JPS62289575A - 負の誘電異方性を持つ混合物の為の液晶化合物および該化合物の製造方法 - Google Patents
負の誘電異方性を持つ混合物の為の液晶化合物および該化合物の製造方法Info
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- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Steroid Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
本発明は、透過または反射する光の変調の為の並びに文
字、記号および動くまたは動かない図形を表示する為の
光学的装置で用いる負の誘電異方性混合物の為の液晶化
合物並びに該液晶化合物の製造方法に関する。
字、記号および動くまたは動かない図形を表示する為の
光学的装置で用いる負の誘電異方性混合物の為の液晶化
合物並びに該液晶化合物の製造方法に関する。
液晶化合物が光の変調並びに測定値の表示または情報の
メーションの表示の為に用いることのできることは公知
である。これらの方法の原理は、液晶物質の薄い層の配
向方向を電場を負荷することによって変え得るさことに
ある。液晶物質の配向方向の変更は光学的挙動(複屈折
、捩じれ、光吸収性)の変更に関連している(11゜T
obias: Internationa )!and
book of LoquidCrystals Di
splay 1975〜76、Ovum Ltd、 、
0ンドン、1976)。
メーションの表示の為に用いることのできることは公知
である。これらの方法の原理は、液晶物質の薄い層の配
向方向を電場を負荷することによって変え得るさことに
ある。液晶物質の配向方向の変更は光学的挙動(複屈折
、捩じれ、光吸収性)の変更に関連している(11゜T
obias: Internationa )!and
book of LoquidCrystals Di
splay 1975〜76、Ovum Ltd、 、
0ンドン、1976)。
従来、融点、清澄点、電気光学的闇値電圧、導電性、光
学的異方性、粘度並びに熱的−および化学的安定性に関
して要求される技術的性質を大体の程度でも存する純粋
化合物は知られていない。それ故に各成分を意図的に選
択してそれぞれの用途目的に性質を適合させられた混合
物が例外なく用いられている。混合物の性質を意図的に
変更し得る為には、有利な性質を持つ新規化合物が何時
でも必要とされている。
学的異方性、粘度並びに熱的−および化学的安定性に関
して要求される技術的性質を大体の程度でも存する純粋
化合物は知られていない。それ故に各成分を意図的に選
択してそれぞれの用途目的に性質を適合させられた混合
物が例外なく用いられている。混合物の性質を意図的に
変更し得る為には、有利な性質を持つ新規化合物が何時
でも必要とされている。
従来から使用されている物質では容易に満足できない要
求は、広い温度範囲に渡って負の誘電異方性を持つ混合
物を製造することである。
求は、広い温度範囲に渡って負の誘電異方性を持つ混合
物を製造することである。
これは特に、充分に多数の混合成分が負の誘電異方性(
Δε<−2)および固体状態での再混合性を有している
ことが重要である。それによって、混合した際に共融タ
イプの状態図式を生じそしてそれによって液晶層の存在
範囲が低温にまで広げられるからである。この種の混合
物は特にゲスト−ホストタイプのディスプレーにおいて
用いるのに特に適している(T、ウチダ、H。
Δε<−2)および固体状態での再混合性を有している
ことが重要である。それによって、混合した際に共融タ
イプの状態図式を生じそしてそれによって液晶層の存在
範囲が低温にまで広げられるからである。この種の混合
物は特にゲスト−ホストタイプのディスプレーにおいて
用いるのに特に適している(T、ウチダ、H。
セキ、C,シシド、月、ワダ: Mo1ecular
and LiquidCrystal 54.16H1
979)。
and LiquidCrystal 54.16H1
979)。
公知の側位置換シクロヘキサン誘導体(ドイツ特許出願
公開第3,231.707号明細書および同第3,32
0.024号明細書)は、設定される要求の一部を満足
する。しかしながらこの化合物の大きな欠点は、一つは
構造的パイニージョンが少な過ぎて工業的に使用できる
物質の数が少な過ぎることでありそしてもう一つは合成
が複雑であることである。更にこれらの種類の物質は誘
電異方性が比較的に小さい。
公開第3,231.707号明細書および同第3,32
0.024号明細書)は、設定される要求の一部を満足
する。しかしながらこの化合物の大きな欠点は、一つは
構造的パイニージョンが少な過ぎて工業的に使用できる
物質の数が少な過ぎることでありそしてもう一つは合成
が複雑であることである。更にこれらの種類の物質は誘
電異方性が比較的に小さい。
本発明で用いる化合物の製造には、従来知られていなか
った方法を用いる。ドイツ特許出願公開第3.325,
727号明細書に記載されている場は専ら奇数の中位の
基を有しているが、詳細には示されていない、その製造
方法も記載されていない。
った方法を用いる。ドイツ特許出願公開第3.325,
727号明細書に記載されている場は専ら奇数の中位の
基を有しているが、詳細には示されていない、その製造
方法も記載されていない。
本発明の目的は、高い負の誘電異方性、液晶状態でも良
好である他の液晶との混合性および電気光学的装置にお
いての良好な製造性に特徴のある混合状態で用いる新規
の液晶化合物である。
好である他の液晶との混合性および電気光学的装置にお
いての良好な製造性に特徴のある混合状態で用いる新規
の液晶化合物である。
本発明の課題は、誘電異方性が−2より小さくそして他
の液晶と良好に混合できる適する化合物を見出すこと並
びに該化合物の製造方法を見出すことである。
の液晶と良好に混合できる適する化合物を見出すこと並
びに該化合物の製造方法を見出すことである。
本発明者は、
CN
〔式中、AがR7でそしてBがR1であるかまたはAが
COOR4でそしてBがR?であり、その隔環の数が2
〜4でありそして R2は−R’、 −OR’、 −00CR3,−COO
R3;−0COOR3;−COR3,ハロゲン: −C
N ; −CL−CH−CJsCO。
COOR4でそしてBがR?であり、その隔環の数が2
〜4でありそして R2は−R’、 −OR’、 −00CR3,−COO
R3;−0COOR3;−COR3,ハロゲン: −C
N ; −CL−CH−CJsCO。
−COO−CHz−CH−CzHs ;−COOコレス
テリル;CH3 −0−Hz−CH−CJsであり、 R3は−C,H,,。1であり、 R5R& ル; −CHz−CH−CzHsニーR’ニー(CH
z)q−COOR3;Xは−coo−;−ooc−、価
標であり、Yは一〇−; −S−であり、 Zは一〇−: −S−であり、 R5,R6はH,CH3/CH3、H/H、CN/CN
。
テリル;CH3 −0−Hz−CH−CJsであり、 R3は−C,H,,。1であり、 R5R& ル; −CHz−CH−CzHsニーR’ニー(CH
z)q−COOR3;Xは−coo−;−ooc−、価
標であり、Yは一〇−; −S−であり、 Zは一〇−: −S−であり、 R5,R6はH,CH3/CH3、H/H、CN/CN
。
H/H、H/CN、、CN(但シR2がCNテない場合
)であり R酋はCイH2**I であり、 R′は−OR3、−CIhOR3、−Cl、−Br 、
−COOR’、−0OCR’、CNでありそして pは0.2で、qは2〜8であり並びにnは1〜16で
