最小エミッタコンタクト面積
は（Ｄ＋Ｃ）”＝Ｄ２＋２ＣＤ十Ｃ２となる。このこと
は、一層大きなエミッタ・ベース接合面積となる。何故
ならば、第１図におけるエミッタ領域３９は、エミッタ
コンタクトポリシリコンからの不純物の外拡散によって
形成されるからである。従って、エミッタ・ベース接合
面積は、エミッタコンタクトの面積によって画定される
。エミッタコンタクト窓を分離島状部の境界の外側に位
置させることによって、エミッタコンタクト３８は１側
部をＤ又はそれ以下の寸法で形成することが可能であり
、その際にエミッタ・ベース接合面積及びこの接合にお
いて存在する寄生容量を最小とさせている。

上述したエミッタ・ベース接合面積の最小化に関しての
ものと同一の論理が、ベースコンタクト寸法及びベース
・コレクタ接合面積の最小化に対しても同様に適用され
る。即ち、分離島状部上方のベースコンタクトがベース
コンタクト窓を取り込む為に十分に大きなものでなけれ
ばならなかったとすると１分離島状部上のベースコンタ
クト面積は１本発明のベースコンタクト縦桁４６下側の
面積よりも一層おおきなものとなる。ベース・コレクタ
接合面積は、通常、エミッタコンタクトによって被覆さ
れる、即ちその上にエミッタコンタクトが存在する。全
面積と、ベースコンタクトとこれら２つのコンタクト間
の絶縁性スペーサとによって被覆される面積とを取り込
むので、ベース・コレクタ接合面積及びそれに関連する
接合寄生容量を最小とする為にこれら全ての面性を最小
とすることが極めて重要である。全体の被覆される面積
は、ベースコンタクト縦桁４６及び同一の態様で形成さ
れる絶縁性スペーサ４４を使用することによって最小と
される。これらの縦桁は、ホトリソグラフィプロセスで
得ることの可能な最小のライン幅りよりもかなり一層小
さくすることが可能である。ベースコンタクト縦桁４６
をベースコンタクトパッド３３の位置へ延在させ且つベ
ースコンタクト縦桁を拡張して窓６８の如きコンタクト
窓と整合クッション部とを取り込むのに十分に大きなベ
ースコンタクトパッドを形成することによって、歩留ま
りを低下させるととなしに、−暦車型のベース・コレク
タ接合面積を得ることが可能である。このことは、非常
に小さなコンタクト窓を形成し且つそれを分離島状部の
境界内に位置されている非常に小さなベースコンタクト
パッド上方に整合させるべく試みることめ複雑性なしに
実施することが可能である。本発明の構造によれば。

十分な寸法のコンタクト窓を、整合を容易とする為に適
宜の整合誤差クッションを持つべく寸法形成したコンタ
クトパッド上に容易に整合させることが可能である。

プロセスシーケンス 第１図及び第２図の構成を製造する好適なプロセス乃至
は方法に付いて以下に説明する０本方法を、第２図に示
した最終的な構成における種々の断面を介して時間のシ
ーケンス即ち順序として取った一連の断面図を参照して
説明する。第４Ａ図乃至第４Ｅ図に示した一連の断面図
は１本プロセスの種々の段階におけるエミッタコンタク
トを介して第２図における４−４１線における構造を詳
細に示している。第５Ａ図乃至第５Ｅ図に示した一連の
断面図は１本プロセスにおける種々の段階における分離
島状部を介して第２図における５−５″線における構造
を詳細に示している。第１図はパッシベーション用のＪ
１！縁物質からなる最終的な層を除いた最終的な構成を
示している。第６Ａ図乃至第６Ｅ図の一連の断面図は、
本プロセスにおける種々の段階においてベースコンタク
トを介して第２図中の６−６′線における構造を詳細に
示している。第７Ａ＠乃至第７Ｅ図に示した一連の断面
図は、本プロセスにおける種々の段階においてＹ軸に沿
ってのエミッタコンタクトストライプを介しての長手軸
方向の第２図中の７−７″線における構造を詳細に示し
ている。

図示例における本トランジスタの製造は、エピタキシャ
ルシリコン３０の層を従来の如く成長させることから開
始され１次いで従来の方法により、エピタキシャルＪ１
３０を完全、に貫通して延在するフィールド酸化物２９
によって全ての側部上を取り囲まれたエピタキシャルシ
リコンの分離領域又は分離島状部を形成する。エピタキ
シャルの分離領域を形成する多数の方法のいずれも使用
することが可能であるが、フェアチャイルド社のアイソ
プレーナ技術が好適である。この方法は業界において広
く知られているのでその詳細な説明は割愛する。更に、
フィールド酸化物め下側で且つ分離島状部３０を完全に
取り囲む第５Ａ図において７０で示した如くＰ十チャン
ネルストップイオン注入を行うことが望ましい、これら
のチャンネルストップ注入物の目的は、公知の如く、フ
ィールド酸化物の下側における寄生ＭｏＳトランジスタ
内に導電性チャンネルが形成されることを防止する為で
あり、その際に島状部３０のその他の近傍の島状部から
の真の電気的分離を確保する為である。

この様なチャンネルストップは本発明にとっては臨界的
なものではなく、省略することも可能である。又、これ
らの寄生ＭｏＳトランジスタが形成されない場合には１
問題ない、チャンネルストップ７０は簡単化の為に爾後
の図面においては図示しない。

第４Ａ図乃至第７Ａ図は１分離島状部３０を形成し且つ
内因的ポリシリコンを付着形成した後。

該ポリシリコン層の上にシリサイド７４の層を形成した
後、及び該シリサイド内への不純物の注入の間における
本方法における初期的段階におけるトランジスタ構成を
示している。分離島状部を形成した後、ドープしていな
いポリシリコン７２の層を第４Ａ図乃至第７Ａ図に示し
た如く付着形成させる。ポリシリコン７２の層の付着は
、例えばＣＶＤの如き任意の既知の方法によることが可
能である。

