JP3601190B2 - アルケニルシクロヘキサン誘導体および液晶組成物 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶性化合物および液晶組成物に関し、さらに詳しくはアルケニル基を有する三環系の新規な液晶性化合物、およびこれらを含有する液晶組成物さらにはこの液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶性化合物の特性である屈折率異方性、誘電率異方性を利用した表示素子はこれまで多数作られてきた。時計をはじめとして電卓、ワープロ、テレビ等にその表示素子は広く利用され、需要も年々高くなってきている。
液晶相は固体相と液体相の中間に位置し、相はネマチック相、スメクチック相、コレステリック相に大別されている。中でもネマチック相を用いた表示素子が最も広く利用されている。表示方式はこれまでいくつかの方式が考案されてきたが、現在はねじれネマチック（ＴＮ）型、超ねじれネマチック（ＳＴＮ）型および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）型の３種類が主流となっている。中でもＳＴＮ型は、単純マトリックス型駆動の液晶ディスプレイとしては表示容量、応答速度、視野角、階調性等といった多くの特性面で総合的に優れた方式である。
また、ＳＴＮ型はカラーディスプレイにおいてもＴＦＴ型より安価であるという利点も有していることから広く利用されてきた。
【０００３】
これらの表示方式で必要とされる液晶性化合物は、室温を中心とする広い温度範囲で液晶相を示し、表示素子が使用される条件下で十分に安定であり、さらに表示素子を駆動させるに十分な特性を持たなくてはならない。しかし、これらの条件を同時に満たす単一の液晶物質は見いだされていない。そこで、数種類から数十種類の液晶性化合物および必要により非液晶性化合物を混合することで必要とされる特性を持つ液晶組成物を調製し表示素子に使用しているのが現状である。
【０００４】
液晶組成物は、表示素子が使用される条件下で通常存在する水分、光、熱、空気に対して極めて安定で、また電場や電磁放射に対しても安定である上、混合される化合物に対し化学的にも安定であることが必要である。さらに、液晶組成物には、その屈折率異方性値（△ｎ）、誘電率異方性値（△ε）、粘度（η）および弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）等の諸物性値が表示方式や表示素子の形状に依存して適当な値を取ることが必要とされる。さらに液晶組成物中の各成分は、相互に良好な溶解性を持つことが重要である。現在ディスプレイのカラー化やディスプレイの使用環境の多様化が進む状況において、特に必要とされている諸物性は、ネマチック相の広範囲の温度領域、大きな弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１、低粘性および相互に良好な溶解性である。弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１ が大きくなるとしきい値電圧付近で透過率の変化が急峻になり、高いコントラストの表示素子が得られる。また、粘性が低くなると応答速度の速い表示素子が得られる。これら２つの物性の必要性はディスプレイのカラー化から、またネマチック相の広範囲の温度領域の必要性はディスプレイの使用環境の多様化からそれぞれ近年特に課題となってきた。
【０００５】
従来の高いＮＩ点をもち、低粘性である三環系化合物として下記の化合物が開示されている。
【化８】

（ａ）は特開昭５７−１６５３２８号に記載の化合物
（ｂ）は特開平０５−２８６８７３号に記載の化合物
（ｃ）は Ｊ．Ｐｈｙｓ．（Ｐａｒｉｓ）．Ｓｕｐｐｌ．，３６，Ｃ１，３７９（１９７５）．に記載の化合物
（上記化合物においてＲ、Ｒ’はアルキル基を表す。）
【０００６】
化合物（ａ）、（ｂ）とも両末端にアルキル基を有する三環系の化合物であるが、化合物（ａ）はＮＩ点が低く、粘度が大きく、弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１も小さく、また低温相溶性が良好とは言えない。さらに化合物（ｂ）についても比較的低粘性ではあるが共役のジエンを側鎖内に有するため安定性に非常に乏しい。（ｃ）は（ａ）と同様に弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１も小さく、また低温相溶性が特に良好とは言えない。
また、弾性定数比の大きいアルケニル基を持った液晶性化合物は、特開昭５９−１７６２２１、特開昭６１−５６１３７、特開昭６１−８３１３６、特表昭６３−５０２２８４に開示されているが、いずれも低粘度、低温相溶性、高いＮＩ点という特性を合わせて満足するものではない。
これらの課題を克服すべく改善された特性を有する液晶性化合物の開発が期待されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術の課題を克服するため、特に広範囲な温度領域でネマチック相を示し、大きな弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１を有し、かつ低粘性の液晶性化合物を提供し、これを含む液晶組成物および該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、以下に示す発明によりこれらの課題を解決できることを見い出した。すなわち、本発明は、
【０００９】
１．一般式（１）
【化９】

（式中、Ｒ₁は炭素数１〜１５のアルキル基、炭素数２〜１５のアルケニル基、それらの基中の隣接しない１つ以上のメチレン基（−ＣＨ₂−）が−Ｏ−によって置き換えられた基のいずれかを示し、Ｒ₂は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を示し、ｍは０〜５を示し、ｍが２以上の場合−（ＣＨ₂）_ｍ−中の１つのメチレン基（−ＣＨ₂−）が−Ｏ−で置き換わっていてもよく、環Ａ₁，Ａ₂，Ａ₃はそれぞれ独立して１, ４−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、該６員環上の１つまたは２つの−ＣＨ2−が− Ｏ−で置換された環のいずれかを示し、環Ａ _１ 、Ａ _２ 及びＡ _３ が全て１，４−シクロヘキシレンであり、−（ＣＨ _２ ） _ｍ −中の−ＣＨ _２ −が−Ｏ−に置き換わる場合、その−Ｏ−は環Ａ _３ に隣接する）で表されるアルケニルシクロヘキサン誘導体。
【００１０】
２．一般式（１）においてｍ＝０で表される１に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
【００１１】
３．一般式（１）においてｍ＝２で表される１に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
【００１２】
４．一般式（１）においてＲ_１ がアルケニル基で表される２に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
【００１３】
５．一般式（１）においてＲ_１ がアルケニル基で表される３に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
【００１４】
６．１から５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１種類含有する液晶組成物。
【００１５】
７．第一成分として、１から５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）および（４）
【化１０】