ありそしてmは1〜16である。〕で表されるr−2−
置換−t−5−置換−c−5−シアン−1゜3−ジオキ
サンの少なくとも一種類をネマチック液晶混合物に添加
することが、広い温度範囲にわたって低い負の誘電異方
性を示す、透過または反射する光を変調する為の並びに
文字、記号および図形を表示する為の電気光学的装置に
おいて用いるに適していることを見出した。
)であり R酋はCイH2**I であり、 R′は−OR3、−CIhOR3、−Cl、−Br 、
−COOR’、−0OCR’、CNでありそして pは0.2で、qは2〜8であり並びにnは1〜16で
ありそしてmは1〜16である。〕で表されるr−2−
置換−t−5−置換−c−5−シアン−1゜3−ジオキ
サンの少なくとも一種類をネマチック液晶混合物に添加
することが、広い温度範囲にわたって低い負の誘電異方
性を示す、透過または反射する光を変調する為の並びに
文字、記号および図形を表示する為の電気光学的装置に
おいて用いるに適していることを見出した。
本発明によれば、−a式Hの液晶性のr−2−置換−t
−5−置換−c−5−シアン−1,3−ジオキサンは、
2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオールを酸
性触媒、例えばHCl、H2SO4、p−)ルエンスル
ホン酸、BF3 、AlCl3または酸性イオン交換樹
脂の存在下に有機溶剤、例えばベンジン、トルエン、C
CL 、C)ICf3、C)IzCj!z 、1.2−
ジクロロエタン、ベンゼン中で水結合剤、例えば分子ふ
るい、Na2SO2、CuSO4の存在下にまたは不存
在下に好ましくは反応水の共沸除去下にアルデヒドと反
応させることによって製造され、その際に驚くべきこと
に、を利にも単独で液晶相を形成する能力のあるアキシ
アル結合状のニトリル官能基を有する異性体が生じる。
−5−置換−c−5−シアン−1,3−ジオキサンは、
2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオールを酸
性触媒、例えばHCl、H2SO4、p−)ルエンスル
ホン酸、BF3 、AlCl3または酸性イオン交換樹
脂の存在下に有機溶剤、例えばベンジン、トルエン、C
CL 、C)ICf3、C)IzCj!z 、1.2−
ジクロロエタン、ベンゼン中で水結合剤、例えば分子ふ
るい、Na2SO2、CuSO4の存在下にまたは不存
在下に好ましくは反応水の共沸除去下にアルデヒドと反
応させることによって製造され、その際に驚くべきこと
に、を利にも単独で液晶相を形成する能力のあるアキシ
アル結合状のニトリル官能基を有する異性体が生じる。
この異性体の精製は適当な溶剤またはその混合物、例え
ばメタノール、ベンゼン、ヘキサンにて単に再結晶処理
することによって旨くいく。
ばメタノール、ベンゼン、ヘキサンにて単に再結晶処理
することによって旨くいく。
反応式1;
この2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオール
は、2−置換シアン酢酸エステルあるいは−チオールエ
ステルを純粋な化合物の状態のあるいは水溶液状態(ホ
ルマリン)のホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド
またはポリオキシメチレンから塩基性触媒、例えばアル
カリ金属炭酸塩、−重炭酸塩、−水酸化物、−アルコラ
ードまたは、弱酸のその他の塩またはアミン類の存在下
に溶剤の存在または不存在下に−78°C〜+100°
C1殊に一20〜+35℃の温度のもとで反応させるこ
とによって製造される。
は、2−置換シアン酢酸エステルあるいは−チオールエ
ステルを純粋な化合物の状態のあるいは水溶液状態(ホ
ルマリン)のホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド
またはポリオキシメチレンから塩基性触媒、例えばアル
カリ金属炭酸塩、−重炭酸塩、−水酸化物、−アルコラ
ードまたは、弱酸のその他の塩またはアミン類の存在下
に溶剤の存在または不存在下に−78°C〜+100°
C1殊に一20〜+35℃の温度のもとで反応させるこ
とによって製造される。
反応式2:
x=O−アルキル基、S−アルキル基。
こうして得られる2−置換−2−ヒドロキシメチル−シ
アン酢酸誘導体は、エステル−あるいはチオールエステ
ル官能基を複雑な水素化物にて選択的に還元することに
よって2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオー
ル類に添加することができる。
アン酢酸誘導体は、エステル−あるいはチオールエステ
ル官能基を複雑な水素化物にて選択的に還元することに
よって2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオー
ル類に添加することができる。
反応式3:
x=0−アルキル基、S−アルキル基。
この場合アルコール溶剤中でチオールアルキルエステル
基のNaBH4での選択的還元が旨(いく。
基のNaBH4での選択的還元が旨(いく。
反応式4:
%式%
ニトリル官能基の他のカルボン酸エステル官能基の選択
的還元は二つの方法によって行うことができる: A)エーテル系溶剤、例えばTHFまたはジグリム中で
のカルボン酸エステル官能基のLiBH,またはCa
(Bl4) zでの還元による(M、M、 Stewa
rd。
的還元は二つの方法によって行うことができる: A)エーテル系溶剤、例えばTHFまたはジグリム中で
のカルボン酸エステル官能基のLiBH,またはCa
(Bl4) zでの還元による(M、M、 Stewa
rd。
J、Org、 Chem、 26.3360 (196
1)。LiBH−またはCa(Bl(4)zの替わりに
、NaBH4とLi”−あるいはCa”塩(例えしiB
r、 CaCfl z)との混合物も用いることができ
る(H,C,Brown、、 S、 Narasimh
an 、 Y、M、 Choi 、 J、Org、 C
hen+、47.4702−08)。
1)。LiBH−またはCa(Bl(4)zの替わりに
、NaBH4とLi”−あるいはCa”塩(例えしiB
r、 CaCfl z)との混合物も用いることができ
る(H,C,Brown、、 S、 Narasimh
an 、 Y、M、 Choi 、 J、Org、 C
hen+、47.4702−08)。
B)カルボン酸エステル官能基をNa (OCH3)
3B)lで還元することによる。その際還元はNaBt
(、にてメタノール中で好ましくは0〜20°Cのもと
で実施するかまたはNaBH4にてt−ブタノールまた
はエーテル系溶剤、例えばTIIFまたはジグリム中で
高温(好ましくは50℃・・・100”C)のもとてメ
タノールのゆっくりとした添加下に実施する(Bull
、 Chew、 Soc、 Jpn、 57、194
8 (1984) ’) 。
3B)lで還元することによる。その際還元はNaBt
(、にてメタノール中で好ましくは0〜20°Cのもと
で実施するかまたはNaBH4にてt−ブタノールまた
はエーテル系溶剤、例えばTIIFまたはジグリム中で
高温(好ましくは50℃・・・100”C)のもとてメ
タノールのゆっくりとした添加下に実施する(Bull
、 Chew、 Soc、 Jpn、 57、194
8 (1984) ’) 。
この場合、ヒドロキシメチル官能基は還元反応段階の間
の枚重を高める為にシリルエーテル、アセテートまたは
アセタールとして(例えばTHP−エーテル)として保
護してもよい。こうして得られる2−置換2シアンプロ
パン−1,3−ジオール類の適当なアルデヒド類でのア
セタール化によって、2,5−二置換−5−シアン−1