ポリシリコン層７２を付着した後、シリサイド７４の層
をポリシリコン層７２上に形成する。シリサイド層７４
は任意の従来の態様で形成することが可能である。シリ
サイドを形成する２つの既知の方法は、その最初のもの
が、反応室を使用してシリサイドを直接的に付着させる
ものであり。

又、その第２のものが、ポリシリコン層の上に耐火性金
属の層を付着させ次いで短いヒートパルスで該金属の層
を熱処理して該ポリシリコン及び金属を反応させてシリ
サイドを形成するものである。

シリサイド層７４が形成される態様は本発明にとって臨
界的ではない。

シリサイド層７４の形成に続いて、イオン注入の１つ又
は複数個のステップが行われる。このイオン注入の目的
は、シリサイド層７４をＰ型及びＮ型の両方の不純物で
ドープすることである。これらの不純物は、後に、加熱
ステップによってシリサイドから追い出されてポリシリ
コン層７２内へ拡散し、それをＮ＋にドープし、且つポ
リシリコンエミッタコンタクトストライプ３８下側のエ
ピタキシャル３０内へ拡散して、第１図における、Ｎ十
エミッタ領域３９及びＰ−ベース領域４１を形成する。

第４Ａ図乃至第７Ａ図において示したイオン注入の間、
シリサイド７４が約１０２０原子数／ａｌの濃度へＮ＋
にドープされ、又１０１ｓ原子数／ｄの濃度へＰ−にド
ープされる。従って、これらの２つの不純物のイオン注
入のエネルギレベル及びドーズレベルは、シリサイドｌ
ｌ’１４が上述した濃度レベルに到達する様なものとす
べきである。

シリサイド層のイオン注入に続いて、約５，０００人の
厚さのＣＶＤ酸化物層（第４Ａ図乃至第７Ａ図には示し
ていない）をウェハ全体上に付着形成させる。このＣＶ
Ｄ酸化物は、シリサイド層７４及びポリシリコン層７２
と共にエツチングされて、第１図における酸化物層４２
を形成する。

幾つかの実施例においては、その他の適合性のある絶縁
性物質をこのＣＶＤ酸化物層４２に対して置換させるこ
とが可能である。このＣＶＤ酸化物層を付着した後、ホ
トレジストを付着させ、マスクを介して照射源へ露光さ
せ且つ現像して第８図に示した形状のエッチマスクを形
成する。このエッチマスクの外形を第８図に７６で示し
である。

エッチマスクを形成すると、ポリシリコン層７２、シリ
サイド層７４、及びＣＶＤ酸化物層をエッチし、この場
合に好適には非等方性プラズマエッチによって行い、エ
ミッタコンタクトストライプ及びエミッタコンタクトバ
ッド３１を形成する。このエミッタコンタクトストライ
プは、第１図におけるポリシリコンスドライブ３８と、
その上に形成された自己整合されたシリサイド層４０と
、該シリサイド層の上に形成され九″ム己整合されたＣ
ＶＤ酸化物層４２とから構成されている。シリサイド層
４０及びＣＶＤ酸化物層４２は両方共自己整合されて、
この単一のエッチステップの為に、即ちこれら３つの層
が全て同一のエッチマスクを使用して同時的にエツチン
グされる為に、それらの端部がポリシリコン層３８の端
部と一致している。

幾つかの実施例においては、Ｒ小寸法りよりもＸ軸に沿
って一層幅狭であるエミッタコンタクトストライプを形
成することが所望される場合があり、制御した横方向エ
ッチを有する等方性エッチを第８図に示したエッチステ
ップに使用することが可能である。この様な実施例にお
いては１分離島状部上方のＸ軸におけるエッチマスク７
６の幅はＤに設定される。ホトレジストを現像した後。

等方性ウェットエッチ又は等方性プラズマエッチを使用
してエミッタコンタクトストライプを画定する。このエ
ツチングは、Ｚ方向におけるそのエッチ速度と相対的に
Ｘ及びＹ方向における既知の良く制御されたエッチ速度
を持つべきである。そうである場合には、与えられた厚
さのポリシリコン層３８．シリサイド４０及びＣＶＤ酸
化物７８に対して、結合したポリシリコン／シリサイド
酸化物エミッタコンタクトストライプの厚さが既知であ
り且つエッチ時間が既知である場合には、Ｘ方向におけ
るエミッタコンタクトストライプの最終的な幅を正確に
予測することが可能である。この様な実施例においては
、０．６ミクロンのエミツタ幅を達成することが可能で
ある。勿論、エミッタコンタクトパッド３１を画定する
マスクした面積は、この様な実施例においては、オーバ
ーエツチングの後に適切に寸法形成されたパッド３１が
形成されるべく調節すべきである。

シリサイド層４０が使用されない別の実施例においては
、本プロセスのこの点迄のステップは。

不純物イオンがシリサイド層７４の代わりにポリシリコ
ンＪ１７０内へ注入されることを除いて同一である。

本プロセスにおける次のステップは、エミッタコンタク
トストライプの周りに絶縁性スペーラ４４を形成する為
のものである。第４Ｂ図乃至第７Ｂ図を参照すると、ス
ペーサ４４を形成する非等方性エッチの間の本発明の構
成が示されている。

