JPH01239867A - 絶縁膜上半導体の形成方法 - Google Patents
絶縁膜上半導体の形成方法Info
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- JPH01239867A JPH01239867A JP6637788A JP6637788A JPH01239867A JP H01239867 A JPH01239867 A JP H01239867A JP 6637788 A JP6637788 A JP 6637788A JP 6637788 A JP6637788 A JP 6637788A JP H01239867 A JPH01239867 A JP H01239867A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（既要〕
絶縁膜上半導体の形成方法に係り、特に半導体基板への
酸素イオン或いは窒素イオン注入により形成される埋込
絶縁膜上半導体の形成方法に関し。
酸素イオン或いは窒素イオン注入により形成される埋込
絶縁膜上半導体の形成方法に関し。
埋込絶縁膜の厚さを大きくして基板電位の影８を抑える
ことを目的とし。
ことを目的とし。
半導体基板１表面から酸素イオン或いは窒素イオンを注
入して該基板中に注入イオン高）壱度領域３を形成する
工程と、該基板を熱処理して該注入イオン高濃度領域に
埋込絶縁膜４を形成し且つ該絶縁膜から該基板表面に至
る半導体層５の内部歪みを除去する工程と、該基板上の
素子形成領域１３外に開口を有し前記埋込絶縁膜に達す
る導１０を形成する工程と、前記埋込絶縁膜を選択的に
エツチングして、前記素子形成領域の下部に該領域より
広い内部空洞１１を形成する工程と、咳）１１１の周囲
及び該内部空洞の周囲を熱酸化して該内部空洞を埋め埋
込酸化膜４１を形成する工程とを含む絶縁膜上半導体の
形成方法をもって構成する。
入して該基板中に注入イオン高）壱度領域３を形成する
工程と、該基板を熱処理して該注入イオン高濃度領域に
埋込絶縁膜４を形成し且つ該絶縁膜から該基板表面に至
る半導体層５の内部歪みを除去する工程と、該基板上の
素子形成領域１３外に開口を有し前記埋込絶縁膜に達す
る導１０を形成する工程と、前記埋込絶縁膜を選択的に
エツチングして、前記素子形成領域の下部に該領域より
広い内部空洞１１を形成する工程と、咳）１１１の周囲
及び該内部空洞の周囲を熱酸化して該内部空洞を埋め埋
込酸化膜４１を形成する工程とを含む絶縁膜上半導体の
形成方法をもって構成する。
本発明は絶縁膜上半導体の形成方法に係り、特に半導体
基板への酸素イオン或いは窒素イオン注入により形成さ
れる埋込絶縁膜上の半導体の形成方法に関する。
基板への酸素イオン或いは窒素イオン注入により形成さ
れる埋込絶縁膜上の半導体の形成方法に関する。
かかる半導体のデバイスでは、基板電位が埋込絶縁股上
に形成されるデバイスの特性に影響するが、それを防ぐ
ため５埋込絶縁膜の厚さを大きくすることが要求される
。このため、埋込絶縁膜を厚く形成する方法を開発する
必要がある。
に形成されるデバイスの特性に影響するが、それを防ぐ
ため５埋込絶縁膜の厚さを大きくすることが要求される
。このため、埋込絶縁膜を厚く形成する方法を開発する
必要がある。
裔集積回路形成技術において素子分離が完全に達成され
る絶縁膜上半導体（Ｓ’Ｏｒ）構造は非常に有用である
。その中でも酸素イオンを用いたＳ Ｉ Ｍ ＯＸ （
Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏ
Ｘｙｇｅｎ）技術はイオン注入装置の開発と相まって有
望視される。従来のＳＩＭＯＸ技術による絶縁膜上半導
体の形成方法を第２図を参照して説明する。
る絶縁膜上半導体（Ｓ’Ｏｒ）構造は非常に有用である
。その中でも酸素イオンを用いたＳ Ｉ Ｍ ＯＸ （
Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏ
Ｘｙｇｅｎ）技術はイオン注入装置の開発と相まって有
望視される。従来のＳＩＭＯＸ技術による絶縁膜上半導
体の形成方法を第２図を参照して説明する。
第２図（ａ）参照
