JPS6176480A - 液晶のトランス‐4‐(トランス‐5‐置換‐1,3‐ジオキサン‐2‐イル)‐シクロヘキサンカルボン酸エステル、その製造方法およびその用途 - Google Patents
液晶のトランス‐4‐(トランス‐5‐置換‐1,3‐ジオキサン‐2‐イル)‐シクロヘキサンカルボン酸エステル、その製造方法およびその用途Info
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- JPS6176480A JPS6176480A JP19499385A JP19499385A JPS6176480A JP S6176480 A JPS6176480 A JP S6176480A JP 19499385 A JP19499385 A JP 19499385A JP 19499385 A JP19499385 A JP 19499385A JP S6176480 A JPS6176480 A JP S6176480A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発BAは、文字、記号および図形を表示する為の電気
光学的装置におけるネマ・チック液晶混合物に加えられ
る液晶のトランス−4−11換−シクロヘキサンカルボ
ン酸エステルに関する。
光学的装置におけるネマ・チック液晶混合物に加えられ
る液晶のトランス−4−11換−シクロヘキサンカルボ
ン酸エステルに関する。
トランス−4−倉換−シクロヘキサンカルボン酸の非常
に多くの誘導体が公知である[ n。
に多くの誘導体が公知である[ n。
デームス(Demus)、H,デーA ス(Damua
)、H。
)、H。
ツアシエケ(Zaschka) :フリューシツヒ・ク
リスタレ拳イン・タベレン(Flus+51g5 Kr
1stallein Tabellen)、ライプツイ
ヒ(Laipzig)、1974:第璽巻、ライプツイ
ヒ(IeipZig)、1984〕。
リスタレ拳イン・タベレン(Flus+51g5 Kr
1stallein Tabellen)、ライプツイ
ヒ(Laipzig)、1974:第璽巻、ライプツイ
ヒ(IeipZig)、1984〕。
しかしながらこれらの化合物の中にはトランス−4−(
)ランス−5−f換−1,3−ジオキサン−2−イル)
−シクロヘキサンカルボン酸マたはそのエステルの中間
生成物が存在していないしまたトラン−4−ホルミル−
シクロヘキサン−カルボン酸エステルの誘導体あるいは
その遊離酸自体も存在していない。
)ランス−5−f換−1,3−ジオキサン−2−イル)
−シクロヘキサンカルボン酸マたはそのエステルの中間
生成物が存在していないしまたトラン−4−ホルミル−
シクロヘキサン−カルボン酸エステルの誘導体あるいは
その遊離酸自体も存在していない。
ネマチック液晶の性質を有するシクロヘキサン−カルボ
ン酸の誘導体は接触的に水嵩化することによって相応す
る芳香族化合物から得られる。この場合、勿論、分離の
困難々シス型−トランス型異性体混合物が生ずる。純粋
なトランス型化合物だけが液晶相を形成する。
ン酸の誘導体は接触的に水嵩化することによって相応す
る芳香族化合物から得られる。この場合、勿論、分離の
困難々シス型−トランス型異性体混合物が生ずる。純粋
なトランス型化合物だけが液晶相を形成する。
ネマチック液晶は、その光学的異方性および誘電異方性
の為に文字、記号および歯形を表示する為の電気光学的
装fit(ディスプレイ)において、広く利用すること
ができる。この場合、ねじれた均一なネマチック層〔シ
ャーデットーヘル7リツヒ効果(Schadt−Hal
frlch−gffakt))の可塑性変形の原理に従
って作動する特別の表示システムが用いられる。
の為に文字、記号および歯形を表示する為の電気光学的
装fit(ディスプレイ)において、広く利用すること
ができる。この場合、ねじれた均一なネマチック層〔シ
ャーデットーヘル7リツヒ効果(Schadt−Hal
frlch−gffakt))の可塑性変形の原理に従
って作動する特別の表示システムが用いられる。
いまのところ、個々の物質はメゾ相範囲(Maso−p
hasanbereich )、粘度、誘電−および弾
