JPS5979584A - ジヨセフソン集積回路用抵抗 - Google Patents

ジヨセフソン集積回路用抵抗

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JPS5979584A
JPS5979584A JP57189050A JP18905082A JPS5979584A JP S5979584 A JPS5979584 A JP S5979584A JP 57189050 A JP57189050 A JP 57189050A JP 18905082 A JP18905082 A JP 18905082A JP S5979584 A JPS5979584 A JP S5979584A
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JP
Japan
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resistor
integrated circuit
film
josephson
protective film
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JP57189050A
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Juichi Nishino
西野　壽一
Yoshinobu Taruya
良信 樽谷
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ジョセフソン集積回路に用いる抵抗の構造に
係シ、特に抵抗値の再現性と、超電導電極の加工を容易
にするジョセフソン集積回路用抵抗に関する。
〔従来技術〕
従来、ジョセフソン集積回路の超電導電極にＮｂあるい
はＮｂの金属間化合物を用いた場合、その加工にイオン
エツチング等を用いると、エツチングの終点近くで抵抗
体がイオン、あるいはプラズマ等にさらされるために抵
抗体材料の腐食が生じ、抵抗体の膜厚等が変化してしま
い抵抗値の再現性が非常に悪かった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、従来技術の欠点を解決し抵抗値の再現
性、精度に優れたジョセフソン集積回路用抵抗の構造と
その作製方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明のジョセフソン集積回路用抵抗は、抵抗体の上部
に保護膜を形成し、抵抗体と他の回路の要素とを接続す
る超電導電極の加工の際に、抵抗体の材料が腐食等の悪
影響を受けることを防止でき、従って抵抗値の再現性、
精度を高めることができる点に特徴がある。
〔発明の実施例〕
以下、実施例を参照して本発明の詳細な説明する。８１
基板１の表面を熱酸化によって酸化し、厚さ約７ＱＯｎ
ｍの５ｊ０２よシ成る絶縁膜２を形成する。次に電子ビ
ーム蒸着法によって厚さ約５ＱｎｍのＭＯ膜を形成する
。ホトレジストのパターン全マスクとして化学エツチン
グ法によシネ要なへ４０を除き抵抗３を形成する（第１
図）。この際のエツチング液は５０％の硝酸水溶ｔＬヲ
用いた。次にスパッタリング法によシ厚さ約１５０ｎｍ
の５ｌｏ２膜を形成し、ホトレジス）ＡＺ１３５０Ｊｊ
米国、シプレー社の商品名）を用いて成るリフトオフス
テンシルを用いたリフトオフ法によって保護膜４を形成
する（第２図）。最後にスパッタリング法によって厚さ
約２００ｎｍのＮｂＭ−を形成し、ホトレジストのパタ
ーンをマスクとしてＣＦ４ガスによる反応性イオンエツ
チング法によって超電導電極５を形成した（第３図）。
以上によって本発明のジョセフソン集積回路用抵抗を実
現することができた。この・ようにして作成されたジョ
セフソン集積回路用抵抗は、保護膜４を設けであるため
Ｎｂのエツチング時に、抵抗体であるＭＯがＣＦ４等の
ガス、イオンにさらされることが無いため、ＭＯの腐食
などのために抵抗値がＮｂのエツチング条件によって変
化することがなく、再現性に優れていた。筐た、図１に
は示さｔていないジョセフソンデバイスの負荷としてこ
の抵抗を用い、集積回路を動作させたところ、良好々動
作を得ることができた。またＮｂのエツチングに際して
は、エツチングの終点付近で露出して来る４月料は、本
発明の抵抗の場合５ｉＯｚのみとすることができ、この
ことはエツチング速度の再現性を高める効果があるばか
シでなく、ＮｂとＳｉＯ２のエツチング速度の比が一般
に数倍以上とれることから、エツチングの終点の判定が
非常に容易であった。さらに、保護膜４は、抵抗３がＮ
ｂのエツチング時ばかシでなく全てのプロセス工程にお
いて使用される薬品類あるいはジョセフソンデバイスの
抵抗以外の要素に使用されている拐料と抵抗利料との相
互拡散全防止する効果があシ、このため抵抗値の信頼性
を高めることができた。なお、本実施例では保護膜４の
材料として５１０２を用いたが、ｓ１ｏ＊用いても同様
の効果を得ることができた。
〔発明の効果〕
以上説明したごとく本発明によれば、ジョセフソン集積
回路において、抵抗体の上部に保護膜を設けたことによ
シ、従来技術の欠点を解決し抵抗体への接続電極の加工
の際に抵抗体セ”料が影響を受けることを防止して、精
度と再現性に優れたジョセフソン集積回路用抵抗が実現
できた。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図および第３図は、本発明の一実施例によ
るジョセフソン集積回路用抵抗の製造工程を示す断面図
である。 １・・・Ｓ！基板、２・・・絶縁膜、３・・・抵抗、４
・・・保護策　１　図 Ｖ　？　図 第　３　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ジョセフソン接合素子を含む集積回路に用いられる
    全ての抵抗において、薄膜抵抗体の超電導電極との接続
    部以外の部分が絶縁物より成る保護膜によって覆われた
    構造を持つことを特徴とするジョセフソン集積回路用抵
    抗。 ２、特許請求の範囲第１項記載のジョセフソン集積回路
    用抵抗において、超電導電極はＮｂあるいはＮｂの金属
    間化合物をもって成ることを特徴とするジョセフソン集
    積回路用抵抗。 ３、特許請求の範囲第１項記載のジョセフソン集積回路
    用抵抗において、保護膜は５ｉＱ２あるいは５ｉｆｔも
    って成ることを特徴とするジョセフソン集積回路用抵抗
    。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265487A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Agency Of Ind Science & Technol 低温回路用抵抗およびその製造方法
JPS63234575A (ja) * 1987-03-24 1988-09-29 Agency Of Ind Science & Technol 超電導回路のパタ−ン形成方法
US4951118A (en) * 1985-10-07 1990-08-21 Nec Corporation Semiconductor device having resistor structure
US5236857A (en) * 1991-10-30 1993-08-17 Texas Instruments Incorporated Resistor structure and process
JP2007285187A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd スクロール圧縮機

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54116894A (en) * 1978-03-03 1979-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Superconduction circuit device
JPS57177581A (en) * 1981-04-09 1982-11-01 Sperry Rand Corp Josephoson junction integrated circuit and method of producing same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54116894A (en) * 1978-03-03 1979-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Superconduction circuit device
JPS57177581A (en) * 1981-04-09 1982-11-01 Sperry Rand Corp Josephoson junction integrated circuit and method of producing same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265487A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Agency Of Ind Science & Technol 低温回路用抵抗およびその製造方法
JPH0325034B2 (ja) * 1985-09-18 1991-04-04 Kogyo Gijutsuin
US4951118A (en) * 1985-10-07 1990-08-21 Nec Corporation Semiconductor device having resistor structure
JPS63234575A (ja) * 1987-03-24 1988-09-29 Agency Of Ind Science & Technol 超電導回路のパタ−ン形成方法
US5236857A (en) * 1991-10-30 1993-08-17 Texas Instruments Incorporated Resistor structure and process
US5465005A (en) * 1991-10-30 1995-11-07 Texas Instruments Incorporated Polysilicon resistor structure including polysilicon contacts
US6261915B1 (en) 1991-10-30 2001-07-17 Texas Instruments Incorporated Process of making polysilicon resistor
JP2007285187A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd スクロール圧縮機

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JPH0480549B2 (ja) 1992-12-18

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