JPH01308239A

JPH01308239A - 液晶性化合物

Info

Publication number: JPH01308239A
Application number: JP63136820A
Authority: JP
Inventors: Yoshimasa Kitano; 北野　喜誠; Makoto Shioda; 誠潮田; Manabu Uchida; 学内田; Toshiharu Suzuki; 俊晴鈴木
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1988-06-03
Filing date: 1988-06-03
Publication date: 1989-12-12
Anticipated expiration: 2011-08-14
Also published as: JP2525224B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（発明の目的）本発明は、新規な液晶性化合物および該化合物を含有す
る液晶組成物に関する。

液晶物質およびその組成物は、その液晶相における誘電
率の異方性（Δｅと略記する）および光の屈折率の異方
性（Δｎと略記する）を利用して、種々の表示装置に使
用されている。

液晶表示方式には、応用される電気光学効果に対応して
、電界制御複屈折型（ＥＣＢ型）、ねじれネマチック型
（、Ｔ　Ｎ型）、スーパーツイスト複屈折型（ＳＢＥ型
）、動的散乱型（ＤＳ型）、ゲスト・ホスト型など種々
の方式がある。

表示装置に用いられる液晶材料は、その表示方式により
、また表示素子に要求される諸特性によυ、広い液晶相
温度範囲、低粘性、大きな正のΔε値または負のΔε値
および広い温度域にわたって表示素子の諸特性（特にし
きい値電圧）が大きく変化しないことなどの種々の特性
を兼ね備えていなければならない。

しかし、現在のところ、液晶相温度範囲、動作電圧、応
答性能の面から実用にできる単一化合物はない。実用に
は、数種の液晶化合物の混合物、または数種の液晶化合
物に潜在的に液晶性を有する化合物もしくは非液晶物質
を混合した物が供せられている。

本発明の目的は、液晶表示装置に使用可能な液晶性化合
物および液晶組成物を提供しようとするものである。こ
こで、液晶性化合物とは、液晶相を示す化合物のほかに
、通常液晶相を示さ々いが、他の液晶化合物に溶解した
場合に液晶挙動の成る面に有効に作用する化合物を意味
する。

（発明の構成）本発明の第一は（１）一般式％式％（）（式中、Ｒ’は水素まだは炭素数１〜２０のアルキル丑
だけアルケニルであり、これらのアルキルおよびアルケ
ニルにおいてｊつの−ＣＨ２−基または相隣接していな
い２つの−ＣＨ２−基は一〇−基によシ置換されてもよ
く、二重結合の位置および数は任意に選べる。式中、Ａ
Ｉ　、、Ａ２およびＡ３はそれ置換されてもよい。式中
、Ｂ１およびＢ２はそれぞれ独立に−ＣＢ２　ＣＢ２−
１−ＣＨ２０−１−０ＣＢ２−または単結合であり、ｎ
はＯまたは１の整数であシ、ｍは１〜２０の自然数であ
る。）にて表わされる化合物であシ、本発明の第二は（２）一
般式（１）で表わされる化合物を少なくとも１種含有す
ることを％徴とする液晶組成物である。

前記（１）式においてｎ−＝Ｑである本発明の化合物の
中、好ましい物として、以下の一般式で示される化合物
が挙げられる。

これらの式において、Ｒ１は前記した意味を持ち、Ｒ２
は＋ＣＨ２←ＣＨ＝ＣＦ、　　（ｍは１〜２０の自然数
前記した式で表わされる２つの６員環をもつ本発明の化
合物の中では、Ｒ１が炭素数１〜１２の直鎖のアルキル
またはアルコキシである物が好ましい。