,3−ジオキサン誘導体、例えば上記の如きものが正に
立体配置状態で得られる。液晶性のr−2−置換−c−
5−シアン−1,3−ジオキサン−t−5−カルボン酸
エステルは、一般式Vのr−2−置換−c−5−シアン
ー1,3−ジオキサン−t−5−カルボン酸とアルコー
ル類または置換フエ、′−ル類とを水溶性カルボジイミ
ド、例えば1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−
エチルカルボジイミド−メタ沃化物および触媒量のアシ
ル化触媒、例えば4−ジメチルアミノピリジンの存在下
に有機溶剤、殊にC)121!Z中で反応させることに
よって得られえる。
の枚重を高める為にシリルエーテル、アセテートまたは
アセタールとして(例えばTHP−エーテル)として保
護してもよい。こうして得られる2−置換2シアンプロ
パン−1,3−ジオール類の適当なアルデヒド類でのア
セタール化によって、2,5−二置換−5−シアン−1
,3−ジオキサン誘導体、例えば上記の如きものが正に
立体配置状態で得られる。液晶性のr−2−置換−c−
5−シアン−1,3−ジオキサン−t−5−カルボン酸
エステルは、一般式Vのr−2−置換−c−5−シアン
ー1,3−ジオキサン−t−5−カルボン酸とアルコー
ル類または置換フエ、′−ル類とを水溶性カルボジイミ
ド、例えば1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−
エチルカルボジイミド−メタ沃化物および触媒量のアシ
ル化触媒、例えば4−ジメチルアミノピリジンの存在下
に有機溶剤、殊にC)121!Z中で反応させることに
よって得られえる。
この場合、r−2=置換−c−5−シアン−1,3−ジ
オキサン−t−5−カルボン酸エステルは、既に適当な
溶剤、特に好ましくはエタノール、酢酸エチルエステル
、アセトンおよび炭化水素あるいはこれらの混合物で一
回〜二回再結晶処理した後に融点および清澄点から見て
純粋な状態で驚くほど高い枚重(理論値の60〜95χ
)で得られる(反応式5)。
オキサン−t−5−カルボン酸エステルは、既に適当な
溶剤、特に好ましくはエタノール、酢酸エチルエステル
、アセトンおよび炭化水素あるいはこれらの混合物で一
回〜二回再結晶処理した後に融点および清澄点から見て
純粋な状態で驚くほど高い枚重(理論値の60〜95χ
)で得られる(反応式5)。
V IV
他のエステル化法は枚重が低くそして生成物の純度が非
常に低い。
常に低い。
文献で知られていないr−2−i換−c−5−シアン−
1,3−ジオキサン−j−5−カルボン酸は一般式■の
相応するアルデヒドをビス−(ヒドロキシメチル)−シ
アン酢酸エチルエステルと、酸性!媒の3在下に反応さ
せ、次いでそのカルボン酸エステル基を適当な溶剤ある
いは溶剤混合物中で、好ましくは室温にてアルカリ金属
−またはアルカリ土類金属水酸化物にて選択的に加水分
解することによって容易に得られる。
1,3−ジオキサン−j−5−カルボン酸は一般式■の
相応するアルデヒドをビス−(ヒドロキシメチル)−シ
アン酢酸エチルエステルと、酸性!媒の3在下に反応さ
せ、次いでそのカルボン酸エステル基を適当な溶剤ある
いは溶剤混合物中で、好ましくは室温にてアルカリ金属
−またはアルカリ土類金属水酸化物にて選択的に加水分
解することによって容易に得られる。
■
r−2−N換−t−5−W換−c−5−シアン−1,3
−ジオキサンは、ネマチック(N)、スメクチック(S
)並びに結晶質(K)および等方性(1)相を持つ無色
の物質である。その混合物に用途目的次第でコレステリ
ン液晶化合物または対掌性スメクチック液晶、更には非
液晶物質、特に染料を混入してもよい。
−ジオキサンは、ネマチック(N)、スメクチック(S
)並びに結晶質(K)および等方性(1)相を持つ無色
の物質である。その混合物に用途目的次第でコレステリ
ン液晶化合物または対掌性スメクチック液晶、更には非
液晶物質、特に染料を混入してもよい。
N
第1表:本発明の化合物の転移温度
No、n B K S
N 1No、n B
KS N
1しへ No、n R” M
S N 12.55−コレス
テリル ・180 ・ 219−、
R” K S
N io n 2.175−0−CsLt H62(・51)
−・2.235−■−coo−■−CsH13・99・
159− ・2.245−<E) −<E◇−C6H
I:l ・92・158−CN No、 A B
K S N I製造の実施
例 実施例1 2−アルキルシアン酢酸エチルエステルの合成(変法A
) 500 dの無水エタノールに1g原子(23g)のN
aを溶解することによって製造されるナトリウムエタル
レート溶液に1モル(113g)のシアン酢酸エチルエ
ステルを添加する。1gのKIおよび1モルの臭化アル
キルの添加後に還流下に沸騰するまで2時間加熱する。
N 1No、n B
KS N
1しへ No、n R” M
S N 12.55−コレス
テリル ・180 ・ 219−、
R” K S
N io n 2.175−0−CsLt H62(・51)
−・2.235−■−coo−■−CsH13・99・
159− ・2.245−<E) −<E◇−C6H
I:l ・92・158−CN No、 A B
K S N I製造の実施
例 実施例1 2−アルキルシアン酢酸エチルエステルの合成(変法A
) 500 dの無水エタノールに1g原子(23g)のN
aを溶解することによって製造されるナトリウムエタル
レート溶液に1モル(113g)のシアン酢酸エチルエ
ステルを添加する。1gのKIおよび1モルの臭化アル
キルの添加後に還流下に沸騰するまで2時間加熱する。
反応混合物を冷却した後に、沈澱したNaBrを吸引濾
去し、溶剤を回転式蒸発器で減圧下に留去しそして残渣
をエーテルに取りそしてH,Oで二回洗浄する。溶剤の
留去後に減圧下に分別する。
去し、溶剤を回転式蒸発器で減圧下に留去しそして残渣
をエーテルに取りそしてH,Oで二回洗浄する。溶剤の
留去後に減圧下に分別する。
枚重:理論値の30〜40χ。
実施例2
2−アルキルシアン酢酸エチルエステルの合成(変法B
) 1モルの新鮮な蒸留アルデヒド、1モル(113g)の
シアン酢酸エチルエステル、500 mlのベンゼンま
たはトルエンおよび0.1モル(7,7g )の酢酸ア
ンモニウム並びに0.2モル(12g )の酢酸より成
る混合物を、水分離器において6時間加熱する。反応混
合物を室温に冷却した後に、水で四回洗浄し、Na、S
O,で乾燥しそして溶剤を回転式蒸発器で減圧下に留去
する。残渣を500dのメタノールまたはエタノールに
溶解しそして石炭に28のPdを担持させた触媒(5ま
たはlOχ)で室温のもとて水素化する。水素の収容の
終了後に触媒を濾去しそして溶剤を留去する。残渣を減
圧下に分別する。
) 1モルの新鮮な蒸留アルデヒド、1モル(113g)の
シアン酢酸エチルエステル、500 mlのベンゼンま
たはトルエンおよび0.1モル(7,7g )の酢酸ア
ンモニウム並びに0.2モル(12g )の酢酸より成
る混合物を、水分離器において6時間加熱する。反応混
合物を室温に冷却した後に、水で四回洗浄し、Na、S
O,で乾燥しそして溶剤を回転式蒸発器で減圧下に留去
する。残渣を500dのメタノールまたはエタノールに
溶解しそして石炭に28のPdを担持させた触媒(5ま
たはlOχ)で室温のもとて水素化する。水素の収容の
終了後に触媒を濾去しそして溶剤を留去する。残渣を減
圧下に分別する。
枚重:理論値の70〜95χ
実施例3
2−(4−エチルシクロヘキシル)−シアン酢酸エチル
エステルの合成(変法C) 1000 dの液状アンモニアに0.2g原子(1,4
g)のリチウムを溶解することによって製造される溶液