（式中、Ｒ_３は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｘ_１はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ_３、ＯＣＦ_２Ｈ、ＣＦ_３、ＣＦ_２ＨまたはＣＦＨ_２を示し、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３およびＬ_４は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｚ_１およびＺ_２は相互に独立して−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または共有結合を示し、ａは１または２を示す。）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
【００１６】
８．第一成分として、１から５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）
【化１１】

（式中、Ｒ_４はＦ、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基またはアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ_２−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基または１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を示し、環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_３は−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｌ_５およびＬ_６は相互に独立してＨまたはＦを示し、ｂおよびｃは相互に独立して０または１を示す。）
【化１２】

（式中、Ｒ_５は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｌ_７はＨまたはＦを示し、ｄは０または１を示す。）
【化１３】

（式中、Ｒ_６は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、環Ｄおよび環Ｅは相互に独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_４およびＺ_５は相互に独立して−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｚ_６は−ＣＯＯ−または−Ｃ≡Ｃ−を示し、Ｌ_８およびＬ_９は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｘ_２はＦ、ＯＣＦ_３、ＯＣＦ_２Ｈ、ＣＦ_３、ＣＦ_２ＨまたはＣＦＨ_２を示すが、Ｘ_２がＯＣＦ_３、ＯＣＦ_２Ｈ、ＣＦ_３、ＣＦ_２ＨまたはＣＦＨ_２を示す場合はＬ_８およびＬ_９は共にＨを示す。ｅ、ｆおよびｇは相互に独立して０または１を示す。）
【化１４】

（式中、Ｒ_７およびＲ_８は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。いずれにおいてもそのうちの任意のメチレン基（−ＣＨ_２−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。環Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｈはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_７は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−または共有結合を示し、Ｚ_８は−ＣＯＯ−または共有結合を示す。）
【化１５】

（式中、Ｒ_９およびＲ_１０は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。いずれにおいてもそのうちの任意のメチレン基（−ＣＨ_２−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。環Ｉはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｊはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環上の１つ以上の水素原子がＦで置換されていてもよい１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｋはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_９およびＺ_１１は相互に独立して−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−または共有結合を示し、Ｚ_１０は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、ｈは０または１を示す。）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
【００１７】
９．第一成分として、１から５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分の一部分として、７に記載の一般式（２）、（３）および（４）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分の他の部分として、８に記載の一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
【００１８】
１０．６から９のいずれかに記載の液晶組成物を使用した液晶表示素子。
【００１９】
本発明の一般式（１）で示す液晶性化合物は、分子内にアルケニル基を有する三環系の誘導体であることを特徴とする。これらの液晶性化合物は、表示素子が使用される条件下において物理的および化学的にも極めて安定であることは勿論のこと、高いＮＩ点をもつため高温側の使用限界温度を上げることが可能である。さらに、大きな弾性定数比Ｋ_１１／Ｋ_３３、低粘性、低温下でも液晶組成物への溶解性が良いといった特徴についても特記すべきことである。また、分子構成要素のうち置換基または側鎖の構造を適当に選ぶことで所望の物性値を任意に調整することが可能である。よって、本発明の化合物を液晶組成物の成分として用いた場合、良好な特性を有する新規な液晶組成物を提供し得る。
【００２０】
以下、式（１）で表される化合物のうち好ましい態様として、下記一般式（１ａ）〜（１ｐ）に類別される化合物を挙げることができる。
ただし、一般式（１ａ）〜（１ｐ）において、Ｒ_１１は下記に示される基、
【化１６】

（ｍは０〜５を表し、ｍが２以上のとき−（ＣＨ_２）ｍ−中の１つのメチレン基（−ＣＨ_２−）が−Ｏ−に置き換わっても良い）を表し、
Ｃｙｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｄｉｏは１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、Ｔｈｐはテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、Ｄｉｔは１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、Ｔｈｔはテラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、Ｃｙｄはシクロヘキセン−１，４−ジイル基を表すものとする。一般式（１）においてＡ_１、Ａ_２、Ａ_３ はＣｙｃ、Ｄｉｏ、Ｔｈｐ、Ｄｉｔ、Ｔｈｔ、Ｃｙｄよりなる群から選ばれる環である場合が好ましいが、下記（１ａ）〜（１ｐ）に示すように分子内に２つ以上のＤｉｏ、Ｔｈｐ、Ｄｉｔ、Ｔｈｔを含まないものが好ましい。
【００２１】
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ａ）
Ｒ_１−Ｄｉｏ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｂ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｄｉｏ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｃ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｄｉｏ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｄ）
Ｒ_１−Ｔｈｐ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｅ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｔｈｐ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｆ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｔｈｐ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｇ）
Ｒ_１−Ｄｉｔ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｈ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｄｉｔ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｉ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｄｉｔ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｊ）
Ｒ_１−Ｔｈｔ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｋ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｔｈｔ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｌ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｔｈｔ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｍ）
Ｒ_１−Ｃｙｄ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｎ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｃｙｄ−Ｃｙｃ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｏ）
Ｒ_１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｙｄ−Ｒ_１１−Ｒ_２ （１ｐ）
【００２２】
上述した式（１）で表される化合物中で、Ｒ１の具体的な態様としては、炭素数１−１５のアルキル基、炭素数２−１５のアルケニル基（更に具体的には炭素数２−１５の１−アルケニル基、炭素数３−１５の２−アルケニル基、炭素数４−１５の３−アルケニル基）、炭素数１−１４のアルコキシ基、アルキルチオ基、炭素数１−１４のアルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基（更に具体的にはアルコキシメチル基、２−アルコキシエチル基、アルキルチオメチル基、２−アルキルチオエチル基）、炭素数１−１３のアルコキシアルコキシ基、アルキルチオアルキルチオ基、アルキルチオアルコキシ基、アルコキシアルキルチオ基、（更に具体的にはアルコキシメトキシ基、２−アルコキシエトキシ基、アルキルチオメチルチオ基、２−アルキルチオエチルチオ基、アルキルチオメトキシ基、２−アルキルチオエトキシ基、アルコキシメチルチオ基、２−アルコキシエチルチオ基）、炭素数２−１４のアルケニルオキシ基（更に具体的には炭素数３−１４の２−アルケニルオキシ基、炭素数４−１４の３−アルケニルオキシ基）、炭素数２−１６のアルキニル基（更に具体的には炭素数２−１６の１−アルキニル基、炭素数３−１６の２−アルキニル基、炭素数４−１６の３−アルキニル基）、炭素数２−１５のアルカノイルオキシ基、アルカノイルオキシアルキル基（更に具体的にはアルカノイルオキシメチル基、２−アルカノイルオキシエチル基）、が挙げられる。
これらの基の中で好ましいものは、炭素数１−１５のアルキル基、炭素数２−１５のアルケニル基、炭素数１−１４のアルコキシ基、炭素数２−１４のアルケニルオキシ基である。これらＲ_１の具体例を挙げると、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ビニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、２−プロペニル基、トランス−２−ブテニル基が特に好ましいものである。
【００２３】
Ｒ_２としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基が好ましい。
Ｒ_１１の中の−（ＣＨ_２）ｍ−で示される部分としては、共有結合、−ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_５−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_４−、−Ｏ−Ｃ_３Ｈ_６−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_４−、−Ｃ_２Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−が好ましい。
【００２４】
また、上述した全ての化合物において、”−Ｒ_１１−Ｒ_２”は炭素数２から１５のアルケニル基
（Ｒ_１１中のｍが２以上のときＲ_１１中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ_２−）が−Ｏ−によって置き換えられたものも好ましい化合物である。）
であるが、その中で特に好ましい基は、エテニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、３−ブテニル基、１−オキシ−３−ブテニル基、１−ペンテニル基、３−ペンテニル基および１−オキシ−３−ペンテニル基である。
【００２５】
前記した化合物のうち、特に式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ｄ）、（１ｆ）および（１ｇ）で示される化合物が本発明の目的を達成する上で好適例といえ、下記の式（１−１）から（１−１３）で表される化合物を挙げることができる。
【００２６】
【化１７】