また、Ｒ２におけるｍが１〜１０である物が好ましい。

（１）式で示される本発明の化合物を例示すると、４’
−（３，３−ジフルオロ−２−７”ロペニル）ビフェニ
ル４−メチル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロ
ペニル）ビフェニル４−エチル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロペ
ニル）ビフェニル４−プロピル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロ
ペニル）ビフェニル４−ブチル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロペ
ニル）ビフェニル４−ペンチル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロ
ペニル）ビフェニル４−へキシル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロ
ペニル）ビフェニル４−へブチル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロ
ペニル）ビフェニルビフェニル４−デシル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロペ
ニル）ビフェニル４−ウンデシル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プ
ロペニル）ビフェニル４−ドデシル−４’−（３，３−ジフルオロ−２−プロ
ペニル）ビフェニル４’−（４，４−ジフルオロ−３−７’テニル）ビフェ
ニル４−メチル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブ
テニル）ビフェニル４−エチル−４”（４，４−ジフルオロ−３−ブテニル
）ビフェニル４−プロピル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブテ
ニル）ビフェニル４−ブチル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブテニ
ル）ビフェニル４−ペンチル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブテ
ニル）ビフェニル４−へキシル−４′−（４，４−ジフルオロ−３−ブテ
ニル）ビフェニル４−へブチル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブテ
ニル）ビフェニル４−オクチル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブテ
ニル）ビフェニル４−ノニル−４′−（４，４−ジフルオロ−３−ブテニ
ル）ビフェニル４−デシル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブテニ
ル）ビフェニル４−ドデシル−４’−（４，４−ジフルオロ−３−ブテ
ニル）ビフェニルなどである。（２）式で示される化合物としては、−フ
ロベニル）フェニルコシクロヘキサントランス−４−エ
チル−Ｃ４−（３，３−ジフルオロ−２−フロベニル）
フェニルコシクロヘキサントランス−４−プロピル−（
４−（３，３−ジフルオロ−２−７’ロペニル）フェニ
ルコシクロヘキサントランス−４−ブチル−〔４−（３
，３−ジフルオロ−２−プロペニル）フェニルコシクロ
ヘキサントランス−４−ペンチル−（４−（３，３−ジ
フルオロ−２−７’ロペニル）フェニルコシクロヘキサ
ントランス−４−へキシル−（４−（３，３−ジフルオ
ロ−２−プロペニル）フェニルコシクロヘキサントラン
ス−４−ヘプチル−Ｃ４−（３，３−ジフルオロ−２−
プロペニル）フェニルコシクロヘキサントランス−４−
オクチル−（４−（３，３−ジフルオロ−２−プロペニ
ル）フェニルコシクロヘキサントランス−４−ノニル−
（４−（３，３−ジフルオロ−２−プロペニル）フェニ
ル〕シクロヘキサントランス−４−デシル−（４−（３
，３−ジフルオロ−２−プロペニル）フェニルクシクロ
ヘキサントランス−４−ウンデシル−Ｃ４，−（３，３
−ジフルオロ−２−７’ロベニル）フェニルクシクロヘ
キサントランス−４−ドデシル−Ｃ４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−７’ロペニル）フェニルコシクロヘキサン
４−（４，４−ジフルオロ−３−ブテニル）フェニルシ
クロヘキサントランス−４−メチル−〔４−（４，４−ジフルオロ−
３−フチニル）フェニルクシクロヘキサントランス−４
−エチル＝Ｃ４−（４，４−ジフルオロ−３−）７−ニ
ル）フェニルクシクロヘキサントランス−４−プロピル
−Ｃ４−（４，４−ジフルオロ−３−７’テニル）フェ
ニルコシクロへ＋サントランスー４−ブチルーＣ４−（
４，４−ジフルオロ−３−フチニル）フェニルクシクロ
ヘキサントランス−４−ペンチル−（４−（４，４−ジ
フルオロ−３−ブテニル）フェニルクシクロヘキサント
ランス−４−へキシル−（４−（４，４−ジフルオロ−
３−フチニル）フェニルクシクロヘキサントランス−４
−へブチル−〔４−（４，４−ジフルオロ−３−ブーｒ
ニル）フェニルクシクロヘキサントランス−４−オクチ
ル−（４−（４，４−ジフルオロ−３−ブテニル）フェ
ニルクシクロヘキサントランス−４−ノニル−（４−（
４，４−ジフルオロ−３−フチニル）フェニルクシクロ
ヘキサントランス−４−デシル−（４−（４，４−ジフ
ルオロ−３−フチニル）フェニルクシクロヘキサントラ
ンス−４−ウンデシル−（４−（４，４−ジフルオロ−
３−ブｙニル）フェニルクシクロヘキサントランス−４
−ドデシル−Ｃ４−（４，４−ジフルオロ−３−）ｆニ
ル）フェニルコシクロヘキサンなどｇ例示することがで
きる。また（３）式の化合物を例示すると、４−〔トランス−４−（３，３−ジフルオロ−２−プロ
ペニル）シクロヘキシルコシクロヘキサンヘキサンヘキサンロヘキサントランス−１−（、３，３−ジフルオロ−２−プロペニ
ル）−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサンロヘキサンロヘキサンロヘキサンロヘキサンヘキサントランス−１−（３，３−ジフルオロ−２−プロペニル
）−１（トランス−４−デシルシクロヘキシル）シクロ
ヘキサンクロヘキサンロヘキサンキサンキサンヘキサンキサンヘキサンヘキサンヘキサンなどである。