に、50−の無水THFに0.092モル(20g)の
4−エチルシクロへキシリデンシアン酢酸エチルエステ
ルおよび0.4モル(34,4d)のt−ブタノールを
溶解した溶液を10分間の間に滴加する。
エステルの合成(変法C) 1000 dの液状アンモニアに0.2g原子(1,4
g)のリチウムを溶解することによって製造される溶液
に、50−の無水THFに0.092モル(20g)の
4−エチルシクロへキシリデンシアン酢酸エチルエステ
ルおよび0.4モル(34,4d)のt−ブタノールを
溶解した溶液を10分間の間に滴加する。
0.5時間の反応時間の後に過剰のリチウムをNH、C
I!、の添加によって不活性化しそしてNH3を留去す
る。残渣を100dのエーテルと混合しそして5χ濃度
の塩酸で酸性にする。有機相を分離し、水、NaHCO
3−溶液および再度水で洗浄する。溶剤の留去後に減圧
下に分別する。
I!、の添加によって不活性化しそしてNH3を留去す
る。残渣を100dのエーテルと混合しそして5χ濃度
の塩酸で酸性にする。有機相を分離し、水、NaHCO
3−溶液および再度水で洗浄する。溶剤の留去後に減圧
下に分別する。
第3表 2−置換−シアン酢酸エチルエステルR−CI
(CN) −COOCJs C3H,−277574〜7610.3C6HI3−
33 91 93〜9710.2C,)l、、
−388315010,2実施例4 2− i!換−2−ヒドロキシメチルシアン酢酸エチル
エステルの合成 1モルの2−置換−シアン酢酸エチルエステルを120
dのホルマリン、2gのに2CO3および700iの
メタノールと混合しそして室温で2時間撹拌する。反応
混合物を22の水で希釈しそして全部で500dのエー
テルで三回抽出処理する。
(CN) −COOCJs C3H,−277574〜7610.3C6HI3−
33 91 93〜9710.2C,)l、、
−388315010,2実施例4 2− i!換−2−ヒドロキシメチルシアン酢酸エチル
エステルの合成 1モルの2−置換−シアン酢酸エチルエステルを120
dのホルマリン、2gのに2CO3および700iの
メタノールと混合しそして室温で2時間撹拌する。反応
混合物を22の水で希釈しそして全部で500dのエー
テルで三回抽出処理する。
Na2SO2で丁寧に乾燥した後に溶剤を回転式蒸発器
で留去する。枚重は定量的である。
で留去する。枚重は定量的である。
実施例5
2−We−2−シアンプロパン−1,3−ジオールの合
成(変法A) 50dの無水THFに0.1モルの2−置換−2−ヒド
ロキシメチルシアン酢酸エチルエステルを溶解した溶液
を、200 dの無水THFに2.5gのLiBH4を
溶解した溶液に撹拌下に滴加する。得られる溶液を還流
下に3時間沸騰するまで加熱する。
成(変法A) 50dの無水THFに0.1モルの2−置換−2−ヒド
ロキシメチルシアン酢酸エチルエステルを溶解した溶液
を、200 dの無水THFに2.5gのLiBH4を
溶解した溶液に撹拌下に滴加する。得られる溶液を還流
下に3時間沸騰するまで加熱する。
冷却後予め10011j1のメタノールを滴加しそして
0.5時間室温で撹拌する。
0.5時間室温で撹拌する。
溶剤を減圧下に回転式蒸発器で留去する。残渣を250
mの水と混合し、注意深(濃塩酸で酸性にし、エーテル
で三面抽出する。−緒にした有機相を200dの10χ
濃度KOHで、水で一回そして飽和NaCl溶液で一回
洗浄する。NazSO,で乾燥した後に溶剤を回転式蒸
発器で留去しそして残渣をヘキサンにて、場合によって
は僅かな酢酸エステルの添加下に再結晶処理す、る。
mの水と混合し、注意深(濃塩酸で酸性にし、エーテル
で三面抽出する。−緒にした有機相を200dの10χ
濃度KOHで、水で一回そして飽和NaCl溶液で一回
洗浄する。NazSO,で乾燥した後に溶剤を回転式蒸
発器で留去しそして残渣をヘキサンにて、場合によって
は僅かな酢酸エステルの添加下に再結晶処理す、る。
実施例6
2−it換−2−シアンプロパン−2,3−ジオールの
合成(変法B) 50dのTHFに0.1モルの2−置換−2−ヒドロキ
シメチルシアン酢酸メチルエステルを溶解した溶液を、
400 、dの無水THFに3.88のNaBH,およ
び9.0gのLiBrを溶解した溶液に撹拌下に滴加し
そして還流下に3時間沸騰するまで加熱する。
合成(変法B) 50dのTHFに0.1モルの2−置換−2−ヒドロキ
シメチルシアン酢酸メチルエステルを溶解した溶液を、
400 、dの無水THFに3.88のNaBH,およ
び9.0gのLiBrを溶解した溶液に撹拌下に滴加し
そして還流下に3時間沸騰するまで加熱する。
後処理は変法Aと同様に行う。
実施例7
2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオールの合
成(変法C) 150Jdの無水THFに0.1モルの2−置換−2−
ヒドロキシメチルシアン酢酸エチルエステルを溶解した
溶液に、0.11モル(11,9g)の訃すメチルクロ
ロシランおよび0.11モル(11,1g)のトリエチ
ルアミンを添加し、室温で0.5時間撹拌する。
成(変法C) 150Jdの無水THFに0.1モルの2−置換−2−
ヒドロキシメチルシアン酢酸エチルエステルを溶解した
溶液に、0.11モル(11,9g)の訃すメチルクロ
ロシランおよび0.11モル(11,1g)のトリエチ
ルアミンを添加し、室温で0.5時間撹拌する。
生じるトリエチルアンモニウムクロライド沈澱物を吸引
濾過しそして各30dの無水THFで二面洗浄する。得
られる溶液をl1gのNaBHaと混合しそして沸騰す
るまで加熱する。沸騰溶液に2時間の間に100 mの
無水メタノールを撹拌下にゆっくりと滴加する。約40
℃に冷却しそして150dの15χ濃度塩酸を添加しそ
して約0.5時間撹拌する。回転式蒸発器においてTI
Pおよびメタノールの大部分を留去する。残渣を水で希
釈し、エーテルで四回抽出処理する。その後の処理は変
法Aと同様に行う。
濾過しそして各30dの無水THFで二面洗浄する。得
られる溶液をl1gのNaBHaと混合しそして沸騰す
るまで加熱する。沸騰溶液に2時間の間に100 mの
無水メタノールを撹拌下にゆっくりと滴加する。約40
℃に冷却しそして150dの15χ濃度塩酸を添加しそ
して約0.5時間撹拌する。回転式蒸発器においてTI
Pおよびメタノールの大部分を留去する。残渣を水で希
釈し、エーテルで四回抽出処理する。その後の処理は変
法Aと同様に行う。
実施例8
2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオールの合
成(変法D) 0.1モルの2−置換−2−ヒドロキシメチルシアン酢
酸エチルエステルを変法Cの所に記した操作に相応して
シリル化する。2−置換−2−トリメチルシリルオキシ
メチルシアン酢酸エステルをTHFに溶解した溶液を、
100戚の無水THFに2゜58のLiBH4を溶解し
た溶液に滴加し、沸騰するまで3時間加熱する。冷却し
た後に10011のメタノールを添加しそして得られる
溶液をCの所に記したように更に処理する。
成(変法D) 0.1モルの2−置換−2−ヒドロキシメチルシアン酢
酸エチルエステルを変法Cの所に記した操作に相応して
シリル化する。2−置換−2−トリメチルシリルオキシ
メチルシアン酢酸エステルをTHFに溶解した溶液を、
100戚の無水THFに2゜58のLiBH4を溶解し
た溶液に滴加し、沸騰するまで3時間加熱する。冷却し
た後に10011のメタノールを添加しそして得られる
溶液をCの所に記したように更に処理する。
R−C(CN) (C)IzOH) tC6HI3−
A、8 75 68CQ)1.