【化１８】

また、本発明の（１）式で表される化合物中の水素原子が対応する重水素原子で置き換わっていても良い。
【００２７】
本発明に係る液晶組成物は（１）で示される化合物の１種以上を０．１〜９９．９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。
更に詳しくは、本発明により提供される液晶組成物は、化合物（１）を少なくとも１つ含有する第一成分に加え、液晶組成物の目的に応じて一般式（１）の他化合物群あるいは一般式（２）〜（９）から任意に選択される化合物を混合する事により完成する。
【００２８】
本発明により提供される液晶組成物は、一般式（１）で示される液晶性化合物を少なくとも１種類含む第一成分でもよいが、これに加え、第二成分として既述の一般式（２）、（３）および（４）からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物（以下第二Ａ成分と称する）および／または一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物（以下第二Ｂ成分と称する）を混合したものが好ましく、さらに、しきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性値、誘電率異方性値および粘度等を調整する目的で、公知の化合物を第三成分として混合することもできる。
【００２９】
上記第二Ａ成分のうち、一般式（２）、（３）および（４）に含まれる化合物の好適例として、それぞれ（２−１）〜（２−１５）、（３−１）〜（３−４８）および（４−１）〜（４−５５）を挙げることができる。
【００３０】
【化１９】

【００３１】
【化２０】

【化２１】

【化２２】

【化２３】

【００３２】
【化２４】

【化２５】

【化２６】

【化２７】

ただし、Ｒ_３は、前記と同一の意味を示す。
【００３３】
これらの一般式（２）〜（４）で示される化合物は、誘電率異方性値が正を示し、熱安定性や化学的安定性が非常に優れている。
該化合物の使用量は、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。
【００３４】
次に、前記第二Ｂ成分のうち、一般式（５）、（６）および（７）に含まれる化合物の好適例として、それぞれ（５−１）〜（５−２４）、（６−１）〜（６−３）および（７−１）〜（７−１７）を挙げることができる。
【００３５】
【化２８】

【化２９】

【００３６】
【化３０】

【００３７】
【化３１】

【化３２】

ただし、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６は、前記と同一の意味を示す。
【００３８】
これらの一般式（５）〜（７）で示される化合物は、誘電率異方性値が正でその値が大きく、組成物成分として特にしきい値電圧を小さくする目的で使用される。また、粘度の調整、屈折率異方性値の調整および液晶相温度範囲を広げる等の目的や、さらに急峻性を改良する目的にも使用される。
【００３９】
また第二Ｂ成分のうち、一般式（８）および（９）に含まれる化合物の好適例として、それぞれ（８−１）〜（８−８）および（９−１）〜（９−１３）を挙げることができる。
【００４０】
【化３３】

【化３４】

ただし、Ｒ_７、Ｒ_８は、前記と同一の意味を示す。
【００４１】
一般式（８）および（９）の化合物は、誘電率異方性値が負かまたは若干正である化合物である。一般式（８）の化合物は主として粘度低下および／または屈折率異方性値調整の目的で使用される。また、一般式（９）の化合物は透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的および／または屈折率異方性値調整の目的で使用される。
【００４２】
一般式（５）〜（９）の化合物は、特にＳＴＮ表示方式および通常のＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には、不可欠な化合物である。
一般式（５）〜（９）の化合物の使用量は、通常のＴＮ表示方式およびＳＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には１〜９９重量％の範囲で任意に使用できるが、１０〜９７重量％が、より好ましくは４０〜９５重量％が好適である。また、その際には（２）〜（４）の化合物を一部使用しても良い。
【００４３】
本発明に係る液晶組成物をＴＦＴ液晶表示素子に用いることによって、急峻性、視野角の改善ができる。また（１）式の化合物は低粘性化合物であるので、これを用いた液晶表示素子の応答速度は改善され極めて大きい。
本発明に従い使用される液晶組成物は、それ自体慣用な方法で調製される。一般には、種々の成分を高い温度で互いに溶解させる方法がとられている。しかし、液晶が溶解する有機溶媒に溶かし混合したのち、減圧下溶媒を留去しても良い。
【００４４】
また、本発明の液晶材料は、適当な添加物によって意図する用途に応じた改良がなされ、最適化される。このような添加物は当業者によく知られており、文献等に詳細に記載されている。
例えば、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホスト（ＧＨ）モ−ド用の液晶組成物として使用できる。あるいは、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作成したＮＣＡＰや液晶中に三次元網目状高分子を作成したポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）に代表されるポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）用の液晶組成物としても使用できる。その他複屈折制御（ＥＣＢ）モ−ドや動的散乱（ＤＳ）モ−ド用の液晶組成物としても使用できる。
【００４５】
この様に調製される、本発明化合物を含有するネマチック液晶組成物として以下に示すような組成例を示すことができる。
【００４６】
組成例１
【化３５】

【００４７】
組成例２
【化３６】

【００４８】
組成例３
【化３７】

【００４９】
組成例４
【化３８】

【００５０】
組成例５
【化３９】

【００５１】
組成例６
【化４０】

【化４１】

【００５２】
組成例７
【化４２】

【００５３】
組成例８
【化４３】

【化４４】

【００５４】
組成例９
【化４５】

【００５５】
組成例１０
【化４６】

【００５６】
組成例１１
【化４７】

【００５７】
本発明の一般式（１）で示されるアルケニルシクロヘキサン誘導体は以下の方法で製造するのが好適である。すなわち化合物（１−１〜５）、（１−８〜１１）についてはウィティッヒ反応を用いる公知の方法、例えばＯＲＧＡＮＩＣ ＲＥＡＣＴＩＯＮＳ Ｖｏｌ．１４， Ｃｈａｐ．３， Ｐ．２７０ 等に記載の方法に従い、下記により製造することができる。
【化４８】

【００５８】
テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒中でナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブトキシド（以下ｔ−ＢｕＯＫと略す）やｎ−ブチルリチウム等の塩基の存在下、アルキルトリフェニルホスホニウムハライドとアルデヒド誘導体（１０）とを反応させる。この反応は、−２０〜０℃、不活性ガス気流中で行うことが好ましい。次いで、ベンゼンスルフィン酸またはｐ−トルエンスルフィン酸を作用させることで（１）を製造できる。
【００５９】
上記反応操作においてアルデヒド誘導体（１０）は以下の操作で製造できる。
【化４９】

すなわちＴＨＦあるいはジエチルエーテル等エーテル系溶媒中ナトリウムアルコラートあるいはアルキルリチウム等の塩基の存在下メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドを作用させることでイリドを調製し、さらにシクロヘキサノン誘導体（１１）を反応させることで（１２）を製造する。（１２）は塩酸、硫酸などの鉱酸、ギ酸、酢酸などの有機酸を作用させることで式（１０）ｍ＝０のアルデヒド誘導体（１０−１）が得られる。
【００６０】
また、ジエチルホスフィノ酢酸エチルおよび［２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチル］トリフェニルホスホニウムブロミドから上記と同様の塩基を作用させ調製したイリドに（１１）を作用させ、それぞれ（１３）および（１５）を製造する。（１３）はパラジウム炭素触媒存在下水素還元により（１４）とし、さらにジイソブチルアルミニウムヒドリド（以下ＤＩＢＡＬと略す）にて還元することで式（１０）ｍ＝１のアルデヒド体（１０−３）を製造できる。また（１５）をパラジウム炭素触媒存在下水素還元し（１６）とし、さらに塩酸、硫酸等の鉱酸、ギ酸、酢酸などの有機酸を作用させることで式（１０）ｍ＝２のアルデヒド誘導体（１０−２）が製造できる。ｍ＝０〜２以外のアルデヒド誘導体（１０）についてもアルデヒド誘導体（１０−１〜３）を原料として上記操作の繰り返し、組み合わせで製造できる。
【００６１】
また化合物（１−６）、（１−７）は以下の操作で製造できる。
【化５０】

すなわちアルデヒド誘導体（１７）に塩酸、硫酸等の鉱酸、ギ酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸存在下、プロピレングリコール誘導体（１８）を作用させることで化合物（１−６）が得られる。同様に（１９）と（２０）から化合物（１−７）が製造できる。
【００６２】
また化合物（１−１２）、（１−１３）は以下の操作で製造できる。
【化５１】

すなわち、ＣＯＭＰＲＥＨＥＮＳＩＶＥ ＨＥＴＥＲＯＣＹＣＬＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ Ｖｏｌ．３， Ｐ．６４７ および特開昭５９−１６４７８８号等記載の公知の方法によって得られるテトラヒドロピラン誘導体（２１）、（２３）からウィティッヒ反応を繰り返し操作することにより化合物（１−１２）、（１−１３）を製造することができる。
【００６３】
またＲ_１がアルケニル基である化合物は以下の操作にて製造することができる。
【化５２】

すなわち、シクロヘキサノン誘導体（２５）（特開平６−２４７８８６号に記載）にグリニャール試薬（２６）を作用し、次いで塩酸、硫酸等の鉱酸あるいは、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸を作用し（２７）を製造する。（２７）はラネーニッケル、パラジウム、ロジウムあるいは白金系触媒等の存在下水素還元を行い（２８）とする。（２８）は前記（１０）製造の場合と同様の操作でアルデヒド誘導体（２９）としたのち、塩基存在下アルキルトリフェニルホスホニウムハライドより調製したイリドを作用させることにより（３０）が製造できる（式中、Ｒ_１２は水素原子または炭素数１３−ｎのアルキル基であり、ｎ＝０〜１３である。）。（３０）に三臭化ホウ素を作用させ脱メチル化したのち、アルコール体をジョーンズ試薬、次亜塩素酸ナトリウム等適当な酸化剤で処理し（３１）を製造する。（３１）は前記（１０）製造の場合と同様の操作でアルデヒド誘導体（３２）とし、さらに塩基存在下アルキルトリフェニルホスホニウムハライドより調製したイリド作用させることで（３３）に誘導できる。
また別途合成方法として次に示す操作で製造することもできる。（２８）をウィティッヒ反応から（３４）に誘導後、酸化剤で処理しカルボン酸誘導体（３５）を製造する。（３５）をメチルエステル体に変換後、（３０）から（３１）の製造と同様に、脱メチル化および酸化剤で処理することで（３８）を製造できる。（３８）からウィティッヒ反応により（３９）を製造し、さらにＤＩＢＡＬにて還元し（４０）に誘導後ウィティッヒ反応により（３３）が製造することができる。
【００６４】
また他の１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基等のヘテロ環を有する化合物についても上述と同様の方法で製造することができる。
【化５３】