前記（ｊ）式において、ｎ　＝　ｌである本発明の化合
物の中、好ましい物として、以下の式で示される化合物
があげられる。

これらの式でＲ１およびＲ２は前記した意味をもち、も
よい。これらにおいてＲ２におけるｍが１〜１０の物が
特に好ましい。

本発明の化合物は、例えば次の合成法に従って製造でき
る。

Ｒｌ−ＡＩ　’ｆ３１−Ａ２イＢ２−Ａ３ぜＣＨ２揄Ｃ
ＨＯ（ｆｆ）Ｒ”−Ａ’−Ｂ’−Ａ２（Ｂ２−Ａ３−）
−（’ＣＨ→−ＣＨ＝ＣＦ２　　　（Ｉ　）ｎ　　　　
　　　ｍ（上式中、Ｒ１、ＡＩ　、Ａ２　、Ａｓ、　Ｂｌ　、Ｂ
２、ｎおよびｍは前記した意味を持つ。また、ｐｈはフ
ェニルを意味する。）すなわち、一般式（ＩＩ）で表わされるアルデヒド誘導
体餉にジエチレングリコールジメチルエーテル溶媒中で
還流下にトリフェニルホスフィンとクロロジフルオロ酢
酸ナトリウムとを反応させる。この反応はビツテイヒ（
Ｗｉ　ｔｔｉｇ　）反応として、炭素−炭素二重結合を
生成せしめる反応として知られている（例えば、Ｏｒｑ
、　５ｙｎｔｈ、ｃｏｌ、　Ｖｏｌ、　Ｖ、　３９０（
１９７３）参照）。反応生成物に減圧蒸留、クロマトグ
ラフィー、再結晶馨の分離精製操作を行なうことによシ
、（１）式の２，２−ジフルオロエテン誘導体を得るこ
とができる。

出発原料である一般式（ＩＩ）で表わされるアルデヒド
誘導体（資）は、例えば次の合成法に従って製造できる
。

Ｒ’−Ａ’−Ｂ”−Ａ２（Ｂ２−Ａ３（ＣＮ　　　　　
　　（ＩＶ）Ｒ１−Ａｌ　Ｂ１−Ａ２イＢ２　Ａ３チー
ＣＨＯ（Ｖ　）Ｒ”　Ａ’　　Ｂ’−Ａ２（Ｂ２−Ｂ３
−）−ＣＨ＝ＣＨＯＣＨｓ　　（■）Ｒ”−Ａ”　−Ｂ
’−Ａ２（Ｂ２−Ａ”）−ＣＨ２ＣＨＯ（Ｖｌｌ）（上
式中、Ｒ１、ＡＩ　、Ｂｌ　、Ａｔ　、Ｒ２、Ａｌ１お
よびｎは前記した意味を持つ。また、１−Ｂｕおよびｐ
ｂはそれぞれイソブチルおよびフェニルを意味する。）
すなわち、一般式（■）で表わされる置換ベンゾニトリ
ルまだは置換シクロヘキサンカルボニトリルを乾燥した
トルエン溶媒中で低温下に水素化ジイソブチルアルミニ
ウムと反応させる。次いで反応液をメタノール、水さら
に塩酸にて処理した後、トルエンで生成物を抽出する。

抽出液を中和、水洗、乾燥等を行なった後、減圧蒸留、
クロマトグラフィー、再結晶等の一般的な分離精製手段
を適用することにより、一般式（Ｖ）で表わされる置換
ベンズアルデヒドもしくは置換シクロヘキサンカルバル
デヒドを得ることができる。

