JPS62501530A - 制御されたシリコンへのホウ素ド−ピング - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ＩＩＩ　？Ｉｎされたシリコンへのホウ素ドーピングオ犬週」−景 １・　本ヌ１−Φｊ辷野 本発明はシリコンにホウ素をドーピングする技術に係る。

２、従未刊恢ｐ起Ｖ（ 最近半導体基板の主表面に本質的ムこ垂直なドーパント表面に関する関心が増し てきた。これは分離のために“溝”を形成するための各種の提宰や、ダイナミッ クランダＪ・アクセスメモリーＣＤＲＡＭ’　Ｓ）用の垂直蓄積容量を形成する ためである。Ｕ２かＬ７、溝形成技術に従来のドーピング技術を適用する時、問 題が生じた。第１に、イオン注入はそれ自身はとんどの場合不適切である。なぜ ならば、イオンビームが直線的であることは、ドーパントはほとんどの場合、半 導体基板主表面とよばれろ水平面心このみ注入されるであろうことを暗示してい る。このこたは垂直面が本質的にイオンビームの方向に平行であり、そのためほ とんど部分で上にある領域が、イオン種から遮蔽してしまうためである。

溝側壁をドーピングする一つの方法は、所望のドーパントを含むガラスで溝を満 し、次に加熱工程により溝側壁中にドーパントを拡散させるものである。しかし 、その後ガラスドーパント源を除くことがしばしば望ましく、それはプロセス上 の新たな難点をつけ加える。ガスドーパント源を使用することも考えられてきた 。

しかし、最も一船的なｐ型ドーパントすなわちホウ素の場合、シリコン中のホ、 つ素の溶解度は非常に高く、ドーピングは制御が困難である。たとえば、約ｌＸ ｌ０”ないし５Ｘ１０”原子／ｄの範囲のドーパントｔ１４度が、典型的な場合 溝容量側壁中のｐ形層として望ましい、側壁をホウ素を含むガスに露出すると、 通常側壁表面で約ｌＸｌ０’！原子／ｄのドーピングレベルが生じる。たとえそ の後ホウ素を半導体中により深く再分布させるためドライブ−イン工程を用いた としても、ドーピング濃度は典型的な場合高いままである。更に、最初の表面濃 度は制御が困難である。

ドーパント（たとえばヒ素）をポリシリコン層中に入れ、ポリシリコンを酸化す ることによりシリコン基体中にホウ素を拡散させることも知られている。米国特 許第４，４７２．２１２号を参照のこと。この技術は偏析効果を用いる。すなわ ち、ヒ素は移動する二酸化シリコン／シリコン界面から、シリコン基体中に排除 される。しかし、ホウ素ドーピングに適用した場合、この技術には拡散工程後シ リコン基体から酸化したポリシリコン層を除去することが、ホウ素のためより困 難になるという欠点がある。しかし、垂直な形状を含むシリコン基体中にホウ素 ドープ層を得るための改善された方法をもつことが望ましい。

生３里（２）１衿 シリコン基体、典型的な場合集積回路中の垂直面にホウ素をドーピングする技術 を発明した。この技術において、二酸化シリコンの層を少くともドープすべきシ リコン形状の上に堆積させる。

次に、ポリシリコンの層を二酸化シリコン上に堆積させる。ポリシリコンには典 型的な場合その堆積中又は堆積後、ホウ素ドーパントを供給する。酸化雰囲気中 のその後の加熱工程により、ポリシリコンを少くとも部分的に酸化させ、酸化物 層を通してシリコン基体中にホウ素を拡散させる。この加熱工程は酸化物を通し てのホウ素の拡散速度を増すため、必要に応じてたとえば医気のような水分子源 を供給する雰囲気中で行ってもよい、必要により行う不活性雰囲気中での加熱工 程により、本質的な量の余分のホウ素をポリシリコン層から移すことな（、シリ コン基体中に更にホウ素を拡散させることができる。少くとも部分的に酸化され たポリシリコン及び二酸化シリコン層は、もし必要ならば除去しても、残しても よい。