アルキル鎖中にエーテル結合を有する化合物は以下の方法で製造できる。アルデヒド誘導体（１０）を水素化リチウムアルミニウム、水素化ほう素ナトリウム等で還元して得られたアルコール誘導体（４１）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下ＤＭＦと略す）、ＴＨＦ等極性溶媒中、水素化ナトリウム等でアルコラートとし、次いで該アルコラートとアルケニルハライドを反応させる。得られた中間体を異性化し（１）を得ることができる。
【化５４】

【００６５】
このようにして得られる本発明の液晶性化合物（１）は、いずれも大きな弾性定数比（Ｋ_３３／Ｋ_１１）を示し、低粘性でありかつ広い温度範囲でネマチック相を示す。その上、他の種々の液晶材料と容易に混合し、かつ低温下でも溶解性が良好であるため、ネマチック液晶組成物、特にＳＴＮ型表示方式に適したネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れている。
【００６６】
【実施例】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら制限されるものではない。なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（以下、^１Ｈ−ＮＭＲと略す。）、質量スペクトル（以下、ＭＳと略す。）、等で確認した。実施例中、ＮＭＲにおいてｄは二重線、ｍは多重線、Ｊはカップリング定数を表す。ＭＳにおいてＭ^＋は分子イオンピークを表す。Ｃｒは結晶相を、Ｓ_ＢはスメクチックＢ相を、Ｎはネマチック相を、Ｉｓｏは等方性液体相を示し、相転移温度の単位は全て℃である。
【００６７】
（実施例１）
１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式において、Ｒ_１がＣ_３Ｈ_７、環Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ｍが０、Ｒ_２がＨである化合物（Ｎｏ．１））の製造
【００６８】
メチルトリフェニルホスホニウムヨージド８．６６グラム（２１．４ミリモル）とＴＨＦ７０ミリリットルの混合物を−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ２．６６グラム（２３．５ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物にトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバルデヒド５．４６グラム（１７．１ミリモル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ち滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに５時間攪拌した。反応物に水５０ミリリットルを加え反応を終了させた後、トルエン３００ミリリットルで抽出した。有機層を水１００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンを得た。このものを、ヘプタンから再結晶し、標題化合物２．５６グラム（収率４７．２％）を得た。
相転移温度：Ｃｒ 室温以下 Ｓ_Ｂ ２３２．０ Ｉｓｏ
ＮＭＲ：δ＝０．４５〜２．２０（３７Ｈ，ｍ），４．８６（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１０．８，２．２，０．６Ｈｚ），４．９３（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１６．２，２．２，０．９Ｈｚ），５．７８（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１６．２，１０．８，６．３Ｈｚ）
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３１６（Ｍ^＋）
【００６９】
（実施例２）
１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式において、Ｒ_１がＣ_３Ｈ_７、環Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ｍが０、Ｒ_２がＣＨ_３である化合物（Ｎｏ．６５））の製造
【００７０】
エチルトリフェニルホスホニウムブロミド７．２８グラム（１９．６ミリモル）とＴＨＦ７０ミリリットルの混合物を−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ２．４２グラム（２１．６ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物にトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバルデヒド５．００グラム（１５．７ミリモル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ち滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温しさらに５時間攪拌した。反応物に水５０ミリリットルを加え反応を終了させた後、トルエン３００ミリリットルで抽出した。有機層を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の１−（１−プロペニル）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン２．７０グラムを得た。
【００７１】
この粗生成物２．７０グラム（８．１７ミリモル）をベンゼンスルフィン酸ナトリウム２水和物２．４５グラム（１２．３ミリモル）、６Ｎ塩酸２．０ミリリットル（１２．３ミリモル）およびトルエン／エタノール（１／１）混合溶媒２０ミリリットルと混合し、１６時間加熱還流させた。室温まで冷却後、反応物に水５０ミリリットルを加え、トルエン１５０ミリリットルで抽出した。有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液で３回、水で３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、粗製の１−（（Ｅ）−１−プロペニル）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン２．３２グラムを得た。このものを、酢酸エチル／ヘプタン（３／７）混合溶媒から再結晶し、標題化合物２．１６グラム（収率４１．６％）を得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３３０（Ｍ^＋）
【００７２】
（実施例３）
１−（２−プロペニルオキシ）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式において、Ｒ_１がＣ_３Ｈ_７、環Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、（ＣＨ_２）_ｍがＯＣＨ_２、Ｒ_２がＨである化合物（Ｎｏ．２０６））の製造
【００７３】
トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサノール１０．０グラム（３３．１ミリモル）のＤＭＦ１００ミリリットル溶液を室温において攪拌しながらＮａＨ１．１９グラム（４９．６ミリモル）のＤＭＦ１０ミリリットル懸濁溶液を滴下した。滴下後、２時間攪拌し、反応混合物の温度を徐々に８０℃付近まで上昇させ、１−ブロモ−３−プロペン４．８０グラム（３９．７ミリモル）のＤＭＦ２０ミリリットル溶液を滴下し、滴下後同温度で５時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却後、氷水に反応物を加え、トルエン５００ミリリットルで抽出した。有機層を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下で溶媒を留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、粗製の１−（２−プロペニルオキシ）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンを得た。このものを、ヘプタンから再結晶し、標題化合物５．７４グラム（収率５０．１％）を得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３４６（Ｍ^＋）
【００７４】
（実施例４）
１−（（Ｅ）−２−ブテニルオキシ）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式において、Ｒ_１がＣ_３Ｈ_７、環Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、（ＣＨ_２）_ｍがＯＣＨ_２、Ｒ_２がＣＨ_３である化合物（Ｎｏ．２７９））の製造
【００７５】
トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサノール１０．０グラム（３３．１ミリモル）のＤＭＦ１００ミリリットル溶液を室温にて攪拌しながらＮａＨ１．１９グラム（４９．６ミリモル）のＤＭＦ１０ミリリットル懸濁溶液を滴下した。滴下後、２時間攪拌した。反応混合物の温度を徐々に８０℃付近まで上昇させ、１−ブロモ−２−ブテン５．３５グラム（３９．７ミリモル）のＤＭＦ２０ミリリットル溶液を滴下し、滴下後同温度で５時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却後、氷水に反応物を加え、トルエン５００ミリリットルで抽出した。有機層を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下で溶媒を留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、粗製の１−（２−ブテニルオキシ）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン５．９６グラムを得た。