まずシリコン基板Ｉの表面に０．１ μｍ厚の熱酸化膜
２を形成した後、上から酸素イオンを加速電圧１５０ｋ
ｅＶ、 ドーズｆｆ１１．２ Ｘ １０ ”ｃｎｎ−
２で注入し。
２を形成した後、上から酸素イオンを加速電圧１５０ｋ
ｅＶ、 ドーズｆｆ１１．２ Ｘ １０ ”ｃｎｎ−
２で注入し。
酸素イオン高濃度領域３を形成する。この領域は熱酸化
膜２表面から凡そ０．１５乃至０．６μｍの深さに形成
される。
膜２表面から凡そ０．１５乃至０．６μｍの深さに形成
される。
第２図（ｂ）参照
窒素（Ｎ２）中で１１５０℃、２時間の熱処理を行う。
この処理により酸素イオン高濃度領域３の酸素はシリコ
ンと結合して安定化し熱酸化膜２表面から ０．３乃至
０．５μｍの深さに埋込酸化膜４を形成する。またこの
熱処理により、埋込酸化膜４上のシリコン層５は酸素イ
オン注入の際に生じた内部歪みを解放してイオン注入前
の結晶状態を回復する。この後熱酸化膜２をエツチング
して除去する。
ンと結合して安定化し熱酸化膜２表面から ０．３乃至
０．５μｍの深さに埋込酸化膜４を形成する。またこの
熱処理により、埋込酸化膜４上のシリコン層５は酸素イ
オン注入の際に生じた内部歪みを解放してイオン注入前
の結晶状態を回復する。この後熱酸化膜２をエツチング
して除去する。
第２図（ｃ）参照
シリコン層５の上にシラン（ＳｉＨ４）ガスを供給して
１０５０℃でシリコンエピタキシャル成長を行い、約１
μｍ厚のシリコンエピタキシャル成長層６を形成する。
１０５０℃でシリコンエピタキシャル成長を行い、約１
μｍ厚のシリコンエピタキシャル成長層６を形成する。
この後シリコンエピタキシャル成長層６の中にトランジ
スタ等の素子を形成するのであるが、この絶縁膜上半導
体構造のトランジスタにおいては構造的に埋込酸化膜４
がバックゲートを形成し。
スタ等の素子を形成するのであるが、この絶縁膜上半導
体構造のトランジスタにおいては構造的に埋込酸化膜４
がバックゲートを形成し。
下のシリコン基板の電位によって上部のトランジスタの
闇値電圧、ドレイン耐圧等の緒特性が影響を受ける。こ
のため、シリコン基板の電位変動の影響を抑えて素子特
性を安定化させるためには埋込酸化膜４を厚くする必要
がある。
闇値電圧、ドレイン耐圧等の緒特性が影響を受ける。こ
のため、シリコン基板の電位変動の影響を抑えて素子特
性を安定化させるためには埋込酸化膜４を厚くする必要
がある。
埋込酸化膜４を厚くするためには高加速電圧。
大電流のイオン注入装置を用いればよいが、現行技術で
かかる装置の実現は未だ難しい。また、かかる装置が得
られたとしても、高加速電圧、大電流のイオン注入はシ
リコン基板の表面に大きな結晶欠陥を生じせしめ、その
後熱処理したとしても結晶性の悪化が避けられず、さら
に埋込酸化膜４とシリコン層５の界面でダングリングボ
ンドが形成され界面準位が増加することによる素子特性
の変動も避けられない。
かかる装置の実現は未だ難しい。また、かかる装置が得
られたとしても、高加速電圧、大電流のイオン注入はシ
リコン基板の表面に大きな結晶欠陥を生じせしめ、その
後熱処理したとしても結晶性の悪化が避けられず、さら
に埋込酸化膜４とシリコン層５の界面でダングリングボ
ンドが形成され界面準位が増加することによる素子特性
の変動も避けられない。
本発明は従来のイオン注入装置を用い、しかも厚い埋込
酸化膜を得る方法を提供することを目的とする。
酸化膜を得る方法を提供することを目的とする。
半導体基板１表面から酸素イオン或いは窒素イオンを注
入して該基板中に注入イオン高濃度領域３を形成する工
程と、該基板を熱処理して該注入イオン高濃度領域に埋
込絶縁膜４を形成し且つ該絶縁膜から該基板表面に至る
半導体層５の内部歪みを除去する工程と、該基板上の素
子形成領域１３外に開口を有し前記埋込絶縁膜に達する
溝１０を形成する工程と、前記埋込絶縁膜を選択的にエ
ツチングして、前記素子形成領域の下部に該領域より広
い内部空洞１１を形成する工程と、該溝の周囲及び該内
部空洞の周囲を熱酸化して該内部空洞を埋め埋込酸化膜
４１を形成する工程とを含む絶縁膜上半導体の形成方法
により」二記課題は解決される。
入して該基板中に注入イオン高濃度領域３を形成する工