出発原料である一般式（ＩＶ）で表わされる化合物には
、それ自体液晶材料として用いられている物も多く、そ
の他の物もこれらの液晶材料化合物の製造方法もしくは
公知の反応をこれに組合せることにより容易に製造しう
る。また（ＩＶ）式のニトリル誘導体を出発原料とする
製法のほかに、置換安息香酸、置換シクロヘキサンカル
ボン酸、置換ベンジルアルコール、置換シクロヘキシル
メタノール等を還元または酸化することによって（Ｖ）
式で表わされるアルデヒド化合物とする製法を用いるこ
ともできる。

さらに、アルデヒド誘導体（■）にメトキシメチルトリ
フェニルホスホニウムクロライドおよび塩基（例えば、
カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウムメチラート、フ
ェニルリチウム、ｎ−ブチルリチウム等）を反応させる
ビツテイヒ（Ｗｉｔｔｉｇ）反応（（より、メトキシビ
ニル誘導体（■）を得る。この化合物（■）を酸性下で
加熱すると（例えば、テトラヒドロフラン溶媒下塩酸と
加熱する）、もとのアルデヒド誘導体（Ｖ）よジメチレ
ンが１つ増えたアルデヒド誘導体（４）を得ることがで
きる。このＷｉｔｔｉｇ反応および酸処理反応をアルデ
ヒド誘導体（■）を原料としてｍ回線υ返すことによシ
、ｍが１以上のアルデヒド誘導体（ＩＩ）を得ることが
できる。

本発明の（１）式の化合物は、比較的低粘度な液晶性化
合物であり、よシ応答速度の速い液晶表示装置を作成す
るのに好適な化合物である。

本発明の化合物は、液晶表示材料に必要な熱、光、電気
、空気、水分等に対する安定性を有する化合物である。

また、本発明の化合物は、他の液晶性化合物との相溶性
が優れているので、それ等の化合物またはそれ等の混合
物と混合することにより種々の用途に適した液晶材料と
することができる。

本発明の液晶組成物の成分として（Ｔ）式の化合物の外
に用いられる液晶成分としては、例えば以下の（１）〜
（ｘｘｘｉｌｉ）の式で表わされる液晶化合物が好まし
い。

ハロゲン原子、Ｒ′またはＯＲ”を示し、ＲおよびＲ１
子はハロゲン原子で置換されていてもよい。

本発明においては、これらの液晶化合物または液晶混合
物に（１）式の化合物が好ましくは１〜３０重量係電型
シ好ましくは５〜２０重量係電型される。（１）式でｎ
＝Ｑの化合物の含量が３０重電型を越えると得られる組
成物の透明点の降下が大きくなることがあって好ましく
ない。また、（１１式でｎ＝１である化合物の含量が３
０重電型を越えると得られる組成物の粘性が大きくなる
ことがあるのでやはシ好ましくない。

前述した一般式（１）〜（１６）の２環化合物は、極め
て低粘性で他の既存の液晶との相溶性に優れておシ、ま
た、ネマチック液晶組成物に、これらの化合物を添加し
てもネマチック−等方性液相転移点をあまシ降下させな
い特性を有する。特に一般式（３）の化合物は、極めて
Δｎの小さな化合物であシ、Δｎの小さな液晶組成物を
調製するのに優れた特性を有している。

さらに前述した一般式αη〜（至）の３環の液晶性化合
物には２環化合物に比べて透明点の高い物が多い。これ
らは３環の液晶化合物としては、比較的低粘性の化合物
である。

以下に実施例によシ、本発明の詳細な説明するが、本発
明はこれらの実施例に限られるものではない。実施例中
で結晶−スメクチック相転移点、結晶−ネマチック相転
移点、スメクチック−スメクチック相転移点、スメクチ
ック−ネマチック相転移点、スメクチック−等方性液相
転移点およびネマチック−等方性液相転移点をそれぞれ
Ｃ８点、ＣＮ点、ｓｓ点、ＳＮ点、ＳＩ点およびＮＩ点
と略記する。