図面の簡単な説明 第１−３図は溝を有し、ＳｉＯ２層を形成し、ポリシリコン石を堆積させるシリ コン半導体基体を断面で示す図、第４図はイオン注入とそれに続く再分布により 、ポリシリコン第５−６図はシリコン中へのホウ素の移転とそれに続くドライブ インを示す図、 第７−１０図は溝容量を形成するのに適した追加された工程を示す図、 第１１図はｐ″層を形成するため、ホウ素ドーピングする前にｎ″層を形成する 工程を示す図、 第１２図はｎ及びｐ領域間の分離溝を示す図である、詳細な記述 以下の詳細な記述はシリコン基体にホロをドーピングするための技術に係る。第 １図を参照ジーると、シリコン半導体基体１０が示されている。基体は典型的な 場合単結晶シリコン基板か、その上に形成されたエピタキシャル層である１、あ るいはそれは多結晶又はアモルファスシリコン基体でよい。実施例において、シ リコン基体１０は低濃度ドープｐ形材料で、その中Ｃ，′：ｒ′Ｉ−ヂャネル電 界効果トランジスタを形成づるのに適している、溝１１は周知のエツチング技術 により、基体１０中に形成される１、ａを形成する技術の一つは、シリコン基体 上にシリ−フン窒化物の層を形成することから始め、次に５ｉ０２の層を形成す る。次に溝開口がリングラフィで規定され、ＳｉＯ□及び５ｉＪａ層が１１１を 形成するためのエッチマスクとして働く。次にＳｉＯ□層（図示されていない） が除去され、シリコン基体１０上に５ｉＪａ　１３の層を残す。この層は溝形成 の目的のためには、典型的な場合、約１０００オングストロームの厚さである。

これはその後、ホウ素が層１３が上にあるシリコン表面中に移るのを阻止するの に十分である。他の溝形成プロセスは５ｉＪｔをＳｉｎｇ又は他の層で置きかえ るか、そのよ・うな層を省いてもよい。例を示すため溝は長方形に示されている が、図示されているように、エツチングプロセスにより平坦な表面より丸又はｖ 形の底面が生じてもよい。更に、溝の側面は垂直からある程度離れてもよい。こ こで用いるように、基板の主表面に対する垂直面からプラス・マイナス２０度以 内の側面は、本質的に垂直と考えられる。

第２図を参照すると、二酸化シリコン層２０が底面及び側壁を含む溝表面」二に 最初に形成される。　ＳｉＯ□層はまたもし必要ならば層１３を先に除去するこ とにより、溝から横方向にシリコン基体の表面に沿って延びてもよい。もしホウ 素が溝を囲む水平面中にその後移動するのを防止することが望ましいならば、シ リコン窒化物層１３は保持できる。５ｉｎｔ層は本発明で二つの重要な目的を果 す、第１に、それはその後堆積させたポリシリコン層からのホウ素の拡散の、良 好な制御を可能にする。これはホウ素の拡散速度が、シリコン基体又はポリシリ コンソース層中より酸化物中で本質的に小さいためである。更に、拡散の制御は 以下で述べる加熱工程中の雰囲気を選択することにより行える。すなわち、水蒸 気雰囲気は二酸化シリコン層を通してのホウ素の拡散を促進するが、乾燥雰囲気 は二酸化シリコンを通してのホウ素の拡散を、本質的に下る。たとえば、乾燥雰 囲気に比べ、水蒸気雰囲気中では１０倍以上の拡散速度の差が得られる。“乾燥 雰囲気′は乾燥酸素又は不活性ガスでよい、後者はポリシリコン層３０が更に酸 化されるのも防止し、下のシリコン基体１０が酸化されるのを防止する。不活性 雰囲気は更に乾燥酸素雰囲気に比ベニ酸化シリコンを通してのホウ素の拡散速度 も下げる。この程度に拡散が制御できることは、以下で述べる目的に、非常に有 利である。