性定数等に関しての高い要求を満足していない為に、液
晶混合物を用いることだけが興味をもたれている。
hasanbereich )、粘度、誘電−および弾
性定数等に関しての高い要求を満足していない為に、液
晶混合物を用いることだけが興味をもたれている。
混合物は確に多くの性質における要求に度々対応してい
るが、例えば靜澄点が低過ぎることによって制限的にし
か使用できない。
るが、例えば靜澄点が低過ぎることによって制限的にし
か使用できない。
本発明の課題は、液晶混合物に高い靜澄点を4える物質
を見出すことである。
を見出すことである。
本発明者は、一般式■
H3
R3はON、F、O/、Br。
R4はCN 、 F + C1t B r * OOn
H2n+ 1 tたは’nH2n+1 ” 並びに Xは0またはS’(i−そしてn/fiO−10を意味
する。〕 で表わされる液晶の4−(5−@換−1.3−ジオキサ
ンー2−イル)−シクロヘキサン−1−カルポン酸エス
テルがネマチック液晶混合物の靜澄点を高めるのに逼し
ていることを見・川した。
H2n+ 1 tたは’nH2n+1 ” 並びに Xは0またはS’(i−そしてn/fiO−10を意味
する。〕 で表わされる液晶の4−(5−@換−1.3−ジオキサ
ンー2−イル)−シクロヘキサン−1−カルポン酸エス
テルがネマチック液晶混合物の靜澄点を高めるのに逼し
ていることを見・川した。
本発明の化合物を加えることは、電気光学的パラメータ
ー、例えば閾値電圧、立ち土がシーおよび立ち下が9時
間にマイナスの影響を及ばさ々い。本発明の化合物は5
〜5 Q rno!%の量で用いるのが有利である。
ー、例えば閾値電圧、立ち土がシーおよび立ち下が9時
間にマイナスの影響を及ばさ々い。本発明の化合物は5
〜5 Q rno!%の量で用いるのが有利である。
一般式1の液晶の置換−(1,5−ジオキサン−2−イ
ル) −シ/ロヘキサンーカルボン酸エステルは、トラ
ンス−4−()ランス−5−アルキル−1,3−ジオキ
サン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸を水放出
性反応薬、例えばチオニルクロライドまfcFiカルボ
−ジイミド類の存在下で且つ第三−アミンtfctiピ
リジンの存在下に水不含の非プロトン性溶剤中において
アルコール類、フェノール類およびそれらの硫黄類似物
と反応させることによって製造される。
ル) −シ/ロヘキサンーカルボン酸エステルは、トラ
ンス−4−()ランス−5−アルキル−1,3−ジオキ
サン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸を水放出
性反応薬、例えばチオニルクロライドまfcFiカルボ
−ジイミド類の存在下で且つ第三−アミンtfctiピ
リジンの存在下に水不含の非プロトン性溶剤中において
アルコール類、フェノール類およびそれらの硫黄類似物
と反応させることによって製造される。
この製造の際に中間生成物として必要とされる4−ホル
ミル−シクロヘキサンカルボン酸アルキルエステル(V
)はへキサヒドロテレフタル酸モノアルキルエステル(
夏)から容具に入手し得る。
ミル−シクロヘキサンカルボン酸アルキルエステル(V
)はへキサヒドロテレフタル酸モノアルキルエステル(
夏)から容具に入手し得る。
この目的の為に化合物(11’に酸無水物混合物情)に
転化し、これを4−ヒドロキシメチルシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル(Mlに還元する。化合物(酌から(
vlへの選択的酸化を、例えばピリジニウムークロロー
クロマートまたはGr Os/ピリジンを用いて行なう
。個々の反応段階の間にシクロヘキサン環のトランス−
配置は変わらない。
転化し、これを4−ヒドロキシメチルシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル(Mlに還元する。化合物(酌から(
vlへの選択的酸化を、例えばピリジニウムークロロー
クロマートまたはGr Os/ピリジンを用いて行なう
。個々の反応段階の間にシクロヘキサン環のトランス−