この非等方性エッチステップに対して１つ又はそれ以上
の中間的なステップが先行する。スペーサ４４はエミッ
タコンタクトストライプをベースコンタクト縦桁から絶
縁するので、この絶縁性スペーサ４４の電気的な一体性
が可及的に高いものであることが重要である。幾つかの
実施例においては、ＣＶＤ酸化物層７８のみを使用する
ことが可能であるが、好適実施例においては、ＣＶＤ酸
化物層７８を付着させる前に、熱酸化物層８０をシリサ
イド層４０及びポリシリコン層３８の露出表面上に及び
分離島状部３０内の露出エピタキシャル上に成長させる
。ＣＶ、Ｄ酸化物は、熱成長させた二酸化シリコン（以
下、熱酸化物とも呼ぶ）よりも、一層多くのピンホール
型の欠陥を持っていることが知られている。最初に酸化
させることの可能なエミッタコンタクトストライプの全
ての露出されている端部上に熱酸化物層８０を成長させ
、次いでＣＶＤ酸化物を付着させることによって、スペ
ーサ４４の電気的一体性を改良させることが可能である
。然し乍ら、熱酸化物層８０の使用は絶対的に必要なも
のではなく、幾つかの実施例においてはそれを除去する
ことが可能である。勿論、絶縁性スペーサ４４として酸
化物を使用することは基本的なことではなく、その他の
適合性のある絶縁体を幾つかの実施例において使用する
ことが可能である。実際に、好適とは言えないが、絶縁
性スペーサ４４として酸化物を使用することは基本的な
ことではない、エミッタコンタクトストライプを構成す
るポリシリサイド／ＣＶＤ酸化物のサンドインチ構成体
と熱的、電気的、及び機械的に適合性のあるその他の絶
縁性物質を使用可能である。ＣＶＤ酸化物Ｊ！７８の厚
さはスペーサ４４の所望の厚さとすべきである。

熱酸化物８０及びＣＶＤ酸化物７８を形成した後、スペ
ーサ４４を第４Ｂ図乃至第７Ｂ図に矢印で示した非等方
性エツチングステップによって形成する。この非等方性
エッチステップは、一般的には、プラズマエッチであり
、且つ非等方性を得る為のエッチャントイオンのタイプ
及びエツチング条件は当業者等にとって公知である。所
望の最終的結果は、夫々ｘ−Ｙ面内に横たわっている層
７８及び８０からの全てのＣＶＤ及び熱酸化物がエツチ
ング除去されて、Ｘ−Ｚ面及びＹ−２面内に横たわって
いる層７８及び８０からのＣＶＤ及び熱酸化物のみをそ
のままに残存させる。エッチ時間は、この最終的な結果
が得られる様に設定されねばならない、エッチ時間がｘ
−７面内のＣＶＤ酸化物及び熱酸化物を除去するのに必
要な時間よりも長いと、層４２内の酸化物の幾らかが除
去される。過剰な量が除去されるのでない限り、このこ
とは特に問題ではない。

第９図は、スペーサ４４が形成された後のエミッタコン
タクトストライプを示している。エミッタコンタクトス
トライプの周り全体にどのようにスペーサ４４が延在し
ているかに注意すべきである。Ｚ方向におけるスペーサ
４４の高さは、ＣＶＤ酸化物層４２の上部表面、即ち第
１図における分離島状部の表面４３から最も遠いＣＶＤ
酸化物４２のＸ−Ｙ面における表面、と等しい、Ｘ及び
Ｙ方向におけるスペーサ４４の幅は、好適実施例におい
ては、約３，０００人である。

第４Ｃ図乃至第７Ｃ図は、絶縁性スペーサ４４が形成さ
れた後、及びウニ八全体の上に付着されたシリサイド層
のイオン注入のステップ期間中の。

本装置における種々の断面における本プロセスにおける
段階を示している。シリサイド８２の層は。

酸化物の上にシリサイドを形成することを許容する任意
の従来の態様で形成することが可能である。

好適には、それは、従来公知の方法で反応室内において
シリサイドを直接的に付着させることによって形成する
。シリサイドを付着する為に使用する方法は、酸化物ス
ペーサ４４が完全にシリサイドで被覆されていることが
重要であるから、シリサイドを酸化物の上に良好に形成
可能なものでなければならない、このことは、ベースコ
ンタクトの縦桁４６を形成することが可能である為に必
要なことである。

シリサイド層８２はベースコンタクトとなるべきもので
あるから、それはＮＰＮ　トランジスタ用にＰ＋にドー
プされねばならない、シリサイド層８２は、それが不純
物でドープすることが可能であり且つ導電性であるとい
う点においてポリシリコンに非常に類似している。従っ
て、第４Ｃ図乃至第７Ｃ図に示した如く、シリサイド層
８２をＰ型不純物でイオン注入する。イオン注入の注入
エネルギ及びドーズは、結果的に得られるシリサイドが
Ｐ型の導電型であり且つ約１０２０原子数／ｄの濃度を
持つ様なものとすべきである。

次のステップは、非等方性エッチによってシリサイドベ
ースコンタクト縦桁４６を形成することである。この非
等方性エッチは、第４Ｃ図乃至第７Ｃ図においてＺ方向
における第２組の矢印によって模式的に示しである。こ
の非等方性エッチが行われる特定の態様は当業者等に公
知である。このエッチの目的は、ｚ−Ｙ面内のシリサイ
ドはそのままにして、Ｘ−Ｙ面内の層８２の全てのシリ
サイドを除去することである。従って、Ｙ及びＸ方向に
は殆どエツチングは発生しないが、Ｚ方向に沿って優先
的にエツチングが行われる様に、エッチャント及びエツ
チング条件が使用されるべきである。エッチ時間は、Ｘ
−Ｙ面内に横たわる店８２の全てのシリサイドが除去さ
れ且つ酸化物層４２の上部に到達する様に、選択されね
ばならない、然し乍ら、この非等方性エッチが行われる
前に、ベースコンタクトパッドが形成されるべき位置に
おいてシリサイド層８２の上にベースコンタクトパッド
エッチ保護マスクを形成せねばならない、ベースコンタ
クトパッドの位置を第２図に３３で示しである。

第７Ｃ図を参照すると、ベースコンタクトパッドエッチ
保護マスク８４の相対的な位置が示されている。このマ
スク８４の目的は、ベースコンタクト縦桁４６を形成す
る為の非等方性エッチステップの間にマスク８４の下側
に存在するシリサイド層８２がエツチング除去されない
様に、非等方性エツチングステップの期間中にドープし
たシリサイド層８２を保護することである。従って、こ
のマスク８４は、シリサイド層８２をＰ＋導電型ヘドー
ブする為に使用するＰ型イオン注入ステップの後で且つ
ベースコンタクト縦桁４６を形成する為に使用する非等
方性、エッチステップの前に、形成せねばならない。