実施例１（１）トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキサンカルバルデヒドの調製トランス−４−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサンカルボニトリル１，００１１　（０
，４３ｍｏＪ　）とトルエン２００ＴＩＬｌを０℃で撹
拌下に反応系を窒素置換した後に、水素化ジイソブチル
アルミニウムの２５　ｗｔ％　）ルエン溶液３００ｙを
窒素気流下に反応温度５°Ｃ以下で、撹拌下に徐々に加
えた。反応温度を３時間かけて徐々に２００Ｃに上げ、
２０℃にて１０時間、窒素気流下に撹拌した。反応溶液
を０℃に冷却して、メタノール２ｏｏｍｔ、水２００ｍ
！さらに６Ｎ−塩酸５００ｍ１を撹拌下に滴下した。反
応溶液にトルエン３００ｍ１を加え生成物を抽出し、こ
のトルエン溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２００
ｍｌで５回次いで水層が中性になるまで水洗後、無水硫
酸す）　ＩＪウムにてトルエン溶液を乾燥した。乾燥剤
を炉別した後、トルエンを留去して得られた残渣を減圧
下にて乾燥して目的物８７．９（０，３７ｍｏｌ）を得
た。

（２）トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロへキシルアセトアルデヒドリ　　　　
　の調製市販のメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロラ
イド１２７．５１　（０，３７２ｍｏ１３）をメチル−
１−ブチルエーテル１１に加え、アルゴン雰囲気中で撹
拌下に一１０℃にて１０分間でカリウム−ｔ−ブトキシ
ド４３．１　ｇ　（０，３８４，ｒｎｏｌ）を添加１〜
だ。反応液を１時間、０℃にて撹拌後、（１）で得られ
たトランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキサンカルバルデヒド４８．９　ｇ　（
０，２０７ｍｏｌ）のメチ／Ｉｚ−１−ブチルエーテル
２００ゴ溶液を一１０’Ｃにて１５分間で滴下した。反
応液を０℃で１時間撹拌後、トルエン０．３１および水
０．３ｆｆｌを加えた。このトルエン溶液を水０．３１
で４回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。

乾燥剤を分離後、トルエンを留去して得られた残渣を酢
酸エチル１００７ｄに加熱溶解し１日室温に静置した。

析出した結晶を炉別し、母液を濃縮し、ヘプタンに溶解
して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによシ精製
してトランス−１−（２−メトキシ−１−エチニル）−
４−（＋−ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シク
ロヘキサン４３．１　ｇ　（０，１６３ｍｏｌ）を得た
。

その全量にテトラヒドロフラン５００ｍ１および２Ｎ−
塩酸１２０　ｍｌ、を加えて、１時間撹拌下に加熱還流
した後冷却した。反応液にトルエン３００１ｒＬｌ＝２
７− および水１１を加えて洗浄する。このトルエン溶液を水
１１で３回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した
。乾燥剤を分離後トルエンを留去して得られた残渣を減
圧下に乾燥して、トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロへキシルアセトアルデヒド
３８．０　！ｊ（０，１５２ｍｏｌ）を得た。

（３）トランス−１−（３’、３−ジフルオロ−２−プ
ロペニル）−４−（１−ランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキサンの調製（２）に従って得られたトランス−４−（トランス−４
−７’口ピルシク口ヘキシル）シクロへキシルアセト７
　／１／デヒド４２．Ｏｊ！　（０，１，６８ｍｏｌ）
、トリフェニルホスフィン５０．６　ｇ　（０，１９３
ｍｏ／）、クロロジフルオロ酢酸ナトリウム５１．２　
ｇ（０，３３６ｍｏｌ）およびジメチルホルムアミド１
６０ｍ１を窒素気流下で、３時間、約９０°Ｃに加熱撹
拌後、室温まで冷却した。反応液にトルエン２００ｄお
よび水２００ａｌを加えた。このトルエン溶液を水２０
０ｍノで３回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウム＝２８− にて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留去して、
得られた残渣を減圧蒸留した。蒸留物をヘプタンに溶解
して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製後、
ヘプタンとエタノール（１：１０）の混合溶媒で再結晶
を繰υ返し行ない最後に乾燥して、目的の化合物トラン
ス−１−（３，３−ジフルオロ−２−７’ロペニル）−
４−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキサン１８．７　、！ｉ’　（０，０６５７ｍｏｌ）
を得た。この化合物のＣ８点は−１１，５°Ｃ，ＳＩ点
は５５．４°Ｃであった。

