JP2005048007A - トリフルオロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物と表示素子及び液晶性化合物。 - Google Patents
トリフルオロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物と表示素子及び液晶性化合物。 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】新規液晶材料及びその製造方法、製造中間体の提供と、それを鍵成分とする温度範囲が広く絶対値の大きい負の誘電率異方性を有する液晶組成物を提供する。さらにそれを用いて信頼性が高いＶＡ型等の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表し、ａは０又は１を表し、Ｒｂは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物とそれを含有する液晶組成物、及びこれを用いた液晶表示素子。
【選択図】 なし
【解決手段】一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表し、ａは０又は１を表し、Ｒｂは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物とそれを含有する液晶組成物、及びこれを用いた液晶表示素子。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な、トリフルオロナフタレン誘導体を含有する誘電率異方性が負でその絶対値が大きい液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、家庭用各種電気機器、測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型、ＯＣＢ（光学補償複屈折）型、ＥＣＢ（電圧制御複屈折）型、ＶＡ（垂直配向）型、ＣＳＨ（カラースーパーホメオトロピック）型、あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができる。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、単純マトリックス方式、最近ではＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＭＩＭにより駆動されるアクティブマトリックス（ＡＭ）方式が主流となっている。
【０００３】
これらの表示方式において、ＩＰＳ型、ＥＣＢ型、ＶＡ型、あるいはＣＳＨ型等は現在汎用のＴＮ型やＳＴＮ型と異なり、誘電率異方性（Δε）が負の、いわゆるｎ型の液晶材料を用いるという特徴を有する。これらの中で特にＡＭ駆動によるＶＡ型表示は、高速で広視野角の要求される表示素子、例えばテレビ等への応用において、現在最も期待されているものである。
【０００４】
液晶材料としては、これまでにも非常に多種類の化合物が合成されてきており、その表示方式や駆動方式あるいはその用途に応じて使用されているが、上記のＶＡ型等の表示方式に用いられるｎ型の液晶材料についてはそれほど多くの化合物が知られているわけではない。ＶＡ型等の表示方式においても通常の表示方式と同様に、低電圧駆動や高速応答に加えて、広い作動温度範囲が要求される。またセル厚等に合わせた適当な屈折率異方性（Δｎ）も要求される訳であるが、特にアクティブマトリックス駆動に用いられるｎ型の液晶材料は分子内に２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基を有する化合物（特許文献１参照）が多用されている。
【０００５】
アクティブマトリックス駆動させるためには、液晶材料に高い電圧保持率が要求される。個々の化合物の化学構造と、電圧保持率との関係は完全に解明されたとは言い難いが、分子内にシアノ基やエステル結合など極性の非常に強い基を有する化合物では高い電圧保持率が得られ難く、エーテル結合でも好ましくない場合が多い。低駆動電圧化の必要性から誘電率異方性の絶対値を大きくしようとすると、極性基の存在は必要であり、このため化合物の分子設計は大きく制約を受けているのが実情である。
【０００６】
駆動電圧を低減させるためには、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）の絶対値がなるべく大きいことが重要である。上記ＶＡ表示においてはそのΔεは−３以下望ましくは−３．５以下さらに好ましくは−４以下であることが好ましい。従って、ｎ型の液晶化合物としては単独では少なくとも−４以下のΔεを有するものが必要である。
【０００７】
作動温度範囲としてはネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）が少なくとも７０℃以上であることが好ましく、ネマチック相下限温度（Ｔ−Ｎ）が少なくとも−２０℃以下であることが好ましい。
【０００８】
またセルの構成（セル厚や表示モード等）にも依存するが、Δｎは通常０．０８〜０．１０程度が要求されることが多い。
【０００９】
また、応答の高速化のために液晶材料の粘性をなるべく小さくすることも重要である。
【００１０】
これらの要求特性を単独で満足できるような液晶化合物は存在せず、従って液晶材料は上記の２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体を主として多くの液晶化合物から調製される液晶組成物（特許文献２参照）が用いられてきたのが現状である。
【００１１】
ところが、これまで知られている２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体のほとんどは他の環構造としてトランス−１，４−シクロヘキシレン基及び１，４−フェニレン基を有する化合物であるが、その１位及び４位がともに炭素原子と連結した構造を有する場合には−２〜−３程度のΔεしか示さない。より絶対値の大きいΔεを得るためにはその１位あるいは４位に酸素原子がエーテル結合で連結することが必要であり、その場合には−４〜−５のΔεが得られるが、上述のように高い電圧保持率を得るためにはあまり好ましいとは言えないという問題点が存在した。
【００１２】
さらにこれらの２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体は他の液晶化合物との相溶性において必ずしも良好ではないという問題点も存在した。そのために温度範囲の広い液晶組成物、特に低温で長時間保存しても結晶の析出や相分離を生じ難い液晶組成物を調製することは容易でなく、そのホモログ（側鎖アルキル基の炭素数だけが異なった同族体）等を加えて、非常に多種の化合物を混合することにより溶解性を高め、組成物の融点を低下させる必要があった。
【００１３】
液晶組成物の融点を低下させるためには、骨格構造の異なる液晶化合物の添加が効果的であることはよく知られている。従って、広い温度範囲を有する液晶組成物の調製を容易とするために、従来化合物とは異なる骨格構造、特に液晶化合物に強い負の誘電率異方性を寄与でき、かつ２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン骨格とは異なる新しい骨格構造、例えばフッ素置換されたナフタレン構造（特許文献３、４及び５参照）あるいはテトラヒドロナフタレン構造（特許文献６及び７参照）を含み、他の液晶化合物との相溶性に優れ、その添加により、ｎ型液晶としての特性を向上させ、かつ組成物の温度範囲を拡大できるような液晶性化合物が望まれていた。
【００１４】
引用文献４にはこのフッ素置換されたナフタレン骨格を有する広範囲な一般式が示されているが、当該引用文献に記載の発明は元来スメクチック液晶である強誘電性液晶を目的としたもので、開示された化合物のの具体的な合成方法やその例、特にネマチック液晶組成物における物性及び電気光学特性の記載は全くなく、本願発明に対して何ら示唆を与えるものとは言い難い。
【００１５】
一方、本発明者等による引用文献５には、フルオロナフタレン骨格を有する一連の化合物がその一般式とともに記載されている。しかし、当該引用文献に記載の発明はフルオロナフタレン骨格の一般的な効果とその用途を開示したものであり、トリフルオロナフタレン誘導体の中のどの化合物が、電圧保持率が高くかつ温度範囲の広いΔεが負の液晶組成物（ｎ型組成物）の調製に特に好適であるかについては具体的には触れられていない。
【特許文献１】
特表平２−５０３４４１号公報
【特許文献２】
特表平１０−１７６１６７号公報
【特許文献３】
独国特許出願公開第１９５２２１６７号明細書
【特許文献４】
独国特許出願公開第１９５２２１９５号明細書
【特許文献５】
特開２００１−３１５９７号公報
【特許文献６】
特開２００１−４０３５４号公報
【特許文献７】
独国特許出願公開第１９５２２１４５号明細書
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、従来化合物とは異なる骨格である６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレン構造を含み、他の液晶化合物との相溶性に優れ、ネマチック相温度範囲が高温域まで広く、さらに分子内にアルコキシル基等の極性基を有しないにもかかわらず、絶対値の大きい負の誘電率異方性（Δε）を有する液晶性化合物を提供し、それを鍵成分とするΔεが負で温度範囲が広く、かつ電圧保持率の高い液晶組成物を提供し、さらにそれを用いたＶＡ型等の液晶表示素子を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレン骨格を有する化合物が、その絶対値が大きい負のΔεを有し、ネマチック相温度範囲が高温域まで広いことに加えて、従来の液晶化合物との相溶性に非常に優れていること。そしてそれを用いることによってＶＡ型等の液晶表示素子において低電圧駆動と高速応答に加えて、高い電圧保持率を達成できるような液晶組成物が調製できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１８】
即ち、一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表し、ｐは０又は１を表し、Ｒｂは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（５）
【００１９】
【化７】
（式中、Ｒｍは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表し、Ｒｎは炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍ６は０又は１を表し、ＭＬ及びＭｍはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ２ＣＨ２−を表し、Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。）で表される化合物の１種又は２種以上を含有し、誘電率異方性が−３以下であることを特徴とする液晶組成物を提供し、それを用いた液晶表示素子を提供する。併せて一般式（１）で表される化合物を提供する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本願発明における液晶組成物において、一般式（１）で表される化合物を含有するが、一般式（１）において、Ｒａは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表すが、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基がより好ましく、プロピル基がさらに好ましい。