程と、該基板を熱処理して該注入イオン高濃度領域に埋
込絶縁膜４を形成し且つ該絶縁膜から該基板表面に至る
半導体層５の内部歪みを除去する工程と、該基板上の素
子形成領域１３外に開口を有し前記埋込絶縁膜に達する
溝１０を形成する工程と、前記埋込絶縁膜を選択的にエ
ツチングして、前記素子形成領域の下部に該領域より広
い内部空洞１１を形成する工程と、該溝の周囲及び該内
部空洞の周囲を熱酸化して該内部空洞を埋め埋込酸化膜
４１を形成する工程とを含む絶縁膜上半導体の形成方法
により」二記課題は解決される。
本発明では半導体基板１上の素子形成領域１３外に開口
を有し埋込絶縁膜４に達する溝１０を形成する。該溝か
ら該埋込絶縁膜を選択的にエツチングして素子形成領域
の下部に該領域より広い内部空洞１１を形成する。エツ
チング液としては例えば弗酸系エツチング液が酸化膜に
対するｊｘ沢性゛が高いので効果的に使用することがで
きる。その後、該溝の周囲及び該内部空洞の周囲を熱酸
化すると、シリコンは酸化して二酸化シリコンになる時
体積がほぼ２倍に膨張する。それゆえ、熱酸化の進行に
つれて該溝の周囲及び該内部空洞の周囲が空間を狭める
ように移動して、遂には前記内部空洞は酸化膜で埋まり
埋込酸化膜４１が形成される。かくして前の工程で注入
イオン高心度領域に形成された埋込絶縁膜４の約２倍の
膜厚をもつ埋込酸化膜４１が形成される。
を有し埋込絶縁膜４に達する溝１０を形成する。該溝か
ら該埋込絶縁膜を選択的にエツチングして素子形成領域
の下部に該領域より広い内部空洞１１を形成する。エツ
チング液としては例えば弗酸系エツチング液が酸化膜に
対するｊｘ沢性゛が高いので効果的に使用することがで
きる。その後、該溝の周囲及び該内部空洞の周囲を熱酸
化すると、シリコンは酸化して二酸化シリコンになる時
体積がほぼ２倍に膨張する。それゆえ、熱酸化の進行に
つれて該溝の周囲及び該内部空洞の周囲が空間を狭める
ように移動して、遂には前記内部空洞は酸化膜で埋まり
埋込酸化膜４１が形成される。かくして前の工程で注入
イオン高心度領域に形成された埋込絶縁膜４の約２倍の
膜厚をもつ埋込酸化膜４１が形成される。
また、従来のＳＩＭＯＸ技術では埋込絶縁膜４の形成を
酸素イオン注入とそれに続く窒素中熱処理により行うた
め、注入酸素のシリコン基板中での濃度プロフィルが低
濃度領域まで尾を引き、そこでは完全な二酸化シリコン
になり得ずダングリングボンドが形成され界面単位の増
大をもたらしたが１本発明ではその領域をすべて熱酸化
してしまうためかかる界面単位は非常に少な（なる。
酸素イオン注入とそれに続く窒素中熱処理により行うた
め、注入酸素のシリコン基板中での濃度プロフィルが低
濃度領域まで尾を引き、そこでは完全な二酸化シリコン
になり得ずダングリングボンドが形成され界面単位の増
大をもたらしたが１本発明ではその領域をすべて熱酸化
してしまうためかかる界面単位は非常に少な（なる。
以下第１図を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第１図（ａ）参照
まず半導体基板としてシリコン基板１の表面に０．１
μｍ厚の熱酸化膜２を形成した後、その上から酸素イオ
ンを加速電圧１５０ｋｅＶ、 ドーズＢｔ１．２ Ｘ
ｌ ０１８ｃｍ−２で注入し、酸素イオン高濃度領域３
を形成する。この領域は熱酸化膜１の表面から凡そ０．
１５乃至０．６μｍの深さに形成される。
μｍ厚の熱酸化膜２を形成した後、その上から酸素イオ
ンを加速電圧１５０ｋｅＶ、 ドーズＢｔ１．２ Ｘ
ｌ ０１８ｃｍ−２で注入し、酸素イオン高濃度領域３
を形成する。この領域は熱酸化膜１の表面から凡そ０．
１５乃至０．６μｍの深さに形成される。
第１図（ｂ）参照
窒素（Ｎ２）中で１１５０℃、２時間の熱処理を行う。
この処理により酸素イオン高）ｚ度領域３の酸素はシリ
コンと結合して安定化し熱酸化膜表面から ０．３乃至
０．５μｍの深さに埋込酸化膜４を形成する。またこの
熱処理により埋込酸化膜４上のシリコン層５は酸素イオ
ン注入の際に生じた内部歪みを解放してイオン注入前の
結晶状態を回復する。この後熱酸化膜２をエツチングし
て除去する。
コンと結合して安定化し熱酸化膜表面から ０．３乃至