【００７６】
この粗生成物５．９６グラム（１６．５ミリモル）をベンゼンスルフィン酸ナトリウム２水和物４．９６グラム（２４．８ミリモル）、６Ｎ塩酸４．１ミリリットル（２４．８ミリモル）およびトルエン／エタノール（１／１）混合溶媒４０ミリリットルと混合し、次いで１６時間加熱還流させた。反応終了後、反応物に水１００ミリリットルを加え、トルエン３００ミリリットルで抽出した。有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液で３回、水で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、粗製の１−（（Ｅ）−２−ブテニルオキシ）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン４．８９グラムを得た。このものを、酢酸エチル／ヘプタン（３／７）混合溶媒から再結晶し、標題化合物４．４０グラム（収率３６．９％）を得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３６０（Ｍ^＋）
【００７７】
（実施例５）
１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式において、Ｒ_１がＣＨ_２＝ＣＨ、環Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ｍが０、Ｒ_２がＨである化合物（Ｎｏ．４１９））の製造
【００７８】
メチルトリフェニルホスホニウムヨージド３０．２グラム（７４．７ミリモル）とＴＨＦ４００ミリリットルの混合物を−５０℃に冷却し、この混合物にｔ−ＢｕＯＫ９．２３グラム（８２．２ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物にトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−ホルミルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル２０．０グラム（５９．８ミリモル）のＴＨＦ５００ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ち滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温した。反応物に水３００ミリリットルを加え、トルエン１０００ミリリットルで抽出し、有機層を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル９．９０グラムを得た。
【００７９】
この粗生成物９．９０グラム（２９．８ミリモル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を−５０℃に冷却し攪拌する。この溶液にＤＩＢＡＬのＴＨＦ１．０Ｍ溶液３５．８ミリリットルを−５０℃以下を保つように滴下した。同温度で５時間攪拌した後、反応物にメタノール３０ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエン１５０ミリリットルで抽出した。有機層を水で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル（３／７）の混合液）に付し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバルデヒドを得た。このものを、酢酸エチル／ヘプタン（２／３）の混合溶媒から再結晶し、精製物８．１１グラムを得た。
【００８０】
メチルトリフェニルホスホニウムヨージド１３．５グラム（３３．５ミリモル）とＴＨＦ２００ミリリットルの混合物を−５０℃に冷却し、この混合物にｔ−ＢｕＯＫ４．１３グラム（３６．８ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物にトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバアルデヒド８．１１グラム（２６．８ミリモル）のＴＨＦ２５０ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ち滴下し、滴下後、反応物の温度を徐々に室温まで昇温した。反応物に水１５０ミリリットルを加え、次いでトルエン５００ミリリットルで抽出後、有機層を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン４．１２グラムを得た。このものをヘプタンから再結晶し、標題化合物２．９９グラム（収率１６．７％）を得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３００（Ｍ^＋）
【００８１】
（実施例６）
１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式において、Ｒ_１がＣＨ_３ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ_２）_２、Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ｍが０、Ｒ_２がＨである化合物（Ｎｏ．４７３））の製造
【００８２】
エチルトリフェニルホスホニウムブロミド４５．４グラム（１２２ミリモル）とＴＨＦ６００ミリリットルの混合物を−５０℃に冷却し、この混合物にｔ−ＢｕＯＫ１５．１グラム（１３５ミリモル）を加え１時間攪拌した。次いでこの混合物にトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（２−ホルミルエチル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル３０．０グラム（９７．９ミリモル）のＴＨＦ７５０ミリリットル溶液を−５０℃以下を保つように滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温した。反応物に水４５０ミリリットルを加え、次いでトルエン１５００ミリリットルで抽出後、得られた有機層を水で３回洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル１６．９グラムを得た。
【００８３】
この粗生成物１６．９グラム（４５．１ミリモル）のＴＨＦ１５０ミリリットル溶液を−５０℃に冷却し攪拌しながらＤＩＢＡＬのＴＨＦ１．０Ｍ溶液５４．１ミリリットルを−５０℃以下を保ち滴下した。同温度で５時間攪拌後、反応物にメタノール４５ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエン２５０ミリリットルで抽出した。有機層を水で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル（３／７）の混合液）に付し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバルデヒドを得た。このものを、酢酸エチル／ヘプタン（２／３）の混合溶媒から再結晶し、精製物１４．３グラムを得た。
【００８４】
次に、メチルトリフェニルホスホニウムヨージド２１．０グラム（５１．９ミリモル）とＴＨＦ３００ミリリットルの混合物を−５０℃に冷却後、この混合物にｔ−ＢｕＯＫ６．４０グラム（５７．１ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物にトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバルデヒド１４．３グラム（４１．５ミリモル）のＴＨＦ４００ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ち滴下し、滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温した。反応物に水２５０ミリリットルを加え、トルエン７５０ミリリットルで抽出後、有機層を水で３回洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン６．９２グラムを得た。
【００８５】
この粗生成物６．９２グラム（２０．２ミリモル）をベンゼンスルフィン酸ナトリウム２水和物１２．１グラム（６０．５ミリモル）、６Ｎ塩酸１０．１ミリリットル（６０．５ミリモル）およびトルエン／エタノール（１／１）混合溶媒１００ミリリットルと混合し、次いで１６時間加熱還流させた。反応終了後、反応物に水２００ミリリットルを加え、トルエン６００ミリリットルで抽出後、有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液で３回、水で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、粗製の１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（（Ｅ）−３−ペンテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン５．７１グラムを得た。このものを、酢酸エチル／ヘプタン（３／７）混合溶媒から再結晶し、標題化合物４．４７グラム（収率１４．５％）を得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３４２（Ｍ^＋）
【００８６】
（実施例７）