配置は変わらない。
合成図式Aに示した如く行なう反応手順、テトラフタル
酸モノアルキルエステル(11中のカルボキシル基の所
望の活性化、化合物(明の選択的還元および続いての、
アルデヒドの段1v(Vlまでのカルビノール(1/l
の酸化が、トランス−4−ホルミル−シクロヘキサンカ
ルボン酸エステル(V(に近ずくことを初めて可能とす
る。次の反応段階、即ち2−M換−プロパン−1,3−
ジオールでのアセタール化、エステル(Wlからの酸(
ロ)の遊離および再度のエステル化の間にシクロヘキサ
ン環の異性化が生じないことは驚ろくべきことであった
。化合物(Vlと(Mlとの反応の場合には1.5−ジ
オキサン環の所でのシス型−/トランス型異性体が生じ
るが、トランス型化合物しか液晶皐動全示さない。適尚
な溶剤、例えばメタノールまたはn−ヘキツンを用いて
再結晶化処理することによって、トランス型異性体を分
離することが可能である。シス型異性体含有1゛の多く
成ったこの母液を酸性触媒の存在下で加熱することによ
って元のシス型/トランス型−割合の平衡状態にさせる
ことができ、その結呆繰シ返えし再結晶化処理および続
すて平衡化処理を行なうことによって、用いた原料の殆
んど全てを液晶のトランス型化合物として単M−j−る
ことができる。既に開示された構造類似の液晶4′−n
−アルキル−ビシクロへキサン−1−カルボン酸エステ
ルの合成〔R,アイデンシンク(Eidenschin
k) ; J、クラウゼ(Krause’); L、ボ
ール(pohl); 、r、アイヒラ−(Eichle
r) : ”リキッド・クリスタルズ・ブロク・インド
・コン7(LlquldCrystals Proa、
Int、Conf、)”、 S、テアンドラゼクハー
(Chandrasekhar)編集、ハイデ:/ (
Heydenχロンドン(London) 、 (19
80)、第515頁〕の場合にも勿論同様にシス′!J
!!異性体生成物を形成するのだが、この生成物はメゾ
形態の挙動を示さず、反応混合物から分離しなけれはな
らない。しかしながら後から、前述の如〈実施される平
衡此処fMは不可能であシ、とれによって用いfc原料
の一部が失々われる。
酸モノアルキルエステル(11中のカルボキシル基の所
望の活性化、化合物(明の選択的還元および続いての、
アルデヒドの段1v(Vlまでのカルビノール(1/l
の酸化が、トランス−4−ホルミル−シクロヘキサンカ
ルボン酸エステル(V(に近ずくことを初めて可能とす
る。次の反応段階、即ち2−M換−プロパン−1,3−
ジオールでのアセタール化、エステル(Wlからの酸(
ロ)の遊離および再度のエステル化の間にシクロヘキサ
ン環の異性化が生じないことは驚ろくべきことであった
。化合物(Vlと(Mlとの反応の場合には1.5−ジ
オキサン環の所でのシス型−/トランス型異性体が生じ
るが、トランス型化合物しか液晶皐動全示さない。適尚
な溶剤、例えばメタノールまたはn−ヘキツンを用いて
再結晶化処理することによって、トランス型異性体を分
離することが可能である。シス型異性体含有1゛の多く
成ったこの母液を酸性触媒の存在下で加熱することによ
って元のシス型/トランス型−割合の平衡状態にさせる
ことができ、その結呆繰シ返えし再結晶化処理および続
すて平衡化処理を行なうことによって、用いた原料の殆
んど全てを液晶のトランス型化合物として単M−j−る
ことができる。既に開示された構造類似の液晶4′−n
−アルキル−ビシクロへキサン−1−カルボン酸エステ
ルの合成〔R,アイデンシンク(Eidenschin
k) ; J、クラウゼ(Krause’); L、ボ
ール(pohl); 、r、アイヒラ−(Eichle
r) : ”リキッド・クリスタルズ・ブロク・インド
・コン7(LlquldCrystals Proa、
Int、Conf、)”、 S、テアンドラゼクハー
(Chandrasekhar)編集、ハイデ:/ (
Heydenχロンドン(London) 、 (19
80)、第515頁〕の場合にも勿論同様にシス′!J
!!異性体生成物を形成するのだが、この生成物はメゾ
形態の挙動を示さず、反応混合物から分離しなけれはな
らない。しかしながら後から、前述の如〈実施される平