マスク８４はホトレジストを使用する従来の態様で形成
される。それは第２図におけるベースコンタクトバッド
３３の形状を持っているべきであり、且つそれは、デバ
イスを製造する場合に常に製造工場において満足するこ
との可能な整合公差を考慮に入れて、第２図における窓
６８の如きコンタクト窓又は支柱型貫通導体をその中に
容易に形成することが可能であるのに十分な面積のシリ
サイド層８２を被覆すべきである。

第４Ｄ図乃至第７Ｄ図は、ベースコンタクト縦桁４６を
形成する為の非等方性エッチステップ後の本デバイスの
状態を示している。注意すべきことであるが、第６Ｄ図
は、ベースコンタクトバッド３３はエミッタコンタクト
ストライプ３８上に形成されており且つ酸化物Ｎ！Ｉ４
２と好適実施例においては熱酸化物層８０を包含する酸
化物スペーサ４４とによってそこから完全に分離されて
いる。

第１０図は、ベースコンタクト縦桁４６を形成する為の
非等方性エッチステップの後で且つベースコンタクトパ
ッドエッチ保護マスク８４を除去した後の結果的に得ら
れる構成体を概略平面図で示している。第１０図におい
て注意すべきことであるが、ベースコンタクト縦桁４６
はエミッタコンタクトストライプ３８の周りに完全に延
在している。

上述した如く、ベースコンタクト縦桁４６は好適にはエ
ミッタコンタクトバッド３１の周りから除去する。この
縦桁の除去を行う為に、第１０図に想像線で示した外形
を持った縦桁除去エッチマスク８６をウェハ上の各トラ
ンジスタの上方に形成する。この縦桁除去マスクは、第
１０図における想像線８６内の全ての構成をカバーする
クロスリンク即ち交差結合したホトレジストの保護層を
残存させる為に、想像線で示したパターンでホトレジス
トを現像することによって形成する。次いで、その構成
体を、シリサイドをアタックするが酸化物をアタックし
ない選択的エッチで処理する。

この選択的エツチングは、エッチマスク８６によって被
覆されていない全ての露出されている縦桁４６を除去す
る。これにより、第２図に示した構成体が得られ、ベー
スコンタクト縦桁４６がベースコンタクトバッド３３の
周りで１分離島状部３０を横断して、且つエミッタコン
タクトバッド３１へ向かって途中までエミッタコンタク
トストライプに沿って延在している。然し乍ら、ベース
コンタクト縦桁４６は第１０図におけるエッチ保護マス
ク８６の境界で止まっている。前述した如く、縦桁４６
の除去は動作可能なトランジスタを製造する為に必要な
ものではない、然し乍ら、この様な除去を行うことによ
って、第３図に示した如き共用エミッタを持ったマルチ
プル即ち多数個のトランジスタの構成体を製造すること
を一層容易にしている。

エミッタコンタクトパッド３１の周りから縦桁４６を除
去した後、シリサイド層４０内の不純物をシリサイドか
ら追い出して、エミッタコンタクトストライプポリシリ
コン３８内へ及びエピタキシャル的に成長したシリコン
３０内へドライブインしてエミッタ領域（第１図におけ
る３９）及びベース領域（第１図における４１）を形成
する為にヒートステップ即ち加熱ステップを行うことが
必要である。このヒートステップの間、不純物は更にＰ
＋ドープベースコンタクト縦桁からも追い出されてエピ
タキシャル層３ｏ内へドライブインされて一層良好なベ
ースコンタクトを形成する。

第４Ｅ図乃至第７Ｅ図は、ヒートドライブインステップ
の後であるが最終的なパッシベーション層を形成する前
であり、且つコンタクト窓乃至は支柱型貫通導体を形成
する前の１本発明のトランジスタ用のベース及びエミッ
タのコンタクト構成体の最終的な構成を示している。第
４Ｅ図を特に参照して説明すると、ベース−コンタクト
縦桁４６がエミッタコンタクトパッド３１の境界即ち周
辺の周りの位置に存在していないことに気が付く。

第５Ｅ図を特に参照すると、ヒートステップの効果を感
知することが可能である。好適実施例においては、この
ヒートステップは９００℃に加熱した炉内において０．
５時間の間行われる。前述した如く、シリサイド層４０
は、このシリサイド層４０が最初に形成された時に、砒
素モＮ＋に又ボロンでＰ−にドープされている。同様に
、ベースコンタクト縦桁４６は、それらが形成されるシ
リサイド層が最初に付着形成された時に、ボロンでＰ＋
にドープされた８ヒートステツプの間、シリサイド層４
０からのＮ及びＰ型の不純物は、エミッタコンタクトス
トライプ３８のポリシリコン内へ下方向へ、且つ分離島
状部内のエピタキシャルシリコン３０内へ拡散する。Ｐ
型不純物も下方向へ拡散し、且つ、これらのＰ型不純物
は同一の拡散条件下ではＮ型不純物よりも一層高速に移
動するので、Ｐ型不純物はＮ型不純物に追い着く、Ｐ型
不純物が分離島状部内のエミッタコンタクトストライプ
ポリシリコン３８及びエピタキシャルシリコン３０を介
して拡散する場合に、Ｐ型不純物がＮ型不純物を追い越
すと、それらはエミッタ領域及びベース領域を形成する
。最終的な結果は。

エピタキシャルシリコン３０内に浅い深さに形成された
エミッタ領域３９と、拡散における差異と拡散時間との
積に等しいＺ方向におけるベース幅を持った狭いベース
領域４１とが得られる。従って、この拡散時間は、所望
のベース幅が得られる様に調節される。更に、この拡散
時間は、Ｎ型不純物がエピタキシャルシリコン３０に到
達し浅く浸透するのに十分な時間を持つ様に十分に長い
ものとすべきである。Ｎ型不純物がエピタキシャル層３
０に到達し且つそこに浸透する時間を持っている場合に
は、Ｐ型不純物もエピタキシャル層３０へ到達し且つ、
Ｎ型不純物が浸透したよりも多少大きな距離エピタキシ
ャル層３０内へ浸透する。