２−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−５−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（（１）式において、Ｒ_１がＣ_３Ｈ_７、Ａ_１、Ａ_２がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ａ_３が１，３−ジオキサン、ｍが２、Ｒ_２がＣＨ_３である化合物（Ｎｏ．１２７））の製造
【００８７】
トルエン５００ミリリットルにトランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルカルバアルデヒド２０．００グラム（８４．６ミリモル）、２−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−１，３−プロピレングリコール１８．３０グラム（１２７ミリモル）および硫酸４．１５グラム（４．２３ミリモル）を加え、共沸脱水を行いながら３時間加熱還流した。放冷後、飽和炭酸ナトリウム水溶液で３回、水で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。減圧下溶媒を留去し、粗製の２−（（Ｅ）−３−ペンテニル）−５−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサンを得た。このものを、ヘプタンから再結晶し、標題化合物２０．５グラム（収率６６．７％）を得た。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３６２（Ｍ^＋）
【００８８】
（実施例８）
１−（３−ブテニル）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式においてＲ_１がエテニル基、環Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ｍが２、Ｒ_２がＨである化合物（Ｎｏ．４２１））の製造。
【００８９】
２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムブロミド６４５グラム（１４２０ミリモル）とＴＨＦ６．５リットルの混合物を−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ１４７グラム（１３１０ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物にトランス−４−（トランス−４−（４−オキソシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチル３５０グラム（１０９０ミリモル）のＴＨＦ３．０リットル溶液を−５０℃以下を保ちながら滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに５時間攪拌した。反応物に水１．０リットルを加え反応を終了させた後、セライト濾過し、減圧下で溶媒を溜去し、トルエン３．０リットルで抽出した。有機層を水１．０リットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を溜去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／トルエン（３／１７）の混合液）に付し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（４−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチル３２８グラムを得た。
【００９０】
この粗生成物３２８グラム（７８４ミリモル）をトルエン／ソルミックス（１／１）混合溶媒３．０リットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒１６．４グラムを加え水素圧１〜２Ｋｇ／ｃｍ^２条件下、室温で６時間攪拌した。触媒を濾別後、減圧下で溶媒を溜去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル）に付し、さらに酢酸エチル／トルエン（７／１）の混合液から再結晶することにより、トランス−４−（トランス−４−（４−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチル１４０グラムを得た。
【００９１】
トランス−４−（トランス−４−（４−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチル１４０グラム（３３３ミリモル）をトルエン１．５リットルに溶解し、蟻酸１５３グラム（３３３０ミリモル）を加え、１時間加熱還流した。この反応溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５００ミリリットルで３回、水７５０ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を溜去し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（２−ホルミルエチル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチル９０．０グラムを得た。
【００９２】
メチルトリフェニルホスホニウムヨージド１３０グラム（３２２ミリモル）とＴＨＦ１．３リットルの混合物を−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ３３．４グラム（１１０ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物に粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（２−ホルミルエチル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチル９０．０グラム（２４８ミリモル）のＴＨＦ９００ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ち滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに５時間攪拌した。反応物に水５００ミリリットルを加え反応を終了させた後、セライト濾過し、減圧下で溶媒を溜去し、トルエン１．０リットルで抽出した。有機層を水５００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を溜去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（３−ブテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルボン酸メチル４０．０グラムを得た。
【００９３】
この粗生成物４０．０グラム（１１０ミリモル）をトルエン１．５リットルに溶解し、−５０℃に冷却した。この混合物にＤＩＢＡＬ（１．０Ｍトルエン溶液）１１１ミリリットル（１１１ミリモル）を−５０℃以下を保ち滴下し、同温度で３時間攪拌した。反応物に水５００ミリリットルを加え反応を終了させた後、セライト濾過し、有機層を水５００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を溜去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム）に付し、粗製のトランス−４−（トランス−４−（４−（２−（３−ブテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバルデヒド２７．６グラムを得た。
【００９４】
メチルトリフェニルホスホニウムヨージド４３．９グラム（１０９ミリモル）とＴＨＦ５００ミリリットルの混合物を−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ１１．２グラム（１００ミリモル）を加え１時間攪拌した。この混合物に粗製のトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−（３−ブテニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキシルカルバルデヒド２７．６グラム（８３．５ミリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ち滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、さらに５時間攪拌した。反応物に水３００ミリリットルを加え反応を終了させた後、セライト濾過し、減圧下で溶媒を溜去し、トルエン７００ミリリットルで抽出した。有機層を水３００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を溜去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製の１−（３−ブテニル）−トランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル）シクロヘキサンを得た。このものをヘプタン／エタノールの混合液から再結晶し、標題化合物８．００グラム（収率２．２３％）を得た。
相転移温度（℃）：Ｃｒ 室温以下 Ｓ_Ｂ ２２１．３ Ｉｓｏ
ＮＭＲ：δ＝０．４０〜２．２５（３４Ｈ，ｍ），４．７０〜５．２５（４Ｈ，ｍ），５．５０〜６．１５（２Ｈ，ｍ）
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３２８（Ｍ^＋）
【００９５】
実施例１〜８の方法に準じ次の化合物が製造できる。
【００９６】
【化５５】