同様にしてトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキサンカルボニトリルを原料と
して以下のトランス−１−（３，３−ジフルオロ−２−
７’ロペニル）−４”（）ランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキサンを調製した。

Ｃ８点　３．５℃、　　ＳＩ点　６５．７°Ｃであった
。

実施例２出発原料として、トランス−４−プロピル（４−シアノ
フェニル）シクロヘキサンを用いて、実施例１に準じた
方法で、トランス−４−プロピルＣ４−（３，３−ジフ
ルオロ−２−プロペニル）フェニルコシクロヘキサンを
調製した。この物の融点は−７，０°Ｃであった。

実施例３出発原料として、４−ペンチル−４′−シアノビフェニ
ルを用いて、実施例ＩＫ準じた方法で、４−ペンチル−
４’−（３，３−ジフノ１オロー２−プロペニル）ビフ
ェニルを調製した。この物は８８点３６．９℃およびＳ
Ｉ点５３．１°Ｃを示した。

実施例４（１）３−（トランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルツー１−プロパナール
の調製市販のメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロラ
イド１０２．７　、！ｉ”　（０，３’００　ｍｏｂ）
をメチル−ｔ−ブチルエーテル１１に加え、アルゴン雰
囲気中で撹拌下に一１０℃にて１０分間でカリウム−ｔ
−ブトキシド３３．７１　（０，３００ｍｏｌ）を添加
した。反応液を１時間、０°Ｃにて撹拌後−１０’Ｃに
て、実施例１（２）の方法で調製したトランス−４−（
トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロへキシ
ルアセトアルデヒド５０　ｇ　（０，２００ｍｏＡ）の
メチル−ｔ−ブチルエーテル２００ｄ溶液を一１０’Ｃ
にて１５分間で滴下した。反応液を０℃で１時間撹拌後
トルエン０．３１および水０．３ノを加えた。このトル
エン溶液を水０．３／で４回分液洗浄し、無水硫酸ナト
リウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留去
して、得られた残渣を酢酸エチル１００ｄに加熱溶解し
１日室温に静置した。析出した結晶を炉別し、母液を濃
縮し、ヘプタンに溶解してシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーによシ精製して、トランス−１−（３−メトキ
シ−２−プロペニル）　−４，−、（１−ランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロ、ヘキサン４２．６１
１　（０，１５３ｍｏｌ）を得た。その全量にテトラヒ
ドロフラン３３０ｄおよび２Ｎ＝塩酸９Ｑｍを加えて、
１時間撹拌下に加熱還流した後冷却した。反応液にトル
エンａ、ｏｏ４および水１１．を加えて洗浄する。この
トルエン溶液を水１１で３回分液洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。乾燥剤を分離後トルエンを留去して
、得られた残渣を減圧下に乾燥して、３−〔トランス−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシルツー１−プロパナール３５．６　ｇ　（０，１
３５ｍｏＡ）を得た。

（２）　トランス−１−（４，４−ジフルオロ−３−ブ
テニル）−４−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサンの調製（１）で得られた３−〔トランス−４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルツー１−プ
ロパナール２７．５　ｇ　（０，１０４ｍｏｌ）、トリ
フェニルホスフィン３１．４１１　（０，１２０ｍｏｌ
）、クロロジフルオロ酢酸ナトリウム３１．７１１　（
０，２０８ｍａｉｌ　）およびジメチルホルムアミド１
３０ｄを窒素気流下で、３時間、約９０℃に加熱撹拌後
、室温まで冷却した。反応液にトルエン２００ゴおよび
水２０　Ｑｍ７を加えた。このトルエン溶液を水２００
ｄで３回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した
。乾燥剤を分離後、トルエンを留去して得られた残渣を
減圧蒸留した。蒸留物をヘプタンに溶解して、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製後、ヘプタンとエタ
ノール（１：１０）の混合溶媒で再結晶を繰シ返し行な
い最後に乾燥して、目的の化合物トランス−１−（４，
４−ジフルオロ−３−ブテニル）−４−（）ランス−４
−プロビルシクロヘキシル）シクロヘキサン１０．２１
１　（０，０３４２ｍａｉｌ　）を得た。

この化合物のＣ８点は−１０，３℃、ＳＩ点は７０．３
℃であった。

同様にして対応するアルデヒド化合物を原料として以下
の化合物を調製した。

トランス−１−（４，４−ジフルオロ−３−ブテニル）
−４−（１−ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサンＣＳ点　−２２，８℃、　ＳＩ点　８５．７°Ｃトラン
ス−４−プロピル−１−（４−（４，４−ジフルオロ−
３−ブテニル）フェニルコシクロヘキサン　　　融点　
−１５，６℃ ４−ペンチル−４，’−（４，４−ジフルオロ−３−ブ
テニル）ビフェニルＣＳ点　−２５，４°Ｃ，ＳＳ点　３０．８℃、ＳＩ点
　　５０．６℃ 実施例５（使用例Ｊ）からなる液晶組成物ＡのＮＩ点は７２．０℃、２０℃に
おける粘度”＋２０は２７．５　ＣＰ、　　ＪＩＥは１
１．０（２／／＝　１５．７、ｅｃ＝４．７）であり、
Δｎは０．１４（１ｌｅ＝　１．６３、ｎｏ＝１．４９
）であり、これをセル厚１０μｍのＴＮセルに封入した
もののしきい値電圧は１．８３Ｖ、飽和電圧は２．７９
Ｖであった。

該液晶組成物Ａ、８５重量部に実施例４で示す本発明の
化合物トランス−１−（４，４−ジフルオロ−３−ブテ
ニル）　−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン１．５　重量ｉ伽えた液晶組成物の
ＮＩ点は７０．２℃とあまシ降下せず、”＋２０は１９
．５ｃＰと極めて減少し、　Δ８は９．５　（”ｉ　＝
　１．３．９、ε土−４，４）となり、　Δｎは０、１
．２　（ｎ６　＝　１．６１、ｎ、）＝１．４９）と減
少した。

また、この組成物を前述のＴＮセルに封入したもののし
きい値電圧（ｖｔｈと略す）は１．８０Ｖ、飽和電圧は
（Ｖｓａｔと略す）は２．７７Ｖと低下した。

実施例６（使用例２〜８）前記しだ液晶組成物Ａ８５重量部に、実施例１〜４にて
調製した表１に示す本発明の化合物１５重量部をそれぞ
れ混合して７種の液晶組成物を調製した。これらの７種
の液晶組成物の物性を液晶組成物Ａの特性および使用例
１の結果とともに表１に示す。

（発明の効果）本発明によシ、新規な液晶性化合物および液晶混合物が
提供される。新規な液晶性化合物には、粘性が低い、Δ
ｎが小さい、Δｅが小さいなどの特徴を示す物が多く、
これらの性質を活かして表示素子材料に有用な液晶混合
物を得ることができる。

以上

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は水素または炭素数１〜２０のアルキル
またはアルケニルであり、これらのアルキルおよびアル
ケニルにおいて１つの−ＣＨ＿２−基または相隣接して
いない２つの−ＣＨ＿２−基は−Ｏ−基により置換され
てもよく、二重結合の位置および数は任意に選べる。式
中、Ａ＾１、Ａ＾２およびＡ＾３はそれぞれ独立に▲数
式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、
表等があります▼であり、この▲数式、化学式、表等が
あります▼の水素はフッ素、塩素もしくはメチルで置換
されてもよい。式中、Ｂ＾１およびＢ＾２はそれぞれ独
立に−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
＿２−または単結合であり、ｎは０または１の整数であ
り、ｍは１〜２０の自然数である。）にて表わされる化合物。
（２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は水素または炭素数１〜２０のアルキル
またはアルケニルであり、これらのアルキルおよびアル
ケニルにおいて１つの−ＣＨ＿２−基または相隣接して
いない２つの−ＣＨ＿２−基は−Ｏ−基により置換され
てもよく、二重結合の位置および数は任意に選べる。式
中、Ａ＾１、Ａ＾２およびＡ＾３はそれぞれ独立に▲数
式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、
表等があります▼であり、この▲数式、化学式、表等が
あります▼の水素はフッ素、塩素もしくはメチルで置換
されてもよい。式中、Ｂ＾１およびＢ＾２はそれぞれ独
立に−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
＿２−または単結合であり、ｎは０または１の整数であ
り、ｍは１〜２０の自然数である。）にて表わされる化合物を含有する液晶組成物。