第１１図は、このドライブインステップの前の本構成体
における原子数／ｄと深さとの関係をプロットした不純
物濃度分布を示している。深さを表す線は酸化物層４２
の上部（最も正のＺ）を表している。酸化物層４２内に
は不純物は存在していない、深さラインＢは酸化物層４
２とシリサイド層４０との間の界面の深さを表している
。深さラインＢ及びＣの間のシリサイド領域におけるボ
ロン及び砒素ドーピング濃度曲線は、シリサイド層４０
を形成した後で且つエミッタコンタクトストライプを形
成する前の、シリサイド層４０内の別々のＰ型及びＮ型
イオン注入の効果を示している。勿論、このドーピング
はその他の方法で行うことも可能であり、又シリサイド
層４０をＮ十濃度（１０”）　及びＰ−（１０”）Ａド
ープする：との可能ないずれの方法も本発明において使
用することが可能である。深さラインＣは、シリサイド
Ｍ４０とエミッタコンタクトストライプのポリシリコン
３８との間の界面を表している。ポリシリコン３８は、
深さラインＣ及びＤの間を延在している。このドライブ
インの前には、該ポリシリコン内には不純物は存在して
いない。深さラインＤは、１０”レベルでＮ−にドープ
したエピタキシャル領域３０の表面を表している。

第１２図は、このドライブインの後にドーピング分布を
示している。ドライブインの後のシリサイド４ｏ内のド
ーピング濃度は、１０”Ｎ型以下で且つ１０”Ｐ型以下
である。ポリシリコン層３８内のドーピングレベルは、
１０”Ｎ型及び１０”Ｐ型である。エピタキシャル層３
０の表面、深さラインＤで開始して、ドーピング濃度は
、約５ｏＯ人の浸透度でＮ型であってエミッタ領域３９
を形成しており、且つ約５００人においてＰ−型で変化
してベース領域４１を形成している。ドーピングは表面
から約１，０００人においてＮ−へ復帰している。従っ
て、ベース・エミッタ接合は約５００人であり、且つベ
ース・コレクタ接合は表面から約１，０００人である。

再度第５Ｅ図を参照すると、ドライブインステップは又
、エピタキシャルシリコン３ｏ内においてベースコンタ
クト縦桁４６の下側にＰ子ベースコンタクト領域４８を
形成させる。これらの領域４８はベースコンタクト縦桁
４６からエピタキシャルシリコン３０内へのＰ型不純物
の外拡散によって発生される。ドライブインの為に選択
される拡散は、Ｐ子ベースコンタクト領域４８が横方向
に十分に遠くに拡散してシリサイド層４０からのＰ型不
純物の正及び負のＸ方向における外側方向への拡散と合
流する様にすべきである。このことは、本トランジスタ
のベース領域に対して良好なコンタクト構成を与える。

第６Ｅ図は、ベースコンタクトバッド３３の構造はヒー
トステップによって変化されることが無く且つエミッタ
コンタクトパッドの周りからベースコンタクト縦桁を除
去する為の選択的シリサイドエッチによって変化される
ことがないという点において、第６Ｄ図と同一である。

トランジスタ構成体を完成する上での最終的なステップ
は、構成体全体の上に平坦化した絶縁性物質の層を付着
させ、且つコンタクトホールをエツチング形成するか又
はその他の方法で支柱型貫通導体を形成して上側に存在
するメタル即ち金属の層へ接続されるべきいずれかのベ
ース又はエミッタコンタクトパッドと接触させる。別法
として、第３図に示した如く、エミッタコンタクトポリ
シリコンストライブ３８をフィールド酸化物上方を別の
トランジスタの位置へ延在させ且つ共用エミッタコンタ
クトを形成する為にそのトランジスタの分離島状部上方
に形成させることが可能である。

第７Ｅ図は、ヒートステップの後の構成を示しており、
且っ５ｏ及び６８で示した如きコンタクトホール又は支
柱型貫通導体をそれを介して形成すべき絶縁性物質から
なる最終的なパッシベーション層８８を包含している。

第７Ｅ図におけるベース・エミッタ接合４５及びベース
・コレクタ接合４３の両方がフィールド酸化物２９上で
終端しており、その際に低い接合漏れ特性を与えている
ことに注意すべきである。

羞−来 本発明の効果及び利点は多数ある。それらを最も良く示
す為には、従来のベース・エミッタ構成体と比較するこ
とが必要である。従来技術のベース・エミッタ構成体を
第１３図に示しである。第１３図において、エミッタ接
合は非常に保守的に１ミクロン幅で示しである。多くの
製造工場における今日の処理技術において最小コンタク
ト窓寸法は通常１ミクロンであるから、このことは現実
的には多分達成可能である。ベース・コレクタ接合は３
＋１＋３ミクロン即ち７ミクロン幅である。

分離島状部の深さが１ミクロンである場合、ベース・コ
レクタ接合の全面積は７ミクロン平方である。第１３図
のデバイスのベースコンタクト構成体に関連してベース
抵抗があり、それはベースコンタクト窓からエミッタ領
域の中心下側のベース領域の中心への抵抗から構成され
ている。伝統的に、これは２つの成分に分割されていた
。即ち、その１つはＲｂｅであり、それはベースコンタ
クトの中心からベース・エミッタ接合の端部への軽度に
ドープしたベースエピタキシャルを介しての経路の抵抗
から構成される外因的ベース抵抗と、更にその他のもの
はＲｂｉであり、それはエミッタの端部からエミッタの
中心下側のベース領域の中心へのペースエピタキシャル
を介しての経路の抵抗から構成される内因的ベース抵抗
である。ベースドーピングが軽度であること及びエミッ
タ領域下側のベース領域の厚さは薄いことの為に、第１
３図の構成においては、外因的ベース抵抗は典型的にｌ
、０００Ωであり且つ内因的ベース抵抗は典型的に１０
，０００Ωである。