二酸化シリコン層２０の第２の目的は、」―のポリシリコン層３０を除くことが 必要な時、エツチングの１．性を作ることである。、ｔぜならば、周知のエツチ ング技術により、ポリシリコンと二酸化シリコン間で、良好なエツチング選択性 が得られるからである。すなわち、二酸化シリコンは”エッチ停止″の働きをす ることができるい更に、二酸化シリコン層それ自身を除去する必要があるならば 、それはシリコン基体をエッチ停止用に用いて、周知のエツチング技術により達 成することができる。たとえば、典型的な場合フッ化アンモニウムとフン化水素 酸の混合物である緩衝ＨＦは、Ｓｉの存在下でＳｉＯ□をエツチングする時、非 常に大きなエツチング選択性を生じる。

５ｉ０２層２０は当業者には周知のプロセスにより、シリコン基体を０２ヌは水 蒸気のような酸化雰囲気中で加熱することによって形成できる。２５０オングス トロームという典型的な酸化物の厚さは、乾燥０２雰囲気中９５０℃で約３０分 間加熱することにより得られる。プラズマ補助酸化を用いることも知られており 、より低い加熱温度の使用庖可能にする。Ｓｉｎ、層はまたテトラエチルオルト シリケー）　（ＴＥ０１）の化学気相堆積のような堆積あるいは当業者には周知 の他の技術により形成し２てもよい。二酸化シリコン層の典型的な厚さは、１０ ０ないし５００オングストローム（１０ないし５０ナノメータ）の範囲である。

第３図を参照すると、ポリシリコン層３０が　Ｓｉｎ１層２０上に堆積されてい る。ポリシリコン層はホウ素ドーパントの源として働き、従ってここでは“ソー ス層”とよぶ。ポリシリコン層は当業者には周知の化学気相堆積（ＣＶＤ）技術 により堆積させてもよい、これらの技術は典型的な場合、ポリシリコンを溝表面 に適合して堆積させる。２０００ないし４０００オングストロームの範囲のポリ シリコンの厚さが、通常適当である。ホウ素ドーパントはポリシリコンが堆積さ れている時、同時にドーピングすることにより、ソース層３０中に導入してもよ い。これはたとえばＳｉを堆積させるためにシラン（ＳｉＨａ）を分解させるの に用いられる化学気相堆積雰囲気中にＢＢｒｓを含めることにより、実現できる 。

あるいは、ポリシリコン層を層２０上に層３０を堆積させた後、ホウ素を含むガ スに露出させてもよい。これにより周知の化学ブレディポジション技術によって 、ポリシリコンの表面上にホウ素ガラスが形成できる。

ソース層中にホウ素を導入する現在好ましい方法が、第４図に描かれている。こ の図において、イオンビーム４０がＢＦｓソースからのホウ素物質、典型的な場 合Ｂ又はＢｈを、ポリシリコン層３０中に注入する。物質及び注入エネルギーは 典型的な場合、酸化物［２０中に延びることなくホウ素がポリシリコン層中に注 入されるように選択される。約３０Ｋｅνの注入エネルギーが典型的である。ホ ウ素はもしイオンビームが図示されるように基板表面に垂直に向けられるなら、 基本的には図かられかるように水平面中に注入され、垂直側壁中には最初相対的 にほとんどつかない。

（基板は側壁中に余分のホウ素を含めるため、ある程度傾けてもよい、） 注入に続き、半専体基体は高温、典型的な場合４ミクロンの深さかそれ以下の溝 に対し約９５０℃に４時間加熱される。これは矢印４１．４２により示されるよ うに、速い固相拡散により、ポリシリコン層を通してより均一にホウ素を再分布 させる働きをする。ホウ素は溝の最上部及び底部両方で、水平表面から垂直側壁 中に拡散する。再分布を起させる加熱工程は乾燥雰囲気すなわち本質的な量の水 分子を含まない雰囲気中で行うのが望ましい、もし再分布中の温度が過度でなく 、典型的な場合１０００℃以下ならば、これにより酸化物を貫いて本質的な量の ホウ素が移動するのが防止される。雰囲気はこの工程にはまた不活性であること が望ましい、窒素又はアルゴン雰囲気で十分である。不活性雰囲気によりポリシ リコン層３０Ｌｙ）Ｍ化又はそれ以夕（の反応を起さず、ポリシリコン層中での 再分布が進む。