9− C6866実施例9 r−2−置換−t−5−置換−c−5−シアン−1,3
−ジオキサンの合成 0.01モルの2−置換−2−シアンプロパン−1,3
−ジオール、o、oiモルのアルデヒドおよび100m
gのp−)ルエンスルホン酸並びに150−のベンゼン
より成る混合物を約20分水分離器において沸騰するま
で加熱する。冷却した反応混合物をNaHCO3溶液で
一回洗浄しそして水で二面洗浄し、Na2SO4で乾燥
させそして溶剤を回転式蒸発器で留去する。残渣を、転
移温度が一定するまでメタノールで再結晶処理する。
A、8 75 68CQ)1.
9− C6866実施例9 r−2−置換−t−5−置換−c−5−シアン−1,3
−ジオキサンの合成 0.01モルの2−置換−2−シアンプロパン−1,3
−ジオール、o、oiモルのアルデヒドおよび100m
gのp−)ルエンスルホン酸並びに150−のベンゼン
より成る混合物を約20分水分離器において沸騰するま
で加熱する。冷却した反応混合物をNaHCO3溶液で
一回洗浄しそして水で二面洗浄し、Na2SO4で乾燥
させそして溶剤を回転式蒸発器で留去する。残渣を、転
移温度が一定するまでメタノールで再結晶処理する。
枚重:理論値の50〜65χ。
こうして製造される化合物を、第1表および第2表に総
括掲載しである。
括掲載しである。
実施例10
トランス−4−(t−4−アルキル−c−4−シアン−
1゜3−ジオキサン−2−r−イル)−シクロヘキサン
カルボン酸の合成 0.2モルのトランス−4−(t−4−アルキル−c−
4−シアン−1,3−ジオキサン−2−r−イル)−シ
クロヘキサンカルボン酸メチルエステルを22のメタノ
ールに溶解しそして100成の水に100gのKOHを
溶解した溶液を添加した後に20分間還流下に加熱する
。溶剤を回転式蒸発器で留去しそして残渣を約21の水
と混合する。
1゜3−ジオキサン−2−r−イル)−シクロヘキサン
カルボン酸の合成 0.2モルのトランス−4−(t−4−アルキル−c−
4−シアン−1,3−ジオキサン−2−r−イル)−シ
クロヘキサンカルボン酸メチルエステルを22のメタノ
ールに溶解しそして100成の水に100gのKOHを
溶解した溶液を添加した後に20分間還流下に加熱する
。溶剤を回転式蒸発器で留去しそして残渣を約21の水
と混合する。
この溶液をコンゴーレッド試験紙を用いて25χ濃度の
硫酸で酸性にしそして酢酸エステルで三面抽出処理する
。有機相を飽和のNaC!溶液で洗浄しそしてNazS
Oaで乾燥する。回転蒸発器で溶剤を留去した後にn−
へキサンと混合しそして生成物を吸引濾過する。
硫酸で酸性にしそして酢酸エステルで三面抽出処理する
。有機相を飽和のNaC!溶液で洗浄しそしてNazS
Oaで乾燥する。回転蒸発器で溶剤を留去した後にn−
へキサンと混合しそして生成物を吸引濾過する。
実施例11
トランス−4−(t−4−アルキル−c−4−シアン−
1,3−ジオキサン−2−r−イル)−シクロヘキサン
カルボン酸のエステル化(i法A) 0.01モルのトランス−4−(t−4−アルキル〜c
−4−シアン−1,3−ジオキサン−2−r−イル)−
シクロヘキサンカルボン酸および0.01モルの4=置
換−フェノールまたは0.015モルの4−アルキルシ
クロヘキサノールおよび100mgのDMAPを、20
0m1の無水メチレンクロライドに懸濁させそして室温
で、301dのメチレンクロライドに0.011モル(
2゜27g)のジシクロへ本ジルカルボジイミド解した
溶液と混合する。室温で24時間撹拌し、沈澱したジシ
クロヘキシル尿素を留去し、溶剤を回転式蒸発器で留去
しそして残渣をメタノールで再結晶させる。
1,3−ジオキサン−2−r−イル)−シクロヘキサン
カルボン酸のエステル化(i法A) 0.01モルのトランス−4−(t−4−アルキル〜c
−4−シアン−1,3−ジオキサン−2−r−イル)−
シクロヘキサンカルボン酸および0.01モルの4=置
換−フェノールまたは0.015モルの4−アルキルシ
クロヘキサノールおよび100mgのDMAPを、20
0m1の無水メチレンクロライドに懸濁させそして室温
で、301dのメチレンクロライドに0.011モル(
2゜27g)のジシクロへ本ジルカルボジイミド解した
溶液と混合する。室温で24時間撹拌し、沈澱したジシ
クロヘキシル尿素を留去し、溶剤を回転式蒸発器で留去
しそして残渣をメタノールで再結晶させる。
攻率: 理論値の40〜70χ。
実施例12
トランス−4− (t−4−アルキル〜c−4− シア
ン−1,3−ジオキサン−2−r−イル)−シクロヘキ
サンカルボン酸のエステル化( 変法B) 0、002モルのトランス−4−(t−4−アルキル−
c−4−シアン−1.3−ジオキサン−2−r−イル)
−シクロヘキサンカルボン酸、0.002モルの4−置
換−フェノールまたは0.003モルのトランス−4−
アルキルシクロヘキサノールおよび20mgのDMAP
を20−のメチレンクロライドに懸濁させ、0.002
5モルの1−(3−ジメチルアミノプロピル)−1−エ
チルカルボジイミド−メタ沃化物の添加後に室温で24
時間撹拌する。反応混合物をメチレンクロライドで希釈
し、水で三面、NallC(1+で一回そして水で再度
洗浄する。溶剤を回転式蒸発器で留去しそして残渣をメ
タノールで再結晶処理する。
ン−1,3−ジオキサン−2−r−イル)−シクロヘキ
サンカルボン酸のエステル化( 変法B) 0、002モルのトランス−4−(t−4−アルキル−
c−4−シアン−1.3−ジオキサン−2−r−イル)
−シクロヘキサンカルボン酸、0.002モルの4−置
換−フェノールまたは0.003モルのトランス−4−
アルキルシクロヘキサノールおよび20mgのDMAP
を20−のメチレンクロライドに懸濁させ、0.002
5モルの1−(3−ジメチルアミノプロピル)−1−エ
チルカルボジイミド−メタ沃化物の添加後に室温で24
時間撹拌する。反応混合物をメチレンクロライドで希釈
し、水で三面、NallC(1+で一回そして水で再度
洗浄する。溶剤を回転式蒸発器で留去しそして残渣をメ
タノールで再結晶処理する。
故率:理論値の60〜80χ。
実施例I3
r−2−置換−〇ー5ーシアンー1,3−ジオキサン−
t−3−カルボン酸エチルエステルの合成 0、2モル(34.6g)のビスヒドロキシメチルシア
ン酢酸エチルエステル、0.2モルの新鮮な葵留アルデ
ヒド、5gのp−)ルエンスルホン酸および12のベン
ゼンより成る混合物を、水の分離が終了するまで撹拌下
に水分離器において加熱する。
t−3−カルボン酸エチルエステルの合成 0、2モル(34.6g)のビスヒドロキシメチルシア
ン酢酸エチルエステル、0.2モルの新鮮な葵留アルデ
ヒド、5gのp−)ルエンスルホン酸および12のベン
ゼンより成る混合物を、水の分離が終了するまで撹拌下
に水分離器において加熱する。
反応混合物を冷却した後にこれを250mlの飽和Na
HCO,溶液でそして次いで500 dの水で洗浄し、
Na2SO.で乾燥しそして溶剤を回転式蒸発ユlで留
去する。残渣を250iの石油エーテル(沸点30〜6
0°C)と混合しそして一20°Cに冷却し、その際に
生成物が結晶析出する。
HCO,溶液でそして次いで500 dの水で洗浄し、
Na2SO.で乾燥しそして溶剤を回転式蒸発ユlで留
去する。残渣を250iの石油エーテル(沸点30〜6
0°C)と混合しそして一20°Cに冷却し、その際に
生成物が結晶析出する。
再度、n−ヘキサン/酢酸エチルエステルで再結晶させ
る。
る。
第5表 r−2−n−アルキル−c−5−シアン−1,
3−ジオキサン−t−5−カルボン酸エチルエステル 3 58 41.5 5 62 50.5 実施例14 r〜2−置換−c−5−シアン−1,3= ジオキサン
−を−5−カルボン酸の合成 0.2モルのr−2−置換−C−5−シアン−1,3−