衡此処fMは不可能であシ、とれによって用いfc原料
の一部が失々われる。
合成図式A:
O00
j/v
(但し、R6=アルキル)
以下の実施例で本発明の化合物の製法を更に詳細に説明
する。
する。
実施例1
トランス−4−ヒドロキシメチルーシ//Dヘキサン−
カルボン酸エチルエステル(Il (R’:=c2H5
)の製造ニ ア5Wilの無水T)(Fに溶解した1 9.0.9(
0,1mo/ )のへキサヒドローテレンタル酸−モノ
エチルエステル(組(R’ = 02H5)に、50d
の無水THFに取った1 0.8 f/ (0,1ma
t )のクロル−m酸エチルエステル′fr−5rのも
とで加える。添加終了後にこの混合物を更に30分攪拌
する。次いで、沈殿した固体を戸去しそしてF液をNa
BH4での還元反応に委ねる。
カルボン酸エチルエステル(Il (R’:=c2H5
)の製造ニ ア5Wilの無水T)(Fに溶解した1 9.0.9(
0,1mo/ )のへキサヒドローテレンタル酸−モノ
エチルエステル(組(R’ = 02H5)に、50d
の無水THFに取った1 0.8 f/ (0,1ma
t )のクロル−m酸エチルエステル′fr−5rのも
とで加える。添加終了後にこの混合物を更に30分攪拌
する。次いで、沈殿した固体を戸去しそしてF液をNa
BH4での還元反応に委ねる。
この目的の為にP液に、50m1の水に7,4 Ilの
NaBH4を溶解した溶液を冷却下に10C〜15Cの
もとで滴加する。4時間室温で後攪拌し、3NのHe/
で酸性にする。酢酸エチルエステルでの徹底的な抽出、
精製した抽出物の5%濃度に2C03溶液での洗浄、N
2L2S04 での乾燥および減圧下での蒸留の後に
115.9 (理論値の78%)の純粋なトランス−4
−ヒドロキシメチル−シクロヘキサンカルボン酸エチル
エステル(wl (’Kp12: 1 s o c )
カ得らtL7.。
NaBH4を溶解した溶液を冷却下に10C〜15Cの
もとで滴加する。4時間室温で後攪拌し、3NのHe/
で酸性にする。酢酸エチルエステルでの徹底的な抽出、
精製した抽出物の5%濃度に2C03溶液での洗浄、N
2L2S04 での乾燥および減圧下での蒸留の後に
115.9 (理論値の78%)の純粋なトランス−4
−ヒドロキシメチル−シクロヘキサンカルボン酸エチル
エステル(wl (’Kp12: 1 s o c )
カ得らtL7.。
トランス−4−ホルミル−シクロヘキサンカルボン酸エ
チルエステル(Vl (R’ = C2H3) ’を製
造する為に、200鮮の無水メチレンクロライドに52
.21 (0,15ll1ol )のビリジニウムーク
ロロークロマートを懸濁させる。これに、3ONのメチ
レンクロライドに18.6.9 (0,ll1101り
の化合物(駒を入れたものを指押1に一度に添加する。
チルエステル(Vl (R’ = C2H3) ’を製
造する為に、200鮮の無水メチレンクロライドに52
.21 (0,15ll1ol )のビリジニウムーク
ロロークロマートを懸濁させる。これに、3ONのメチ
レンクロライドに18.6.9 (0,ll1101り
の化合物(駒を入れたものを指押1に一度に添加する。
1.5時間攪拌しfc稜に、沈殿した黒色の残渣からデ
カンテーションによって除き、メチレンクロライドで稜
洗浄しそしてfPiaしたメチレンクロライド溶液を濃
縮する。残渣を石油エーテル中に取シ、それによって同
時に油状の不純物が生ずる。この不純物はデカンテーシ
ョンまたはp過によって分離する。回転式蒸発器で石油
エーテルを除いた後に、減圧下での蒸留によって精製を
行なう。
カンテーションによって除き、メチレンクロライドで稜
洗浄しそしてfPiaしたメチレンクロライド溶液を濃
縮する。残渣を石油エーテル中に取シ、それによって同
時に油状の不純物が生ずる。この不純物はデカンテーシ
ョンまたはp過によって分離する。回転式蒸発器で石油
エーテルを除いた後に、減圧下での蒸留によって精製を
行なう。
収量: i 5.5 、!i’ (理論値の84%)K
p、2: 128〜1317:0 トランス−4−(トランス−5−n−へキシル−1,S