バイポーラトランジスタ用の高周波数カットオフ及びス
イッチング速度は１通常、ベース抵抗及びコレクタ・ベ
ース接合の接合容量から構成されるＲＣ回路の時定数に
比例する。外因的及び内因的なベース抵抗が増加すると
、時定数は大きくなり、且つ周波数応答は劣化し且つ単
位時間当りにおいてオフ状態からオン状態へ又その逆へ
の遷移を行うことが可能な数がより少ないという意味に
おいてスイッチング速度がより大きくなる。コレクタ・
ベース接合の接合容量が一層大きくなると同一の結果が
発生するが、これは、通常、コレクタ・ベース接合の面
積が一層大きくなると発生する。

ベース抵抗に影響を与える要因は、ペースドーピング、
経路長、及びベース幅である。経路長が一層短いと、ベ
ース抵抗は一暦小さい、経路長は接合の寸法に関連して
いる。

コレクタ・ベース接合容量は２つの成分から構成されて
いる。即ち、その１つは、空間電荷乃至は接合容量であ
り、及び、その他のものは、遷移乃至は拡散容量である
。空間電荷容量は、接合面積が大きいと、一層大きい。

拡散容量は、電流が増加すると、増加する。従って、拡
散容量は、トランジスタが飽和状態であり且つコレクタ
・ベース接合が順方向バイアスされている時にのみ、要
因となる。電流は、接合における電流密度と接合面積と
の積に等しいので、拡散容量は、接合が小さいと、それ
だけ小さい、接合容量が小さいと。

同様に小さなベース抵抗が、より高速のスイッチング速
度及びより良好な周波数応答を提供する。

第１４図は１本発明のベース・エミッタコンタクト構成
体の典型的な寸法を示している。注意すべきことである
が、エミッタは幅が０．５ミクロンとして示しであるが
、それはエミッタコンタクトストライプを画定する為の
オーバーエツチングプロセスを使用した場合か、又はト
ランジスタを製造する為にサブミクロン即ち１ミクロン
未満のライン幅を得ることの可能なりソグラフイ又はそ
の他のタイプのプロセスを使用した場合に、達成するこ
とが可能である。Ｘ方向における活性区域の全幅は２ミ
クロンに過ぎない。この活性区域に対する狭い幅が存在
するのは、絶縁性スペーサ４４及びベースコンタクト縦
桁４６がそれらを形成するプロセスのお陰で非常に幅狭
に形成することが可能であるからである。好適実施例に
おいては、絶縁性スペーサ４４及びベースコンタクト縦
桁４６はＸ方向において３，０００人幅に過ぎない。

Ｙ方向における分離島状部の寸法が１ミクロンに過ぎな
い場合、全活性区域及びベース・コレクタ接合の全面積
は２ミクロン平方である。これは、０．４ｆＦ　（フェ
ムトファラッド）の非常に低いコレクタ・ベース容量を
発生させるに過ぎない。

エミッタ・ベース接合は単に０．５ミクロン平方であり
、それは０．３ｆＦの典型的なベース・エミッタ接合容
量を発生する。第１３図の従来技術の構成の接合面積と
対照的に、当業者等が理解する如く１本発明は各トラン
ジスタの活性区域によって占有されるチップ面精の点で
著しく有利であリ、且つスイッチング速度及び周波数応
答の点においても従来技術と比較して極めて有利である
。