ジオキサン−t−5−カルボン酸エチルエステルを40
0−のメタノールに溶解しそして20°Cのもとで、2
00戚のメタノールと4雁の水との混合物中に0.24
モ)Li (16,4g) (7)83: ’a?4度
KO)Iを2容解シタ?容液と混合する。約10分後に
エステルを完全にケン化する。溶剤を約30°Cで回転
式蒸発器において減圧下に留去しそして残渣を800
riの酢酸エチルエステル で0.238 d(24 rni、32χ濃度)の塩酸
と混合しそして約1分間強力に震盪する。KfJより成
る沈澱吻を吸引濾過しそして200ifの酢酸エステル
で洗浄する。
3−ジオキサン−t−5−カルボン酸エチルエステル 3 58 41.5 5 62 50.5 実施例14 r〜2−置換−c−5−シアン−1,3= ジオキサン
−を−5−カルボン酸の合成 0.2モルのr−2−置換−C−5−シアン−1,3−
ジオキサン−t−5−カルボン酸エチルエステルを40
0−のメタノールに溶解しそして20°Cのもとで、2
00戚のメタノールと4雁の水との混合物中に0.24
モ)Li (16,4g) (7)83: ’a?4度
KO)Iを2容解シタ?容液と混合する。約10分後に
エステルを完全にケン化する。溶剤を約30°Cで回転
式蒸発器において減圧下に留去しそして残渣を800
riの酢酸エチルエステル で0.238 d(24 rni、32χ濃度)の塩酸
と混合しそして約1分間強力に震盪する。KfJより成
る沈澱吻を吸引濾過しそして200ifの酢酸エステル
で洗浄する。
溶液をNa,SOaで乾燥しそして溶剤を回転式蒸発器
で留去し、残渣を15hd!の石油エーテルと混合する
。−20゛Cのもとて生成物を結晶析出させる。これを
CHC i! 、/n−ヘキサンで再結晶処理する。
で留去し、残渣を15hd!の石油エーテルと混合する
。−20゛Cのもとて生成物を結晶析出させる。これを
CHC i! 、/n−ヘキサンで再結晶処理する。
第6表 r−2−n−アルキル−c−5−シアン−1,
3−ジオキサン−t −5−カルボン酸 3 75 129、5実施例15 r−2−置換−c−5− シアン−1,3−ジオキサン
−t−5−カルボン酸エステル 0、021モルのr−2−置換−c−5−シアン−1,
3−ジオキサン−t−5−カルボン酸、0.020モル
の4−置換フェノールまたはトランス−4−アルキルシ
クロヘキサノール並びに10On+gのDMAPを、5
0dの無水メチレンクロライドに溶解する。
3−ジオキサン−t −5−カルボン酸 3 75 129、5実施例15 r−2−置換−c−5− シアン−1,3−ジオキサン
−t−5−カルボン酸エステル 0、021モルのr−2−置換−c−5−シアン−1,
3−ジオキサン−t−5−カルボン酸、0.020モル
の4−置換フェノールまたはトランス−4−アルキルシ
クロヘキサノール並びに10On+gのDMAPを、5
0dの無水メチレンクロライドに溶解する。
水冷却および撹拌のもとで0.023モル(7.5g)
の1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカ
ルボジイミVーメタ沃化物を添加する。次いで水浴中で
30分間撹拌しそして20°Cで12時間撹拌する。後
処理する為にこの反応混合物を250dのメチレンクロ
ライドで希釈し、各200−のH2Oで四回、5χ濃度
のNaHCO3溶液で一回および100成のH2Oで一
回洗浄する。Na2SO.で乾燥しそして溶剤を回転式
蒸発器で留去する。残渣をエタノールで再結晶させる。
の1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカ
ルボジイミVーメタ沃化物を添加する。次いで水浴中で
30分間撹拌しそして20°Cで12時間撹拌する。後
処理する為にこの反応混合物を250dのメチレンクロ
ライドで希釈し、各200−のH2Oで四回、5χ濃度
のNaHCO3溶液で一回および100成のH2Oで一
回洗浄する。Na2SO.で乾燥しそして溶剤を回転式
蒸発器で留去する。残渣をエタノールで再結晶させる。
枚重:理論値の60〜95χ。
こうして合成される化合物を既に記した第1〜3表に総
括掲載しである。
括掲載しである。
使朋■尖1貫
実施例I
27モルχの4−n−ペンチルオキシ安息香酸−(4−
n−オクチルオキシフヱニルエステル)、24モルχの
4−n−メトキシ安息香酸−(4−n−へキシルオキシ
フェニルエステル)、12モルχの4−r+−へキシル
オキシ安息香酸−(4−n−へブチルオキシフェニルエ
ステル)および37モルχの4−n−ヘキシル安息香酸
−(4−n−ブチルオキシフェニルエステル)より成る
基本混合物(GM)に、以下の表に記載の各3モルχの
化合物を添加する。その際に清澄点並びに20°Cでの
誘電異方性Δεが変化する。
n−オクチルオキシフヱニルエステル)、24モルχの
4−n−メトキシ安息香酸−(4−n−へキシルオキシ
フェニルエステル)、12モルχの4−r+−へキシル
オキシ安息香酸−(4−n−へブチルオキシフェニルエ
ステル)および37モルχの4−n−ヘキシル安息香酸
−(4−n−ブチルオキシフェニルエステル)より成る
基本混合物(GM)に、以下の表に記載の各3モルχの
化合物を添加する。その際に清澄点並びに20°Cでの
誘電異方性Δεが変化する。
混合物 清澄点(’C) Δε Δε8GM
70 −0.37GM+1.2
68 −0.60 − 8GM+
1.9 71 −0.60 −
8GM+1.14 72 −0.63
− 9GM+2.19 71 −0
.42 − 2Δε3の大きさは、直線的傾斜
Δε・f (XI)の仮定のもとて以下の式から計算さ
れる。
70 −0.37GM+1.2
68 −0.60 − 8GM+
1.9 71 −0.60 −
8GM+1.14 72 −0.63
− 9GM+2.19 71 −0
.42 − 2Δε3の大きさは、直線的傾斜
Δε・f (XI)の仮定のもとて以下の式から計算さ
れる。
これは基本混合物中においての20゛Cでの各添加物の
能力を示す。
能力を示す。
実施例■
実施例■の基本混合物に、5モルχのr−2−n−ペン
チル−c−5−シアン−t−5−カルボン酸−(4−n
−オクチルオキシフェニルエステル)(No、 2.1
9)、17モルχのr−2−()ランス−4−n−へブ
チルシクロヘキシル)−c−5−シアン−t−5−n−
へキシル−1゜3−ジオキサン(No、 1.2) 、
10モル2のr−2−(4(4−n−オクチルオキシフ
ェニルカルボニルオキシ)フェニル−c−5−シアン−
t−5−n−へキシル−1゜3−ジオキサン(No、
1.14)および8モルχのr−2−(4−n−オクチ
ルオキシフェニル)−c−5−シアン−t−S−ヘキシ
ル−1,3−ジオキン(No、 1.9)を添加する。
チル−c−5−シアン−t−5−カルボン酸−(4−n
−オクチルオキシフェニルエステル)(No、 2.1
9)、17モルχのr−2−()ランス−4−n−へブ
チルシクロヘキシル)−c−5−シアン−t−5−n−
へキシル−1゜3−ジオキサン(No、 1.2) 、
10モル2のr−2−(4(4−n−オクチルオキシフ
ェニルカルボニルオキシ)フェニル−c−5−シアン−
t−5−n−へキシル−1゜3−ジオキサン(No、
1.14)および8モルχのr−2−(4−n−オクチ
ルオキシフェニル)−c−5−シアン−t−S−ヘキシ
ル−1,3−ジオキン(No、 1.9)を添加する。
この混合物は62℃で清澄に成る。20°Cにおけるこ
のものの誘電異方性Δεは−3,2である。DAP−作
用の為の闇値電圧は室温で2.3vで測定される。
のものの誘電異方性Δεは−3,2である。DAP−作
用の為の闇値電圧は室温で2.3vで測定される。