０．５μｍの深さに埋込酸化膜４を形成する。またこの
熱処理により埋込酸化膜４上のシリコン層５は酸素イオ
ン注入の際に生じた内部歪みを解放してイオン注入前の
結晶状態を回復する。この後熱酸化膜２をエツチングし
て除去する。
第１図（ｃ）参照
シリコン層５の上にシラン（ＳｉＨａ ）ガスを供給し
て１０５０℃でシリコンエピタキシャル成長を行い、約
１μｍ１７−のシリコンエピタキシャル成長層６を形成
する。
て１０５０℃でシリコンエピタキシャル成長を行い、約
１μｍ１７−のシリコンエピタキシャル成長層６を形成
する。
本実施例のここまでの・工程は従来のＳ Ｔ Ｍ Ｏ：
＜技術と同様の方法を用いている。
＜技術と同様の方法を用いている。
第１図（ｄ）参照
シリコンエピタキシャル成長層６の表面を９００℃で熱
酸化して０．０５μｍｒｇ−のシリコン酸化膜今を形成
した後、化学気相成長法により０．０５μｍ厚のシリコ
ン窒化膜８を堆積する。
酸化して０．０５μｍｒｇ−のシリコン酸化膜今を形成
した後、化学気相成長法により０．０５μｍ厚のシリコ
ン窒化膜８を堆積する。
第１図（ｅ）参照
レジスト９を用いて素子形成領域外に幅２μｍ１長さ３
０μｍの溝形をパターニングする。該長さは素子形成領
域の長さよりも太き（する。このレジストパターンを用
いてシリコン窒化膜８．シリコン酸化１１５ｆ７．
シリコンエピタキシャル成長層６゜シリコン層５をドラ
イエツチングして埋込酸化膜４の表面を露出して溝１０
を形成する。
０μｍの溝形をパターニングする。該長さは素子形成領
域の長さよりも太き（する。このレジストパターンを用
いてシリコン窒化膜８．シリコン酸化１１５ｆ７．
シリコンエピタキシャル成長層６゜シリコン層５をドラ
イエツチングして埋込酸化膜４の表面を露出して溝１０
を形成する。
第１図（ｆ）参照
溝１０を通して埋込酸化膜４を弗酸系エツチング液によ
り横方向に３０μｍ程度エソヂングする。
り横方向に３０μｍ程度エソヂングする。
該エツチングにより、素子形成領域の下部に該領域より
広い内部空洞１１が形成される。該内部空洞は溝１０の
両側に形成されるが、第１図（ｆ）はその片側に主眼を
おいて示している。
広い内部空洞１１が形成される。該内部空洞は溝１０の
両側に形成されるが、第１図（ｆ）はその片側に主眼を
おいて示している。
第１図（ｇ）参照
全体を１０００°Ｃのウェット酸素中で５０分熱酸化す
る。内部空洞１１は完全に二酸化シリコンで埋められ、
厚さ０．４乃至０．５μｍの埋込酸化膜４１が形成され
る。
る。内部空洞１１は完全に二酸化シリコンで埋められ、
厚さ０．４乃至０．５μｍの埋込酸化膜４１が形成され
る。
第１図（ｈ）参照
シリコン窒化膜８及びシリコン酸化膜７を除去する。
第１図、（ｉ）参照
レジスト９１を用いて素子形成領域１３の周囲に幅２μ
ｍの１−レンチ１２を形成するためのバターニングを行
う。該トレンチは該素子形成領域を他のシリコンエピタ
キシャル成長層領域から分離するためのものであり、既
に形成されている講１０もその分離に利用できるので、
植溝及び該トレンチで該素子形成領域を囲むように形成
する。
ｍの１−レンチ１２を形成するためのバターニングを行
う。該トレンチは該素子形成領域を他のシリコンエピタ
キシャル成長層領域から分離するためのものであり、既
に形成されている講１０もその分離に利用できるので、
植溝及び該トレンチで該素子形成領域を囲むように形成
する。
レジスト９１に形成されたパターンを用いてシリコンエ
ピタキシャル成長層６及び埋込酸化膜４１の一部をドラ
イエツチングしてトレンチ１２を形成する。
ピタキシャル成長層６及び埋込酸化膜４１の一部をドラ
イエツチングしてトレンチ１２を形成する。
第１図（ｊ）参照
レジスト９１を除去する。素子形成領域１３の下部には
厚さ０．４乃至０．５μｍの埋込酸化膜４１が存在する
。かくして他のシリコンエピタキシャル成長層領域から
完全に隔離された一辺が３０μｍ弱のほぼ正方形の素子
形成領域１３が形成される。
厚さ０．４乃至０．５μｍの埋込酸化膜４１が存在する
。かくして他のシリコンエピタキシャル成長層領域から
完全に隔離された一辺が３０μｍ弱のほぼ正方形の素子
形成領域１３が形成される。
