JPS6224656A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS6224656A JPS6224656A JP16375885A JP16375885A JPS6224656A JP S6224656 A JPS6224656 A JP S6224656A JP 16375885 A JP16375885 A JP 16375885A JP 16375885 A JP16375885 A JP 16375885A JP S6224656 A JPS6224656 A JP S6224656A
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は特に多ビン化を図ることができるリードフレー
ムの製造方法に関する。
ムの製造方法に関する。
(従来の技術)
一般に、第5図に示すような半導体デバイス用のリード
フレーム50は4270イ材等の平板を打ち抜き形成す
る。この平板の板厚は通常0.25++n程度である。
フレーム50は4270イ材等の平板を打ち抜き形成す
る。この平板の板厚は通常0.25++n程度である。
ところで、平板をパンチで打ち抜く場合、その打ち抜き
幅は板厚程度が限界である。したがって、上述したリー
ドフレームの場合においても打ち抜き幅は0.2fl〜
0.25nが限界であり、また、ワイヤボンディングの
関係からリード幅も0.25tm程度は必要である。
幅は板厚程度が限界である。したがって、上述したリー
ドフレームの場合においても打ち抜き幅は0.2fl〜
0.25nが限界であり、また、ワイヤボンディングの
関係からリード幅も0.25tm程度は必要である。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、近時半導体デバイスも集積化が進み多ピン化
及び小チツプ化傾向にある。したがって、上述した従来
の単なる打ち抜き方法を用いた場合においては多ピン化
等に対処すべく、例えば第5図のリード部の幅を狭くし
ても打ち抜き時に当該リード部51にねじれ等が生じ、
ワイヤボンディングの接続不良を招いたり、また、リー
ド部間隙Sを狭くしてもパンチ折れが発生する弊害を招
く。
及び小チツプ化傾向にある。したがって、上述した従来
の単なる打ち抜き方法を用いた場合においては多ピン化
等に対処すべく、例えば第5図のリード部の幅を狭くし
ても打ち抜き時に当該リード部51にねじれ等が生じ、
ワイヤボンディングの接続不良を招いたり、また、リー
ド部間隙Sを狭くしてもパンチ折れが発生する弊害を招
く。
一方、ステージ部52近傍におけるリード部51のピン
チは特に狭くなるため、リード部51の先端とステージ
部52の間隙を大きくすることも行われているが、ワイ
ヤボンディングのワイヤが長くなりショート不良等の致
命的な不良を招いてしまう問題がある。
チは特に狭くなるため、リード部51の先端とステージ
部52の間隙を大きくすることも行われているが、ワイ
ヤボンディングのワイヤが長くなりショート不良等の致
命的な不良を招いてしまう問題がある。
本発明はこのような従来の問題点を一掃したもので、リ
ード部の高密度化を図れるリードフレームの製造方法を
提供するにある。
ード部の高密度化を図れるリードフレームの製造方法を
提供するにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は例えば半導体デバイスに用いて好適なリードフ
レームの製造方法に係り、その特徴とするところは第4
図<a)に示すようにリードフレームIAのリード部2
Aの幅D1を板厚T(第3図)よりも小さく設定し、且
つ、リード部2Aとステージ部3を連続した形状でリー
ドフレームIAを打ち抜(第一プレス工程と、この打ち
抜かれたリードフレームIAのリード部2Aのねじれ等
を矯正するフラットニング工程と、このリードフレーム
IAを焼鈍しするアニーリング工程と、第2図に示すよ
うに当該焼鈍したリードフレームのステージ部3周縁か
らリード部2Aを一定長さしだけ打ち抜く第二ブレス工
程と、これより得たリードフレームIBのリード部2A
を第2図及び第3図のように圧潰し、ワイヤボンディン
グに必要な幅D1まで広げたリード部2Bを得るコイニ
ング工程からなる点にある。
レームの製造方法に係り、その特徴とするところは第4
図<a)に示すようにリードフレームIAのリード部2
Aの幅D1を板厚T(第3図)よりも小さく設定し、且
つ、リード部2Aとステージ部3を連続した形状でリー
ドフレームIAを打ち抜(第一プレス工程と、この打ち
抜かれたリードフレームIAのリード部2Aのねじれ等
を矯正するフラットニング工程と、このリードフレーム
IAを焼鈍しするアニーリング工程と、第2図に示すよ
うに当該焼鈍したリードフレームのステージ部3周縁か
らリード部2Aを一定長さしだけ打ち抜く第二ブレス工
程と、これより得たリードフレームIBのリード部2A
を第2図及び第3図のように圧潰し、ワイヤボンディン
グに必要な幅D1まで広げたリード部2Bを得るコイニ
ング工程からなる点にある。
また、第二の特徴とするところは上記リードフレームの
製造方法において、フラットニング工程で上記コイニン
グ工程を同時に行うようにした点にある。
製造方法において、フラットニング工程で上記コイニン
グ工程を同時に行うようにした点にある。
(作用)
次に、本発明の作用について説明する。
−先ず、第一プレス工程においてリードフレームIAを
打ち抜いた場合にはリード部2Aにねじれや変形を生ず