実施例■
実施例■に記載した混合物に1重量χの赤色染料
を添加する。15μmの厚さのサンドイッチ−セルにお
いて、ホメオトロープ(hoa+eatropic)出
発配向の場合には、薄いバラ色から赤色への色変化がυ
=2.2Vにおいて認められる(測定周波数200H2
,25℃)。
いて、ホメオトロープ(hoa+eatropic)出
発配向の場合には、薄いバラ色から赤色への色変化がυ
=2.2Vにおいて認められる(測定周波数200H2
,25℃)。
実施例■
33.3モルχの2,5−ビス−(トランス−4−n−
ペンチルシクロヘキシル)−1,3,4−チアゾール、
22.42モルχの2−(トランス−4−n−プロピル
シクロヘキシル)−5−(4−n−へキシルベンゾイル
)−13゜4−チアゾール、13.3モルχのr−2−
()ランス−4−n−ヘプチルシクロヘキシル)−c−
5−シアン−t−5−n−へキシル−1,3−ジオキサ
ン(No、 1.2) 、14゜5モルχのr−2−4
(4−n−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)
フェニル−c−5−シアン−t−S−n−へキシル−1
,3−ジオキサン(No、 1.14)、11゜1モル
χのr−2−(4−n−オクチルオキシフェニル)−c
−5−シアン−t−5−ヘキシル−1,3−ジオキサン
(No、 1.9)および5.6モル2のr−2−n−
ペンチル−c−5−シアン−t−5−n−カルボン酸−
(4−n−オクチルオキシフェニル)−エステル(No
、 2.19)より成る混合物を製造する。この混合物
は44〜46゛Cで溶融しそして93〜95℃で清澄に
成る。誘電異方性Δεは45℃で−5,7である。DA
P−作用の為の闇値電圧は15μ鶴のサンドイッチ−セ
ルにおいて50℃で2.1Vで測定される。
ペンチルシクロヘキシル)−1,3,4−チアゾール、
22.42モルχの2−(トランス−4−n−プロピル
シクロヘキシル)−5−(4−n−へキシルベンゾイル
)−13゜4−チアゾール、13.3モルχのr−2−
()ランス−4−n−ヘプチルシクロヘキシル)−c−
5−シアン−t−5−n−へキシル−1,3−ジオキサ
ン(No、 1.2) 、14゜5モルχのr−2−4
(4−n−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)
フェニル−c−5−シアン−t−S−n−へキシル−1
,3−ジオキサン(No、 1.14)、11゜1モル
χのr−2−(4−n−オクチルオキシフェニル)−c
−5−シアン−t−5−ヘキシル−1,3−ジオキサン
(No、 1.9)および5.6モル2のr−2−n−
ペンチル−c−5−シアン−t−5−n−カルボン酸−
(4−n−オクチルオキシフェニル)−エステル(No
、 2.19)より成る混合物を製造する。この混合物
は44〜46゛Cで溶融しそして93〜95℃で清澄に
成る。誘電異方性Δεは45℃で−5,7である。DA
P−作用の為の闇値電圧は15μ鶴のサンドイッチ−セ
ルにおいて50℃で2.1Vで測定される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ M 〔式中、AがR^7でそしてBがR^1であるかまたは
AがCOOR^4でそしてBがR^7であり、その際環
の数が2〜4でありそして R^1は▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、
化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、表等があ
ります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼;▲数式、化学式、表等があります▼
; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼であり、 R^2は−R^3;−OR^3;−OOCR^3;−C
OOR^3;−OCOOR^3;−COR^3;ハロゲ
ン;−CN;▲数式、化学式、表等があります▼;−C
OOコレステリル;▲数式、化学式、表等があります▼
; ▲数式、化学式、表等があります▼であり、 R^3は−C_nH_2_n_+_1であり、R^4は
▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼;コレステリ ル;▲数式、化学式、表等があります▼;−R^3;▲
数式、化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;−(CH_2)_
q−COOR^3;−(CH_2)_qCNであり、そ
の際 Xは−COO−;−OOC−;価標であり、Yは−O−
;−S−であり、 Zは−O−;−S−であり、 R^5、R^6はH、CH_3/CH_3、H/H、C
N/CN、H/H、H/CN、CN(但しR^2がCN
でない場合) R^7は▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、
化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;−R^8であり、 R^8はC_mH_2_m_+_1であり、R^9はO
R^3、CH_2OR^3、Cl、Br、COOR^3
、OOCR^3、CNでありそして pは0.2で、qは2〜8でありそしてnは1〜16そ
してmは1〜16である。〕 で表されるr−2−置換−t−5−置換−c−5−シア
ン−1,3−ジオキサン。 2)一般式M ▲数式、化学式、表等があります▼ M 〔式中、AがR^7でそしてBがR^1であるかまたは
AがCOOR^4でそしてBがR^7であり、その際環
の数が2〜4でありそして R^1は▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、
化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、表等があ
ります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼;▲数式、化学式、表等があります▼
; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼であり、 R^2は−R^3;−OR^3;−OOCR^3;−C
OOR^3;−OCOOR^3;−COR^3;ハロゲ
ン;−CN;▲数式、化学式、表等があります▼;−C
OOコレステリル;▲数式、化学式、表等があります▼
; ▲数式、化学式、表等があります▼であり、 R^3は−C_nH_2_n_+_1であり、R^4は
▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼;コレステリ ル;▲数式、化学式、表等があります▼;−R^3;▲
数式、化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;−(CH_2)_
q−COOR^3;−(CH_2)_qCNであり、そ
の際 Xは−COO−;−OOC−;価標であり、yは−O−
;−S−であり、 Zは−O−;−S−であり、 R^5、R^6はH、CH_3/CH_3、H/H、C
N/CN、H/H、H/CN、CNであり(但しR^2
がCNでない場合) R^7は▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、
化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;−R^8であり、 R^8はC_mH_2_m_+_1であり、R^9はO
R^3、CH_2OR^3、Cl、Br、COOR^3