−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステル(vIO(R=06H1,51R’=
02H5)を製造する為に、1,6 l (10m m
at)の2−n−へキシル−プロパン−1,3−ジオー
ル(VJ (R’= C6H13)および1.a 4
i (1o m mat)ノドランス−4−ホルミル−
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル(v)(R6
=C2H5)ヲ100ynlのベンゼン中において10
0■のp−)シアンスルホン酸の存在下に1時間水分離
器において加熱する。冷却した反応混合物を2%濃度の
に2C03溶液および水で洗浄し、次いでNa2SO4
で乾燥させる。回転式蒸発器で溶剤を除きそしてn−へ
キサンで数回再結晶処理した稜に、1.5 IIの純粋
なトランス−4−(トランス−5−〇−へキシル−場、
5−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステルが得られる。
p、2: 128〜1317:0 トランス−4−(トランス−5−n−へキシル−1,S
−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステル(vIO(R=06H1,51R’=
02H5)を製造する為に、1,6 l (10m m
at)の2−n−へキシル−プロパン−1,3−ジオー
ル(VJ (R’= C6H13)および1.a 4
i (1o m mat)ノドランス−4−ホルミル−
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル(v)(R6
=C2H5)ヲ100ynlのベンゼン中において10
0■のp−)シアンスルホン酸の存在下に1時間水分離
器において加熱する。冷却した反応混合物を2%濃度の
に2C03溶液および水で洗浄し、次いでNa2SO4
で乾燥させる。回転式蒸発器で溶剤を除きそしてn−へ
キサンで数回再結晶処理した稜に、1.5 IIの純粋
なトランス−4−(トランス−5−〇−へキシル−場、
5−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステルが得られる。
収量=(理論値の45%)。
この化合物は42Cのもとて溶融し、70Cまでスメテ
ツクB相を形成しそしてこの温度以上で等方性である。
ツクB相を形成しそしてこの温度以上で等方性である。
トランス−4−(トランス−5−n−へキシル−1,3
−シオキfンー2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸
(w(R1=C6H43)を製造する為に、5.261
(10m ll1at )の化合物(■全501のア
ルコール中で1履lの水および1.12 p(20m
mat )のKOHの存在下1c1時間還流下に加熱す
る。溶剤の留去後に残渣を201の水に溶解しそしてO
Cのもとて塩酸で中和する。
−シオキfンー2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸
(w(R1=C6H43)を製造する為に、5.261
(10m ll1at )の化合物(■全501のア
ルコール中で1履lの水および1.12 p(20m
mat )のKOHの存在下1c1時間還流下に加熱す
る。溶剤の留去後に残渣を201の水に溶解しそしてO
Cのもとて塩酸で中和する。
遊離酸(冑をエーテル中に取pそしてエーテル相を2回
水で洗浄する。このエーテル相f Na2804で乾燥
し、F遇しそして回転式蒸発器でエーテルを留去した彼
に、残渣をn−ヘキサンで3回再結晶処理する。2.4
11 (理論値の80%)の純粋な化合物■が得られる
。このものは161Ctでスメチツク相を示しそして1
61〜183Cの範囲においてネマチックである。
水で洗浄する。このエーテル相f Na2804で乾燥
し、F遇しそして回転式蒸発器でエーテルを留去した彼
に、残渣をn−ヘキサンで3回再結晶処理する。2.4
11 (理論値の80%)の純粋な化合物■が得られる
。このものは161Ctでスメチツク相を示しそして1