ｐは０又は１を表し、ｐ＝０の場合には化合物（１）は２環（ナフタレン骨格を１環と数えて）性であり、ＴＮ−Ｉ（ネマチック相上限温度）は低くなるが、より低粘性であり、誘電率異方性の絶対値もより大きい。ｐ＝１の場合には化合物（１）は３環性であり、より高いＴＮ−Ｉを示す。従って、組成物として温度範囲がより重要な場合にはｐ＝１であることがより好ましく、その粘性がより重要な場合にはｐ＝０であることがより好ましい。
【００２１】
Ｒｂは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表すがエチル基又はプロピル基が好ましく、プロピル基が特に好ましい。また、シクロヘキサン環はトランス配置である。
【００２２】
本発明の液晶組成物においては、一般式（５）で表される化合物を含有するが、一般式（５）において、Ｒｍは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表すが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜５の１−アルケニル基、又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基が好ましく、直鎖状アルキル基としてはエチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基がより好ましく、１−アルケニル基としてはビニル基又はトランス−１−プロペニル基がより好ましく、３−アルケニル基としては３−ブテニル基又はトランス−３−ペンテニル基がより好ましい。Ｒｎは炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜５の１−アルケニル基、炭素原子数４〜５の３−アルケニル基、炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が好ましく、特にＣがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す場合にはエチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基又はプロポキシ基が好ましく、Ｃが１個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基の場合、上記に加えてメトキシ基、エトキシ基、アリルオキシ基及びクロチルオキシ基も好ましい。ｍ６は０又は１を表す。Ｍｌ及びＭｍはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ２ＣＨ２−を表すが、Ｍｌが存在する場合にはＭｌ及びＭｍの少なくとも一方は単結合が好ましい。Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。
【００２３】
一般式（５）で表される化合物としては以下の一般式（５ａ）〜一般式（５ｍ）で表される化合物が好ましく、一般式（５ａ）、一般式（５ｂ）、一般式（５ｄ）又は一般式（５ｅ）で表される化合物が特に好ましい。
【化８】
【００２４】
上式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立的に炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜３の１−アルケニル基又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基を表し、Ｒ９は炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３〜４の直鎖状２−アルケニル基を表し、Ｒ１０は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基を表し、Ｒ１１は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３〜４の直鎖状２−アルケニル基を表す。
【００２５】
本発明の液晶組成物においては一般式（１）で表される化合物を組成物中に１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す）以上５０％以下含有することが好ましく、２％〜４０％含有することがより好ましく、４〜３０％含有することがさらに好ましい。一般式（２）で表される化合物を１％〜５０％含有することが好ましく、２％〜４０％含有することがより好ましい。
【００２６】
本発明の液晶組成物において一般式（２）
【化９】
【００２７】
（式中、Ｒｃは炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒｄは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍ１は０又は１を表し、Ｍａ及びＭｂはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−ＣＯＯ−を表し、Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）で表される２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体の１種又は２種以上を含有していても良い。
【００２８】
一般式（２）において、Ｒｃは炭素原子数１〜７のアルキル基を表すが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基が好ましい。Ｒｄは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基、直鎖状アルコキシル基が好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が特に好ましい。ｍ１は０又は１を表す。Ｍａ及びＭｂはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−ＣＯＯ−を表すが、一方は単結合であることが好ましく、他方は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＯＯ−であることが好ましい。Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表すが、調製すべき液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）に応じて、小さいΔｎが要求される場合にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、大きいΔｎが要求される場合には１，４−フェニレン基が好ましい。
【００２９】
一般式（２）には非常に多くの化合物が含まれるが、以下の一般式（２ａ）〜一般式（２ｇ）で表される化合物が好ましい。
【００３０】
【化１０】
上式中、Ｒ５は炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒ６は炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基を表す。
【００３１】
また、本発明の液晶組成物において、一般式（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）及び（４ｂ）
【化１１】
【００３２】
（式中、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｉ及びＲｋは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｆ、Ｒｈ、及びＲｌは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、Ｒｊは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５は０又は１を表し、Ｍｃ及びＭｄ、Ｍｅ及びＭｆ、Ｍｈ及びＭｉ、Ｍｊ及びＭｋはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表し、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。ただし、（３ａ）において、一般式（１）で表される化合物は除かれる。）で表される化合物の１種又は２種以上を含有していても良い。
【００３３】
一般式（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）及び（４ｂ）において、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｉ及びＲｋは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基が好ましい。Ｒｆ、Ｒｈ、及びＲｌは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基、直鎖状アルコキシル基が好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基及び炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が特に好ましい。Ｒｊは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すが、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基が好ましい。ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５は０又は１を表す。Ｍｃ及びＭｄ、Ｍｅ及びＭｆ、Ｍｈ及びＭｉ、Ｍｊ及びＭｋはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表すが、一方は単結合であることが好ましく、他方は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＯＯ−であることが好ましい。Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表すが、調製すべき液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）に応じて、小さいΔｎが要求される場合にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、大きいΔｎが要求される場合には１，４−フェニレン基が好ましい。
【００３４】
かくして得られる本願発明の液晶組成物においてそのネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）が７０℃以上、より好ましくは８０℃以上であり、ネマチック相下限温度（Ｔ−Ｎ）が−２０℃以下である。また、その誘電率異方性（Δε）は−３以下であるが、−３．５以下であることがより好ましく、−４以下がさらに好ましい。
【００３５】
一般式（１）で表される化合物は一般式（６ａ）
【化１２】
（式中、Ｒｂは一般式（１）と同じ意味を表す。）で表される６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレンにアルキルリチウム（ｎ−ブチルリチウムあるいはメチルリチウムが好ましい）を反応させてリチオ化し、得られた有機リチウム反応剤を一般式（７）
【化１３】
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表し、ｐは０又は１を表し、シクロヘキシレン基はトランス配置である。）で表されるトランス−４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシルエタナールと反応させ、得られたアルコール誘導体を酸触媒存在下に脱水してエテニルナフタレン誘導体とし、これを水素添加することにより合成することができる。