ホウ素をいずれかの方法によりソース１１３０中に導入した後、シリコン基体は ソース層３０からシリコン基体１０中へホウ素を移動させるため、高温で水蒸気 を含む雰囲気に露出させる。水蒸気を発生させるための従来技術の一つは、炉巾 に水蒸気を運ぶため、典型的な場合窒素をキャリヤガスとして用いる。もう一つ の周知の技術は、同時に１１□０を形成するため酸素と水素を高温反応で結合さ せるものである。典型的な場合、雰囲気は全圧が１気圧（７６０ｍｍＨｇ）又は それ以上であるとき、少くとも１０パーセントの水蒸気分圧を含む。移動工程中 二つのプロセスが起る。水蒸気は酸素を供給し、それは露出された表面から始ま り、ポリシリコン層３０を酸化させる。これによりポリシリコン層３０の露出さ れた部分中に“最上部“酸化物１ｉ５２が生成する。第５図を参照のこと、　５ ｊＯｚ／Ｓｉ界面５１はこのようにして層３０の露出された表面からシリコン基 板１０に向け、従っ°（Ｓｉｎ、層２０に向は内部方向に移動する。しかし、ホ ウ素はこの界面の酸化物側に向って偏析する。これは“最上部“酸化物が成長す るにつれ、残ったポリシリコン中のホウ素濃度を減少させる傾向がある。ソース 層３０のこの酸化は全体をＳｉＪに変えるまで続けるか、プロセスの途中で停止 させてよい。

水蒸気雰囲気中で起る第２のプロセスは、ソース層３０からＳｉＯ□層２０全２ ０、シリコン基体１０中へのホウ素の拡散である。

これは雰囲気中に水分子が存在することにより、著しく容易になる。これはＳｉ Ｏ□を貫いてのホウ素の拡散速度を増す、この第２のプロセスにより、ホウ素は 最上部酸化物層２０がポリシリコン上に成長するとき、それに向って拒絶される 傾向があるにもかかわらず、酸化物層２０を貫いて十分なホウ素が移動すること が本発明により見出された。この加熱工程はまた、ここでは“移動”工程とよば れ、その結果溝の底部及び垂直側壁中に比較的薄いホウ素の１ｉ５０ができる。

第５図を参照のこと。本発明の技術は以下の例により、より十分に示されるであ ろう。

厘工孤 ３５０オングストロームの厚さに成長した酸化物層２０を用いて、４０００オン グストロームの厚さのポリシリコン１１ｉ３０に、１×１０Ｉ＆原子／ｄのホウ 素をドープした。次にシリコン基体は９５０℃の水蒸気雰囲気中で３０分間、加 熱された。約２０００オングストロームのポリシリコンを酸化した。それにより ホウ素の一部がポリシリコン層からシリコン基体１０中に移され、約６Ｘ１０′ ？原子／Ｊの表面濃度をもつホウ素ドープ層５０が生じた。もしその後のドライ ブ−イン工程を用いるならば、濃度はドライブ−インの深さに従って減少する。

移動工程はまたもし二酸化シリコンを貫くホウ素の拡散速度を下げたいなら、乾 燥雰囲気中で行ってもよい。

鼾１ １５０オングストロームの厚さに成長させた酸化物層２０を用いて、４０００オ ングストロームの厚さのポリシリコン層３０にｌＸｌ０１ｈ原子／　ｃｄのホウ 素を注入した。それは乾燥酸素雰囲気９５０℃で１時間加熱された。これにより ホウ素が下のシリコン基体１０中に移され、９．ｌＸ１０１＆ホウ素原子／ｄの 表面ドーピングレベルを生じた。

従って、第■例に示されるように、相対的薄いＳ　ｉ　Ｏｚ　Ｎと先の水蒸気酸 化の場合（第１例）に比べ、乾燥酸素中での相対的長い加熱時間を用いることに より、有用な量のホウ素が移動する。本発明者は（酸化物層、加熱時間及び温度 など）他の条件が等しい場合、１気圧の水蒸気雰囲気を用いると乾燥酸素雰囲気 の場合より、典型的な場合約５０ないし１００倍のホウ素が移動すると見積る。

必要に応じて移動工程に続いて、シリコン基体１０中のホウ素ドープ領域の深さ を増すドライブ−イン工程が行われる。この拡大した領域が第６図で６０と示さ れている。拡大した領域中のホウ素濃度はそれに従い減少する。ソース層から更 にホウ素が移動するのを減すか防止するため、ドライブ−イン工程は乾燥雰囲気 中で行われる。シリコン基体１０のそれ以上の酸化を防止するため、ドライブ− イン用の雰囲気も不活性であることが望ましい。

Ｓ４０２層２０は雰囲気の関数としてそれを貫くホウ素の移動が制御できるため 、ドーピングプロセスの制御性も改善されることは明らかである。ホウ素拡散の 程度は、当業者には周知の拡散モデルに従い、ドライブ−イン工程の与えられた 時間及び温度に対し、見積ることができる。加熱中の雰囲気を選択することに加 え、酸化物及びポリシリコン層の厚さ、及び注入ドーズにより、制御の程度が加 わる。移動及びドライブ−イン条件を適当に選ぶことにより、広範囲のホウ素濃 度、典型的な場合少くともｌＸｌ０１６ないしｌＸｌ０”°原子／ｄが得られる 。これにはｌＸｌ０”ないし５Ｘ１０”原子／Ｃ艷の溝側壁ドーピングに最も適 した範囲が含まれ、ソース及びドレイン領域等の場合のより高濃度範囲も含まれ るｅ　５ｉｉＮａ　Ｎ　１３が保持されている領域（たとえば溝の最上部）にお いては、シリコン基体１０中へのホウ素の移動は阻止される。

二つの隣接した溝容量を分離することが望ましいならば、ドライブ−インは典型 的な場合、動作中隣接した溝の空乏領域の重畳を防止するのに十分なように進め る。

各種のプロセスがホウ素ドーピング工程に続いてもよい。たとえば、容量を形成 するため、ポリシリコンソース層３０及び５ｉＯ１Ｎ２０の最上部酸化物部分５ ２は、緩衝ＨＦ中でエツチングすることにより除去してもよい、第７図を参照の こと。もしポリシリコンソース層の未酸化部分が存在するなら、最上部酸化物の 除去に続き、ＫＯＨ化学エツチング又は当業者には周知の乾式エツチング技術に より、それは除去してもよい。層３０及び２０の除去に続き、容量のプレート及 びｎ−チャ、ネルアクセストランジスタ（図示されていない）のソース領域に接 触させるため、また“高−Ｃ”容量セルを形成するため、ｎ゛　ドープ領域８０ を形成してもよい、第８図を参照のこと。この目的のため、領域８０をｎ　−チ ャネルアクセストランジスタのソース／ドレイン領域に接続する目的で、溝の形 成前にもう一つのｎ″領域８１を形成してもよい、ｒｉ”領域８０．８１は上で 引用した米国特許第４．４７２．２１２号に述べられているような従来技術によ り生成してもよい。

もし、非高Ｃ容量を作成することが望ましいならば、ｎ゛層８０．８１を省くこ とができる。すると、容量はｎ°層の代りに・溝の周囲の駆動トランジスタのソ ースから延びる反転層により、電気的に駆動される。いずれの場合も、層１３は 必要に応じて除いてもよい、容量用の誘電体は５ｒＯｘ層９０を形成するため、 溝のドープされた側壁を含む露出されたシリコンを酸化することにより、形成し てもよい。第９図を参照のこと、もし必要ならば、二重誘電体（図示されていな い）を形成するため、その上にシリコン窒化物層を堆積させることができる。第 １０図に示されるように、ドープされたポリシリコン層１００のような容量の内 部プレートとして働かせるため、他の工程で導／’Ｍｌ　ｂＭ域を形成すること ができる。酸化物層１！Ｊｉ（図示されていない）とそれに続く追加された比較 的厚いポリシリコン層の堆積及びそれに続く非等方性反応性イオンエツチングは 、溝中の残った空間を満す平坦化領域１０１を形成するために用いることができ る。