る。なお、この場合リード部2Aとステージ部3は連続
形状に形成するため当該ねじれ等は最小限に押さえられ
る。このねじれ等はフラットニング工程で矯正され、ね
じれ等を生じない状態の正規の形状に戻される。一方、
この状態では部分的に応力集中があるためアニーリング
工程で焼鈍し、応力をリリーフする。そして、この後リ
ード部2Aとステージ部3の間を一定長さ打ち抜くとと
もにリード部2人をコイニングしてワi イヤボンディ
ングに必要な幅まで広げる。
打ち抜いた場合にはリード部2Aにねじれや変形を生ず
る。なお、この場合リード部2Aとステージ部3は連続
形状に形成するため当該ねじれ等は最小限に押さえられ
る。このねじれ等はフラットニング工程で矯正され、ね
じれ等を生じない状態の正規の形状に戻される。一方、
この状態では部分的に応力集中があるためアニーリング
工程で焼鈍し、応力をリリーフする。そして、この後リ
ード部2Aとステージ部3の間を一定長さ打ち抜くとと
もにリード部2人をコイニングしてワi イヤボンディ
ングに必要な幅まで広げる。
以上は第一の特徴をなす製造方法に基づく作用である。
なお、第二の特徴をなす製造方法も基本的には当該第一
の特徴をなす作用と同じであるが工程順序を異ならせて
いる。
の特徴をなす作用と同じであるが工程順序を異ならせて
いる。
(実施例)
以下には本発明に係る好適な実施例を図面に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
第1図、第2図及び第4図はリードフレームの部分的平
面図、第3図は相2図中I−I線断面図である。
面図、第3図は相2図中I−I線断面図である。
先ず、基本的な製造方法(第1発明)について順を追っ
て説明する。
て説明する。
く第一プレス工程〉
先ず、4270イ材、銅合金材等の材質にて形成した厚
さ0.25mmの平板から第1図(a)に示すリードフ
レームIAをパンチにてパターン抜きする。
さ0.25mmの平板から第1図(a)に示すリードフ
レームIAをパンチにてパターン抜きする。
この場合、リード部2Aの幅D1は0.1鰭、リード部
2A、2A間の間隙D3は0.2 tmに設定する。
2A、2A間の間隙D3は0.2 tmに設定する。
また、リード部2人とステージ部3は相連続するように
打ち抜く。なお、この場合第1図(b)のようにリード
部2Aがステージ部3の一部と連続するように打ち抜い
てもよい。
打ち抜く。なお、この場合第1図(b)のようにリード
部2Aがステージ部3の一部と連続するように打ち抜い
てもよい。
くフラットニング工程〉
上記第一プレス工程で得たリードフレームIAはリード
部2Aの幅が0.1fiのため、打ち抜き時のねじれや
、変形をリード部2Aに生ずる。
部2Aの幅が0.1fiのため、打ち抜き時のねじれや
、変形をリード部2Aに生ずる。
したがって、本工程において比較的浅いコイニング(圧
潰)であるフラットニングを施しねじれ等が生じない場
合の正規の形状に矯正する。
潰)であるフラットニングを施しねじれ等が生じない場
合の正規の形状に矯正する。
くアニーリング工程〉
フラットニングが施されたリードフレームIAは熱処理
、つまり焼鈍しを施す。これにより部分的に生じている
応力集中をリリーフし、位置ずれを防止する。
、つまり焼鈍しを施す。これにより部分的に生じている
応力集中をリリーフし、位置ずれを防止する。
く第二プレス工程〉
第2図のようにアニーリングしたリードフレームIAの
ステージ部3周縁からリード部2Aを一定長さしだけ打
ち抜く。この場合打ち抜(のはリード部2Aであり、ス
テージ部3はステージサポートハー4によって支持され
ている。なお、当該長さしはリード部2Aの幅及びピッ
チにより制約を受けないため最適の長さに設定できる。
ステージ部3周縁からリード部2Aを一定長さしだけ打
ち抜く。この場合打ち抜(のはリード部2Aであり、ス
テージ部3はステージサポートハー4によって支持され
ている。なお、当該長さしはリード部2Aの幅及びピッ
チにより制約を受けないため最適の長さに設定できる。
くコイニング工程〉
第2図及び第3図に示すようにステージ部を成形したリ
ードフレームIBはり一ド部に十分なコイニングを施し
、リード部2Aの幅D1をワイヤボンディングに必要な
幅D2まで圧潰して広げる。
ードフレームIBはり一ド部に十分なコイニングを施し
、リード部2Aの幅D1をワイヤボンディングに必要な
幅D2まで圧潰して広げる。
このリード部の幅D2は上記幅D1に対し、略2倍程度
となる。なお、このようなコイニングを施すエリアはリ
ード部2Aの少なくともワイヤボンディングエリアを含
むものとし、第一プレス工程の打ち抜き時にねじれ等が
生じる範囲、換言すれば0.1朋幅で打ち抜く範囲とな
る。
となる。なお、このようなコイニングを施すエリアはリ
ード部2Aの少なくともワイヤボンディングエリアを含
むものとし、第一プレス工程の打ち抜き時にねじれ等が
生じる範囲、換言すれば0.1朋幅で打ち抜く範囲とな
る。
また、このようにリード部を板厚の約2分の1程度圧潰
するコイニングを施すことによってリード部間の間隙は
0.1 tm程度となるが何ら問題はない。
するコイニングを施すことによってリード部間の間隙は
0.1 tm程度となるが何ら問題はない。
この結果従来のリード部の間隙が0.45〜0.5fi
程度であるのに対して0.3〜0.35inとリード部
の間隙を30%以上小さくすることができる。
程度であるのに対して0.3〜0.35inとリード部
の間隙を30%以上小さくすることができる。