該素子形成領域に素子を形成した後、全体にパッシベー
ション用のリンガラス（ＰＳＧ）を厚さ１μｍ程度堆積
する。この詩情１０及びトレンチ１２もリンガラスで埋
込まれる。
ション用のリンガラス（ＰＳＧ）を厚さ１μｍ程度堆積
する。この詩情１０及びトレンチ１２もリンガラスで埋
込まれる。
なお２本発明では最初のイオン注入は酸素イオンに瞑ら
ず、イオン注入層を半導体基板に対して選択的にエツチ
ング出来るのであれば酸素イオン以外のイオン、例えば
窒素イオンの注入でもよい。
ず、イオン注入層を半導体基板に対して選択的にエツチ
ング出来るのであれば酸素イオン以外のイオン、例えば
窒素イオンの注入でもよい。
以上説明した様に１本発明によれば、従来のＳＩＭＯＸ
技術による埋込酸化膜の２倍以上の厚さの埋込酸化膜を
持つ絶縁膜上半導体（Ｓ○■）構造を得ることができる
。これにより、基板電位の影客の小さい素子を実現する
ことができる。
技術による埋込酸化膜の２倍以上の厚さの埋込酸化膜を
持つ絶縁膜上半導体（Ｓ○■）構造を得ることができる
。これにより、基板電位の影客の小さい素子を実現する
ことができる。
また２本発明によれば、従来のＳＩＭＯＸ技術によるよ
りも界面準位を大幅に減少させ、素子の特性を大幅に向
上させることができる。
りも界面準位を大幅に減少させ、素子の特性を大幅に向
上させることができる。
第１図（ａ）乃至第１図（ｊ）は実施例。
第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は従来例である。図にお
いて。 １は半導体基板であり、シリコン基板。 ２は熱酸化膜。 ３は注入イオン高濃度領域であり、酸素イオン高ン農度
領域。 ４．４１は埋込絶縁膜であり、埋込酸化膜。 ５は半導体層であり、シリコン層。 ６はシリコンエピタキシャル成長層。 ７はシリコン酸化膜１ ８はシリコン窒化膜。 ９．９１はレジスト １０は溝。 １１は内部空洞１ １２はトレンチ。 １３は素子形成領域 （ａ） （ｂ） （Ｃ） ンζ、 才をとイ列 第１０（１の１） （ｄ） （ｅ） 突 誇 ヂ多”Ｊ 嫡１０ＯｔＡ２） （ｈン 文先ｆ列 第１国（るｔｙ＞３） 飯虎介”１ 垢１ 凶 （−ｊｚｎ４−）
いて。 １は半導体基板であり、シリコン基板。 ２は熱酸化膜。 ３は注入イオン高濃度領域であり、酸素イオン高ン農度
領域。 ４．４１は埋込絶縁膜であり、埋込酸化膜。 ５は半導体層であり、シリコン層。 ６はシリコンエピタキシャル成長層。 ７はシリコン酸化膜１ ８はシリコン窒化膜。 ９．９１はレジスト １０は溝。 １１は内部空洞１ １２はトレンチ。 １３は素子形成領域 （ａ） （ｂ） （Ｃ） ンζ、 才をとイ列 第１０（１の１） （ｄ） （ｅ） 突 誇 ヂ多”Ｊ 嫡１０ＯｔＡ２） （ｈン 文先ｆ列 第１国（るｔｙ＞３） 飯虎介”１ 垢１ 凶 （−ｊｚｎ４−）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１）表面から酸素イオン或いは窒素イオ
ンを注入して該基板中に注入イオン高濃度領域（３）を
形成する工程と、 該基板を熱処理して該注入イオン高濃度領域に埋込絶縁
膜（４）を形成し且つ該絶縁膜から該基板表面に至る半
導体層（５）の内部歪みを除去する工程と、 該基板上の素子形成領域（１３）外に開口を有し前記埋
込絶縁膜に達する溝（１０）を形成する工程と、 前記埋込絶縁膜を選択的にエッチングして、前記素子形
成領域の下部に該領域より広い内部空洞（１１）を形成
する工程と、 該溝の周囲及び該内部空洞の周囲を熱酸化して該内部空
洞を埋め埋込酸化膜（４１）を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする絶縁膜上半導体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6637788A JPH01239867A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 絶縁膜上半導体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6637788A JPH01239867A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 絶縁膜上半導体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239867A true JPH01239867A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13314075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6637788A Pending JPH01239867A (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 絶縁膜上半導体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01239867A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658809A (en) * | 1994-03-23 | 1997-08-19 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | SOI substrate and method of producing the same |
| US6225663B1 (en) | 1996-06-14 | 2001-05-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having SOI structure and method of fabricating the same |
| JP2007531294A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 歪みシリコンオンインシュレータ構造を製造する方法およびそれによって形成された歪みシリコンオンインシュレータ構造 |
-
1988
- 1988-03-19 JP JP6637788A patent/JPH01239867A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658809A (en) * | 1994-03-23 | 1997-08-19 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | SOI substrate and method of producing the same |
| US6225663B1 (en) | 1996-06-14 | 2001-05-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having SOI structure and method of fabricating the same |
| US6509211B2 (en) | 1996-06-14 | 2003-01-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having SOI structure and method of fabricating the same |
| JP2007531294A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 歪みシリコンオンインシュレータ構造を製造する方法およびそれによって形成された歪みシリコンオンインシュレータ構造 |
| US8450806B2 (en) | 2004-03-31 | 2013-05-28 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating strained silicon-on-insulator structures and strained silicon-on insulator structures formed thereby |
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