【００３６】
あるいは有機リチウム反応剤をヨウ素と反応させることにより、一般式（６ｂ）
【化１４】
（式中、Ｒｂは一般式（１）と同じ意味を表す。）で表されるトリフルオロヨードナフタレン誘導体を得ることができる。これを遷移金属触媒存在下に、一般式（８）
【００３７】
【化１５】
（式中、Ｒａは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表し、ｐは０又は１を表し、シクロヘキシレン基はトランス配置である。）で表されるシクロヘキシルアセチレン誘導体と反応させ、得られたエチニルナフタレン誘導体を水素添加することにより得ることもできる。ここでトリフルオロヨードナフタレンに換えて、一般式（６ｂ）においてヨウ素を臭素に置換した化合物、あるいはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基に置換した化合物を用いることもできる。
【００３８】
６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレン（６ａ）のリチオ化及びシクロヘキシルシクロヘキサノンとの反応あるいはヨウ素との反応は溶媒中冷却下で行われる。溶媒としてはジイソプロピルエーテル（ＩＰＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサンやヘプタン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＴＡ）、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）等の非プロトン性極性溶媒あるいはこれらの混合溶媒が好適である。反応温度は−１０℃から−１００℃で実施されるが、−２０℃〜−８０℃が好ましく、−３０〜−５０℃がさらに好ましい。
【００３９】
アルコール体の脱水は溶媒中、酸触媒存在下に実施されるが、溶媒としては、ヘキサンやヘプタン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒が好ましく、酸触媒としては硫酸等の鉱酸、ｐ−トルエンスルホン酸、蟻酸等の有機酸、あるいは硫酸水素カリウム等の強酸の弱塩基塩が好ましい。反応は室温〜溶媒の還流下に加熱して実施されるが、溶媒としてベンゼンやトルエンを用いた場合に還流温度まで加熱すると、精製した水を溶媒との共沸により除去することが容易となるため、特に好ましい。
【００４０】
エテニルナフタレン誘導体あるいはエチニルナフタレン誘導体の水素添加は溶媒中水素雰囲気下で、触媒存在下に冷却〜加熱下に実施される。溶媒としてはエタノール、メタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）等のアルコール類、エチルエーテル、ＩＰＥ、ＤＭＥ、ＴＨＦ等のエーテル類、ヘキサンやベンゼン、トルエン等の炭化水素類、酢酸エチル等のエステル類等が好ましい。水素圧は常圧〜加圧下で実施され、常圧〜５００ＭＰａが好ましい。反応温度は０℃〜１００℃が好ましいが、１５℃〜５０℃がより好ましい。用いる触媒としては活性炭に担持されたパラジウムや白金、ルテニウム等の貴金属類、あるいはラネーニッケル等のラネー触媒が好ましく、パラジウム及びラネーニッケルが特に好ましい。
【００４１】
（６ｂ）で表される化合物と（８）で表される化合物との反応における遷移金属触媒としてはテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）等のパラジウム（０）錯体、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム（ＩＩ）錯体、塩化パラジウム等のパラジウム（ＩＩ）塩、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）等のニッケル（ＩＩ）錯体等が好ましい。反応は銅（Ｉ）塩併用下に行うことが好ましく、特にヨウ化銅（Ｉ）を併用することが好ましい。反応は溶媒中で行われ、溶媒としてジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のいわゆる極性溶媒が好ましく、通常はトリエチルアミン等のアミン系溶媒を併用することが好ましい。
【００４２】
ここで出発原料として用いた一般式（６ａ）で表される化合物は液晶中間体として有用性の高い化合物であるが、この化合物は３，４，５−トリフルオロナフタレン−６−オール（この化合物は３，４−ジフルオロナフタレン−６−オールをフッ素化し、必要に応じて還元することにより得ることができる。）をトリフルオロメタンスルホン酸無水物によりトリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）とし、次いでテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）等の遷移金属触媒存在下に末端アルキンと反応させ、次いで三重結合を水素添加することにより得ることができる。末端アルキンは一般式（６）におけるＲｂにより異なるが、例えばＲｂがプロピル基の場合にはプロピン、ブチル基の場合には１−ブチン、ペンチル基の場合には１−ペンチンが用いられる。遷移金属反応触媒と反応溶媒は前述の（６ｂ）で表される化合物と（８）で表される化合物との反応におけると同様である。
【００４３】
かくして一般式（１）で表される化合物が製造されるが、一般式（１）で表される化合物は本発明者等が初めてその合成に成功し、その特性を明らかにした化合物であるが、前述のように広範な一般式としてこの化合物（１）を包含しうる報告例は存在している。
【００４４】
引用文献４にはこのトリフルオロナフタレン骨格を有する広範囲な一般式が示されており、その一般式から部分構造を選択することによって化合物（１）を導くことも可能である。しかしながら、本特許は元来スメクチック液晶である強誘電性液晶を目的としたもので、ネマチック液晶についてはほとんど触れられておらず、特に本願発明の化合物（１）の具体的な合成例や、その物性及び電気光学特性の記載は全くなく、その製造方法すら開示されておらず、本願発明に対して何ら示唆を与えるものとは言い難い。
【００４５】
一方、本願発明者等による引用文献５には、フルオロナフタレン骨格を有する一連の化合物がその一般式とともに記載されているが、本発明の一般式（１）で表される化合物の如く、６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレンの２位においてエチレン基を介してビシクロヘキサン環と連結した形の化合物は記載されていない。さらに、本公報にはトリフルオロナフタレン誘導体を用いたΔεが負の液晶組成物の調製例は記載されておらず、また本願発明のごとくトリフルオロナフタレン誘導体の中のどの化合物が、電圧保持率が高くかつ温度範囲の広いΔεが負の液晶組成物（ｎ型組成物）の調製に特に好適であるかについては具体的には触れられていない。
【００４６】
また、引用文献６にはフルオロナフタレン骨格を有する化合物を用いたΔεが負の液晶組成物の調製例が記載されているが、その構成化合物として本発明の一般式（１）で表される化合物は具体的には記載されていない。
【００４７】
本願発明に於いてはフルオロナフタレン誘導体の中で、６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレンの２位においてエチレン基を介してシクロヘキサン環又はビシクロヘキサン環と結合した一般式（１）の構造を有し、かつ（１）においてＲａが炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、Ｒｂが炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基である化合物が、特に上記の液晶組成物の調製に有効であることを見いだしたものである。
【００４８】
本発明はさらに、本発明の液晶組成物を使用した液晶表示素子、特に液晶ＴＶ用等に好適なＶＡ（垂直配向）モードで表示される液晶表示素子を提供する。
【００４９】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また前述の通り、組成物における％は質量％を表す。
【００５０】
（参考例） ６−プロピル−３，４，５−トリフルオロナフタレン（６ａ−１）の合成
【化１６】
【００５１】
４，５，６−トリフルオロナフタレン−３−オール８．５ｇ（この化合物は２，３−ジフルオロフェニル酢酸クロリドに塩化アルミニウムとエチレンを反応させ，得られた５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オンを臭素で芳香化し，次いで付加した臭素を接触還元で脱離させることにより得た）を１３０ｍＬのジクロロメタンに溶解し、５℃で攪拌した。これに７．４ｍＬのトリフルオロメタンスルホン酸無水物及びピリジン７．４ｍＬを５〜１０℃でゆっくり滴下し、さらに５℃で１時間攪拌した。
【００５２】
水１５ｍＬをゆっくり加え、水層を分離後、有機層を１０％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１／２０）で精製して、トリフラートの白色結晶１３．２ｇを得た。
【００５３】
この全量をＤＭＦ８０ｍＬ及びトリエチルアミン２０ｍＬに溶解し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．９２ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．３ｇを加え、プロピンを吹き込みながら、５０℃で８時間攪拌した。
【００５４】
室温に戻した後、トルエン１５０ｍＬを加え、水８０ｍＬで２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を溜去して得られた油状物を再度トルエン１２０ｍＬに溶解し、次亜塩素酸ナトリウム水溶液（８％）３２ｍＬ及び水３２ｍＬを加え、氷水冷下で２時間攪拌した。析出した結晶をセライト濾過した後、水層を分離し、飽和食塩水で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を溜去して、３，４，５−トリフルオロ−６−（１−プロピニル）ナフタレン８．０ｇを得た。
【００５５】
この全量を４００ｍＬのＴＨＦに溶解し、オートクレーブ中水素圧０．５ＭＰａ下において、２０℃で４時間攪拌した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去し、さらにフラッシュカラム（シリカゲル／ヘキサン）で精製して、６−プロピル−３，４，５−トリフルオロナフタレンの白色結晶７．３ｇを得た。
【００５６】
（実施例１） ２−［２−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル−３，４，５−トリフルオロ−６−プロピルナフタレン（１−ａ）の合成
【化１７】
【００５７】
参考例に従って得られた６−プロピル−３，４，５−トリフルオロナフタレン１９．６ｇをＴＨＦ２５０ｍＬに溶解し、窒素気流下−５０℃に冷却、攪拌した。ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６Ｍ）６１ｍＬを４０分かけて滴下し、滴下終了後さらに１時間−５０〜−４０℃で攪拌した。この溶液にトランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサンエタナール２４．１ｇのＴＨＦ５０ｍＬ溶液を−５０〜−４０℃で４０分間かけて滴下した。滴下終了後２時間−５０〜−４０℃に保った後、−２０℃まで攪拌下に昇温した。５％塩酸２００ｍＬと酢酸エチル１００ｍＬ中に反応液を加えて３０分攪拌し、相分離後、水層は酢酸エチル５０ｍＬで抽出した。有機層を併せて、水次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去してアルコール体４１．２ｇを得た。