次に、上述した製造方法を一部変更した製造方法(第二
発明)について説明する。
発明)について説明する。
先ず、第一プレス工程は前記第一発明と同様に行う。
これより得た、リードフレームIAはそのリード部2A
をコイニングする。このコイニング工程は第一発明にお
けるコイニング工程と同様に行うがリード部2Aとステ
ージ部3は連続状態にあるため圧潰したリード部2Aの
内部がステージ部3にまで移動し、ステージ部3が湾曲
する等の無用な変形を生じてしまう。そこで第4図に示
す一点鎖線Hの位置におけるリード部2A上に■形のく
さびを打つことによりv形のノツチカットを形成し、圧
潰時における逃部を設けることによりステージ部3への
悪影響を防止した。なお、このようなくさび打つ位置は
少なくともステージ部3周縁の外方近傍におけるリード
部2A上であって、前記一定長さしだけ打ち抜きする部
分が望ましい。また、コイニングをリード部2Aの部分
的エリアに施すため当該エリアを区画する、たとえば第
4図中一点鎖線にの位置にもくさびを打つことが望まし
い。
をコイニングする。このコイニング工程は第一発明にお
けるコイニング工程と同様に行うがリード部2Aとステ
ージ部3は連続状態にあるため圧潰したリード部2Aの
内部がステージ部3にまで移動し、ステージ部3が湾曲
する等の無用な変形を生じてしまう。そこで第4図に示
す一点鎖線Hの位置におけるリード部2A上に■形のく
さびを打つことによりv形のノツチカットを形成し、圧
潰時における逃部を設けることによりステージ部3への
悪影響を防止した。なお、このようなくさび打つ位置は
少なくともステージ部3周縁の外方近傍におけるリード
部2A上であって、前記一定長さしだけ打ち抜きする部
分が望ましい。また、コイニングをリード部2Aの部分
的エリアに施すため当該エリアを区画する、たとえば第
4図中一点鎖線にの位置にもくさびを打つことが望まし
い。
このようにしてコイニングを施したリードフレームは第
一発明におけるアニーリング工程、第二ブレス工程を得
て最終的なリードフレームを得る。
一発明におけるアニーリング工程、第二ブレス工程を得
て最終的なリードフレームを得る。
以上、実施例を説明したが、本発明はこのような実施例
に限定されるものではない。例えば例示した寸法は任意
であり、また、各リード部やステージ部の形状等は任意
である。その他細部の構成、手法等において本発明の精
神を逸脱しない範囲で任意に変更実施できる。
に限定されるものではない。例えば例示した寸法は任意
であり、また、各リード部やステージ部の形状等は任意
である。その他細部の構成、手法等において本発明の精
神を逸脱しない範囲で任意に変更実施できる。
(発明の効果)
このように、本発明に係るリードフレームの製遣方法は
、リード部の幅を板厚よりも小さい寸法で打ち抜き、コ
イニング工程でワイヤボンディングエリアを含むリード
部の幅を圧潰して広げるようにしたため、従来の単にパ
ンチによりリードフレームを打ち抜く手法に比べ、各リ
ード部の間隔を30%以上小さくすることができるから
同一の大きさでは大幅な多ピン化を図ることができる。
、リード部の幅を板厚よりも小さい寸法で打ち抜き、コ
イニング工程でワイヤボンディングエリアを含むリード
部の幅を圧潰して広げるようにしたため、従来の単にパ
ンチによりリードフレームを打ち抜く手法に比べ、各リ
ード部の間隔を30%以上小さくすることができるから
同一の大きさでは大幅な多ピン化を図ることができる。
従って最近要請されている64ビン化、84ビン化等の
多ピン化、高密度化にも十分応えることができる。
多ピン化、高密度化にも十分応えることができる。
また、これによりリード部先端をステージ部に対し大幅
に前進させ、間隙を十分に小さくすることができるから
、ワイヤボンディングにおける信頼性も一段と向上させ
ることができる。このことは同一ビン数においては小チ
ツプ化に対応した最適なリードフレームの提供を可能に
する。
に前進させ、間隙を十分に小さくすることができるから
、ワイヤボンディングにおける信頼性も一段と向上させ
ることができる。このことは同一ビン数においては小チ
ツプ化に対応した最適なリードフレームの提供を可能に
する。
さらにフラットニング(コイニング)工程後にアニーリ
ングを施すためリード部のねじれが防止できるとともに
リード部の位置精度を高めることができる。
ングを施すためリード部のねじれが防止できるとともに
リード部の位置精度を高めることができる。
また、パンチ折れ等の弊害も防止できるから、プレス作
業能率が向上するとともに金型の長寿命化も図ることが
できる。
業能率が向上するとともに金型の長寿命化も図ることが
できる。
第1図、第2図及び第4図は本発明に係るリードフレー
ムの製造方法を説明するためのリードフレームの部分的
平面図、第3図は第2図中I−I線断面図、第5図はリ
ードフレームの平面図。 尚図面中IA、IB・・・リードフレーム、2A、2B
・・・リード部、 3・・・ステージ部、 Di
D2 ・・・リード部の幅、T・・・板厚、 L
・・・一定長さ。
ムの製造方法を説明するためのリードフレームの部分的
平面図、第3図は第2図中I−I線断面図、第5図はリ
ードフレームの平面図。 尚図面中IA、IB・・・リードフレーム、2A、2B
・・・リード部、 3・・・ステージ部、 Di
D2 ・・・リード部の幅、T・・・板厚、 L
・・・一定長さ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の各工程からなるリードフレームの製造方法。 (a)リード部の幅を板厚よりも小さく設定し、且つリ