61〜183Cの範囲においてネマチックである。
トランス−4−(トランス−5−n−へキシル−1,3
−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸
−4−シアンフェニルエステに、3 ’08m9(1m
mat )の化合物(4)および1209(1m m
at )の4−シアンフェニル並びに227tbg(L
l m vnol )のジシクロへキシルカルボジイミ
ド(Dac)flrJ−の無水エーテルに溶解する。こ
れに7 qq(1m mat )の無水ピリジンを加え
る。次いで更に3〜4時間、室温のもとて湿気の排除下
に攪拌する。沈殿するジシクロヘキシル尿素tp去しそ
してp液を濃縮する。残渣を、一定の静滑m度にまでメ
タノールおよびn−ヘキサンによって再結晶処理して精
製する。
−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸
−4−シアンフェニルエステに、3 ’08m9(1m
mat )の化合物(4)および1209(1m m
at )の4−シアンフェニル並びに227tbg(L
l m vnol )のジシクロへキシルカルボジイミ
ド(Dac)flrJ−の無水エーテルに溶解する。こ
れに7 qq(1m mat )の無水ピリジンを加え
る。次いで更に3〜4時間、室温のもとて湿気の排除下
に攪拌する。沈殿するジシクロヘキシル尿素tp去しそ
してp液を濃縮する。残渣を、一定の静滑m度にまでメ
タノールおよびn−ヘキサンによって再結晶処理して精
製する。
収量:220〜(理論値の55%)
K2ON191 I
実施例2
トランス−4−(トランス−5−n−へキシル−1−一
ジオキサンー2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸−
(4−ペンチルオキシフエを製造する為に、実施例1に
従って得られた30 BIQ(1ta mo/ )の化
合物(%1li1011/の無水エーテルに溶解しそし
て129〜(tumor)のチオニルクロライドと混合
する。この反応混合物を12時間室温で放置し、OCに
冷却しそして51の無水エーテルに180q (1m+
no/ )のヒドロキノン−モノペンチルエーテルおよ
びsosag(stnrnot)のTEA’ii溶解し
た溶液を添加しそして更に12時間室温で放置する。
ジオキサンー2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸−
(4−ペンチルオキシフエを製造する為に、実施例1に
従って得られた30 BIQ(1ta mo/ )の化
合物(%1li1011/の無水エーテルに溶解しそし
て129〜(tumor)のチオニルクロライドと混合
する。この反応混合物を12時間室温で放置し、OCに
冷却しそして51の無水エーテルに180q (1m+
no/ )のヒドロキノン−モノペンチルエーテルおよ
びsosag(stnrnot)のTEA’ii溶解し
た溶液を添加しそして更に12時間室温で放置する。
次いで各51の水、2%濃度KOHおよび再び水にて洗
浄し、Na25o4 で乾燥しそして回転式蒸発器で
エーテルを留去する。残渣in−へキサンで数回再結晶
処理する。
浄し、Na25o4 で乾燥しそして回転式蒸発器で
エーテルを留去する。残渣in−へキサンで数回再結晶
処理する。
収量=229y(理論値の48%)
K48〜52 88129 N148 1同様VCし
て以下の化合物’を製造し、転移温度を示す: 転移温度 実施例 化 合 物 KS
8 NIK−結昌固体 88−スメチツクB N−ネマチック I−等方性 液晶混合物における本発明の所望の性質を説明する為に
以下の実施例が役立つ。
て以下の化合物’を製造し、転移温度を示す: 転移温度 実施例 化 合 物 KS
8 NIK−結昌固体 88−スメチツクB N−ネマチック I−等方性 液晶混合物における本発明の所望の性質を説明する為に
以下の実施例が役立つ。
実施例1
以下の組成の混合物Aは10〜14Cの融点および72
Cの静滑点を有する: 54.5 rno!、%の4−n−グロビルシクロヘキ
サンカルボン酸−4−シアンフェニルエステル3、1.