【００５８】
この全量をトルエン２００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸（１水和物）１．４ｇを加え、共沸する水を除去しながら、４時間加熱還流させた。室温まで放冷後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を溜去し、エタノールから再結晶させて得られたエテニルナフタレン誘導体３６．５ｇを４００ｍＬのＴＨＦに溶解し、５％パラジウム炭素（５０％含水）１．７ｇとともにオートクレーブ中に加え、室温下水素圧０．５ＭＰａで１時間接触還元した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去して粗結晶３７ｇを得た。これをアルミナカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、さらにエタノールから２回再結晶させて、２−［２−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル−３，４，５−トリフルオロ−６−プロピルナフタレンの白色結晶３１ｇを得た。この化合物の融点は８６℃で、加熱下１８７℃の高温域までネマチック相を示した。
ＩＲ（ＫＢｒ）： ３０５４，２９２３，２８５２，１６２７，１４６１，１３４８，１０６６，８８５，８０２ｃｍ−１
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝０．８０−１．３４（ｍ，２２Ｈ），１．５４−１．６０（ｍ，２Ｈ），１．６６−１．７７（ｍ，８Ｈ），１．８５−１．８７（ｍ，２Ｈ），２．７５−２．８３（ｍ，４Ｈ），７．２３（ｄｄ，Ｊ＝８．４，６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４４（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１．８Ｈｚ，１Ｈ）
【００５９】
（実施例２） ２−［２−（トランス−４−プロピル）シクロヘキシル］エチル−３，４，５−トリフルオロ−６−プロピルナフタレン（１−ｂ）の合成
【化１８】
実施例１において、トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサンエタナールに換えて、トランス−４−プロピルシクロヘキサンエタナールを用いた他は同様にして、２−［２−（トランス−４−プロピル）シクロヘキシル］エチル−３，４，５−トリフルオロ−６−プロピルナフタレンの白色結晶を得た。この化合物の融点は４７．５℃で、冷却下２７℃以下でネマチック相を示した。
【００６０】
ＩＲ（ＫＢｒ）： ２９５６，２８４２，１６２７，１４５９，１３４４，１２７０，１１５７，１０３７，８８７，８０２，７６９ｃｍ−１
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝０．８２−１．０３（ｍ，１０Ｈ），１．１３−１．３６（ｍ，６Ｈ），１．５４−１．８５（ｍ，８Ｈ），２．７０−２．８２（ｍ，４Ｈ），７．２３（ｄｄ，Ｊ＝８．４，６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４３（ｄｄ，Ｊ＝８．４，２．０Ｈｚ，１Ｈ）
【００６１】
（実施例３）ｎ型液晶組成物の調製（１）
以下の化合物からなる非極性の標準母体液晶組成物（Ｍａ）を調製した。
【化１９】
【００６２】
（Ｍａ）のネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は１０３．０℃であった。２０℃でその物性値を測定したところ、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９８３、誘電率異方性（Δε）は０．０４であった。また、回転粘度は１５．６（ｍＰａ・ｓ）であった。
【００６３】
次にこの（Ｍａ）の８０％と実施例１で得られた式（１−ａ）で表される化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。
この（Ｍ−１）は１２０．９℃以下でネマチック相を示した。これを０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１０６８、Δεは−０．６７であった。以上から外挿した式（１−ａ）で表される化合物のΔｎは０．１３７であり、Δεは−３．５と分子内にアルコキシル基のような極性基を有さないにもかかわらず、強いｎ型の化合物であることが確認できた。また、この組成物の粘度は２３．３（ｍＰａ・ｓ）で比較的低粘性であった。
【００６４】
（比較例１）
これに対して、（Ｍａ）の８０％と式（２ｃ−１）で表される化合物２０％からなる液晶組成物（Ｒ−１）を調製した。
【化２０】
この（Ｒ−１）のネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は１０９．５℃であり、（Ｍ−１）と比較して約９°も低くなった。しかしも−２０℃で放置したところ、３日以内に結晶の析出が観察された。また２０℃で測定した物性値は、Δｎが０．０９９と（Ｍ−１）よりやや小さく、Δεは−０．３７とその絶対値が（Ｍ−１）の約１／２と小さくなった。
【００６５】
以上から、比較例１記載の式（２ｃ−１）で表される化合物は本発明の式（１−ａ）で表される化合物と比較して、Δεの絶対値がより小さく、またネマチック相温度範囲が狭く従来液晶との相溶性や低温での安定性に於いても劣っていることがわかる。
【００６６】
（実施例４）ｎ型液晶組成物の調製（２）
（Ｍａ）の８０％と実施例２で得られた式（１−ｂ）で表される化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。
この（Ｍ−２）のＴＮ−Ｉは８７．５℃以下と（Ｍ−１）と比較すると低くなったが、これを０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１０２８で（Ｍ−１）よりやや小さくなり、Δεは−０．７８とその絶対値が（Ｍ−１）より大きくなった。以上から外挿した式（１−ａ）で表される化合物のΔｎは０．１１９であり、Δεは−４．１とさらに強いｎ型の化合物であることが確認できた。また、この組成物の粘度は２０．２（ｍＰａ・ｓ）で低粘性であった。
【００６７】
（実施例５）ｎ型液晶組成物の調製（３）
（Ｍａ）の２０％、式（１−ａ）で表される化合物２５％、式（２ｃ−１）で表される化合物１５％、式（２ａ−１）
【化２１】
【００６８】
で表される化合物３０％、及び式（２ｃ−２）
【化２２】
で表される化合物化合物１０％からなる液晶組成物（Ｍ−３）を調製した。この（Ｍ−３）は８５．５℃以下で安定にネマチック相を示し、−２０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．０９８、Δεは−３．０２であった。またこの組成物の粘度は３３（ｍＰａ・ｓ）で実用的なｎ型の液晶材料として好適であった。
【００６９】
（実施例６）ｎ型液晶組成物の調製（４）
以下の化合物からなる非極性の母体液晶組成物（Ｍｂ）を調製した。
【化２３】
（Ｍｂ）のネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は６０℃であった。２０℃でその物性値を測定したところ、屈折率異方性（Δｎ）は０．０５０、誘電率異方性（Δε）は０．０３であった。また、回転粘度は４．０（ｍＰａ・ｓ）であった。
【００７０】
この（Ｍｂ）の４０％、式（１−ａ）で表される化合物２０％、及び（３ａ−１）
【化２４】
で表される化合物化合物２０％、及び式（３ａ−２）で表される化合物２０％
【化２５】
からなる液晶組成物（Ｍ−４）を調製した。この（Ｍ−４）は１１７℃以下で安定にネマチック相を示し、０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１１０、Δεは−３．７３であった。またこの組成物の粘度は３５（ｍＰａ・ｓ）と実用的なｎ型の液晶材料として好適であった。
【００７１】
（実施例７）ｎ型液晶組成物の調製（５）
（Ｍａ）の２０％、（Ｍｂ）の１０％、式（１−ａ）で表される化合物２０％、式（２ａ−１）で表される化合物１０％、式（２ｃ−１）で表される化合物１０％、式（３ａ−１）で表される化合物２０％及び式（３ａ−２）で表される化合物１０％からなる液晶組成物（Ｍ−４）を調製した。この（Ｍ−４）は１０９℃以下で安定にネマチック相を示し、０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１１５、Δεは−４．０１であった。またこの組成物の粘度は３６（ｍＰａ・ｓ）とΔεの絶対値が大きい割には比較的低粘性であり、実用的なｎ型の液晶材料として好適であった。
【００７２】
（実施例８）ｎ型液晶組成物の調製（６）
（Ｍａ）の２０％、（Ｍｂ）の２０％、式（１−ａ）で表される化合物２５％、式（３ａ−１）で表される化合物２５％及び式（３ａ−２）で表される化合物１０％からなる液晶組成物（Ｍ−５）を調製した。この（Ｍ−５）は１１８℃以下で安定にネマチック相を示し、０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１１８、Δεは−３．６５であった。またこの組成物の粘度は３４（ｍＰａ・ｓ）とΔεの絶対値が大きい割には比較的低粘性であり、実用的なｎ型の液晶材料として好適であった
【００７３】
（実施例９）ｎ型液晶組成物の調製（７）
（Ｍｂ）の２３％、式（１−ａ）で表される化合物１９％、式（１−ｂ）で表される化合物２０％、及び式（３ａ−３）
【化２６】
で表される化合物２０％、及び式（３ａ−４）で表される化合物１８％
【００７４】
【化２７】
からなる液晶組成物（Ｍ−７）を調製した。この（Ｍ−７）は８９℃以下で安定にネマチック相を示し、０℃で放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１１５、Δεは−３．０２であった。またこの組成物の粘度は５７（ｍＰａ・ｓ）であった。この組成物は極性基としてエーテル酸素を有する化合物を全く用いておらず、高い信頼性が得られる実用的なｎ型の液晶材料として好適であった
【００７５】
（実施例１０）表示素子の作成（１）
実施例５で得られた液晶組成物（Ｍ−３）を透明電極（片側の電極はジグザグ状に配列）を備え、垂直配向処理を施したセル厚３．５μｍのＶＡ表示用セルに充填し、ＶＡ表示素子を作成した。この素子に電界を印加して２５℃におけるその電気光学特性を測定したところ、暗視野から明視野への閾値電圧（Ｖｔｈ）は３．３Ｖであった。次に５Ｖ印加時の応答時間を測定したところ、立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和は３０ｍ秒であった。また、この素子の７０℃における電圧保持率（ＨＲ）を測定したところ、８７％であった。同様の条件で測定した非極性の母体液晶（Ｍａ）のＨＲが９０％であったので、この値は充分に高いものと判断できる。
【００７６】
（実施例１１）表示素子の作成（２）
実施例７で得られた（Ｍ−５）を用いて同様にしてＶＡ表示素子を作成し、その電気光学特性（２５℃）を測定したところ、閾値電圧（Ｖｔｈ）は３．０Ｖでありより低電圧駆動が可能であることが確認できた。また、５Ｖ印加時の応答時間（立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和）は３５ｍ秒であった。さらに７０℃における電圧保持率（ＨＲ）は８７％であった。
【００７７】
（実施例１２）表示素子の作成（３）