容量を形成するための一連のドーピング工程は、変えてもよい。

第１１図に示されるように、本技術を適用する前に、シリコン溝中にｎ’　７１ １１０を最初形成してもよい。次にホウ素ｐ°　ドープ領３／ｉ（図示されてい ない）を得るために、第２−６図について上で述べたプロセス工程を用いてもよ い。シリコン中のホウ素の拡散係数はｎ−ドーパント形素より大きいから、ドラ イブ−イン工程によりｎ″領域りシリコン基体１０中に更に延びるｐ″領域作る ことができる。また、ｎ゛　ドーピングレベルは典型的な場合、ｐ゛レベルり高 いから、側壁の表面付近は正味のｎ゛　ドーパント形となる。これにより第３図 に示されるようなＳｉ０２層２０及びソース層３０が存在するとともに、第８図 に示されるようにドープされた構造が生じる０次に、これらの後者の二つの層は 、もし必要ならばシリコン基体上に残ってもよい、たとえば、層２０は容量の誘 電体として働かせてもよい、また・ポリシリコンソース層３０の残った未酸化部 分は、容量のプレートとＬＴＩ用いてもよい。これは最上部酸化物層５２を除去 することにより、促進してもよい、もし容量をｐ−チャネルトランジスタにより 駆動するならば、ドライブ−イン条件を適切に選択するか、ドライブ−イン工程 を除くことにより、溝側壁の表面付近にｎ″領域はなく、ｐ″領域形成するため に本技術を用いてもよいことは明らかである。

上で述べたように、本技術はまた能動デバイス間の分局を溝の側壁をドープする ためにも用いることができる。たとえば、相補金属酸化物シリコン（ＣＭＯ３） ｇ積回路用の分離溝は、ｎ及びｐタブ領域間の浮遊電界による反転を防止するた め、高温度ドープｎ°及びｐ゛側壁用いてもよい。第１２図を参照すると、ｐ’ −タブ１２２に接する側壁」−にｐ”ｌ域１２０を形成するために、本技術を用 いることができる。更に、同じｐ−タブ内のデバイス間の分離溝の壁は、本技術 によりドープしてもよい。その場合、溝の両方の壁はｐ゛　ドープでよい。

これまでは本技術の利点について、比較的得にくい垂直側壁のドーピングに重点 をおいてきた。この場合、ポリシリコンが適合して堆積すること及びドーパント の移動の制御性が、非常に有利である。しかし、本技術はｐ−チャネル電界効果 トランジスタのソース及びドレインのような水平シリコン表面をドープするため に用いてもよい、ホウ素の移動の制御性も、そこでは有利である。

また、本技術はシリコン基体の直後のイオン注入を避ける。従って、本技術によ りシリコン基体に対するイオン損傷が本質的にない。更に、もしシリコン基体中 にドーパントを直接イオン注入する場合より、接合深さはより浅くなる可能性が ある。また、本技術により生じるホウ素ドーピング濃度は、シリコン基体の表面 付近で最も高く、その中で深さとと５）に共生する。Ｊのことは゛（ｌｊ：１度 ドープドレイン”椹ｉ貴を４成するため、又はそれが表面で良好な電気的接触を 、ＴＪ能に］るので他の目的のため、しばしば望ましい、（ぞハ、に対して、直 接のイオン注入は典型的な場合、表向以下のある点で−１最大トーバン１１度を １４しる。）最後に、ホウ素の活性化は別のコー程を用いず、本技術の移動工程 中実現し′Ｃもよい。

