JPS61263254A - 入力保護装置 - Google Patents

入力保護装置

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JPS61263254A
JPS61263254A JP60105517A JP10551785A JPS61263254A JP S61263254 A JPS61263254 A JP S61263254A JP 60105517 A JP60105517 A JP 60105517A JP 10551785 A JP10551785 A JP 10551785A JP S61263254 A JPS61263254 A JP S61263254A
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JP
Japan
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input
input protection
polycrystalline silicon
opening
insulating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP60105517A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Sato
義則 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS61263254A publication Critical patent/JPS61263254A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置における入力保護装置に関
する。
〔従来の技術〕
従来、半導体集積回路装置において、多結晶シリコンを
入力保護抵抗として用い次入力保護装置は、瞬間的なサ
ージ電圧が入力トランジスタのゲートに印加されること
を防止するために用いられてい九〇 第３図は従来の入力保護装置の一例の等価回路図、第４
図（ａ）、　（ｂ）は第３図に示す入力保護装置の節点
及びその近傍の平面図及び断面図である。
入力ビンｌと入力Ｎチャネルトランジスタ３の間に接続
され九入力保護抵抗３とこの入力保護抵抗３の一部にゲ
ートとドレインが接地電位に接続された入力保＠Ｎチャ
ネルトランジスタ５を形成した構造になっている。すな
わち、入力ピンｌに印加された高いサージ電圧を入力保
護抵抗で減衰させると共に入力保護トランジスタ５によ
り吸収するものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の入力保護装置では、入力ビン１から引出
された金属配線層からなる入力保護抵抗２へ高いサージ
電圧が伝達された時に、上記多結晶シリコンからなる入
力保護抵抗２０入口で多結晶シリコンが破壊されて、多
結晶シリコンのパターンが切断されてし１い、高いサー
ジ電圧を減衰させる働きができなくなってしまうという
欠点があった。
本発明の目的は、入力ビンにサージ電圧が印加された場
合においても入力トランジスタを保護する入力保護装置
を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の入力保護装置は、−導亀臘半導体基板上に被着
された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の一部に設けら
れたＩ＠１の開口部と、該第１の開口部を通しての反対
導ｉ１ｉ不純物の導入により形成される拡散層と、前記
第１の開口部を覆って８ｊＩ記拡散層に接触する部分と
前記第１の絶縁膜の上に形成される部分とを有する多結
晶シリコン層で形成される入力保護抵抗と、前記入力保
護抵抗を含む表面に形成された第２の絶縁膜と、前記第
１の開口部と重なって前記第２の杷ｔ＆膜に設けられた
第２の開口部と、該第２の開口部を介して前記入力保護
抵抗に接続しかつ入力ビンに接続する金属配線層とを含
んで構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第２図は本発明の一実施例の等価回路図である。
第２図に示す様に、回路的には、入力ビン１から出た直
後に多結晶シリコンからなる入力保護抵抗２を形成する
ことに工って入力サージ電圧を減衰させると共に、入力
保護ダイオード４を形成することによって入力サージ電
圧の一部を半導体基板に逃がそうとするものでおる。
第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及
びＡ−Ａ’断面図である。
この実施例は、第２図に示した等価回路図の節点６とそ
２周辺を示したものである。半導体基板１４上に酸化［
１３を設け、第１の開口部９を設け、この開口部よｐ不
純物を導入して拡散層８を形成する。この上に多結晶シ
リコンから成る入力保護抵抗２を形成し、絶縁ｇ＆１２
で覆う。絶縁膜１２に第２の開口部１０をあけ、金属層
を被着して入力ビン１を形成する０拡散層８は半導体基
板１４と逆導電型であり、半導体基板とはダイオードを
形成する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体集積回路装置上の
入力ビンにサージ電圧が印加された場合にサージ電圧が
導電するバスを２つの経路に分割することにより、サー
ジ電圧を半導体基板に逃がし、さらに多結晶シリコンに
よる抵抗を設けることによって減衰させることがでさる
ため、従来以上の高いサージ電圧に対しても入力トラン
ジスタを保護する入力保護装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の一実施例の平曲図及
び断面図、第２図は本発明の一実施例の等価回路図、第
３図は従来の入力保護装置の一例の等価回路図、第４図
（ａ）、（ｂ）は第３図に示す回路の節点とその近傍の
平面図及び！ＩＲ函図でめる。 １・・・・・・入力ビン、２・・・・・・入力保護抵抗
、３・・・・・・入力トランジスタ、４・・・・・・入
力保磯ダイオード、５・・・・・・入力保護トランジス
タ、６・・・・・・節点、８・・・・・・拡散層、９・
・・・・・第１の開口部、１０−−−−−−第２の開口
部、１１・・・・・・ゲート酸化膜、１２・・・・・・
絶縁膜、１３・・・・・・酸化膜、１４・・・・・・半
導体基板。 ｔ　、＼ 代理人　弁理士　　内　原　　　晋り５．（、・第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一導電型半導体基板上に被着された第１の絶縁膜と、該
    第１の絶縁膜の一部に設けられた第１の開口部と、該第
    １の開口部を通しての反対導電一不純物の導入により形
    成される拡散層と、前記第１の開口部を覆って前記拡散
    層に接触する部分と前記第１の絶縁膜の上に形成される
    部分とを有する多結晶シリコン層で形成される入力保護
    抵抗と、前記入力保護抵抗を含む表面に形成された第２
    の絶縁膜と、前記第１の開口部と重なって前記第２の絶
    縁膜に設けられた第２の開口部と、該第２の開口部を介
    して前記入力保護抵抗に接続しかつ入力端子に接続する
    金属配線層とを含むことを特徴とする入力保護装置。
JP60105517A 1985-05-17 1985-05-17 入力保護装置 Pending JPS61263254A (ja)

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JP60105517A JPS61263254A (ja) 1985-05-17 1985-05-17 入力保護装置
DE8686106809T DE3680713D1 (de) 1985-05-17 1986-05-20 Eingangsschutzanordnung.
EP86106809A EP0202646B1 (en) 1985-05-17 1986-05-20 Input protection device
US07/290,847 US4922316A (en) 1985-05-17 1988-12-29 Infant protection device

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DE (1) DE3680713D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148249A (en) * 1988-04-14 1992-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor protection device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620110B2 (ja) * 1985-10-07 1994-03-16 日本電気株式会社 半導体装置
US6002155A (en) * 1993-02-12 1999-12-14 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit with protection circuit against electrostatic breakdown and layout design method therefor
JP3242228B2 (ja) * 1993-02-12 2001-12-25 富士通株式会社 静電保護回路付半導体集積回路及びそのレイアウト設計方法
TW405243B (en) * 1998-02-25 2000-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Semiconductor device comprising a mos transistor
CN100446219C (zh) * 2001-06-27 2008-12-24 中颖电子(上海)有限公司 在低压制造工艺中实现高压信号输入的电压转换装置
DE10330838B4 (de) * 2003-07-08 2005-08-25 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement mit Schutzring

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54141585A (en) * 1978-04-26 1979-11-02 Nec Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS56100442A (en) * 1980-01-16 1981-08-12 Fujitsu Ltd Semiconductor ic device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB215493A (en) * 1923-03-03 1924-05-15 Robert Jarvie Improvements relating to fire-extinguishing apparatus
JPS54136279A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Nec Corp Semiconductor device
JPS54140481A (en) * 1978-04-21 1979-10-31 Nec Corp Semiconductor device
JPS562663A (en) * 1979-06-20 1981-01-12 Mitsubishi Electric Corp Input output protective device for semiconductor ic
JPS57130461A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Hitachi Ltd Semiconductor memory storage
JPS57188364U (ja) * 1981-05-25 1982-11-30
JPS583285A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の保護装置
US4527213A (en) * 1981-11-27 1985-07-02 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit device with circuits for protecting an input section against an external surge
JPS58123768A (ja) * 1982-01-18 1983-07-23 Toshiba Corp 入力保護装置
DE3380582D1 (en) * 1982-06-30 1989-10-19 Toshiba Kk Dynamic semiconductor memory and manufacturing method thereof
JPS5974665A (ja) * 1982-10-21 1984-04-27 Toshiba Corp 入力保護回路
JPS59198762A (ja) * 1983-04-25 1984-11-10 Seiko Epson Corp 保護回路
JPS6338266A (ja) * 1986-08-01 1988-02-18 Oki Electric Ind Co Ltd 定電圧ダイオ−ド

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54141585A (en) * 1978-04-26 1979-11-02 Nec Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS56100442A (en) * 1980-01-16 1981-08-12 Fujitsu Ltd Semiconductor ic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148249A (en) * 1988-04-14 1992-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor protection device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0202646A1 (en) 1986-11-26
EP0202646B1 (en) 1991-08-07
DE3680713D1 (de) 1991-09-12
US4922316A (en) 1990-05-01

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