、OOCR^3、CNでありそして pは0.2で、qは2〜8でありそしてnは1〜16そ
してmは1〜16である。〕 で表されるr−2−置換−t−5−置換−c−5−シア
ン−1−ジオキサンを製造するに当たって、一般式Vで
表される2−置換−2−シアンプロパン−1,3−ジオ
ールを一般式VIの2−置換−シアン酢酸エステルあるい
は−チオールエステルと純粋な化合物の状態のあるいは
水溶液状態のホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド
またはポリオキシメチレンから塩基性触媒、例えばアル
カリ金属炭酸塩、−重炭酸塩、−水酸化物、−アルコラ
ートまたは、弱酸のその他の塩またはアミン類の存在下
に−78℃〜+100℃、殊に−20〜+35℃の温度
のもとで得、次いでチオ−あるいはカルボン酸エステル
基を公知のように還元することで得て、一般式IVのアル
デヒドと酸性触媒、例えばHCl、H_2SO_4、p
−トルエンスルホン酸、BF_3、AlCl_3または
酸性イオン交換樹脂の存在下に有機溶剤、例えばベンゼ
ン、トルエン、CCl_4、CHCl_3、Cl−CH
_2CH_2−Cl中で水結合剤の存在下にまたは不存
在下に、好ましくは反応水の共沸除去下に反応させるか または下記一般式IVの置換アルデヒドとビス−(ヒドロ
キシメチル)−シアン酸エチルエステルとを酸性触媒の
存在下に反応させそして次いでカルボン酸エステル官能
基をアルカリ金属−またはアルカリ土類金属水酸化物で
溶剤中で加水分解して得られる一般式Vのr−2−置換
−c−2−シアン−1,3−ジオキサン−t−5−カル
ボン酸を、一般式IVのアルコールまたは置換フェノール
にて、水溶性カルボジイミドおよび触媒量のアシル化触
媒の存在下に有機溶剤、殊にメチレンクロライド中でエ
ステル化しそして有機溶剤からの再結晶によって純立体
異性体状態を得ることを特徴とする、上記r−2−置換
−t−5−置換−c−5−シアン−1,3−ジオキサン
の製造方法。 3)一般式M ▲数式、化学式、表等があります▼ M 〔式中、AがR^7でそしてBがR^1であるかまたは
AがCOOR^4でそしてBがR^7であり、その際環
の数が2〜4でありそして R^1は▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、
化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、表等があ
ります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼;▲数式、化学式、表等があります▼
; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼であり、 R^2は−R^3;−OR^3;−OOCR^3;−C
OOR^3;−OCOOR^3;−COR^3;ハロゲ
ン;−CN;▲数式、化学式、表等があります▼;−C
OOコレステリル;▲数式、化学式、表等があります▼
; ▲数式、化学式、表等があります▼であり、 R^3は−C_nH_2_n_+_1であり、R^4は
▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼;コレステリ ル;▲数式、化学式、表等があります▼;−R^3;▲
数式、化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、化学式、
表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;−(CH_2)_
q−COOR^3;−(CH_2)_qCNであり、そ
の際 Xは−COO−;−OOC−;価標であり、Yは−O−
;−S−であり、 Zは−O−;−S−であり、 R^5、R^6はH、CH_3/CH_3、H/H、C
N/CN、H/H、H/CN、CNであり(但しR^2
がCNでない場合) R^7は▲数式、化学式、表等があります▼;▲数式、
化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼;−R^8であり、 R^8はC_mH_2_m_+_1であり、R^9はO
R^3、CH_2OR^3、Cl、Br、COOR^3
、OOCR^3CNでありそして pは0.2で、qは2〜8でありそしてnは1〜16で
ある。〕 で表されるr−2−置換−t−5−置換−5−シアン−
1,3−ジオキサンを、透過または反射する光を変調す
る為の並びに文字、記号および図形を表示する為の負の
誘電異方性を有する混合物用の液晶化合物として用いる
方法。 4)混合物にコレステリン液晶性化または対掌性スメチ
ック液晶が添加されている特許請求の範囲第3項記載の
方法。 5)混合物に非液晶部、特に染料が混入されている特許
請求の範囲第1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD09K/290363-2 | 1986-05-20 | ||
DD09K/290364-0 | 1986-05-20 | ||
DD09K/290365-7 | 1986-05-20 | ||
DD29036386A DD249279A1 (de) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | Kristallin-fluessige gemische mit negativer dielektrischer anisotropie |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62289575A true JPS62289575A (ja) | 1987-12-16 |
Family
ID=5579185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62121440A Pending JPS62289575A (ja) | 1986-05-20 | 1987-05-20 | 負の誘電異方性を持つ混合物の為の液晶化合物および該化合物の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62289575A (ja) |
DD (1) | DD249279A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63137987A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | 液晶混合物 |
JP2001146588A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
-
1986
- 1986-05-20 DD DD29036386A patent/DD249279A1/de not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62121440A patent/JPS62289575A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63137987A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | 液晶混合物 |
JP2001146588A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DD249279A1 (de) | 1987-09-02 |
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