実施例９で得られた（Ｍ−７）を用いて同様にしてＶＡ表示素子を作成し、その電気光学特性（２５℃）を測定したところ、閾値電圧（Ｖｔｈ）は３．６Ｖでやや高く、その５Ｖ印加時の応答時間（立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和）も４５ｍ秒とやや遅かった。しかしながら、７０℃における電圧保持率（ＨＲ）は９０％と非極性の母体液晶（Ｍｂ）と同じ高い値であった。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の液晶化合物の組み合わせによって、絶対値の大きい負の誘電率異方性と広いネマチック温度範囲を有し、かつ好適な屈折率異方性を有する液晶組成物が得られた。この組成物を用いることにより、高温域まで高い電圧保持率を維持できる信頼性に優れた液晶表示素子が提供され、このディスプレイはＶＡ方式やＥＣＢ方式、ＩＰＳ方式等の、特にＶＡ方式のアクティブマトリックス駆動液晶ディスプレイとして非常に実用的である。
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な、トリフルオロナフタレン誘導体を含有する誘電率異方性が負でその絶対値が大きい液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、家庭用各種電気機器、測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型、ＯＣＢ（光学補償複屈折）型、ＥＣＢ（電圧制御複屈折）型、ＶＡ（垂直配向）型、ＣＳＨ（カラースーパーホメオトロピック）型、あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができる。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、単純マトリックス方式、最近ではＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＭＩＭにより駆動されるアクティブマトリックス（ＡＭ）方式が主流となっている。
【０００３】
これらの表示方式において、ＩＰＳ型、ＥＣＢ型、ＶＡ型、あるいはＣＳＨ型等は現在汎用のＴＮ型やＳＴＮ型と異なり、誘電率異方性（Δε）が負の、いわゆるｎ型の液晶材料を用いるという特徴を有する。これらの中で特にＡＭ駆動によるＶＡ型表示は、高速で広視野角の要求される表示素子、例えばテレビ等への応用において、現在最も期待されているものである。
【０００４】
液晶材料としては、これまでにも非常に多種類の化合物が合成されてきており、その表示方式や駆動方式あるいはその用途に応じて使用されているが、上記のＶＡ型等の表示方式に用いられるｎ型の液晶材料についてはそれほど多くの化合物が知られているわけではない。ＶＡ型等の表示方式においても通常の表示方式と同様に、低電圧駆動や高速応答に加えて、広い作動温度範囲が要求される。またセル厚等に合わせた適当な屈折率異方性（Δｎ）も要求される訳であるが、特にアクティブマトリックス駆動に用いられるｎ型の液晶材料は分子内に２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基を有する化合物（特許文献１参照）が多用されている。
【０００５】
アクティブマトリックス駆動させるためには、液晶材料に高い電圧保持率が要求される。個々の化合物の化学構造と、電圧保持率との関係は完全に解明されたとは言い難いが、分子内にシアノ基やエステル結合など極性の非常に強い基を有する化合物では高い電圧保持率が得られ難く、エーテル結合でも好ましくない場合が多い。低駆動電圧化の必要性から誘電率異方性の絶対値を大きくしようとすると、極性基の存在は必要であり、このため化合物の分子設計は大きく制約を受けているのが実情である。
【０００６】
駆動電圧を低減させるためには、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）の絶対値がなるべく大きいことが重要である。上記ＶＡ表示においてはそのΔεは−３以下望ましくは−３．５以下さらに好ましくは−４以下であることが好ましい。従って、ｎ型の液晶化合物としては単独では少なくとも−４以下のΔεを有するものが必要である。
【０００７】
作動温度範囲としてはネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）が少なくとも７０℃以上であることが好ましく、ネマチック相下限温度（Ｔ−Ｎ）が少なくとも−２０℃以下であることが好ましい。
【０００８】
またセルの構成（セル厚や表示モード等）にも依存するが、Δｎは通常０．０８〜０．１０程度が要求されることが多い。
【０００９】
また、応答の高速化のために液晶材料の粘性をなるべく小さくすることも重要である。
【００１０】
これらの要求特性を単独で満足できるような液晶化合物は存在せず、従って液晶材料は上記の２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体を主として多くの液晶化合物から調製される液晶組成物（特許文献２参照）が用いられてきたのが現状である。
【００１１】
ところが、これまで知られている２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体のほとんどは他の環構造としてトランス−１，４−シクロヘキシレン基及び１，４−フェニレン基を有する化合物であるが、その１位及び４位がともに炭素原子と連結した構造を有する場合には−２〜−３程度のΔεしか示さない。より絶対値の大きいΔεを得るためにはその１位あるいは４位に酸素原子がエーテル結合で連結することが必要であり、その場合には−４〜−５のΔεが得られるが、上述のように高い電圧保持率を得るためにはあまり好ましいとは言えないという問題点が存在した。
【００１２】
さらにこれらの２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体は他の液晶化合物との相溶性において必ずしも良好ではないという問題点も存在した。そのために温度範囲の広い液晶組成物、特に低温で長時間保存しても結晶の析出や相分離を生じ難い液晶組成物を調製することは容易でなく、そのホモログ（側鎖アルキル基の炭素数だけが異なった同族体）等を加えて、非常に多種の化合物を混合することにより溶解性を高め、組成物の融点を低下させる必要があった。
【００１３】
液晶組成物の融点を低下させるためには、骨格構造の異なる液晶化合物の添加が効果的であることはよく知られている。従って、広い温度範囲を有する液晶組成物の調製を容易とするために、従来化合物とは異なる骨格構造、特に液晶化合物に強い負の誘電率異方性を寄与でき、かつ２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン骨格とは異なる新しい骨格構造、例えばフッ素置換されたナフタレン構造（特許文献３、４及び５参照）あるいはテトラヒドロナフタレン構造（特許文献６及び７参照）を含み、他の液晶化合物との相溶性に優れ、その添加により、ｎ型液晶としての特性を向上させ、かつ組成物の温度範囲を拡大できるような液晶性化合物が望まれていた。
【００１４】
引用文献４にはこのフッ素置換されたナフタレン骨格を有する広範囲な一般式が示されているが、当該引用文献に記載の発明は元来スメクチック液晶である強誘電性液晶を目的としたもので、開示された化合物のの具体的な合成方法やその例、特にネマチック液晶組成物における物性及び電気光学特性の記載は全くなく、本願発明に対して何ら示唆を与えるものとは言い難い。
【００１５】
一方、本発明者等による引用文献５には、フルオロナフタレン骨格を有する一連の化合物がその一般式とともに記載されている。しかし、当該引用文献に記載の発明はフルオロナフタレン骨格の一般的な効果とその用途を開示したものであり、トリフルオロナフタレン誘導体の中のどの化合物が、電圧保持率が高くかつ温度範囲の広いΔεが負の液晶組成物（ｎ型組成物）の調製に特に好適であるかについては具体的には触れられていない。
【特許文献１】
特表平２−５０３４４１号公報
【特許文献２】
特表平１０−１７６１６７号公報
【特許文献３】
独国特許出願公開第１９５２２１６７号明細書
【特許文献４】
独国特許出願公開第１９５２２１９５号明細書
【特許文献５】
特開２００１−３１５９７号公報
【特許文献６】
特開２００１−４０３５４号公報
【特許文献７】
独国特許出願公開第１９５２２１４５号明細書
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、従来化合物とは異なる骨格である６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレン構造を含み、他の液晶化合物との相溶性に優れ、ネマチック相温度範囲が高温域まで広く、さらに分子内にアルコキシル基等の極性基を有しないにもかかわらず、絶対値の大きい負の誘電率異方性（Δε）を有する液晶性化合物を提供し、それを鍵成分とするΔεが負で温度範囲が広く、かつ電圧保持率の高い液晶組成物を提供し、さらにそれを用いたＶＡ型等の液晶表示素子を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレン骨格を有する化合物が、その絶対値が大きい負のΔεを有し、ネマチック相温度範囲が高温域まで広いことに加えて、従来の液晶化合物との相溶性に非常に優れていること。そしてそれを用いることによってＶＡ型等の液晶表示素子において低電圧駆動と高速応答に加えて、高い電圧保持率を達成できるような液晶組成物が調製できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１８】
即ち、一般式（１）
【化６】
【００１９】
【化７】
【００２０】
【発明の実施の形態】
本願発明における液晶組成物において、一般式（１）で表される化合物を含有するが、一般式（１）において、Ｒａは炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基を表すが、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基がより好ましく、プロピル基がさらに好ましい。
ｐは０又は１を表し、ｐ＝０の場合には化合物（１）は２環（ナフタレン骨格を１環と数えて）性であり、ＴＮ−Ｉ（ネマチック相上限温度）は低くなるが、より低粘性であり、誘電率異方性の絶対値もより大きい。ｐ＝１の場合には化合物（１）は３環性であり、より高いＴＮ−Ｉを示す。従って、組成物として温度範囲がより重要な場合にはｐ＝１であることがより好ましく、その粘性がより重要な場合にはｐ＝０であることがより好ましい。
【００２１】
Ｒｂは炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基を表すがエチル基又はプロピル基が好ましく、プロピル基が特に好ましい。また、シクロヘキサン環はトランス配置である。
【００２２】
本発明の液晶組成物においては、一般式（５）で表される化合物を含有するが、一般式（５）において、Ｒｍは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又はアルケニル基を表すが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜５の１−アルケニル基、又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基が好ましく、直鎖状アルキル基としてはエチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基がより好ましく、１−アルケニル基としてはビニル基又はトランス−１−プロペニル基がより好ましく、３−アルケニル基としては３−ブテニル基又はトランス−３−ペンテニル基がより好ましい。Ｒｎは炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜５の１−アルケニル基、炭素原子数４〜５の３−アルケニル基、炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が好ましく、特にＣがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す場合にはエチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基又はプロポキシ基が好ましく、Ｃが１個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基の場合、上記に加えてメトキシ基、エトキシ基、アリルオキシ基及びクロチルオキシ基も好ましい。ｍ６は０又は１を表す。Ｍｌ及びＭｍはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ２ＣＨ２−を表すが、Ｍｌが存在する場合にはＭｌ及びＭｍの少なくとも一方は単結合が好ましい。Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。
【００２３】
一般式（５）で表される化合物としては以下の一般式（５ａ）〜一般式（５ｍ）で表される化合物が好ましく、一般式（５ａ）、一般式（５ｂ）、一般式（５ｄ）又は一般式（５ｅ）で表される化合物が特に好ましい。
【化８】
上式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立的に炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜３の１−アルケニル基又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基を表し、Ｒ９は炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３〜４の直鎖状２−アルケニル基を表し、Ｒ１０は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数４〜５の３−アルケニル基を表し、Ｒ１１は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３〜４の直鎖状２−アルケニル基を表す。
【００２５】
本発明の液晶組成物においては一般式（１）で表される化合物を組成物中に１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す）以上５０％以下含有することが好ましく、２％〜４０％含有することがより好ましく、４〜３０％含有することがさらに好ましい。一般式（２）で表される化合物を１％〜５０％含有することが好ましく、２％〜４０％含有することがより好ましい。
【００２６】
本発明の液晶組成物において一般式（２）
【化９】
（式中、Ｒｃは炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒｄは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、ｍ１は０又は１を表し、Ｍａ及びＭｂはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−ＣＯＯ−を表し、Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）で表される２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン誘導体の１種又は２種以上を含有していても良い。
【００２８】
一般式（２）において、Ｒｃは炭素原子数１〜７のアルキル基を表すが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基が好ましい。Ｒｄは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基、直鎖状アルコキシル基が好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が特に好ましい。ｍ１は０又は１を表す。Ｍａ及びＭｂはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−ＣＯＯ−を表すが、一方は単結合であることが好ましく、他方は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＯＯ−であることが好ましい。Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表すが、調製すべき液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）に応じて、小さいΔｎが要求される場合にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、大きいΔｎが要求される場合には１，４−フェニレン基が好ましい。
【００２９】
一般式（２）には非常に多くの化合物が含まれるが、以下の一般式（２ａ）〜一般式（２ｇ）で表される化合物が好ましい。
【００３０】
【化１０】
【００３１】
また、本発明の液晶組成物において、一般式（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）及び（４ｂ）
【化１１】
（式中、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｉ及びＲｋは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、Ｒｆ、Ｒｈ、及びＲｌは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表し、Ｒｊは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表し、ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５は０又は１を表し、Ｍｃ及びＭｄ、Ｍｅ及びＭｆ、Ｍｈ及びＭｉ、Ｍｊ及びＭｋはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表し、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。ただし、（３ａ）において、一般式（１）で表される化合物は除かれる。）で表される化合物の１種又は２種以上を含有していても良い。
【００３３】
一般式（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）及び（４ｂ）において、Ｒｅ、Ｒｇ、Ｒｉ及びＲｋは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基が好ましい。Ｒｆ、Ｒｈ、及びＲｌは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、アルコキシル基又はアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基、直鎖状アルコキシル基が好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基及び炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基が特に好ましい。Ｒｊは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すが、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基が好ましい。ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５は０又は１を表す。Ｍｃ及びＭｄ、Ｍｅ及びＭｆ、Ｍｈ及びＭｉ、Ｍｊ及びＭｋはそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表すが、一方は単結合であることが好ましく、他方は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＯＯ−であることが好ましい。Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦはトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表すが、調製すべき液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）に応じて、小さいΔｎが要求される場合にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、大きいΔｎが要求される場合には１，４−フェニレン基が好ましい。
【００３４】
かくして得られる本願発明の液晶組成物においてそのネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）が７０℃以上、より好ましくは８０℃以上であり、ネマチック相下限温度（Ｔ−Ｎ）が−２０℃以下である。また、その誘電率異方性（Δε）は−３以下であるが、−３．５以下であることがより好ましく、−４以下がさらに好ましい。
【００３５】
一般式（１）で表される化合物は一般式（６ａ）
【化１２】
【化１３】
【００３６】
あるいは有機リチウム反応剤をヨウ素と反応させることにより、一般式（６ｂ）
【化１４】
【００３７】
【化１５】
【００３８】
６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレン（６ａ）のリチオ化及びシクロヘキシルシクロヘキサノンとの反応あるいはヨウ素との反応は溶媒中冷却下で行われる。溶媒としてはジイソプロピルエーテル（ＩＰＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサンやヘプタン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＴＡ）、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）等の非プロトン性極性溶媒あるいはこれらの混合溶媒が好適である。反応温度は−１０℃から−１００℃で実施されるが、−２０℃〜−８０℃が好ましく、−３０〜−５０℃がさらに好ましい。
【００３９】
アルコール体の脱水は溶媒中、酸触媒存在下に実施されるが、溶媒としては、ヘキサンやヘプタン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒が好ましく、酸触媒としては硫酸等の鉱酸、ｐ−トルエンスルホン酸、蟻酸等の有機酸、あるいは硫酸水素カリウム等の強酸の弱塩基塩が好ましい。反応は室温〜溶媒の還流下に加熱して実施されるが、溶媒としてベンゼンやトルエンを用いた場合に還流温度まで加熱すると、精製した水を溶媒との共沸により除去することが容易となるため、特に好ましい。
【００４０】
エテニルナフタレン誘導体あるいはエチニルナフタレン誘導体の水素添加は溶媒中水素雰囲気下で、触媒存在下に冷却〜加熱下に実施される。溶媒としてはエタノール、メタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）等のアルコール類、エチルエーテル、ＩＰＥ、ＤＭＥ、ＴＨＦ等のエーテル類、ヘキサンやベンゼン、トルエン等の炭化水素類、酢酸エチル等のエステル類等が好ましい。水素圧は常圧〜加圧下で実施され、常圧〜５００ＭＰａが好ましい。反応温度は０℃〜１００℃が好ましいが、１５℃〜５０℃がより好ましい。用いる触媒としては活性炭に担持されたパラジウムや白金、ルテニウム等の貴金属類、あるいはラネーニッケル等のラネー触媒が好ましく、パラジウム及びラネーニッケルが特に好ましい。
【００４１】
（６ｂ）で表される化合物と（８）で表される化合物との反応における遷移金属触媒としてはテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）等のパラジウム（０）錯体、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム（ＩＩ）錯体、塩化パラジウム等のパラジウム（ＩＩ）塩、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）等のニッケル（ＩＩ）錯体等が好ましい。反応は銅（Ｉ）塩併用下に行うことが好ましく、特にヨウ化銅（Ｉ）を併用することが好ましい。反応は溶媒中で行われ、溶媒としてジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のいわゆる極性溶媒が好ましく、通常はトリエチルアミン等のアミン系溶媒を併用することが好ましい。
【００４２】
ここで出発原料として用いた一般式（６ａ）で表される化合物は液晶中間体として有用性の高い化合物であるが、この化合物は３，４，５−トリフルオロナフタレン−６−オール（この化合物は３，４−ジフルオロナフタレン−６−オールをフッ素化し、必要に応じて還元することにより得ることができる。）をトリフルオロメタンスルホン酸無水物によりトリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）とし、次いでテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）等の遷移金属触媒存在下に末端アルキンと反応させ、次いで三重結合を水素添加することにより得ることができる。末端アルキンは一般式（６）におけるＲｂにより異なるが、例えばＲｂがプロピル基の場合にはプロピン、ブチル基の場合には１−ブチン、ペンチル基の場合には１−ペンチンが用いられる。遷移金属反応触媒と反応溶媒は前述の（６ｂ）で表される化合物と（８）で表される化合物との反応におけると同様である。
【００４３】
かくして一般式（１）で表される化合物が製造されるが、一般式（１）で表される化合物は本発明者等が初めてその合成に成功し、その特性を明らかにした化合物であるが、前述のように広範な一般式としてこの化合物（１）を包含しうる報告例は存在している。
【００４４】
引用文献４にはこのトリフルオロナフタレン骨格を有する広範囲な一般式が示されており、その一般式から部分構造を選択することによって化合物（１）を導くことも可能である。しかしながら、本特許は元来スメクチック液晶である強誘電性液晶を目的としたもので、ネマチック液晶についてはほとんど触れられておらず、特に本願発明の化合物（１）の具体的な合成例や、その物性及び電気光学特性の記載は全くなく、その製造方法すら開示されておらず、本願発明に対して何ら示唆を与えるものとは言い難い。
【００４５】
一方、本願発明者等による引用文献５には、フルオロナフタレン骨格を有する一連の化合物がその一般式とともに記載されているが、本発明の一般式（１）で表される化合物の如く、６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレンの２位においてエチレン基を介してビシクロヘキサン環と連結した形の化合物は記載されていない。さらに、本公報にはトリフルオロナフタレン誘導体を用いたΔεが負の液晶組成物の調製例は記載されておらず、また本願発明のごとくトリフルオロナフタレン誘導体の中のどの化合物が、電圧保持率が高くかつ温度範囲の広いΔεが負の液晶組成物（ｎ型組成物）の調製に特に好適であるかについては具体的には触れられていない。
【００４６】
また、引用文献６にはフルオロナフタレン骨格を有する化合物を用いたΔεが負の液晶組成物の調製例が記載されているが、その構成化合物として本発明の一般式（１）で表される化合物は具体的には記載されていない。
【００４７】
本願発明に於いてはフルオロナフタレン誘導体の中で、６−アルキル−３，４，５−トリフルオロナフタレンの２位においてエチレン基を介してシクロヘキサン環又はビシクロヘキサン環と結合した一般式（１）の構造を有し、かつ（１）においてＲａが炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、Ｒｂが炭素原子数２〜５の直鎖状アルキル基である化合物が、特に上記の液晶組成物の調製に有効であることを見いだしたものである。
【００４８】
本発明はさらに、本発明の液晶組成物を使用した液晶表示素子、特に液晶ＴＶ用等に好適なＶＡ（垂直配向）モードで表示される液晶表示素子を提供する。
【００４９】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また前述の通り、組成物における％は質量％を表す。
【００５０】
（参考例） ６−プロピル−３，４，５−トリフルオロナフタレン（６ａ−１）の合成
【化１６】
４，５，６−トリフルオロナフタレン−３−オール８．５ｇ（この化合物は２，３−ジフルオロフェニル酢酸クロリドに塩化アルミニウムとエチレンを反応させ，得られた５，６−ジフルオロテトラヒドロナフタレン−３−オンを臭素で芳香化し，次いで付加した臭素を接触還元で脱離させることにより得た）を１３０ｍＬのジクロロメタンに溶解し、５℃で攪拌した。これに７．４ｍＬのトリフルオロメタンスルホン酸無水物及びピリジン７．４ｍＬを５〜１０℃でゆっくり滴下し、さらに５℃で１時間攪拌した。
【００５２】
水１５ｍＬをゆっくり加え、水層を分離後、有機層を１０％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１／２０）で精製して、トリフラートの白色結晶１３．２ｇを得た。
【００５３】
この全量をＤＭＦ８０ｍＬ及びトリエチルアミン２０ｍＬに溶解し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．９２ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．３ｇを加え、プロピンを吹き込みながら、５０℃で８時間攪拌した。
【００５４】
室温に戻した後、トルエン１５０ｍＬを加え、水８０ｍＬで２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を溜去して得られた油状物を再度トルエン１２０ｍＬに溶解し、次亜塩素酸ナトリウム水溶液（８％）３２ｍＬ及び水３２ｍＬを加え、氷水冷下で２時間攪拌した。析出した結晶をセライト濾過した後、水層を分離し、飽和食塩水で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を溜去して、３，４，５−トリフルオロ−６−（１−プロピニル）ナフタレン８．０ｇを得た。
【００５５】
この全量を４００ｍＬのＴＨＦに溶解し、オートクレーブ中水素圧０．５ＭＰａ下において、２０℃で４時間攪拌した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去し、さらにフラッシュカラム（シリカゲル／ヘキサン）で精製して、６−プロピル−３，４，５−トリフルオロナフタレンの白色結晶７．３ｇを得た。
【００５６】
（実施例１） ２−［２−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル−３，４，５−トリフルオロ−６−プロピルナフタレン（１−ａ）の合成
【化１７】
参考例に従って得られた６−プロピル−３，４，５−トリフルオロナフタレン１９．６ｇをＴＨＦ２５０ｍＬに溶解し、窒素気流下−５０℃に冷却、攪拌した。ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６Ｍ）６１ｍＬを４０分かけて滴下し、滴下終了後さらに１時間−５０〜−４０℃で攪拌した。この溶液にトランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサンエタナール２４．１ｇのＴＨＦ５０ｍＬ溶液を−５０〜−４０℃で４０分間かけて滴下した。滴下終了後２時間−５０〜−４０℃に保った後、−２０℃まで攪拌下に昇温した。５％塩酸２００ｍＬと酢酸エチル１００ｍＬ中に反応液を加えて３０分攪拌し、相分離後、水層は酢酸エチル５０ｍＬで抽出した。有機層を併せて、水次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去してアルコール体４１．２ｇを得た。
【００５８】
この全量をトルエン２００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸（１水和物）１．４ｇを加え、共沸する水を除去しながら、４時間加熱還流させた。室温まで放冷後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を溜去し、エタノールから再結晶させて得られたエテニルナフタレン誘導体３６．５ｇを４００ｍＬのＴＨＦに溶解し、５％パラジウム炭素（５０％含水）１．７ｇとともにオートクレーブ中に加え、室温下水素圧０．５ＭＰａで１時間接触還元した。触媒を濾別した後、溶媒を溜去して粗結晶３７ｇを得た。これをアルミナカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、さらにエタノールから２回再結晶させて、２−［２−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］エチル−３，４，５−トリフルオロ−６−プロピルナフタレンの白色結晶３１ｇを得た。この化合物の融点は８６℃で、加熱下１８７℃の高温域までネマチック相を示した。
ＩＲ（ＫＢｒ）： ３０５４，２９２３，２８５２，１６２７，１４６１，１３４８，１０６６，８８５，８０２ｃｍ−１
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝０．８０−１．３４（ｍ，２２Ｈ），１．５４−１．６０（ｍ，２Ｈ），１．６６−１．７７（ｍ，８Ｈ），１．８５−１．８７（ｍ，２Ｈ），２．７５−２．８３（ｍ，４Ｈ），７．２３（ｄｄ，Ｊ＝８．４，６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４４（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１．８Ｈｚ，１Ｈ）
【００５９】
（実施例２） ２−［２−（トランス−４−プロピル）シクロヘキシル］エチル−３，４，５−トリフルオロ−６−プロピルナフタレン（１−ｂ）の合成
【化１８】
【００６０】
ＩＲ（ＫＢｒ）： ２９５６，２８４２，１６２７，１４５９，１３４４，１２７０，１１５７，１０３７，８８７，８０２，７６９ｃｍ−１
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝０．８２−１．０３（ｍ，１０Ｈ），１．１３−１．３６（ｍ，６Ｈ），１．５４−１．８５（ｍ，８Ｈ），２．７０−２．８２（ｍ，４Ｈ），７．２３（ｄｄ，Ｊ＝８．４，６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４３（ｄｄ，Ｊ＝８．４，２．０Ｈｚ，１Ｈ）
【００６１】
（実施例３）ｎ型液晶組成物の調製（１）
以下の化合物からなる非極性の標準母体液晶組成物（Ｍａ）を調製した。
【化１９】
（Ｍａ）のネマチック相上限温度（ＴＮ−Ｉ）は１０３．０℃であった。２０℃でその物性値を測定したところ、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９８３、誘電率異方性（Δε）は０．０４であった。また、回転粘度は１５．６（ｍＰａ・ｓ）であった。
【００６３】
次にこの（Ｍａ）の８０％と実施例１で得られた式（１−ａ）で表される化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。