【００９７】
【化５６】

【００９８】
【化５７】

【００９９】
【化５８】

【０１００】
【化５９】

【０１０１】
【化６０】

【０１０２】
【化６１】

【０１０３】
【化６２】

【０１０４】
【化６３】

【０１０５】
【化６４】

【０１０６】
【化６５】

【０１０７】
【化６６】

【０１０８】
【化６７】

【０１０９】
【化６８】

【０１１０】
【化６９】

【０１１１】
【化７０】

【０１１２】
【化７１】

【０１１３】
【化７２】

【０１１４】
【化７３】

【０１１５】
【化７４】

【０１１６】
【化７５】

【０１１７】
【化７６】

【０１１８】
【化７７】

【０１１９】
【化７８】

【０１２０】
【化７９】

【０１２１】
【化８０】

【０１２２】
（実施例８（使用例１））
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２４％（重量、以下同じ）
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３６％
４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２５％
４−（４−プロピルフェニル）ベンゾニトリル １５％
からなるネマチック液晶組成物の透明点（Ｃｐ．）は７２．４℃であった。この 液晶組成物をセル厚９μｍのＴＮセル（ねじれネマチックセル）に封入したものの動作しきい値電圧（Ｖｔｈ）は１．７８Ｖ，誘電率異方性値（△ε）は１１．０、屈折率異方性値（△ｎ）は０．１３７、また２０℃における粘度（η２０）は２７．０ｍＰａ・ｓであった。この液晶組成物を母液晶とし、その８５部に実施例１に示した１−エテニル−トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルシクロヘキサン（化合物番号１）１５部を混合し、その物性値を測定した。その結果Ｃｐ．：９２．１℃、Ｖｔｈ：２．０３Ｖ、△ε：１０．２、△ｎ：０．１３２、η２０：２５．４ｍＰａ・ｓであった。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに４０日間放置したが結晶もしくはＳＢ相は認められなかった。
【０１２３】
本発明の比較化合物として従来の技術の項に示した（ａ）、（ｃ）式で表されるもののうちＲ＝Ｃ_３Ｈ_７、Ｒ’＝ＣＨ_３である化合物を取り上げ特許記載の実施例に従い合成し、実施例８に示した液晶組成物を母液晶として（ａ）はその８５部に１５部を混合し、（ｃ）は相溶性が悪いため９５部に５部混合し物性値を測定した。実施例８の結果とあわせて物性値を表１に示す。
【０１２４】
【表１】
【０１２５】
表から本発明化合物はアルキル基を両側鎖に有する同３環系化合物（ａ−１）（特公昭６２−３９１３６号記載）と比較し、ほぼ同等の粘度を示しながら透明点は９２．１℃と（ａ−１）より約８％も高く、さらに弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１についても約３３％も高い値を有することが判る。また、本発明化合物と同一の骨格構造を有する（ｃ−１）の場合、上記母液晶に対し５％しか溶解せず、本発明化合物と比較し著しく相溶性に劣るばかりか、粘度においても約６％高い値を有することが判る。以上のことから本発明化合物が従来の化合物に比較し改善された特性を有することが判る。
【０１２６】
さらに、以下の使用例２〜１８に本発明の化合物を含有する液晶組成物を挙げることができる。ただし以下の記載においては、液晶組成物の成分となる各化合物を「表２」に示す規則にしたがって略記する。
【表２】
【０１２７】

【０１２８】

【０１２９】

【０１３０】

【０１３１】

【０１３２】

【０１３３】

【０１３４】

【０１３５】

【０１３６】

【０１３７】

【０１３８】

【０１３９】

【０１４０】

【０１４１】

【０１４２】

【０１４３】

【０１４４】
【発明の効果】
本発明の化合物、すなわち分子内にアルケニル基を有する三環系の化合物は低粘性で、いずれも大きな弾性定数比（Ｋ_３３／Ｋ_１１）を有し、低温下での他の液晶性化合物への相溶性に優れた特徴を有する。
従って本発明の化合物を液晶組成物の成分とした場合、他の液晶材料との相溶性に優れているという特徴に加え、分子構成要素の六員環、置換基および／または結合基を適当に選択することにより、所望の物性を有する新たな液晶組成物を提供することが可能である。
【表１】

【表１】

Claims (10)

1. 一般式（１）
   

   

   （式中、Ｒ₁は炭素数１〜１５のアルキル基、炭素数２〜１５のアルケニル基、それらの基中の隣接しない１つ以上のメチレン基（−ＣＨ₂−）が−Ｏ−によって置き換えられた基のいずれかを示し、Ｒ₂は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を示し、ｍは０〜５を示し、ｍが２以上の場合−（ＣＨ₂）_ｍ−中の１つのメチレン基（−ＣＨ₂−）が−Ｏ−で置き換わっていてもよく、環Ａ₁，Ａ₂，Ａ₃はそれぞれ独立して１, ４−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、該６員環上の１つまたは２つの−ＣＨ2−が− Ｏ−で置換された環のいずれかを示し、環Ａ _１ 、Ａ _２ 及びＡ _３ が全て１，４−シクロヘキシレンであり、−（ＣＨ _２ ） _ｍ −中の−ＣＨ _２ −が−Ｏ−に置き換わる場合、その−Ｏ−は環Ａ _３ に隣接する）で表されるアルケニルシクロヘキサン誘導体。
2. 一般式（１）においてｍ＝０で表される請求項（１）に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
3. 一般式（１）においてｍ＝２で表される請求項（１）に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
4. 一般式（１）においてＲ_１ がアルケニル基で表される請求項２に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
5. 一般式（１）においてＲ_１ がアルケニル基で表される請求項３に記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１成分以上含む２成分以上からなる液晶組成物。
7. 第一成分として、請求項１〜５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）および（４）
   

   

   （式中、Ｒ_３は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｘ_１はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ_３、ＯＣＦ_２Ｈ、ＣＦ_３、ＣＦ_２ＨまたはＣＦＨ_２を示し、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３およびＬ_４は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｚ_１およびＺ_２は相互に独立して−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または共有結合を示し、ａは１または２を示す。）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
8. 第一成分として、請求項１〜５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）
   

   

   （式中、Ｒ_４はＦ、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基またはアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ_２−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基または１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を示し、環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_３は−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｌ_５およびＬ_６は相互に独立してＨまたはＦを示し、ｂおよびｃは相互に独立して０または１を示す。）
   

   

   （式中、Ｒ_５は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｌ_７はＨまたはＦを示し、ｄは０または１を示す。）
   

   

   （式中、Ｒ_６は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、環Ｄおよび環Ｅは相互に独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_４およびＺ_５は相互に独立して−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｚ_６は−ＣＯＯ−または−Ｃ≡Ｃ−を示し、Ｌ_８およびＬ_９は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｘ_２はＦ、ＯＣＦ_３、ＯＣＦ_２Ｈ、ＣＦ_３、ＣＦ_２ＨまたはＣＦＨ_２を示すが、Ｘ_２がＯＣＦ_３、ＯＣＦ_２Ｈ、ＣＦ_３、ＣＦ_２ＨまたはＣＦＨ_２を示す場合はＬ_８およびＬ_９は共にＨを示す。ｅ、ｆおよびｇは相互に独立して０または１を示す。）
   

   

   （式中、Ｒ_７およびＲ_８は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。いずれにおいてもそのうちの任意のメチレン基（−ＣＨ_２−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。環Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｈはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_７は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−または共有結合を示し、Ｚ_８は−ＣＯＯ−または共有結合を示す。）
   

   

   （式中、Ｒ_９およびＲ_１０は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。いずれにおいてもそのうちの任意のメチレン基（−ＣＨ_２−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。環Ｉはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｊはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環上の１つ以上の水素原子がＦで置換されていてもよい１，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｋはトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ_９およびＺ_１１は相互に独立して−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−または共有結合を示し、Ｚ_１０は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、ｈは０または１を示す。）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
9. 第一成分として、請求項１〜５のいずれかに記載のアルケニルシクロヘキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分の一部分として、請求項７に記載の一般式（２）、（３）および（４）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分の他の部分として、請求項８に記載の一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
10. 請求項６〜９のいずれかに記載の液晶組成物を使用した液晶表示素子。