以上１本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く１本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。例えば、上述
した実施例において、シリサイドを少なくとも部分的に
ジシリサイドとすることも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は第２図における１−１′線に沿っての分離島状
部を介して取ったトランジスタ構成体の概略断面図、第
２図は完成したトランジスタ構成体の概略平面図、第３
図は共用エミッタを持った本発明の構成の２つのトラン
ジスタを示した概略平面図、第４Ａ図乃至第４Ｅ図は製
造プロセスにおける種々の段階においてエミッタコンタ
クトを介して第２図の４−４′線で取った本発明のトラ
ンジスタの各概略断面図、第５Ａ図乃至第５Ｅ図は製造
プロセスにおける種々の段階においてトランジスタの分
離島状部を介して第２図の５−５′線に沿って取ったト
ランジスタの各概略断面図、第６Ａ図乃至第６Ｅ図はベ
ースコンタクトパッドを介して第２図中の６−６′線に
沿って取ったトランジスタの各概略断面図、第７Ａ図乃
至第７Ｅ図は長い寸法のエミッタコンタクトストライプ
とベースコンタクトパッドとエミッタコンタクトパッド
を介して延在する第２図における７−７′線に沿って取
った本発明のトランジスタの各概略断面図、第８図はエ
ミッタコンタクトストライプを形成した後の本構成体の
概略平面図、第９図は絶縁性スペーサを形成した後の本
構成体の概略平面図、第１０図はベースコンタクト縦桁
を形成した後の本構成体の概略平面図、第１１図はドラ
イブインステップ前のベース・エミッタ構成体のドーピ
ング分布を示したグラフ図、第１２図はドライブインス
テップの後のドーピング分布を示したグラフ図、第１３
図は従来のベース・エミッタ構成体の概略断面図、第１
４図は典型的な寸法及び或る種の性能に関連する特性を
示した本発明のベース・エミッタコンタクト構成体の概
略平面図、である。 （符号の説明） ２９：フィールド酸化膜 ３０：エピタキシャル層 ３２．３４：分離島状部端部 ３６：埋込層 ３８：ポリシリコン層 ３９：エミッタ領域 ４０：シリサイド ４１：ベース領域 ４２：絶縁物質層 ４３：基板表面 ４４：絶縁性スペーサ ４６二ベ一スコンタクト縦桁 ５０：コンタクト窓（支柱型貫通導体）ＦＩＧ、　５８ ＦＩＧ、　５Ｃ ＦＩＧ、　５Ｄ ＦＩＧ、５Ｅ −己 一 十 Ｖ″１　日 トく 手続補正書（麓） 昭和６２年１２月２ 特許庁長官　小　川　邦　夫　　殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１６４１０５ ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 ４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、バイポーラトランジスタ用のベース及びエミッタ構
   成体において、隣接する単結晶シリコンから電気的に分
   離されており第１導電型の単結晶シリコンからなる島状
   部（３０）、前記島状部内の前記第１導電型のエミッタ
   領域（３９）、前記島状部内の第２導電型であり且つ前
   記エミッタ領域とＰＮ接合（４３）を形成しているベー
   ス領域（３０）、前記エミッタ領域と電気的接触をして
   おり前記第１導電型のポリシリコン（３８）からなるス
   トリップを具備するエミッタコンタクト（３８／４０）
   であって前記島状部上方に存在する前記エミッタコンタ
   クトの面積はここに画定するベースエミッタ構成体を形
   成する為に使用する方法で形成することの可能な最小の
   コンタクト窓の面積と前記方法において使用することの
   可能な前記コンタクト窓の全ての側部の周りの最小の積
   み重ね公差によって消費される面積の和よりも小さく且
   つ上部と側部とを持っているエミッタコンタクト、前記
   エミッタコンタクトの上方に設けられその側部と自己整
   合した絶縁物質からなる層（４２）、前記島状部上方で
   少なくとも前記エミッタコンタクトの前記側部表面上に
   形成した絶縁性スペーサ（４４）、前記島状部上方で前
   記スペーサの少なくとも一方に沿って形成されており且
   つ前記スペーサによって前記ストリップから電気的に分
   離されているが前記ベース領域と電気的にコンタクトし
   ている導電性縦桁（４６）であって前記縦桁はコンタク
   ト窓又は支柱貫通導体と本トランジスタを形成する為に
   使用される方法において使用する積み重ね公差によって
   消費される面積を取り囲むのに十分な大きさではない面
   積を前記島状部上方に持っている導電性縦桁、を有する
   ことを特徴とする構成体。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記スペーサは、
   本トランジスタを製造する為に使用されるリソグラフィ
   プロセスによって定常的に分解可能な最小ライン幅Ｄよ
   りも小さな前記島状部の前記表面に平行な軸に沿って或
   る幅を持っていることを特徴とする構成体。３、特許請
   求の範囲第１項において、前記縦桁は、本トランジスタ
   を製造する為に使用されるリソグラフィプロセスによっ
   て定常的に分解可能な最小ライン幅Ｄよりも小さな前記
   島状部の前記表面に平行な軸に沿って或る幅を持ってい
   ることを特徴とする構成体。 ４、特許請求の範囲第２項において、前記縦桁は、本ト
   ランジスタを製造する為に使用されるリソグラフィプロ
   セスによって定常的に分解可能な最小ライン幅Ｄよりも
   小さな前記島状部の前記表面に平行な軸に沿って或る幅
   を持っていることを特徴とする構成体。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記縦桁は金属ジ
   シリサイドであることを特徴とする構成体。 ６、特許請求の範囲第４項において、前記縦桁は耐火性
   金属ジシリサイドであることを特徴とする構成体。 ７、特許請求の範囲第６項において、前記スペーサは前
   記エミッタコンタクトに隣接する熱酸化物からなる層か
   ら構成されておりＣＶＤ酸化物からなる層が前記熱酸化
   物の上に積層されていることを特徴とする構成体。 ８、特許請求の範囲第７項において、前記エミッタコン
   タクトは、前記ポリシリコンストリップの上表面の少な
   くとも一部と電気的に接触している金属ジシリサイドか
   らなる層を有していることを特徴とする構成体。 ９、特許請求の範囲第８項において、前記金属ジシリサ
   イドは前記エミッタコンタクトストリップの上表面を完
   全に被覆しており且つその側部表面によって画定される
   端部と自己整合されており、且つ前記ジシリサイド及び
   前記エミッタコンタクトポリシリコンの両方は一方のタ
   イプの不純物の拡散速度が他方のタイプの不純物の拡散
   速度よりも大きくしてＮ型不純物とＰ型不純物の両方で
   ドープされており、且つ前記絶縁層は二酸化シリコンで
   あって且つ前記エミッタコンタクトストリップの上部を
   被覆する金属ジシリサイドの上に積層しており且つその
   端部と自己整合していることを特徴とする構成体。 １０、特許請求の範囲第１項において、前記エミッタ領
   域は前記ベース領域と接合を形成しており、それは前記