国際調査報告 一一猷−−＾ｅ＋＋１＋−ＩＩ−ｘａ、ＰＣＴ／Ｉｔｓ　８５１０２５０１

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. １．シリコン基体１０へのホウ素のドーピング方法において、前記基体の表面上 に二酸化シリコンの層２０を形成し、二酸化シリコンの前記層上にポリシリコン の層３０を堆積させ、前記ポリシリコン中にホウ素を導入し、ポリシリコンの前 記層から二酸化シリコンの前記層を通して前記シリコン基体中に、前記ホウ素の 一部を移動させるため、前記基体を加熱することを特徴とする方法。
2. ２．請求の範囲第１項に記載された方法において、前記加熱中ホウ素の前記移動 を促進するのに有効な量だけ水分子の源を供給することを特徴とする方法。
3. ３．請求の範囲第２項に記載された方法において、水分子の前記源は前記加熱中 、前記基体を囲む雰囲気中の水蒸気であることを特徴とする方法。
4. ４．請求の範囲第２項に記載された方法において、前記移動の後前記シリコン基 体中に前記ホウ素を拡散させるため、不活性雰囲気中て前記シリコン基体を加熱 する工程が更に含まれることを特徴とする方法。
5. ５．請求の範囲第４項に記載された方法において、前記シリコン中に拡散した前 記ホウ素の濃度は、１×１０１６ないし５×１０１７原子／ｃｍ２の範囲である ことを特徴とする方法。
6. ６．請求の範囲第１項に記載された方法において、前記表面は前記シリコン基体 の主表面に本質的に垂直であることを特徴とする方法。
7. ７．請求の範囲第６項に記載された方法において、前記ホウ素は前記ポリシリコ ンの前記堆積中、前記ポリシリコン中に導入されることを特徴とする方法。
8. ８．請求の範囲第６項に記載された方法において、前記ホウ素は前記ポリシリコ ン層のホウ素を本質的に注入しない第３の部分により分離された第１及び第２の 部分にホウ素を注入し、その後前記第３の部分中にホウ素を再分布させるため、 前記ポリシリコン層を加熱する工程により、前記ポリシリコン中に前記ホウ素を 導入させることを特徴とする方法。
9. ９．請求の範囲第６項に記載された方法において、前記第１及び第２の部分は前 記シリコン基体中に形成された溝の最上部及び底部表面上に配置され、前記第３ の部分は前記溝に本質的に垂直な側壁上に配置されていることを特徴とする方法 。
10. １０．請求の範囲第１項に記載された方法において、前記シリコン基体から前記 二酸化シリコン層を除去する工程が更に含まれることを特徴とする方法。
11. １１．請求の範囲第１０項に記載された方法において、前記二酸化シリコン層を 除去する前記工程の後、前記シリコン基体の表面を酸化する工程が更に含まれる ことを特徴とする方法。
12. １２．請求の範囲第１１項に記載された方法において、前記シリコン基体の酸化 された表面上に、導電性層を形成する工程が更に含まれ、前記導電性層は蓄積容 量のプレートを形成するのに適していることを特徴とする方法。
13. １３．請求の範囲第１１項に記載された方法において、前記シリコン基体の酸化 された表面上に、シリコン窒化物の層を形成する工程が更に含まれることを特徴 とする方法。
14. １４．請求の範囲第１３項に記載された方法において、シリコン窒化物の前記層 上に導電性層を形成する工程が更に含まれ、前記導電性層は蓄積容量のプレート を形成するのに適していることを特徴とする方法。
15. １５．請求の範囲第１項に記載された方法において、蓄積容量の誘電体として働 かせるため、前記シリコン基体上に二酸化シリコンの少くとも前記層を保持する ことを特徴とする方法。
16. １６．請求の範囲第１５項に記載された方法において、ポリシリコンの前記層の 一部は、二酸化シリコンの前記層上に保持され、蓄積容量のプレートを形成する のに適していることを特徴とする方法。
17. １７．請求の範囲第１項に記載された方法において、二酸化シリコンの前記層の 厚さは少くとも１００オングストロームであることを特徴とする方法。