Omo/%の4−n−ブチルシクロヘキサンカルボン酸
−4−シアンフェニルエステル 54.5 no/%の4−n−ペンチルシクロヘキサン
カルボン酸−4−シアンフェニルエステル。
Cの静滑点を有する: 54.5 rno!、%の4−n−グロビルシクロヘキ
サンカルボン酸−4−シアンフェニルエステル3、1.
Omo/%の4−n−ブチルシクロヘキサンカルボン酸
−4−シアンフェニルエステル 54.5 no/%の4−n−ペンチルシクロヘキサン
カルボン酸−4−シアンフェニルエステル。
10 rao1%の本発明の化合物を加えることによっ
て以下の性質が結果として生ずる:l 2
1 0 − 1
2 8 3実施例璽 以下の組成の置換ジオキサン混合物(靜漬点43C)に
10 mo7%の実施例3の化合物を混入する: 65’Cの静滑点(即ち、22Cだけ静滑点が高まる)
が結果としてヰする。
て以下の性質が結果として生ずる:l 2
1 0 − 1
2 8 3実施例璽 以下の組成の置換ジオキサン混合物(靜漬点43C)に
10 mo7%の実施例3の化合物を混入する: 65’Cの静滑点(即ち、22Cだけ静滑点が高まる)
が結果としてヰする。
この実施例は、本発明の化合物が、以下の実施例から判
る様に他のパラメーターにマイナスの影響を及ぼすこと
なしに、所望の静滑点t−達成することを示してbる。
る様に他のパラメーターにマイナスの影響を及ぼすこと
なしに、所望の静滑点t−達成することを示してbる。
実施例層
電気光学的パラメーターを変える試験二組 成
100 1.32.6 100 3590 1101
.42.8 134 6290 21OL42,8 9
6 38 90 3101.42.8 97 65Uo :20C
,50011gでの閾値電圧U :作動電圧 E” : 50%の強度変化、20C,5001gでの
立ち上がシ時間 A”’ : 50%の強度変化、20C,5001zで
の立ち下が9時間 実施例■ 粘度を変える試験: 混合物 η(cp)
混合物A 35.0
混合物A+10%の実施例1の化合物 53.0混
合物A+10%の実施例2の化合物 58.5(但
し、ηは20Cでの粘度である。)実施例V エンタルピー測定値: 実施例1.5.5および6の化合物について溶融エンタ
ルピーを測定した。
.42.8 134 6290 21OL42,8 9
6 38 90 3101.42.8 97 65Uo :20C
,50011gでの閾値電圧U :作動電圧 E” : 50%の強度変化、20C,5001gでの
立ち上がシ時間 A”’ : 50%の強度変化、20C,5001zで
の立ち下が9時間 実施例■ 粘度を変える試験: 混合物 η(cp)
混合物A 35.0
混合物A+10%の実施例1の化合物 53.0混
合物A+10%の実施例2の化合物 58.5(但
し、ηは20Cでの粘度である。)実施例V エンタルピー測定値: 実施例1.5.5および6の化合物について溶融エンタ
ルピーを測定した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I 〔式中、R^1はC_nH_2_n_+_1、▲数式、
化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を、 R^2はR^1、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼を、 R^3はCN、F、Cl、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、 −CH=CH−CN、▲数式、化学式、表等があります
▼、 R^5−OOC−、R^5−COO−または▲数式、化
学式、表等があります▼を、 R^4はCN、F、Cl、Br、OC_nH_2_n_
+_1またはC_nH_2_n_+_1を R^5はC_nH_2_n_+_1または▲数式、化学
式、表等があります▼を並びに Xはoまたはsをそしてnは0− 10を意味する。〕 で表わされる液晶のトランス−4−(トランス−5−置
換−1,3−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサン
カルボン酸エステル。 2)一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I 〔式中、R^1はC_nH_2_n_+_1、▲数式、
化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を、 R^2はR^1、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼を、 R^3はCN、F、Cl、Br、▲数式、化学式、表等
があります▼ −CH=CH−CN、▲数式、化学式、表等があります
▼、R^5−OOC−、R^5−COO−または▲数式
、化学式、表等があります▼を、 R^4はCN、F、Cl、Br、OC_nH_2_n_
+_1またはC_nH_2_n_+_1を R^5はC_nH_2_n_+_1または▲数式、化学
式、表等があります▼を並びに Xはoまたはsをそしてnは0−10 を意味する。〕 で表わされる液晶のトランス−4−(トランス−5−置
換−1,3−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサン
カルボン酸エステルを製造するに当つて、ヘキサヒドロ
−テレフタル酸モノアルキルエステルをクロル蟻酸アル
キルエステルと反応させ、選択的に還元してカルビノー
ルとしそして選択的に酸化してトランス−4−ホルミル
シクロヘキサンカルボン酸アルキルエステルとし、2−
置換−プロパン−1,3−ジオールと反応させてトラン
ス−4−/シス−トランス−5−置換−1,3−ジオキ
サン−2−イル/−シクロヘキサンカルボン酸アルキル
エステルとしそして適当なヒドロキシ化合物でケン化し
た後に再びエステル化し、その後にジオキサン環のトラ
ンス位配置の化合物を分離しそしてトランス−型−異性