この（Ｍ−１）は１２０．９℃以下でネマチック相を示した。これを０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１０６８、Δεは−０．６７であった。以上から外挿した式（１−ａ）で表される化合物のΔｎは０．１３７であり、Δεは−３．５と分子内にアルコキシル基のような極性基を有さないにもかかわらず、強いｎ型の化合物であることが確認できた。また、この組成物の粘度は２３．３（ｍＰａ・ｓ）で比較的低粘性であった。
【００６４】
（比較例１）
これに対して、（Ｍａ）の８０％と式（２ｃ−１）で表される化合物２０％からなる液晶組成物（Ｒ−１）を調製した。
【化２０】
【００６５】
以上から、比較例１記載の式（２ｃ−１）で表される化合物は本発明の式（１−ａ）で表される化合物と比較して、Δεの絶対値がより小さく、またネマチック相温度範囲が狭く従来液晶との相溶性や低温での安定性に於いても劣っていることがわかる。
【００６６】
（実施例４）ｎ型液晶組成物の調製（２）
（Ｍａ）の８０％と実施例２で得られた式（１−ｂ）で表される化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。
この（Ｍ−２）のＴＮ−Ｉは８７．５℃以下と（Ｍ−１）と比較すると低くなったが、これを０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１０２８で（Ｍ−１）よりやや小さくなり、Δεは−０．７８とその絶対値が（Ｍ−１）より大きくなった。以上から外挿した式（１−ａ）で表される化合物のΔｎは０．１１９であり、Δεは−４．１とさらに強いｎ型の化合物であることが確認できた。また、この組成物の粘度は２０．２（ｍＰａ・ｓ）で低粘性であった。
【００６７】
（実施例５）ｎ型液晶組成物の調製（３）
（Ｍａ）の２０％、式（１−ａ）で表される化合物２５％、式（２ｃ−１）で表される化合物１５％、式（２ａ−１）
【化２１】
で表される化合物３０％、及び式（２ｃ−２）
【化２２】
【００６９】
（実施例６）ｎ型液晶組成物の調製（４）
以下の化合物からなる非極性の母体液晶組成物（Ｍｂ）を調製した。
【化２３】
【００７０】
この（Ｍｂ）の４０％、式（１−ａ）で表される化合物２０％、及び（３ａ−１）
【化２４】
【化２５】
【００７１】
（実施例７）ｎ型液晶組成物の調製（５）
（Ｍａ）の２０％、（Ｍｂ）の１０％、式（１−ａ）で表される化合物２０％、式（２ａ−１）で表される化合物１０％、式（２ｃ−１）で表される化合物１０％、式（３ａ−１）で表される化合物２０％及び式（３ａ−２）で表される化合物１０％からなる液晶組成物（Ｍ−４）を調製した。この（Ｍ−４）は１０９℃以下で安定にネマチック相を示し、０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１１５、Δεは−４．０１であった。またこの組成物の粘度は３６（ｍＰａ・ｓ）とΔεの絶対値が大きい割には比較的低粘性であり、実用的なｎ型の液晶材料として好適であった。
【００７２】
（実施例８）ｎ型液晶組成物の調製（６）
（Ｍａ）の２０％、（Ｍｂ）の２０％、式（１−ａ）で表される化合物２５％、式（３ａ−１）で表される化合物２５％及び式（３ａ−２）で表される化合物１０％からなる液晶組成物（Ｍ−５）を調製した。この（Ｍ−５）は１１８℃以下で安定にネマチック相を示し、０℃で１週間放置しても結晶の析出や相分離は観察されなかった。２０℃においてその物性値を測定したところ、Δｎは０．１１８、Δεは−３．６５であった。またこの組成物の粘度は３４（ｍＰａ・ｓ）とΔεの絶対値が大きい割には比較的低粘性であり、実用的なｎ型の液晶材料として好適であった
【００７３】
（実施例９）ｎ型液晶組成物の調製（７）
（Ｍｂ）の２３％、式（１−ａ）で表される化合物１９％、式（１−ｂ）で表される化合物２０％、及び式（３ａ−３）
【化２６】
【００７４】
【化２７】
【００７５】
（実施例１０）表示素子の作成（１）
実施例５で得られた液晶組成物（Ｍ−３）を透明電極（片側の電極はジグザグ状に配列）を備え、垂直配向処理を施したセル厚３．５μｍのＶＡ表示用セルに充填し、ＶＡ表示素子を作成した。この素子に電界を印加して２５℃におけるその電気光学特性を測定したところ、暗視野から明視野への閾値電圧（Ｖｔｈ）は３．３Ｖであった。次に５Ｖ印加時の応答時間を測定したところ、立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和は３０ｍ秒であった。また、この素子の７０℃における電圧保持率（ＨＲ）を測定したところ、８７％であった。同様の条件で測定した非極性の母体液晶（Ｍａ）のＨＲが９０％であったので、この値は充分に高いものと判断できる。
【００７６】
（実施例１１）表示素子の作成（２）
実施例７で得られた（Ｍ−５）を用いて同様にしてＶＡ表示素子を作成し、その電気光学特性（２５℃）を測定したところ、閾値電圧（Ｖｔｈ）は３．０Ｖでありより低電圧駆動が可能であることが確認できた。また、５Ｖ印加時の応答時間（立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和）は３５ｍ秒であった。さらに７０℃における電圧保持率（ＨＲ）は８７％であった。
【００７７】
（実施例１２）表示素子の作成（３）
実施例９で得られた（Ｍ−７）を用いて同様にしてＶＡ表示素子を作成し、その電気光学特性（２５℃）を測定したところ、閾値電圧（Ｖｔｈ）は３．６Ｖでやや高く、その５Ｖ印加時の応答時間（立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）の和）も４５ｍ秒とやや遅かった。しかしながら、７０℃における電圧保持率（ＨＲ）は９０％と非極性の母体液晶（Ｍｂ）と同じ高い値であった。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の液晶化合物の組み合わせによって、絶対値の大きい負の誘電率異方性と広いネマチック温度範囲を有し、かつ好適な屈折率異方性を有する液晶組成物が得られた。この組成物を用いることにより、高温域まで高い電圧保持率を維持できる信頼性に優れた液晶表示素子が提供され、このディスプレイはＶＡ方式やＥＣＢ方式、ＩＰＳ方式等の、特にＶＡ方式のアクティブマトリックス駆動液晶ディスプレイとして非常に実用的である。
Claims (9)
- 一般式（１）
- 一般式（２）
- 一般式（３ａ）、一般式（３ｂ）、一般式（４ａ）及び一般式（４ｂ）
- 一般式（２）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（３ａ）、（３ｂ）、（４ａ）及び（４ｂ）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上を含有する請求項１〜３の何れかに記載の液晶組成物。
- ネマチック相上限温度が７０℃以上であり、ネマチック相下限温度が−２０℃以下であり、化合物（１）の含有量が１〜５０質量％の範囲であるところの請求項１〜４の何れかに記載の液晶組成物。
- 一般式（１）
- 請求項１〜５記載の液晶組成物を使用した液晶表示素子。
- アクティブマトリックス駆動される請求項７記載の液晶表示素子。
- 垂直配向モードで表示される請求項８記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003204475A JP2005048007A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | トリフルオロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物と表示素子及び液晶性化合物。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003204475A JP2005048007A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | トリフルオロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物と表示素子及び液晶性化合物。 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005048007A true JP2005048007A (ja) | 2005-02-24 |
Family
ID=34263471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003204475A Pending JP2005048007A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | トリフルオロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物と表示素子及び液晶性化合物。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005048007A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006063205A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | トリフルオロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物と表示素子及び液晶性化合物、その製造法と製造中間体 |
| JP2006089604A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Dainippon Ink & Chem Inc | トリフルオロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物と表示素子及び化合物。 |
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| WO2009104468A1 (ja) | 2008-02-22 | 2009-08-27 | 株式会社Adeka | 重合性化合物を含有する液晶組成物及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子 |
| US7582337B2 (en) * | 2007-02-19 | 2009-09-01 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid-crystalline medium |
| WO2011062017A1 (ja) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | 株式会社Adeka | 重合性化合物を含有する液晶組成物及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子 |
-
2003
- 2003-07-31 JP JP2003204475A patent/JP2005048007A/ja active Pending
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| US8663497B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-03-04 | Adeka Corporation | Liquid crystal composition comprising polymerizable compound, and liquid crystal display element using said liquid crystal composition |
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