   島状部上方のエミッタコンタクトストリップの面積と略
   等しい面積であることを特徴とする構成体。 １１、特許請求の範囲第１項において、前記ベース領域
   は前記単結晶シリコンとベース・コレクタ接合（３０／
   ３６）を形成しており、それは前記エミッタコンタクト
   の前記島状部上方の面積と前記スペーサ及び前記縦桁の
   面積との結合面積と前記製造方法における熱ドライブイ
   ンステップの間に前記縦桁からの不純物の横方向拡散に
   よって消費される面積の和と略同一の面積を持っている
   ことを特徴とする構成体。 １２、特許請求の範囲第１項において、前記ベース領域
   は前記単結晶シリコンとベース・コレクタ接合を形成し
   ており、それは前記エミッタコンタクトの前記島状部上
   方の面積と前記スペーサ及び前記縦桁の面積との結合面
   積と前記製造方法における熱ドライブインステップの間
   に前記縦桁からの不純物の横方向拡散によって消費され
   る面積の和と略同一の面積を持っており、且つ前記エミ
   ッタ領域は前記ベース領域と接合を形成しており、それ
   は前記島状部上方の前記エミッタコンタクトストリップ
   の面積と略等しい面積であることを特徴とする構成体。 １３、特許請求の範囲第１項において、前記エミッタコ
   ンタクトストリップは前記島状部の境界の外側の位置へ
   延在しており且つコンタクト窓（６８）を取り囲むのに
   十分な寸法を持っているコンタクトパッド（３３）の形
   状をしていることを特徴とする構成体。 １４、特許請求の範囲第１２項において、前記エミッタ
   コンタクトストリップは前記島状部の境界の外側の位置
   へ延在しており且つコンタクト窓を取り囲むのに十分な
   寸法を持ったコンタクトパッドの形状をしていることを
   特徴とする構成体。 １５、特許請求の範囲第１項において、前記縦桁は前記
   島状部の境界の外側の位置へ延在しており且つコンタク
   ト窓を取り囲むのに十分な寸法を持ったコンタクトパッ
   ドの形状をしていることを特徴とする構成体。 １６、特許請求の範囲第１４項において、前記縦桁は前
   記島状部の境界の外側の位置へ延在しており且つコンタ
   クト窓を取り囲むのに十分な寸法を持ったコンタクトパ
   ッドの形状をしていることを特徴とする構成体。 １７、単結晶シリコンの分離島状部とその中に形成され
   ており２平方ミクロン以下の活性面積を持った活性領域
   とを有することを特徴とするトランジスタ。 １８、単結晶シリコンの分離島状部とその中に形成され
   ており８平方ミクロン以下の活性面積を持った活性領域
   とを有することを特徴とするトランジスタ。 １９、集積化したバイポーラトランジスタ用のベース・
   エミッタ構成体において、導電性シリコンのベース領域
   、前記ベース領域内側の導電性シリコンのエミッタ領域
   、前記エミッタ領域と電気的に接触している導体、前記
   導体の所定の側部の上に形成されている絶縁性スペーサ
   、前記絶縁性スペーサの所定の側部上に形成されている
   前記ベース領域と電気的に接触しており且つ前記スペー
   サによって前記導体から分離されている導電性縦桁であ
   って且つ前記縦桁がそれから非等方性エッチングによっ
   て形成される導電性物質の層の深さと略等しい幅を持っ
   ている導電性縦桁、前記島状部の外部であって前記縦桁
   と及び前記ポリシリコンのストリップと電気的接触をす
   る為の手段、を有することを特徴とする構成体。 ２０、トランジスタ用のベース・エミッタコンタクト構
   成体を製造する方法において、単結晶シリコンの分離島
   状部を形成し、金属ジシリサイドの第１層によって被覆
   されているポリシリコンの層を形成し、前記第１金属ジ
   シリサイド層をＰ型及びＮ型不純物の両方でドーピング
   し尚前記不純物は低い濃度の不純物は与えられた拡散条
   件に対して単位時間当りに移動する距離において一層早
   い拡散速度を持つ様に選択されており、前記金属ジシリ
   サイド上に絶縁物質の層を形成し、前記結合した３つの
   層をエミッタコンタクトストリップの形状にエッチング
   して該ストリップは前記島状部を横断すると共に前記島
   状部の外部に位置するエミッタコンタクトパッドを持っ
   ており、前記エッチングした構成体上に絶縁物質の第２
   層を形成し、前記島状部の表面に平行な面内における全
   ての絶縁物質が除去される迄前記第２絶縁層を非等方的
   にエッチングし、前記構成体上に金属ジシリサイドの層
   を形成し、前記第２金属ジシリサイド層を最終的なトラ
   ンジスタのベース領域中に存在する導電型の不純物でド
   ーピングし、前記島状部外側の位置においてベースコン
   タクトパッドとなるべき前記第２金属ジシリサイド層の
   部分をマスクし、前記マスク下側の部分を除いて前記島
   状部の表面に平行な面内に存在する前記第２金属ジシリ
   サイド層の全ての部分を非等方的エッチングによって除
   去し、その結果得られる構成体を十分に長く且つ十分な
   温度で炉内においてベーキングして前記第１金属ジシリ
   サイド層中の不純物を前記ポリシリコン及び前記単結晶
   シリコン中に十分に拡散させて所望の深さのエミッタ領
   域及び前記第２金属ジシリサイド層の前記縦桁と電気的
   に接触しており所望の幅のベース領域を形成する、上記
   各ステップを有することを特徴とする方法。 ２１、特許請求の範囲第２０項において、前記第１金属
   ジシリサイド層をドーピングするステップにおいて、前
   記層を２つの導電型の不純物でドーピングし、後に形成
   されるべきベース領域の導電型とマッチする導電型の不
   純物は他方の導電型の不純物の濃度よりも低い濃度を持
   っていることを特徴とする方法。 ２２、特許請求の範囲第２１項において、前記２つの不
   純物はボロンと砒素であることを特徴とする方法。 ２３、特許請求の範囲第２１項において、前記ドーピン
   グステップはイオン注入によることを特徴とする方法。 ２４、特許請求の範囲第２０項において、前記第２絶縁
   層を形成するステップにおいて、二酸化シリコンの層を
   熱的に成長させ、次いで二酸化シリコンの別の層をＣＶ
   Ｄによって付着させることを特徴とする方法。 ２５、特許請求の範囲第２４項において、前記ＣＶＤ付
   着は前記構成体上方に約２，０００乃至５，０００Åの
   酸化物が存在する迄継続することを特徴とする方法。 ２６、特許請求の範囲第２０項において、前記金属ジシ
   リサイドの第２層を形成するステップは、金属ジシリサ
   イドの第２層が本構成体の全ての部分の上方に形成され
   且つ約２，０００乃至５，０００Å形成される迄、実施
   することを特徴とする方法。 ２７、特許請求の範囲第２０項において、前記ポリシリ
   コンと金属ジシリサイドと酸化物との結合した３つの層
   をエッチングするステップにおいて、制御した横方向エ
   ッチング速度で非等方的にエッチングしてエッチマスク
   像よりも幅の小さなエミッタコンタクトストリップのエ
   ッチングした像を形成することを特徴とする方法。 ２８、特許請求の範囲第２０項において、前記エミッタ
   コンタクトパッドの周りから前記金属ジシリサイドの第
   ２層から金属ジシリサイドの縦桁を選択的に除去するス
   テップを有することを特徴とする方法。