JPH0776536A - ハロゲン化ビニル誘導体およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法 - Google Patents
ハロゲン化ビニル誘導体およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法Info
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- JPH0776536A JPH0776536A JP5221400A JP22140093A JPH0776536A JP H0776536 A JPH0776536 A JP H0776536A JP 5221400 A JP5221400 A JP 5221400A JP 22140093 A JP22140093 A JP 22140093A JP H0776536 A JPH0776536 A JP H0776536A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】新規な液晶材料として有用な化合物、その製法
および該化合物を用いた液晶材料を提供する。 【構成】式（II） 〔例えば、４−プロピルフェニルアセチレン〕で示され
るエチニレン誘導体と、式（III） 〔例えば、２−（４−プロピルシクロヘキシル）ビニル
フロミド〕で示されるハロゲン化ビニルを溶媒中、遷移
金属カップリング剤を用いて反応させ、式（IV） 〔この場合は、１−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−４−（プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−
３−イン〕で示される化合物を製造する。
および該化合物を用いた液晶材料を提供する。 【構成】式（II） 〔例えば、４−プロピルフェニルアセチレン〕で示され
るエチニレン誘導体と、式（III） 〔例えば、２−（４−プロピルシクロヘキシル）ビニル
フロミド〕で示されるハロゲン化ビニルを溶媒中、遷移
金属カップリング剤を用いて反応させ、式（IV） 〔この場合は、１−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−４−（プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−
３−イン〕で示される化合物を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハロゲン化ビニル誘導体
およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法に関す
る。さらに詳しくはハロゲン化ビニル基を分子末端に含
有する液晶性化合物および原料の１つとしてこの化合物
を用い、簡便な操作で分子内部に共役エンイン結合を有
する液晶性化合物を合成する方法に関する。
およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法に関す
る。さらに詳しくはハロゲン化ビニル基を分子末端に含
有する液晶性化合物および原料の１つとしてこの化合物
を用い、簡便な操作で分子内部に共役エンイン結合を有
する液晶性化合物を合成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を利用した表示素子は時計、電卓等
に広く利用されている。これらの液晶表示素子は液晶物
質の光学異方性および誘電異方性を利用している。液晶
相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶相、コレス
テリック液晶相があり、そのうちネマチック液晶相を利
用した液晶表示素子が最も広く実用化されている。さら
に液晶表示に応用されている表示方式としては電気光学
効果に対して、ＴＮ（ねじれネマチック）型、ＤＳ（動
的散乱）型、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型等がある。現
在までに研究段階のものを含め多くの液晶性化合物が世
に知られているが、現在のところ単一の液晶物質として
表示素子に封入され使用されている物質は存在しない。
なぜならば表示素子材料用の液晶物質は室温を中心とす
るなるべく広い温度範囲で液晶相を示すものが望まし
く、また使用される環境因子に対して十分安定であり、
また表示素子を駆動させるに十分な物理的性質を持つも
のでなくてはならないが、単体としてこれらの条件を満
たすものが見いだされていないからである。そこで現在
では数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を混合して
目的とする性質を持つ組成物を調整し実用に供してい
る。これらの液晶組成物は使用環境下に通常に存在する
水分、光、熱、空気等に対しても安定であることを要求
される。また電場および電磁放射に対する安定性、さら
には混合する液晶化合物が互いに使用環境内で化学的に
安定であることも必要とされる。また液晶組成物はその
光学異方性値、誘電異方性値および電導度等の諸物性値
が表示方式および素子の形状に依存して適切な値を取る
ことが必要とされる。特に最近では薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）方式およびスーパーツイストネマチック（Ｓ
ＴＮ）方式の液晶表示素子が注目されており、これらの
用途に対応するために優れた物理的性質を有する新規な
材料の開発が嘱望されている。
に広く利用されている。これらの液晶表示素子は液晶物
質の光学異方性および誘電異方性を利用している。液晶
相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶相、コレス
テリック液晶相があり、そのうちネマチック液晶相を利
用した液晶表示素子が最も広く実用化されている。さら
に液晶表示に応用されている表示方式としては電気光学
効果に対して、ＴＮ（ねじれネマチック）型、ＤＳ（動
的散乱）型、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型等がある。現
在までに研究段階のものを含め多くの液晶性化合物が世
に知られているが、現在のところ単一の液晶物質として
表示素子に封入され使用されている物質は存在しない。
なぜならば表示素子材料用の液晶物質は室温を中心とす
るなるべく広い温度範囲で液晶相を示すものが望まし
く、また使用される環境因子に対して十分安定であり、
また表示素子を駆動させるに十分な物理的性質を持つも
のでなくてはならないが、単体としてこれらの条件を満
たすものが見いだされていないからである。そこで現在
では数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を混合して
目的とする性質を持つ組成物を調整し実用に供してい
る。これらの液晶組成物は使用環境下に通常に存在する
水分、光、熱、空気等に対しても安定であることを要求
される。また電場および電磁放射に対する安定性、さら
には混合する液晶化合物が互いに使用環境内で化学的に
安定であることも必要とされる。また液晶組成物はその
光学異方性値、誘電異方性値および電導度等の諸物性値
が表示方式および素子の形状に依存して適切な値を取る
ことが必要とされる。特に最近では薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）方式およびスーパーツイストネマチック（Ｓ
ＴＮ）方式の液晶表示素子が注目されており、これらの
用途に対応するために優れた物理的性質を有する新規な
材料の開発が嘱望されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳＴＮ方式の表示材料
に要求される重要な物性の一つに表示応答時間の短縮が
あるが、これについては粘度の低い組成物を用いること
が効果的である。そこで、添加することによって組成物
の粘度を低下させることのできる、いわゆる減粘剤とし
ての液晶性化合物が、いくつか開発されてきた。例えば
特開平２−１８４６４２号公報にはフッ化ビニル基を有
する化合物が、また特公表平１−５０２８２３号公報に
はシクロヘキセニルアセチレン構造を分子内部に有する
下記の化合物が開示されている。しかしながら前者の化
合物は低粘性を示すが、澄明点が低いので成分として添
加した場合に組成物の澄明点を下げるという問題があ
る。また後者の化合物はその物理的特性が具体的に示さ
れていないため、減粘剤としての位置付けは明らかでな
い。
に要求される重要な物性の一つに表示応答時間の短縮が
あるが、これについては粘度の低い組成物を用いること
が効果的である。そこで、添加することによって組成物
の粘度を低下させることのできる、いわゆる減粘剤とし
ての液晶性化合物が、いくつか開発されてきた。例えば
特開平２−１８４６４２号公報にはフッ化ビニル基を有
する化合物が、また特公表平１−５０２８２３号公報に
はシクロヘキセニルアセチレン構造を分子内部に有する
下記の化合物が開示されている。しかしながら前者の化
合物は低粘性を示すが、澄明点が低いので成分として添
加した場合に組成物の澄明点を下げるという問題があ
る。また後者の化合物はその物理的特性が具体的に示さ
れていないため、減粘剤としての位置付けは明らかでな
い。
【０００４】
【化５】
【０００５】本発明者らは、先に分子内部に共役エンイ
ン基を有する液晶化合物について出願し、その製造例に
ついても述べた（特願平５−４４００８号公報、未公開
出願）。しかし、該製造例は工程が比較的煩雑な上、得
られる化合物の収率が低い。また、優れた液晶特性は化
合物中央部のエンイン構造における２重結合部分が、Ｅ
体である立体異性体の場合に得られるが、この製造法に
おいては液晶特性を示さないＺ体も１：１の割合で同時
に副生するという欠点があった。
ン基を有する液晶化合物について出願し、その製造例に
ついても述べた（特願平５−４４００８号公報、未公開
出願）。しかし、該製造例は工程が比較的煩雑な上、得
られる化合物の収率が低い。また、優れた液晶特性は化
合物中央部のエンイン構造における２重結合部分が、Ｅ
体である立体異性体の場合に得られるが、この製造法に
おいては液晶特性を示さないＺ体も１：１の割合で同時
に副生するという欠点があった。
【０００６】さらに、この製造法は末端にシアノ基など
の金属アセチリドに対し活性な置換基をもつ化合物の合
成には不適であった。
の金属アセチリドに対し活性な置換基をもつ化合物の合
成には不適であった。
【０００７】本発明の目的は、液晶材料として有用かつ
優れた特性を有し、かつ他の液晶化合物の合成原料とし
て重要な新規化合物、および該化合物を用いた有用な液
晶材料を提供することにある。
優れた特性を有し、かつ他の液晶化合物の合成原料とし
て重要な新規化合物、および該化合物を用いた有用な液
晶材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願で特許請求される発
明は以下のとおりである。 （１）一般式（Ｉ）
明は以下のとおりである。 （１）一般式（Ｉ）
【０００９】
【化６】
【００１０】（式中、環Ｃおよび環Ｄは１個または２個
のハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニ
レン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキ
サン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基
または１，３−ピリミジン−２，５−ジイル基を表わ
し、Ｇ1 はヨウ素、臭素または塩素原子を表わし、Ｍは
共有結合、１，２−エチレン基、オキシカルボニル基、
カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン基、１，２−
エチニレン基、オキシメチレン基、メチレンオキシ基、
１，４−ブチレンまたは１，４−ブテニレン基を表わ
し、ｍおよびｌは０、１または２を表わし、ｏは０また
は２を表わし、Ｒはハロゲン原子、シアノ基、少なくと
も１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアル
キル基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子
で置き換えたアルコキシ基、アルキル基、アルコキシ
基、アルコキシアルキル基またはアルケニル基を表わ
す）で示されるハロゲン化ビニル誘導体。 （２）Ｇ1 は臭素または塩素原子を表わし、Ｍは共有結
合、１，２−エチレン基、オキシカルボニル基、カルボ
ニルオキシ基、１，２−エテニレン基、オキシメチレン
基またはメチレンオキシ基を表わし、ｍおよびｌは１ま
たは２を表わす上記（１）に記載の誘導体。 （３）環Ｃおよび環Ｄは１個または２個のハロゲン原子
で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，４
−シクロヘキシレン基または１，３−ピリミジン−２，
５−ジイル基を表わし、Ｇ1 は臭素または塩素原子を表
わし、Ｍは共有結合、１，２−エチレン基、オキシカル
ボニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン
基、オキシメチレン基またはメチレンオキシ基を表わ
し、ｍおよびｌは１または２を表わし、Ｒはハロゲン原
子、シアノ基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲ
ン原子で置き換えたアルキル基、少なくとも１つ以上の
水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルコキシ基、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基または
アルケニル基を表わす上記（１）に記載の誘導体。 （４）環Ｃおよび環Ｄは１個または２個のフッ素原子で
置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，４−
シクロヘキシレン基または１，３−ピリミジン−２，５
−ジイル基を表わし、Ｇ1 は臭素または塩素原子を表わ
し、Ｍは共有結合、１，２−エチレン基、オキシカルボ
ニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン基、
オキシメチレン基またはメチレンオキシ基を表わし、ｍ
およびｌは１または２を表わし、Ｒは少なくとも１つ以
上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルキル基、
少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換
えたアルコキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコ
キシアルキル基またはアルケニル基を表わす上記（１）
に記載の誘導体。 （５）一般式
のハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニ
レン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキ
サン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基
または１，３−ピリミジン−２，５−ジイル基を表わ
し、Ｇ1 はヨウ素、臭素または塩素原子を表わし、Ｍは
共有結合、１，２−エチレン基、オキシカルボニル基、
カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン基、１，２−
エチニレン基、オキシメチレン基、メチレンオキシ基、
１，４−ブチレンまたは１，４−ブテニレン基を表わ
し、ｍおよびｌは０、１または２を表わし、ｏは０また
は２を表わし、Ｒはハロゲン原子、シアノ基、少なくと
も１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアル
キル基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子
で置き換えたアルコキシ基、アルキル基、アルコキシ
基、アルコキシアルキル基またはアルケニル基を表わ
す）で示されるハロゲン化ビニル誘導体。 （２）Ｇ1 は臭素または塩素原子を表わし、Ｍは共有結
合、１，２−エチレン基、オキシカルボニル基、カルボ
ニルオキシ基、１，２−エテニレン基、オキシメチレン
基またはメチレンオキシ基を表わし、ｍおよびｌは１ま
たは２を表わす上記（１）に記載の誘導体。 （３）環Ｃおよび環Ｄは１個または２個のハロゲン原子
で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，４
−シクロヘキシレン基または１，３−ピリミジン−２，
５−ジイル基を表わし、Ｇ1 は臭素または塩素原子を表
わし、Ｍは共有結合、１，２−エチレン基、オキシカル
ボニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン
基、オキシメチレン基またはメチレンオキシ基を表わ
し、ｍおよびｌは１または２を表わし、Ｒはハロゲン原
子、シアノ基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲ
ン原子で置き換えたアルキル基、少なくとも１つ以上の
水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルコキシ基、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基または
アルケニル基を表わす上記（１）に記載の誘導体。 （４）環Ｃおよび環Ｄは１個または２個のフッ素原子で
置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，４−
シクロヘキシレン基または１，３−ピリミジン−２，５
−ジイル基を表わし、Ｇ1 は臭素または塩素原子を表わ
し、Ｍは共有結合、１，２−エチレン基、オキシカルボ
ニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン基、
オキシメチレン基またはメチレンオキシ基を表わし、ｍ
およびｌは１または２を表わし、Ｒは少なくとも１つ以
上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルキル基、
少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換
えたアルコキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコ
キシアルキル基またはアルケニル基を表わす上記（１）
に記載の誘導体。 （５）一般式
【００１１】
【化７】
【００１２】（式中、環Ａは１，４−フェニレン基また
は１，４−シクロヘキシレン基を表わし、環Ｂは１，４
−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３
−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−
ジイル基または１，３−ピリミジン−２，５−ジイル基
を表わし、Ｌは共有結合、１，２−エチレン基、オキシ
カルボニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレ
ン基、１，２−エチニレン基、オキシメチレン基、メチ
レンオキシ基、１，４−ブチレン基または１，４−ブテ
ニレン基を表わし、ｎは０または１を表わし、Ｙはアル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、少な
くとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えた
アルキル基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン
原子で置き換えたアルコキシ基を表わし、ＸおよびＺは
互いに独立して水素原子またはフッ素原子を表わし、環
Ｂが１，４−フェニレンのときＷはフッ素または水素原
子を表わし、環Ｂが１，４−フェニレンでないときＷは
水素原子を表わす。ただしｎが０のときはＬは共有結合
を表わす）で示されるアセチレン誘導体と一般式
は１，４−シクロヘキシレン基を表わし、環Ｂは１，４
−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３
−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−
ジイル基または１，３−ピリミジン−２，５−ジイル基
を表わし、Ｌは共有結合、１，２−エチレン基、オキシ
カルボニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレ
ン基、１，２−エチニレン基、オキシメチレン基、メチ
レンオキシ基、１，４−ブチレン基または１，４−ブテ
ニレン基を表わし、ｎは０または１を表わし、Ｙはアル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、少な
くとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えた
アルキル基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン
原子で置き換えたアルコキシ基を表わし、ＸおよびＺは
互いに独立して水素原子またはフッ素原子を表わし、環
Ｂが１，４−フェニレンのときＷはフッ素または水素原
子を表わし、環Ｂが１，４−フェニレンでないときＷは
水素原子を表わす。ただしｎが０のときはＬは共有結合
を表わす）で示されるアセチレン誘導体と一般式
【００１３】
【化８】
【００１４】（式中、環Ｃおよび環Ｄは１または２個の
ハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニレ
ン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサ
ン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基ま
たは１，３−ピリミジン−２，５−ジイル基を表わし、
Ｇ2 はハロゲン原子を表わし、Ｍは共有結合、１，２−
エチレン基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ
基、１，２−エテニレン基、１，２−エチニレン基、オ
キシメチレン基、メチレンオキシ基、１，４−ブチレン
基または１，４−ブテニレンを表わし、ｍおよびｌは０
または１を表わし、Ｒは少なくとも１つ以上の水素原子
をハロゲン原子で置き換えたアルキル基、少なくとも１
つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルコキ
シ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル
基またはアルケニル基を表わし、ｍが０のときＭは共有
