JPS62260319A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS62260319A
JPS62260319A JP10530186A JP10530186A JPS62260319A JP S62260319 A JPS62260319 A JP S62260319A JP 10530186 A JP10530186 A JP 10530186A JP 10530186 A JP10530186 A JP 10530186A JP S62260319 A JPS62260319 A JP S62260319A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
contact hole
bpsg
psg
bpsg film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10530186A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Saito
健二 斉藤
Hajime Arai
新井 肇
Hiroshi Mochizuki
望月 弘
Masaaki Ikegami
雅明 池上
Junichi Arima
純一 有馬
Shigeru Harada
繁 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS62260319A publication Critical patent/JPS62260319A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野工 この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にそのコ
ンタクト部分の形成方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のコンタクト孔部分の断面図である。この
図において、1はシリコン基板(Si基板)、2は前記
Si基板1上に形成された絶縁膜であろ下地酸化膜、3
は素子分離用のフィールド酸化膜、4は前記Si基板1
上に堆積されたホウ素−リンケイ酸ガラス膜(B or
ophosphosi l 1cateG 1ass膜
:本明細書ではこれをBPSG膜と称する)、5は前記
BPSG膜3に開孔されたコンタクト孔に形成されたア
ルミ配線、6は不純物拡散層である。
次に、BPSG膜4を庚ったコンタクトの形成について
説明する。
まず、下地酸化膜2の上に平坦化のためのBPSG膜4
をCVD法で堆積する。次に、写真製版技術を用い、B
PSG膜4にコンタクト孔を形成する。次に、全面にア
ルミ膜を蒸着し、写真製版技術を用いて、パクーニング
を行い、アルミ配線5を形成する。次に、水素処理を4
50℃で30分間行い、電気的°接触を良くする。その
時に、BPSG膜4だと固相エビクキシャル成長により
BPSG膜4のB(ボロン)の影響によりアルミ配線5
中のSiの析出が起こる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のように平坦化のための絶縁膜として、BPSG膜
4を用いた場合、リンケイ酸ガラス膜(P hosph
osilieate G 1ass膜二本明細書ではこ
れを”PSG膜と称する)に比べ平坦性は良好であるが
、水素処理を行うとBPSG膜4のBの影響を受け、コ
ンククト孔部に固相エピタキシャル成長によりアルミ配
線5中の81の析出が起こり易くなり、これが原因でコ
ンタクト不良が発生するという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、コンククト孔部のSiの析出を抑え、コン
タクト抵抗を安定にした半導体装置の製造方法を得るこ
とを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、表面体調と平
坦化のための絶縁膜として、PSG膜とBPSG膜の2
層膜を用いるとともに、コンタク)・孔周辺部ではBP
SG膜を除去し、BPSG膜の存在により促進されるコ
ンタクト孔部でのSiの析出を抑制したものである。
〔作用〕
この発明において1よ、絶縁膜としてPSG膜とBPS
G膜の2層膜を用い、コンタクト孔周辺のBPSG膜を
除去したので、水素処理工程においてBの影響を受ける
ことがなくなり、コンタク1一孔部におけるSiの析出
が抑制される。
〔″A施雄側 第1図(a)〜(C)はこの発明の一実施例の工程を示
す断面図である。第1図おいて、1〜6は第2図と同じ
ものであり、7はPSG膜である。
次に製造工程について説明する。
まず、Si基板1上に下地酸化膜2を形成し、その上に
PSG膜7をCVD法で堆積した後、その上からさらに
BPSG膜4を堆積する(第1図(a))。次に、写真
製版技術を用い、BPSG膜4をコンタクト孔の幅より
やや大きめの幅で穴を開ける(第1図(b))。次に、
写真製版技術を用い、PSG膜7にコンタクト孔を形成
する。次いで、全面にアルミ膜を蒸着し、写真製版技術
を用いてパターニングを行い、アルミ配線5を形成する
(第1図(C))。その後、水素処理を450℃で30
分間行う。
このようにP S G 5% 7を下層とし、BPSG
膜4を上層とする2層構造に形成することにより、水素
処理工程におけろアルミ配線5中の81の析出の抑制と
、良好な平坦性を得ることができる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、平坦化のための絶縁膜
として、BPSG膜を用いた場合でも、5psc;1を
コンタク)・孔部より遠避けることにより、Bの影響を
抑えた状態で水素処理を行うことがてき、同相エピタキ
シャル成長によるアルミ配線中の81の析出は抑制され
、安定なコンタクト抵抗を得ろことができろ利点がある
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(C)はこの発明の一実施例の工程を示
す断面図、第2図は従来の半導体装置のコンタクト孔部
分を示す断面図である。 図において、1は81基板、2は下地酸化膜、3はフィ
ールド酸化膜、4はBPSG膜、5はアルミ配線、6は
不純物拡散層、7はPSG膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコン基板上に絶縁膜を介してPSG膜を形成する工
    程、前記PSG膜上にBPSG膜を形成する工程、前記
    BPSG膜にコンタクト孔より大きい開孔部を形成する
    工程、前記PSG膜にコンタクト孔を形成する工程、前
    記コンタクト孔部分にアルミ配線を形成する工程を含む
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP10530186A 1986-05-06 1986-05-06 半導体装置の製造方法 Pending JPS62260319A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5169800A (en) * 1989-12-26 1992-12-08 Fujitsu Limited Method of fabricating semiconductor devices by laser planarization of metal layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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