JPS6284545A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6284545A
JPS6284545A JP60224413A JP22441385A JPS6284545A JP S6284545 A JPS6284545 A JP S6284545A JP 60224413 A JP60224413 A JP 60224413A JP 22441385 A JP22441385 A JP 22441385A JP S6284545 A JPS6284545 A JP S6284545A
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thin
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thermal oxide
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置、特に、半導体基板上に絶縁膜を介
して配設される抵抗層に関する。
（従来の技術） 第３図は従来の半導体装置の構成を示す断面図であり、
１は半導体基板を示している。半導体基板１には、二酸
化シリコン膜２が積層されており、この二酸化シリコン
膜２は略等厚である。二酸化シリコン瞑２には、抵抗層
３が被着しており、この抵抗層３は不純物の導入された
ポリシリコンまたは珪化クロムで構成されている。抵抗
層３は二酸化シリコン膜４に被われており、該二酸化シ
リコン膜４にはコンタクトホール５，６が穿設され、ア
ルミ電極７．８がコンタクトホール５，６をそれぞれ通
り抵抗１ｉｉ３に接触している。
（発明が解決しようとする問題点） 一般に、二酸化シリコン膜２は、抵抗ＮＩ３に通電した
際に発生するジュール熱を速かに半導体基板１に伝熱し
、抵抗層３の温度上昇を防止すると共に、アルミ電極７
，８および半導体基板ｌとで構成される寄生容量の容量
値を小さくシ、アルミ電極７，８を介して伝達される信
号に遅延等の生じないようにすることが求められている
。
しかしなから、従来の半導体装置に［Ｆ］つては、二酸
化シリコン膜２が略等厚でめるので、抵抗層３の発熱を
防止すべく、その膜厚を減少させると、アルミ電１ａｒ
ｓ８と半導体基板ｌとの距離も小さくなり、寄生容量の
容量値が増大し、一方、寄生容量の容量値を減少させる
べく、二酸化シリコン膜２の膜厚を増加させると、抵抗
層３に生じる発熱の放熱が不充分になシ、抵抗値の変動
や膜質の悪化を招くという問題点があった。
しかも、寄生容量を減少させ、かつ、放熱量を増加させ
るべ′＜、二酸化シリコン膜の膜厚を増加させたうえ、
抵抗ｆ＠３の底面積も増加した場合は、半導体基板ｌ上
に抵抗層の占める面積が増加し、集積度が低下するとい
う問題点が生じる。
（問題点を解決するための手段） 本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、半導体基板上に
形成される絶縁膜に所定膜厚の第一部分と該第一部分よ
り膜厚の小さな第二部分とを形成し、抵抗層を第二部分
の上に、抵抗層に接続された導体ｒｔ−第一部分の上に
それぞれ設けたことを要旨とする。
（実施例） 第１図および第２図は本発明の一実施例を示す図であシ
、同図中１１は半導体基板を示している。
この半導体基板１は、窒化シリコン等をマスクとした選
択酸化技術によシ、第１図の中央部を除いて、約１．０
乃至２０ミクロンの厚い熱酸化膜１２（Ｓｉｎ、）が成
長させられておシ、該熱酸化膜１２と半導体基板１１の
中央部とは、０．０５乃至０．５ミクロンの薄い熱酸化
膜１３で被われている。これら熱酸化ＢＱ１２．１３は
全体として絶縁膜１４を初成しており、熱酸化膜１２．
１３で形成された第１図の両端部は絶縁膜１４の第一部
分１５（ｆ−１熱酸化膜１３でのみ形成された第１図の
中央部は第二部分１６をそれぞＣＬ構成している。
絶縁膜１４の第二部分１６上には、不純物の導入された
ポリシリコン膜をパターン形成して得られた薄膜抵抗１
７か被着されており、該薄膜抵抗１７は０．３乃至１．
０ミクロンの保護１１８で被われた後に、コンタクトホ
ール１９，２０が穿設され、該コンタクトホール１８．
ｌ’１通してアルミ電極２１．２２が薄膜抵抗１７に接
触している。
保護膜１８は、ＣＶＤ法で絶縁膜１４上に被着された二
酸化シリコン膜で構成されており、前述のアルミ電極２
１．２２は、パターン形成の際、絶縁膜１４の第一部分
１５上に延在するようにその位置が選ばれている。
次に、一実施例の作用を説明すれば以下の通りである。
半導体装置が適当な電源に接続され機能し始めると、薄
膜抵抗１７はアルミ電極２１　、２２間に所定の電圧降
下を生じさせると共に、ジュール熱を発生する。このジ
ュール熱は保護１ｉａ１８を通って放熱されると共に、
絶線膜１４を通って半導体基板１１にも放熱される。一
般に熱の伝導は、等温血の面積を８．温鹿差をΔｌｉｔ
、その間の間隔を！、熱伝導率をＫとすると、面積８を
通って単位時間に流れる熱量Ｑは、 Ｋ８ΔＴ Ｑ＝。
で表わ括れる。したがって、薄膜抵抗１７の温度上昇を
一定限反以下に保つため薄膜抵抗１７から外部に流れる
熱ｆを所定値に維持するには、轡温血Ｓ、すなわち、−
薄膜抵抗１７の底面積を大きくするか、間隔！、すなわ
ち絶縁膜１４の膜厚を小さくすればよい。
上記一実施例では、薄膜抵抗１７下り誇二部分１６は０
．０５乃至０．５ミクロンと極めて薄いので、薄膜抵抗
１７の底面積を増加させることなく充分の放熱が可能で
あシ、半導体装置の集積度を維持したまま、薄膜抵抗１
７の温度上昇を押え、その劣化を防止できる。
一方、アルミ電極２１．２２は、絶縁膜１４の第一部分
１５上に配設されてお９、この第一部分１５は１．０５
乃至２．５ミクロンの薄厚があるので、薄膜抵抗１７と
半導体基板１１との間隔が小ざいにもかかわらず、アル
ミ電極２１．２２と半導体基板１１との間隔は大きくな
シ、シたがって、アルミ電極２１．２２により発生する
寄生容量の容量値は小さくなる１、よ・って、信号がア
ルミ電極２１゜２２を通って印加されても、信号の遅延
時間は小さく、良好な信号伝達特性が得られる。
なお、上記一実施例における熱酸化膜１３に代えて、Ｃ
ＶＤ法による二酸化シリコン膜、リンガラス膜、窒化シ
リコン膜あるいはこれらの複合膜を被着してもよく、薄
膜抵抗１７ｖ′ｉ珪化クロム（Ｓ　Ｉ　Ｃｒ　）で形成
してもよい。さらに、保護膜１８も゛リンガラス膜、窒
化シリコン膜るるいはこれらの複合膜でもよい。
（効果） 以上説明してきたように、本願発明によれは、絶縁膜に
膜厚の異なる第一部分と第二部分とを形成し、抵抗層を
薄厚の小さな第二部分に、アルミ電極を薄厚の大きな第
一部分上にそれぞれ配したので、集積度を低下させるこ
となく放熱量を増大でき、抵抗層の劣化を防止できると
共に、ア化ミ電極に起因する寄生容量の容ｆ１Ｍ！小さ
くでき、良好な信号伝達特性を得られるという効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第１０は本発明の一実施例を示するｆ面図、第２図は一
実施例の平面図、第３図は従来例：ｒ示す断面図である
。 １１・・・・・・半導体基板、１４・・・・・・絶縁膜
、１５・・・第一部分、１６・・・用第二部分、１７・
旧・・抵抗層（薄膜抵抗）、２１，２２・・・・・・導
体層（アルミ電極）。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋、　“ハ′″−，／
・ ・　　−゛

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成
    された抵抗層と、該抵抗層に接続された導体層とを有す
    る半導体装置において、前記絶縁膜に所定膜厚の第一部
    分該第一部分より膜厚の小さな第二部分を形成し、前記
    抵抗層を第二部分の上に、導体層を第一部分の上にそれ
    ぞれ設けたことを特徴とする半導体装置。
JP60224413A 1985-10-07 1985-10-07 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0620110B2 (ja)

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JP60224413A JPH0620110B2 (ja) 1985-10-07 1985-10-07 半導体装置
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