結合を表わし、ｍおよびｌが同時に０であることはな
い）で示されるハロゲン化ビニル誘導体を反応させるこ
とを特徴とする一般式（IV）
ハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニレ
ン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサ
ン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基ま
たは１，３−ピリミジン−２，５−ジイル基を表わし、
Ｇ2 はハロゲン原子を表わし、Ｍは共有結合、１，２−
エチレン基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ
基、１，２−エテニレン基、１，２−エチニレン基、オ
キシメチレン基、メチレンオキシ基、１，４−ブチレン
基または１，４−ブテニレンを表わし、ｍおよびｌは０
または１を表わし、Ｒは少なくとも１つ以上の水素原子
をハロゲン原子で置き換えたアルキル基、少なくとも１
つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルコキ
シ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル
基またはアルケニル基を表わし、ｍが０のときＭは共有
結合を表わし、ｍおよびｌが同時に０であることはな
い）で示されるハロゲン化ビニル誘導体を反応させるこ
とを特徴とする一般式（IV）
【００１５】
【化９】
【００１６】（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ、Ｌ、
Ｍ、ｎ、ｍ、ｌ、Ｘ、Ｚ、Ｒ、ＹおよびＷは前記と同じ
意味を表わす）で示される液晶化合物の製造方法。 （６）前記反応を塩基性の溶媒中、金属触媒の存在下に
行なう上記（５）に記載の製造方法。 （７）金属触媒が０価または２価のパラジウム錯体であ
る上記（６）に記載の製造方法。 （８）上記（１）に記載のハロゲン化ビニル誘導体を少
なくとも１種類以上含有する液晶組成物。
Ｍ、ｎ、ｍ、ｌ、Ｘ、Ｚ、Ｒ、ＹおよびＷは前記と同じ
意味を表わす）で示される液晶化合物の製造方法。 （６）前記反応を塩基性の溶媒中、金属触媒の存在下に
行なう上記（５）に記載の製造方法。 （７）金属触媒が０価または２価のパラジウム錯体であ
る上記（６）に記載の製造方法。 （８）上記（１）に記載のハロゲン化ビニル誘導体を少
なくとも１種類以上含有する液晶組成物。
【００１７】本発明者らは上述した問題を解決すべく鋭
意検討した結果、一般式（Ｉ）で示される新規な化合物
を見いだした。この化合物は Tetrahedron Letters, 50
4467p (1975) に記載の方法を応用した場合、一般式
（IV）で示される化合物の簡便で選択的な製造方法にお
ける原料として有用であることも見い出した。すなわ
ち、一般式（II）で示されるアセチレン誘導体を一般式
（III)で示されるハロゲン化ビニルと遷移金属カップリ
ング剤の存在下に反応させることによって、ほぼ定量的
に目的とする一般式（IV）で示される化合物へと誘導で
きる。
意検討した結果、一般式（Ｉ）で示される新規な化合物
を見いだした。この化合物は Tetrahedron Letters, 50
4467p (1975) に記載の方法を応用した場合、一般式
（IV）で示される化合物の簡便で選択的な製造方法にお
ける原料として有用であることも見い出した。すなわ
ち、一般式（II）で示されるアセチレン誘導体を一般式
（III)で示されるハロゲン化ビニルと遷移金属カップリ
ング剤の存在下に反応させることによって、ほぼ定量的
に目的とする一般式（IV）で示される化合物へと誘導で
きる。
【００１８】ここで一般式（III)で示される化合物は一
般式（Ｉ）に包含される化合物である。上記反応で使用
される遷移金属カップリング剤としては触媒量の銅塩ー
パラジウム錯体混合剤がしばしば好ましい結果を示す。
銅塩としてはハロゲン化銅が好ましく、そのうちでも特
にヨウ化銅が好ましい。パラジウム錯体としては塩化パ
ラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビストリフェニル
ホスフィンパラジウム、テトラキストリフェニルホスフ
ィンパラジウム、ヨードフェニルビストリフェニルホス
フィンパラジウム、ビスアセチルオキシビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム、カラシュ錯体などが挙げられ
るが、取り扱いが容易で安価なことから２価のパラジウ
ム錯体が好ましい。また反応が良好に進行することから
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ヨード
フェニルビストリフェニルホスフィンパラジウム、ビス
アセチルオキシビストリフェニルホスフィンパラジウ
ム、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムが
好ましいが、それらの中でも特に取り扱いと反応の進行
の両方の条件を満足するジクロロビストリフェニルホス
フィンパラジウムがより好ましい。本反応は反応中間体
として活性な０価のパラジウム錯体を経由する。そのた
め反応は不活性ガス中で行なうことが好ましい。本反応
に使用できる溶媒としては脱離するハロゲン化水素を捕
獲するために塩基性を持つことが望ましい。さらに触媒
および原料化合物が容易に溶解して反応系を均一に保つ
ことができる点でアミン系有機溶媒が好ましい。この条
件を満たす溶媒として例えばジエチルアミン、トリエチ
ルアミン、ピリジン、モルホリン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアミノピリジン、ルチジン、Ｎ−メチルピ
ロリドン、ブチルアミンなどが挙げられる。これら塩基
性溶媒は単独あるいは通常の有機溶媒との混合物として
使用される。また相間移動触媒を用いた場合には無機塩
基水溶液中でも反応は良好に進行する。用いる無機塩基
としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リ
チウム、水酸化カルシウムなどが挙げられ、これらの
０．１〜５規定溶液は反応が速やかに進行し、かつ副反
応が起こらないことから溶媒として好ましい。この際に
使用される相間移動触媒としては４級アンモニウム塩、
ホスホニウム塩などが挙げられ、さらに入手が容易なこ
とからベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、トリ
ブチルアンモニウムブロミド、トリオクチルメチルアン
モニウムクロリド、トリトン−Ｂ、テトラブチルホスホ
ニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミ
ド、トリエチルヘキサデシルホスホニウムブロミドなど
が良好である。また本反応の反応温度としては−５０℃
から溶媒の沸点に至る領域より選択することができる
が、反応が速やかに進行し、副反応も少ないことから０
℃から５０℃の領域から選択することが好ましい。本反
応終了後、通常の後処理を行なうことによって一般式
（IV）で示される新規液晶化合物を得ることができる
が、一般に行なわれる精製操作を単独あるいは複数組み
合わせて実施することでより純度の高い目的物を得るこ
とができる。
般式（Ｉ）に包含される化合物である。上記反応で使用
される遷移金属カップリング剤としては触媒量の銅塩ー
パラジウム錯体混合剤がしばしば好ましい結果を示す。
銅塩としてはハロゲン化銅が好ましく、そのうちでも特
にヨウ化銅が好ましい。パラジウム錯体としては塩化パ
ラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビストリフェニル
ホスフィンパラジウム、テトラキストリフェニルホスフ
ィンパラジウム、ヨードフェニルビストリフェニルホス
フィンパラジウム、ビスアセチルオキシビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム、カラシュ錯体などが挙げられ
るが、取り扱いが容易で安価なことから２価のパラジウ
ム錯体が好ましい。また反応が良好に進行することから
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ヨード
フェニルビストリフェニルホスフィンパラジウム、ビス
アセチルオキシビストリフェニルホスフィンパラジウ
ム、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムが
好ましいが、それらの中でも特に取り扱いと反応の進行
の両方の条件を満足するジクロロビストリフェニルホス
フィンパラジウムがより好ましい。本反応は反応中間体
として活性な０価のパラジウム錯体を経由する。そのた
め反応は不活性ガス中で行なうことが好ましい。本反応
に使用できる溶媒としては脱離するハロゲン化水素を捕
獲するために塩基性を持つことが望ましい。さらに触媒
および原料化合物が容易に溶解して反応系を均一に保つ
ことができる点でアミン系有機溶媒が好ましい。この条
件を満たす溶媒として例えばジエチルアミン、トリエチ
ルアミン、ピリジン、モルホリン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアミノピリジン、ルチジン、Ｎ−メチルピ
ロリドン、ブチルアミンなどが挙げられる。これら塩基
性溶媒は単独あるいは通常の有機溶媒との混合物として
使用される。また相間移動触媒を用いた場合には無機塩
基水溶液中でも反応は良好に進行する。用いる無機塩基
としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リ
チウム、水酸化カルシウムなどが挙げられ、これらの
０．１〜５規定溶液は反応が速やかに進行し、かつ副反
応が起こらないことから溶媒として好ましい。この際に
使用される相間移動触媒としては４級アンモニウム塩、
ホスホニウム塩などが挙げられ、さらに入手が容易なこ
とからベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、トリ
ブチルアンモニウムブロミド、トリオクチルメチルアン
モニウムクロリド、トリトン−Ｂ、テトラブチルホスホ
ニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミ
ド、トリエチルヘキサデシルホスホニウムブロミドなど
が良好である。また本反応の反応温度としては−５０℃
から溶媒の沸点に至る領域より選択することができる
が、反応が速やかに進行し、副反応も少ないことから０
℃から５０℃の領域から選択することが好ましい。本反
応終了後、通常の後処理を行なうことによって一般式
（IV）で示される新規液晶化合物を得ることができる
が、一般に行なわれる精製操作を単独あるいは複数組み
合わせて実施することでより純度の高い目的物を得るこ
とができる。
【００１９】本製造方法ではシアノ基、ハロゲン原子等
の官能基を有する。一般式（II）または（III)の化合物
を原料とした場合にもこれらの官能基を損なうことなく
一般式（IV）の化合物が良好な収率で得られる。さて、
一般式（III)で示される化合物を含み、適当な置換基お
よび立体配置を有する一般式（Ｉ）の化合物は低い粘度
と広い液晶レンジを有する。すなわち６員環構造を分子
内に２個以上含有することによって、一般式（Ｉ）の化
合物は表示材料として好適なネマチックレンジを幅広く
示す。また一般式（Ｉ）の化合物は、他の広い液晶レン
ジを有する化合物と比較して非常に低い粘度と良好な相
溶性を示すので、前述したＳＴＮ方式の新規な液晶材料
として有望である。
の官能基を有する。一般式（II）または（III)の化合物
を原料とした場合にもこれらの官能基を損なうことなく
一般式（IV）の化合物が良好な収率で得られる。さて、
一般式（III)で示される化合物を含み、適当な置換基お
よび立体配置を有する一般式（Ｉ）の化合物は低い粘度
と広い液晶レンジを有する。すなわち６員環構造を分子
内に２個以上含有することによって、一般式（Ｉ）の化
合物は表示材料として好適なネマチックレンジを幅広く
示す。また一般式（Ｉ）の化合物は、他の広い液晶レン
ジを有する化合物と比較して非常に低い粘度と良好な相
溶性を示すので、前述したＳＴＮ方式の新規な液晶材料
として有望である。
【００２０】次に一般式（Ｉ）の化合物において、液晶
材料として好適である化合物を例示する。まず、誘電的
な特徴を決定する要素である末端構造Ｔをａ〜ｑに例示
する。環Ｄが１または２個のハロゲンで置換されていて
もよい１，４−フェニレンであるときの末端構造の例を
ａ〜ｍに示し、１，４−シクロヘキシレンであるときの
例をｎ〜ｑに示す。
材料として好適である化合物を例示する。まず、誘電的
な特徴を決定する要素である末端構造Ｔをａ〜ｑに例示
する。環Ｄが１または２個のハロゲンで置換されていて
もよい１，４−フェニレンであるときの末端構造の例を
ａ〜ｍに示し、１，４−シクロヘキシレンであるときの
例をｎ〜ｑに示す。
【００２１】
【化１０】
【００２２】次に配向秩序、液晶レンジなどを決定する
要素である骨格構造を１〜３６に例示する。
要素である骨格構造を１〜３６に例示する。
【００２３】
【化１１】
【００２４】一般式（Ｉ）の化合物は、ａ〜ｑのいずれ
かの末端構造Ｔと１〜３６のいずれかの骨格構造との組
み合わせで表わされる。一般式（Ｉ）の化合物のうち、
末端構造としてａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、ｈまたはｊを
有するものが広い液晶レンジを有し好ましい。またｃ、
ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌまたはｍで示され
る末端構造を有する化合物は正の誘電異方性の値を持ち
好ましい。特にｊ、ｋ、ｌまたはｍの末端構造を有する
化合物は大きな正の誘電異方性値を持ち、液晶表示素子
として好ましい特性を組成物に与える。さらに末端構造
ｍを有する化合物は低電圧駆動用の材料として特異であ
る。環Ｄが１，４−シクロヘキシレンであり、ｎからｑ
に示される末端構造を有する一般式（Ｉ）の化合物はい
ずれも著しく低粘性である。分子内にシクロヘキサン環
のみを有する一般式（Ｉ）の化合物は、他のシクロヘキ
サン環を有する液晶性化合物に比較して一般にスメクチ
ック相を示しにくく、また他の液晶性材料との相溶性に
優れている。また骨格構造として１、２、３、１９、２
０または２１の構造を有する化合物は特に低粘性であり
好ましい。また１０、１１、１２、２８、２９または３
０のような構造を有する化合物は２環性でありながら広
い液晶相、高い澄明点および大きな光学的異方性を有し
好ましい。特に２８〜３０は安定である点で好ましい。
３環性化合物である４〜９、１３〜１８、２２〜２７、
３０〜３６はいずれも他の３環性化合物に比較して広い
液晶相を有しかつ低い粘度であり好適な化合物である。
特に７、８または９の構造を有する化合物はスメクチッ
ク相の発現を押さえ、相溶性がよく特に好ましい。
かの末端構造Ｔと１〜３６のいずれかの骨格構造との組
み合わせで表わされる。一般式（Ｉ）の化合物のうち、
末端構造としてａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、ｈまたはｊを
有するものが広い液晶レンジを有し好ましい。またｃ、
ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌまたはｍで示され
る末端構造を有する化合物は正の誘電異方性の値を持ち
好ましい。特にｊ、ｋ、ｌまたはｍの末端構造を有する
化合物は大きな正の誘電異方性値を持ち、液晶表示素子
として好ましい特性を組成物に与える。さらに末端構造
ｍを有する化合物は低電圧駆動用の材料として特異であ
る。環Ｄが１，４−シクロヘキシレンであり、ｎからｑ
に示される末端構造を有する一般式（Ｉ）の化合物はい
ずれも著しく低粘性である。分子内にシクロヘキサン環
のみを有する一般式（Ｉ）の化合物は、他のシクロヘキ
サン環を有する液晶性化合物に比較して一般にスメクチ
ック相を示しにくく、また他の液晶性材料との相溶性に
優れている。また骨格構造として１、２、３、１９、２
０または２１の構造を有する化合物は特に低粘性であり
好ましい。また１０、１１、１２、２８、２９または３
０のような構造を有する化合物は２環性でありながら広
い液晶相、高い澄明点および大きな光学的異方性を有し
好ましい。特に２８〜３０は安定である点で好ましい。
３環性化合物である４〜９、１３〜１８、２２〜２７、
３０〜３６はいずれも他の３環性化合物に比較して広い
液晶相を有しかつ低い粘度であり好適な化合物である。
特に７、８または９の構造を有する化合物はスメクチッ
ク相の発現を押さえ、相溶性がよく特に好ましい。
【００２５】さらに細かく説明すると、一般式（Ｉ）の
化合物のうち、ａ〜ｑの末端構造と１〜３６の骨格構造
から好適なものを組み合わせたｎ〜ｑ−１〜３、ｎ〜ｑ
−１９〜２１、ａ〜ｍ−１〜３、ａ〜ｍ−１９〜２１は
いずれも優れた性質を示すものであるが、特に誘電異方
性の値が大きく液晶相を広く持つものとしてｃ−１、ｃ
−２、ｃ−１９、ｃ−２０、ｃ−４、ｃ−５、ｃ−６、
ｃ−２２、ｃ−２３、ｃ−２４、ｅ−１、ｅ−２、ｅ−
１９、ｅ−２０、ｅ−４、ｅ−５、ｅ−６、ｅ−２２、
ｅ−２３、ｅ−２４、ｆ−１、ｆ−２、ｆ−１９、ｆ−
２０、ｆ−２６、ｆ−５、ｆ−６、ｆ−２２、ｆ−２
３、ｆ−２４、ｊ−１、ｊ−２、ｊ−１９、ｊ−２０、
ｊ−４、ｊ−５、ｊ−６、ｊ−２６、ｊ−２３、ｊ−２
４、また低い粘度と良好な相溶性を示し、かつ広い液晶
相を示すものとしてｃ−１、ｃ−２、ｃ−１９、ｃ−２
０、ｃ−４、ｃ−５、ｃ−６、ｃ−２２、ｃ−２３、ｃ
−２４、ｄ−１、ｄ−２、ｄ−１９、ｄ−２０、ｄ−
４、ｄ−５、ｄ−６、ｄ−２２、ｄ−２３、ｄ−２４、
ｅ−１、ｅ−２、ｅ−１９、ｅ−２０、ｅ−４、ｅ−
５、ｅ−６、ｅ−２２、ｅ−２３、ｅ−２４、ｈ−１、
ｈ−２、ｈ−１９、ｈ−２０、ｈ−４、ｈ−５、ｈ−
６、ｈ−２２、ｈ−２３、ｈ−２４、ｉ−１、ｉ−２、
ｉ−１９、ｉ−２０、ｉ−４、ｉ−５、ｉ−６、ｉ−２
２、ｉ−２３、ｉ−２４を挙げることができる。また低
電圧駆動用の材料として好適なものとしてｍ−１、ｍ−
２、ｍ−１９、ｍ−２０、ｍ−４、ｍ−５、ｍ−６、ｍ
−２２、ｍ−２３、ｍ−２４を挙げることができる。そ
のほかＳＴＮ方式の組成物の粘度を下げる目的でｎ−
１、ｎ−２、ｎ−３、ｎ−１９、ｎ−２０、ｎ−２１、
ｑ−１、ｑ−２、ｑ−３、ｑ−１９、ｑ−２０、ｑ−２
１を添加することが好ましい。
化合物のうち、ａ〜ｑの末端構造と１〜３６の骨格構造
から好適なものを組み合わせたｎ〜ｑ−１〜３、ｎ〜ｑ
−１９〜２１、ａ〜ｍ−１〜３、ａ〜ｍ−１９〜２１は
いずれも優れた性質を示すものであるが、特に誘電異方
性の値が大きく液晶相を広く持つものとしてｃ−１、ｃ
−２、ｃ−１９、ｃ−２０、ｃ−４、ｃ−５、ｃ−６、
ｃ−２２、ｃ−２３、ｃ−２４、ｅ−１、ｅ−２、ｅ−
１９、ｅ−２０、ｅ−４、ｅ−５、ｅ−６、ｅ−２２、
ｅ−２３、ｅ−２４、ｆ−１、ｆ−２、ｆ−１９、ｆ−
２０、ｆ−２６、ｆ−５、ｆ−６、ｆ−２２、ｆ−２
３、ｆ−２４、ｊ−１、ｊ−２、ｊ−１９、ｊ−２０、
ｊ−４、ｊ−５、ｊ−６、ｊ−２６、ｊ−２３、ｊ−２
４、また低い粘度と良好な相溶性を示し、かつ広い液晶
相を示すものとしてｃ−１、ｃ−２、ｃ−１９、ｃ−２
０、ｃ−４、ｃ−５、ｃ−６、ｃ−２２、ｃ−２３、ｃ
−２４、ｄ−１、ｄ−２、ｄ−１９、ｄ−２０、ｄ−
４、ｄ−５、ｄ−６、ｄ−２２、ｄ−２３、ｄ−２４、
ｅ−１、ｅ−２、ｅ−１９、ｅ−２０、ｅ−４、ｅ−
５、ｅ−６、ｅ−２２、ｅ−２３、ｅ−２４、ｈ−１、
ｈ−２、ｈ−１９、ｈ−２０、ｈ−４、ｈ−５、ｈ−
６、ｈ−２２、ｈ−２３、ｈ−２４、ｉ−１、ｉ−２、
ｉ−１９、ｉ−２０、ｉ−４、ｉ−５、ｉ−６、ｉ−２
２、ｉ−２３、ｉ−２４を挙げることができる。また低
電圧駆動用の材料として好適なものとしてｍ−１、ｍ−
２、ｍ−１９、ｍ−２０、ｍ−４、ｍ−５、ｍ−６、ｍ
−２２、ｍ−２３、ｍ−２４を挙げることができる。そ
のほかＳＴＮ方式の組成物の粘度を下げる目的でｎ−
１、ｎ−２、ｎ−３、ｎ−１９、ｎ−２０、ｎ−２１、
ｑ−１、ｑ−２、ｑ−３、ｑ−１９、ｑ−２０、ｑ−２
１を添加することが好ましい。
【００２６】本発明により提供される液晶組成物は、一
般式（Ｉ）で示される化合物を少なくとも１つ含む成分
（Ａ）と、Δε＞５である高誘電異方性の化合物を１つ
以上含む成分（Ｂ）、｜Δε｜≦５である低誘電異方性
の化合物を１つ以上含む成分（Ｃ）、および８０℃を超
える澄明点を有する化合物を一つ以上含む成分（Ｄ）か
ら選ばれた少なくとも一つの成分と、さらに必要に応じ
てその他の成分（Ｅ）とを含む液晶誘電体である。
般式（Ｉ）で示される化合物を少なくとも１つ含む成分
（Ａ）と、Δε＞５である高誘電異方性の化合物を１つ
以上含む成分（Ｂ）、｜Δε｜≦５である低誘電異方性
の化合物を１つ以上含む成分（Ｃ）、および８０℃を超
える澄明点を有する化合物を一つ以上含む成分（Ｄ）か
ら選ばれた少なくとも一つの成分と、さらに必要に応じ
てその他の成分（Ｅ）とを含む液晶誘電体である。
【００２７】成分Ｂとして好ましい化合物を以下に示
す。
す。
【００２８】
【化１２】
【００２９】成分Ｃとして特に好ましい化合物を以下に
示す。
示す。
【００３０】
【化１３】
【００３１】
【化１４】
【００３２】成分Ｄとして特に好ましい化合物を以下に
示す。
示す。
【００３３】
【化１５】
【００３４】
【化１６】
【００３５】
【化１７】
【００３６】
【化１８】
【００３７】
【化１９】
【００３８】成分Ｅとして特に好ましい化合物を以下に
示す。
示す。
【００３９】
【化２０】
【００４０】ここで、ＲおよびＲ′は炭素数１〜１０の
アルキル基またはアルケニル基を表わし、該基の１つま
たは隣あわない２つの炭素原子は酸素原子によって置き
換えられていてもよい。本発明による液晶組成物は、式
（IV）で示される化合物の一種または二種以上を０．１
〜４０重量％の割合で含有することが液晶特性の優良で
ある点で好ましい。〔化合物の製法〕一般式（Ｉ）で示
される本発明化合物は以下の方法によって容易に得られ
る。すなわち、本発明化合物（Ｉ）は、一般式（Ｖ）
アルキル基またはアルケニル基を表わし、該基の１つま
たは隣あわない２つの炭素原子は酸素原子によって置き
換えられていてもよい。本発明による液晶組成物は、式
（IV）で示される化合物の一種または二種以上を０．１
〜４０重量％の割合で含有することが液晶特性の優良で
ある点で好ましい。〔化合物の製法〕一般式（Ｉ）で示
される本発明化合物は以下の方法によって容易に得られ
る。すなわち、本発明化合物（Ｉ）は、一般式（Ｖ）
【００４１】
【化２１】
【００４２】（式中、環Ｃ、環Ｄ、Ｍ、ｍ、ｌ、ｏ、Ｒ
はそれぞれ（Ｉ）式の場合と同じである）で示されるア
ルデヒド誘導体と、一般式（VI） Ｇ3 ＣＨ2 ＰＰｈ3 ・Ｇ4 （VI） （式中、Ｇ3 およびＧ4 は互いに独立してハロゲン原子
を表わす）で示されるホスホニウム塩を塩基で処理する
ことによって系内で発生するホスフィンイリドとを反応
させることによって良好な収率で合成される。本反応は
Organic Reactions Vol. 14, 270 (1965)に記載の方法
に従って行なうことができる。すなわち、一般式（VI）
の化合物の適当な溶液に塩基を添加することによって対
応するホスフィンイリドを発生させ、さらに反応系に一
般式（Ｖ）で示されるアルデヒド誘導体を加えて目的と
する一般式（Ｉ）の化合物を得る。本反応で使用される
溶媒は反応を阻害しないものであればよく、例えば炭化
水素系溶媒としてヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トル
エン、キシレン、エーテル系溶媒としてジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテルなど
が挙げられる。これらは単独または混合溶媒として使用
できる。本反応で使用される塩基としてはブチルリチウ
ム、フェニルリチウム、メチルリチウム、ＬＤＡ、エチ
ルマグネシウムブロミド、カリウム−ｔ−ブトキシド、
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリ
ウムアミド、水素化ナトリウム、水素化カルシウム、水
酸化ナトリウム、水酸化リチウムなどが好ましい。反応
が速やかに進行し、また収率も良いことからカリウム−
ｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ブチルリチウ
ムなどがより好ましい。
はそれぞれ（Ｉ）式の場合と同じである）で示されるア
ルデヒド誘導体と、一般式（VI） Ｇ3 ＣＨ2 ＰＰｈ3 ・Ｇ4 （VI） （式中、Ｇ3 およびＧ4 は互いに独立してハロゲン原子
を表わす）で示されるホスホニウム塩を塩基で処理する
ことによって系内で発生するホスフィンイリドとを反応
させることによって良好な収率で合成される。本反応は
Organic Reactions Vol. 14, 270 (1965)に記載の方法
に従って行なうことができる。すなわち、一般式（VI）
の化合物の適当な溶液に塩基を添加することによって対
応するホスフィンイリドを発生させ、さらに反応系に一
般式（Ｖ）で示されるアルデヒド誘導体を加えて目的と
する一般式（Ｉ）の化合物を得る。本反応で使用される
溶媒は反応を阻害しないものであればよく、例えば炭化
水素系溶媒としてヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トル
エン、キシレン、エーテル系溶媒としてジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテルなど
が挙げられる。これらは単独または混合溶媒として使用
できる。本反応で使用される塩基としてはブチルリチウ
ム、フェニルリチウム、メチルリチウム、ＬＤＡ、エチ
ルマグネシウムブロミド、カリウム−ｔ−ブトキシド、
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリ
ウムアミド、水素化ナトリウム、水素化カルシウム、水
酸化ナトリウム、水酸化リチウムなどが好ましい。反応
が速やかに進行し、また収率も良いことからカリウム−
ｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ブチルリチウ
ムなどがより好ましい。
【００４３】本反応の反応温度は−５０℃から使用する
溶媒の沸点の間より選択することができるが、反応が速
やかに進行し、かつ副反応も少ないことから−１０℃か
ら５０℃の領域から選択することが望ましい。反応終了
後析出した副生物であるトリフェニルホスフィンオキシ
ドを濾過によって除去し、得られた溶液をそのまま濃縮
することによって高純度の一般式（Ｉ）で示される化合
物が得られるが、必要に応じて精留、抽出などの精製操
作をおこなってもよい。本反応の反応生成物は反応条件
に依存するが、おおむねシクロヘキサン環上の異性体比
がトランス：シス＝８：２、二重結合上の異性体比が
Ｅ：Ｚ≧９５：５の混合物で得られる。目的とする化合
物は蒸留または適当な溶媒中から再結晶を行なうこと等
の精製操作を単独あるいはいくつか組み合わせることに
よって、液晶材料として使用可能な純度にすることがで
きる。
溶媒の沸点の間より選択することができるが、反応が速
やかに進行し、かつ副反応も少ないことから−１０℃か
ら５０℃の領域から選択することが望ましい。反応終了
後析出した副生物であるトリフェニルホスフィンオキシ
ドを濾過によって除去し、得られた溶液をそのまま濃縮
することによって高純度の一般式（Ｉ）で示される化合
物が得られるが、必要に応じて精留、抽出などの精製操
作をおこなってもよい。本反応の反応生成物は反応条件
に依存するが、おおむねシクロヘキサン環上の異性体比
がトランス：シス＝８：２、二重結合上の異性体比が
Ｅ：Ｚ≧９５：５の混合物で得られる。目的とする化合
物は蒸留または適当な溶媒中から再結晶を行なうこと等
の精製操作を単独あるいはいくつか組み合わせることに
よって、液晶材料として使用可能な純度にすることがで
きる。
【００４４】また一般式（Ｉ）の化合物のうち反応原料
として用いる一般式（III)で示される化合物は一般式
（Ｖ′）
として用いる一般式（III)で示される化合物は一般式
（Ｖ′）
【００４５】
【化２２】
【００４６】（式中、環Ｃ、環Ｄ、Ｍ、ｍ、ｌ、Ｒはそ
れぞれ（III)式の場合と同じである）を出発原料として
上述と同様の方法によって製造することができる。この
ようにして得られた一般式（III)の化合物は異性体混合
物のまま次反応に使用して差し支えない。これは、好ま
しくない立体配置を有する一般式（III)の化合物は上述
したカップリング反応に関与しないし、反応後、系に残
存した一般式（III)の好ましくない立体の化合物は蒸留
または再結晶などの精製操作によって目的物である一般
式（IV）の化合物と容易に分離できるからである。
れぞれ（III)式の場合と同じである）を出発原料として
上述と同様の方法によって製造することができる。この
ようにして得られた一般式（III)の化合物は異性体混合
物のまま次反応に使用して差し支えない。これは、好ま
しくない立体配置を有する一般式（III)の化合物は上述
したカップリング反応に関与しないし、反応後、系に残
存した一般式（III)の好ましくない立体の化合物は蒸留
または再結晶などの精製操作によって目的物である一般
式（IV）の化合物と容易に分離できるからである。
【００４７】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに詳しく
説明するが本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−インの
合成 アルゴン気流下、ジクロロビストリフェニルホスフィン
パラジウム（１０．０ｇ）とヨウ化銅（１．３ｇ）のジ
エチルアミン（１．５ｌ）溶液に２−（４−プロピルシ
クロヘキシル）ビニルブロミド（１８３．７ｇ）を加え
室温下に３０分攪拌した。反応液に４−プロピルフェニ
ルアセチレン（１１５．４ｇ）のジエチルアミン（５０
０ml）溶液を４時間かけて滴下した。滴下終了後反応液
を４時間攪拌し、希塩酸を加えてトルエンで抽出した。
有機相を水洗した後無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減
圧下に濃縮した。得られた黄色油状物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製した後エタノールから結晶
化した。得られた粗生成物を減圧蒸留し、エタノールか
ら再結晶して純粋な表題化合物（１１４ｇ）を得た。Ｃ
−Ｎ５１．６〜５３．０℃、Ｎ−Ｉ９３．８〜９４．０
℃ 同様の方法を用いて以下の化合物を合成した。
説明するが本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−インの
合成 アルゴン気流下、ジクロロビストリフェニルホスフィン
パラジウム（１０．０ｇ）とヨウ化銅（１．３ｇ）のジ
エチルアミン（１．５ｌ）溶液に２−（４−プロピルシ
クロヘキシル）ビニルブロミド（１８３．７ｇ）を加え
室温下に３０分攪拌した。反応液に４−プロピルフェニ
ルアセチレン（１１５．４ｇ）のジエチルアミン（５０
０ml）溶液を４時間かけて滴下した。滴下終了後反応液
を４時間攪拌し、希塩酸を加えてトルエンで抽出した。
有機相を水洗した後無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減
圧下に濃縮した。得られた黄色油状物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製した後エタノールから結晶
化した。得られた粗生成物を減圧蒸留し、エタノールか
ら再結晶して純粋な表題化合物（１１４ｇ）を得た。Ｃ
−Ｎ５１．６〜５３．０℃、Ｎ−Ｉ９３．８〜９４．０
℃ 同様の方法を用いて以下の化合物を合成した。
【００４８】１−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−４−（４−ペンチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−
３−イン Ｃ−Ｎ２８．９〜２９．６℃、Ｎ−Ｉ５５．０〜５６．
１℃ １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−エチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ１９．７〜２０．６℃、Ｎ−Ｉ４２．５〜４２．
７℃ １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−ブチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ１９．７〜２０．７℃、Ｎ−Ｉ４５．５〜４６．
７℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−ブチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ３３．６〜３４．５℃、Ｎ−Ｉ８４．５℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−エチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ３１．３〜３１．９℃、Ｎ−Ｉ８０．３〜８１．
１℃ １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ２７．８〜２８．５℃、Ｎ−Ｉ５６．２〜５９．
４℃ １−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−
（４−プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−メチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−
（４−エチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−
（４−メチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−プロポキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ５７．９〜５８．８℃、Ｎ−Ｉ１１８．９〜１２
０．２℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−ブトキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ６３．９〜６５．３℃、Ｎ−Ｉ１２６．１〜１２
６．８℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−プロポキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ７２．１〜７３．４℃、Ｎ−Ｉ１２７．２〜１２
８．２℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−ブトキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ６０．４〜６１．７℃、Ｎ−Ｉ１２６．８〜１２
７．１℃ １−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル）−４−（４−エチルフェニ
ル）−１Ｅ−ブテン−３−イン ＳB −ＳA １１７．５〜１１７．８℃、ＳA −Ｎ １
１３．１〜１３４．５℃、Ｎ−Ｉ ２３８．１〜２４
４．９℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−フルオロフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ ４９．２〜５０．６℃、Ｎ−Ｉ ７８．０〜７
８．３℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−トリフルオロメチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−
３−イン ｂ．ｐ．２０３℃／２mmHg Ｃ−Ｎ ６３．３〜６３．
９℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−
イン ｂ．ｐ．１９８℃／２mmHg Ｃ−Ｎ ３４．５〜３５．
９℃、Ｎ−Ｉ ４４．４〜４４．６℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−クロロフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｉ １０６．５〜１０６．９℃、（Ｎ−Ｉ ８８．
１〜８９．４℃） １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−ペンチルシクロヘキシル）−１Ｅ−ブテン−３−
イン Ｎ−Ｉ ６９．３〜７１．８℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−１
Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ １１０．１〜１１３．６℃、Ｎ−Ｉ ２２９．
８〜２３３．０℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−シアノフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ ９５．６〜９６．５℃、Ｎ−Ｉ １４５．８〜
１４６．６℃
ル）−４−（４−ペンチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−
３−イン Ｃ−Ｎ２８．９〜２９．６℃、Ｎ−Ｉ５５．０〜５６．
１℃ １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−エチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ１９．７〜２０．６℃、Ｎ−Ｉ４２．５〜４２．
７℃ １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−ブチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ１９．７〜２０．７℃、Ｎ−Ｉ４５．５〜４６．
７℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−ブチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ３３．６〜３４．５℃、Ｎ−Ｉ８４．５℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−エチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ３１．３〜３１．９℃、Ｎ−Ｉ８０．３〜８１．
１℃ １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ２７．８〜２８．５℃、Ｎ−Ｉ５６．２〜５９．
４℃ １−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−
（４−プロピルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−
（４−メチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−
（４−エチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−
（４−メチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−プロポキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ５７．９〜５８．８℃、Ｎ−Ｉ１１８．９〜１２
０．２℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−ブトキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ６３．９〜６５．３℃、Ｎ−Ｉ１２６．１〜１２
６．８℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−プロポキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ７２．１〜７３．４℃、Ｎ−Ｉ１２７．２〜１２
８．２℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−ブトキシフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ６０．４〜６１．７℃、Ｎ−Ｉ１２６．８〜１２
７．１℃ １−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル）−４−（４−エチルフェニ
ル）−１Ｅ−ブテン−３−イン ＳB −ＳA １１７．５〜１１７．８℃、ＳA −Ｎ １
１３．１〜１３４．５℃、Ｎ−Ｉ ２３８．１〜２４
４．９℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−フルオロフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ ４９．２〜５０．６℃、Ｎ−Ｉ ７８．０〜７
８．３℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−トリフルオロメチルフェニル）−１Ｅ−ブテン−
３−イン ｂ．ｐ．２０３℃／２mmHg Ｃ−Ｎ ６３．３〜６３．
９℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−
イン ｂ．ｐ．１９８℃／２mmHg Ｃ−Ｎ ３４．５〜３５．
９℃、Ｎ−Ｉ ４４．４〜４４．６℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−クロロフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｉ １０６．５〜１０６．９℃、（Ｎ−Ｉ ８８．
１〜８９．４℃） １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−ペンチルシクロヘキシル）−１Ｅ−ブテン−３−
イン Ｎ−Ｉ ６９．３〜７１．８℃ １−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−
（４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）−１
Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ １１０．１〜１１３．６℃、Ｎ−Ｉ ２２９．
８〜２３３．０℃ １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−
（４−シアノフェニル）−１Ｅ−ブテン−３−イン Ｃ−Ｎ ９５．６〜９６．５℃、Ｎ−Ｉ １４５．８〜
１４６．６℃
【００４９】実施例２ ２−（４−エチルシクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミ
ドの合成 ブロモメチルトリフェニルホスホニウムブロミド（８０
０ｇ）のヘプタン（１．５ｌ）懸濁液にカリウムt −ブ
トキシド（２０７ｇ）を加え、室温で３０分攪拌した。
反応液に４−（エチルシクロヘキシル）カルボアルデヒ
ド（２００ｇ）のヘプタン（II）溶液を反応温度が１０
℃を超えない速度で滴下した。滴下終了後反応液を室温
で２時間攪拌した後不溶物を濾過した。濾液を濃縮した
後減圧下に蒸留して表題化合物（純度８１％、２７０
ｇ）を得た。沸点（ｂ．ｐ．）１２１〜１２９℃／２２
mmHg 同様にして以下の化合物を合成した。
ドの合成 ブロモメチルトリフェニルホスホニウムブロミド（８０
０ｇ）のヘプタン（１．５ｌ）懸濁液にカリウムt −ブ
トキシド（２０７ｇ）を加え、室温で３０分攪拌した。
反応液に４−（エチルシクロヘキシル）カルボアルデヒ
ド（２００ｇ）のヘプタン（II）溶液を反応温度が１０
℃を超えない速度で滴下した。滴下終了後反応液を室温
で２時間攪拌した後不溶物を濾過した。濾液を濃縮した
後減圧下に蒸留して表題化合物（純度８１％、２７０
ｇ）を得た。沸点（ｂ．ｐ．）１２１〜１２９℃／２２
mmHg 同様にして以下の化合物を合成した。
【００５０】２−（４−プロピルシクロヘキシル）−Ｅ
−ビニルブロミド ｂ．ｐ．１２１〜１２５℃／１２mmHg ２−（４−ブチルシクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミ
ド ｂ．ｐ．１１３〜１２３℃／６mmHg ２−（４−ペンチルシクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロ
ミド ｂ．ｐ．１２０〜１２９℃／２mmHg ２−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド Ｃ−Ｎ ４８．４〜４９．８℃、Ｎ−Ｉ １０４．１〜
１０５．８℃ ２−（２−（トランス−４−（４−エチルフェニル）シ
クロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（４−プロピルフェニル）
シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（４−エチルフェニ
ル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（４−プロピルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（４−ペンチルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−エ
チルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−
ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ
−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ
−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−Ｅ
−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−プ
ロピルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−ペ
ンチルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
Ｅ−ビニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（４−エチルフェニル）シ
クロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（４−プロピルフェニル）
シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（２−（４−エチルフェニ
ル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロミ
ド ４−（２−（トランス−４−（２−（４−プロピルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロ
ミド ４−（２−（トランス−４−（２−（４−ペンチルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロ
ミド ４−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−エ
チルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ
−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１
Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１
Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−１
Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−プ
ロピルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
１Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−ペ
ンチルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
１Ｅ−ブテニルブロミド 実施例３（組成例１） メルク社製液晶組成物ＺＬＩ１０８３（４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３０
重量％、４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル ４０重量％、および４−（トラン
ス−４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３
０重量％の組成からなる混合物）に実施例２で得た２−
（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミドを１５％
添加し、その物性値を測定した。その結果、ＮＩ＝５
８．１℃、Δε＝９．７、Δｎ＝０．１１７、η20＝２
１．９、Ｖ10＝１．６１Ｖであった。またこの組成物を
−２０℃のフリーザーに２０日間放置したが結晶の析出
は認められなかった。
−ビニルブロミド ｂ．ｐ．１２１〜１２５℃／１２mmHg ２−（４−ブチルシクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミ
ド ｂ．ｐ．１１３〜１２３℃／６mmHg ２−（４−ペンチルシクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロ
ミド ｂ．ｐ．１２０〜１２９℃／２mmHg ２−（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド Ｃ−Ｎ ４８．４〜４９．８℃、Ｎ−Ｉ １０４．１〜
１０５．８℃ ２−（２−（トランス−４−（４−エチルフェニル）シ
クロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（４−プロピルフェニル）
シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（４−エチルフェニ
ル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（４−プロピルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（４−ペンチルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−エ
チルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ−
ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ
−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−Ｅ
−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−Ｅ
−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−プ
ロピルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
Ｅ−ビニルブロミド ２−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−ペ
ンチルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
Ｅ−ビニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（４−エチルフェニル）シ
クロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（４−プロピルフェニル）
シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（２−（４−エチルフェニ
ル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロミ
ド ４−（２−（トランス−４−（２−（４−プロピルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロ
ミド ４−（２−（トランス−４−（２−（４−ペンチルフェ
ニル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ−ブテニルブロ
ミド ４−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−エ
チルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１Ｅ
−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１
Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（２−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１
Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−１
Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−プ
ロピルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
１Ｅ−ブテニルブロミド ４−（２−（トランス−４−（トランス−４−（４−ペ
ンチルフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−
１Ｅ−ブテニルブロミド 実施例３（組成例１） メルク社製液晶組成物ＺＬＩ１０８３（４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３０
重量％、４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル ４０重量％、および４−（トラン
ス−４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３
０重量％の組成からなる混合物）に実施例２で得た２−
（トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル）−Ｅ−ビニルブロミドを１５％
添加し、その物性値を測定した。その結果、ＮＩ＝５
８．１℃、Δε＝９．７、Δｎ＝０．１１７、η20＝２
１．９、Ｖ10＝１．６１Ｖであった。またこの組成物を
−２０℃のフリーザーに２０日間放置したが結晶の析出
は認められなかった。
【００５１】
【発明の効果】本発明のハロゲン化ビニル誘導体（Ｉ）
はその置換基および骨格を適宜選択することによって特
に粘度を低く設定できる新しい液晶材料であり、また本
発明化合物を原料として用いる一般式（IV）の化合物の
合成方法は従来の方法に比較して格段に化学的、立体的
選択性が高い。本方法を用いることによって簡便かつ高
収率で優れた特性を有する一般式（IV）の液晶材料を提
供することができる。
はその置換基および骨格を適宜選択することによって特
に粘度を低く設定できる新しい液晶材料であり、また本
発明化合物を原料として用いる一般式（IV）の化合物の
合成方法は従来の方法に比較して格段に化学的、立体的
選択性が高い。本方法を用いることによって簡便かつ高
収率で優れた特性を有する一般式（IV）の液晶材料を提
供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 41/24 43/192 7419−4Ｈ 43/225 Ｃ 7419−4Ｈ 67/293 67/343 69/75 Ａ 9279−4Ｈ Ｃ 9279−4Ｈ 69/753 Ｄ 9279−4Ｈ 69/76 Ａ 9279−4Ｈ 69/773 69/86 69/92 69/94 9279−4Ｈ 253/30 255/50 255/54 255/55 255/57 Ｃ０７Ｄ 213/24 239/32 319/06 Ｃ０９Ｋ 19/10 9279−4Ｈ 19/16 9279−4Ｈ 19/18 9279−4Ｈ 19/20 9279−4Ｈ 19/30 9279−4Ｈ 19/34 9279−4Ｈ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、環Ｃおよび環Ｄは１個または２個のハロゲン原
子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，
４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５
−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基または１，３
−ピリミジン−２，５−ジイル基を表わし、Ｇ1 はヨウ
素、臭素または塩素原子を表わし、Ｍは共有結合、１，
２−エチレン基、オキシカルボニル基、カルボニルオキ
シ基、１，２−エテニレン基、１，２−エチニレン基、
オキシメチレン基、メチレンオキシ基、１，４−ブチレ
ンまたは１，４−ブテニレン基を表わし、ｍおよびｌは
０、１または２を表わし、ｏは０または２を表わし、Ｒ
はハロゲン原子、シアノ基、少なくとも１つ以上の水素
原子をハロゲン原子で置き換えたアルキル基、少なくと
も１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアル
コキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアル
キル基またはアルケニル基を表わす）で示されるハロゲ
ン化ビニル誘導体。 - 【請求項２】 Ｇ1 は臭素または塩素原子を表わし、Ｍ
は共有結合、１，２−エチレン基、オキシカルボニル
基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン基、オキ
シメチレン基またはメチレンオキシ基を表わし、ｍおよ
びｌは１または２を表わす請求項１に記載の誘導体。 - 【請求項３】 環Ｃおよび環Ｄは１個または２個のハロ
ゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン
基、１，４−シクロヘキシレン基または１，３−ピリミ
ジン−２，５−ジイル基を表わし、Ｇ1 は臭素または塩
素原子を表わし、Ｍは共有結合、１，２−エチレン基、
オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エ
テニレン基、オキシメチレン基またはメチレンオキシ基
を表わし、ｍおよびｌは１または２を表わし、Ｒはハロ
ゲン原子、シアノ基、少なくとも１つ以上の水素原子を
ハロゲン原子で置き換えたアルキル基、少なくとも１つ
以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルコキシ
基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基
またはアルケニル基を表わす請求項１に記載の誘導体。 - 【請求項４】 環Ｃおよび環Ｄは１個または２個のフッ
素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、
１，４−シクロヘキシレン基または１，３−ピリミジン
−２，５−ジイル基を表わし、Ｇ1 は臭素または塩素原
子を表わし、Ｍは共有結合、１，２−エチレン基、オキ
シカルボニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニ
レン基、オキシメチレン基またはメチレンオキシ基を表
わし、ｍおよびｌは１または２を表わし、Ｒは少なくと
も１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアル
キル基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子
で置き換えたアルコキシ基、アルキル基、アルコキシ
基、アルコキシアルキル基またはアルケニル基を表わす
請求項１に記載の誘導体。 - 【請求項５】 一般式 【化２】 （式中、環Ａは１，４−フェニレン基または１，４−シ
クロヘキシレン基を表わし、環Ｂは１，４−フェニレン
基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン
−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基また
は１，３−ピリミジン−２，５−ジイル基を表わし、Ｌ
は共有結合、１，２−エチレン基、オキシカルボニル
基、カルボニルオキシ基、１，２−エテニレン基、１，
２−エチニレン基、オキシメチレン基、メチレンオキシ
基、１，４−ブチレン基または１，４−ブテニレン基を
表わし、ｎは０または１を表わし、Ｙはアルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、少なくとも１つ
以上の水素原子をハロゲン原子で置き換えたアルキル
基、少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン原子で置
き換えたアルコキシ基を表わし、ＸおよびＺは互いに独
立して水素原子またはフッ素原子を表わし、環Ｂが１，
４−フェニレンのときＷはフッ素または水素原子を表わ
し、環Ｂが１，４−フェニレンでないときＷは水素原子
を表わす。ただしｎが０のときはＬは共有結合を表わ
す）で示されるアセチレン誘導体と一般式 【化３】 （式中、環Ｃおよび環Ｄは１または２個のハロゲン原子
で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，４
−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−
ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基または１，３−
ピリミジン−２，５−ジイル基を表わし、Ｇ2 はハロゲ
ン原子を表わし、Ｍは共有結合、１，２−エチレン基、
オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、１，２−エ
テニレン基、１，２−エチニレン基、オキシメチレン
基、メチレンオキシ基、１，４−ブチレン基または１，
４−ブテニレンを表わし、ｍおよびｌは０または１を表
わし、Ｒは少なくとも１つ以上の水素原子をハロゲン原
子で置き換えたアルキル基、少なくとも１つ以上の水素
原子をハロゲン原子で置き換えたアルコキシ基、アルキ
ル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基またはアル
ケニル基を表わし、ｍが０のときＭは共有結合を表わ
し、ｍおよびｌが同時に０であることはない）で示され
るハロゲン化ビニル誘導体を反応させることを特徴とす
る一般式（IV） 【化４】 （式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ、Ｌ、Ｍ、ｎ、ｍ、
ｌ、Ｘ、Ｚ、Ｒ、ＹおよびＷは前記と同じ意味を表わ
す）で示される液晶化合物の製造方法。 - 【請求項６】 前記反応を塩基性の溶媒中、金属触媒の
存在下に行なう請求項５に記載の製造方法。 - 【請求項７】 金属触媒が０価または２価のパラジウム
錯体である請求項６に記載の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載のハロゲン化ビニル誘導
体を少なくとも１種類以上含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221400A JPH0776536A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | ハロゲン化ビニル誘導体およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5221400A JPH0776536A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | ハロゲン化ビニル誘導体およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0776536A true JPH0776536A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16766165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5221400A Pending JPH0776536A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | ハロゲン化ビニル誘導体およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0776536A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998020006A1 (fr) * | 1996-11-07 | 1998-05-14 | Chisso Corporation | Derives de dioxane fluoroalkyle, compositions de cristaux liquides et elements d'ecran a cristaux liquides |
| EP0861828A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-02 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compounds containing hydrocarbon groups, liquid crystalline compositions and liquid crystal display elements |
| JP2014162751A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Dic Corp | 化合物、液晶組成物、及び表示装置 |
| JP2014162752A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Dic Corp | 化合物、液晶組成物、及び表示装置 |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP5221400A patent/JPH0776536A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998020006A1 (fr) * | 1996-11-07 | 1998-05-14 | Chisso Corporation | Derives de dioxane fluoroalkyle, compositions de cristaux liquides et elements d'ecran a cristaux liquides |
| EP0861828A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-02 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compounds containing hydrocarbon groups, liquid crystalline compositions and liquid crystal display elements |
| JP2014162751A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Dic Corp | 化合物、液晶組成物、及び表示装置 |
| JP2014162752A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Dic Corp | 化合物、液晶組成物、及び表示装置 |
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