体のこの分離後に母液中で含有量の多く成つたシス型−
異性体をp−トルエンスルホン酸、鉱酸またはルイス酸
(Levis−S■ure)の如き酸性触媒と一諸に加
熱することによつて平衡状態とさせそして生ずるトラン
ス型−異性体を再び分離することを特徴とする、上記ト
ランス−4−(トランス−5−置換−1,3−ジオキサ
ン−2−イル)−シクロヘキサンカルボン酸エステルの
製造方法。 3)一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I 〔式中、R^1はC_nH_2_n_+_1、▲数式、
化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を、 R^2はR^1、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼を、 R^3は、CN、F、Cl、Br、▲数式、化学式、表
等があります▼、−CH=CH−CN、▲数式、化学式
、表等があります▼、R^5−OOC−、R^5−CO
Oまたは▲数式、化学式、表等があります▼を、 R^4はCN、F、Cl、Br、OC_nH_2_n_
+_1またはC_nH_2_n_+_1を R^5はC_nH_2_n_+_1または▲数式、化学
式、表等があります▼を並びに Xはoまたはsをそしてnは0−10 を意味する。〕 で表わされる液晶のトランス−4−(トランス−5−置
換−1,3−ジオキサン−2−イル)−シクロヘキサン
カルボン酸エステルを、ネマチツク液晶混合物において
静澄点を高める為に用いる方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD26697984A DD227706A1 (de) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | Verfahren zur herstellung von kristallin-fluessigen trans-4- trans-5-subst.-1,3-dioxan-2-yl/- cyclohexancarbonsaeureestern |
DD07D/266979-1 | 1984-09-05 | ||
DD09K/266980-6 | 1984-09-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6176480A true JPS6176480A (ja) | 1986-04-18 |
Family
ID=5560200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19499385A Pending JPS6176480A (ja) | 1984-09-05 | 1985-09-05 | 液晶のトランス‐4‐(トランス‐5‐置換‐1,3‐ジオキサン‐2‐イル)‐シクロヘキサンカルボン酸エステル、その製造方法およびその用途 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6176480A (ja) |
DD (1) | DD227706A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998017664A1 (fr) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Chisso Corporation | Derives de dioxane, compositions de cristaux liquides contenant ces derives, et dispositif d'affichage a cristaux liquides fabrique a partir de ces derniers |
JP2004256490A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nagase Chemtex Corp | トランスシクロヘキサン誘導体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68919727T2 (de) * | 1988-03-09 | 1995-06-01 | Showa Shell Sekiyu | Dioxan-Flüssigkristallverbindungen. |
-
1984
- 1984-09-05 DD DD26697984A patent/DD227706A1/de not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-09-05 JP JP19499385A patent/JPS6176480A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998017664A1 (fr) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Chisso Corporation | Derives de dioxane, compositions de cristaux liquides contenant ces derives, et dispositif d'affichage a cristaux liquides fabrique a partir de ces derniers |
JP2004256490A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nagase Chemtex Corp | トランスシクロヘキサン誘導体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DD227706A1 (de) | 1985-09-25 |
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