ード部とステージ部を連続した形状でリードフレームを
打ち抜く第一プレス工程。 (b)前記(a)で得たリードフレームのリード部のね
じれ等を矯正するフラットニング工程、 (c)前記(b)で得たリードフレームを焼鈍しするア
ニーリング工程、 (d)前記(c)で得たリードフレームのステージ部周
縁からリード部を一定長さ打ち抜く第二プレス工程、 (e)前記(d)で得たリードフレームのリード部を圧
潰しワイヤボンディングに必要な幅まで広げるコイニン
グ工程、 2、次の各工程からなるリードフレームの製造方法。 (f)リード部の幅を板厚よりも小さく設定し、且つリ
ード部とステージ部を連続した形状でリードフレームを
打ち抜く第一プレス工程、 (g)前記(f)で得たリードフレームのリード部を圧
潰しワイヤボンディングに必要な幅まで広げるコイニン
グ工程、 (h)前記(g)で得たリードフレームを焼鈍しするア
ニーリング工程、 (i)前記(h)で得たリードフレームのステジ部周縁
からリード部を一定長さ打ち抜く第二プレス工程、 3、前記コイニング工程において、少なくともステージ
部周縁の外方近傍におけるリード部にノッチカットを形
成し、この後圧潰することを特徴とする特許請求の範囲
第2項記載のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60163758A JPH0620106B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60163758A JPH0620106B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6224656A true JPS6224656A (ja) | 1987-02-02 |
JPH0620106B2 JPH0620106B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=15780141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60163758A Expired - Lifetime JPH0620106B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0620106B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0314263A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Nec Corp | リードフレームの製造方法 |
JPH0366153A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JPH03114249A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-15 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JPH04115557A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501658A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 | ||
JPS5957439A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS5972754A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60163758A patent/JPH0620106B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501658A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-09 | ||
JPS5957439A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS5972754A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0314263A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Nec Corp | リードフレームの製造方法 |
JPH0366153A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JP2520482B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1996-07-31 | 株式会社三井ハイテック | 半導体装置用リ―ドフレ―ムの製造方法 |
JPH03114249A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-15 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JPH04115557A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0620106B2 (ja) | 1994-03-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |