JPS6222475B2 - - Google Patents
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- JPS6222475B2 JPS6222475B2 JP54160195A JP16019579A JPS6222475B2 JP S6222475 B2 JPS6222475 B2 JP S6222475B2 JP 54160195 A JP54160195 A JP 54160195A JP 16019579 A JP16019579 A JP 16019579A JP S6222475 B2 JPS6222475 B2 JP S6222475B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明はアバランシホトダイオード等のPN
接合に逆バイアスを印加して動作させる半導体装
置に関するものである。
接合に逆バイアスを印加して動作させる半導体装
置に関するものである。
以下の説明では、特に光フアイバ通信における
受光器として用いられるアバランシホトダイオー
ドについて記す。
受光器として用いられるアバランシホトダイオー
ドについて記す。
光フアイバ通信においては、従来GaAlAsを材
料とする半導体レーザや発光ダイオードを光源と
しSiを材料とするアバランシホトダイオードを受
光器とした波長0.8〜0.9μｍ帯での通信が実用化
されつゝある。
料とする半導体レーザや発光ダイオードを光源と
しSiを材料とするアバランシホトダイオードを受
光器とした波長0.8〜0.9μｍ帯での通信が実用化
されつゝある。
一方、最近では光フアイバの伝送損失の低減化
が進められ、波長1.1〜1.6μｍ帯において最低損
失が実現されており、この波長帯での発光素子お
よび受光素子の開発が必要となつてきている。
が進められ、波長1.1〜1.6μｍ帯において最低損
失が実現されており、この波長帯での発光素子お
よび受光素子の開発が必要となつてきている。
この波長1.1〜1.6μｍ帯の受光素子としては従
来よりGeを材料とするアバランシホトダイオー
ドがあるが、暗電流や増倍雑音が大きいといつた
難点がある。
来よりGeを材料とするアバランシホトダイオー
ドがあるが、暗電流や増倍雑音が大きいといつた
難点がある。
これに対し最近ではInGaAsP，InGaAs，
AlGaAsSb等の−族化合物半導体を材料とし
た受光素子の開発が進められるようになつてき
た。
AlGaAsSb等の−族化合物半導体を材料とし
た受光素子の開発が進められるようになつてき
た。
第１図ａ，ｂは夫々この種の受光素子の一例で
あるInGaAsPを用いたメサ形およびプレーナ形
のアバランシホトダイオードの断面図である。第
１図ａにおいて、１はSn，Ｓ等のｎ形不純物を
高濃度に含んだInP基板、２はｎ形のInP基板１
上に設けられたｎ形のInGaAsP層、３はｎ形の
InGaAsP層２とPN接合を成すように形成され、
Zn，Cd等の不純物を高濃度に含んだｐ形のInP層
である。ｎ形InGaAsP層２・ｐ形InP層３は通常
の気相エピタキシヤル成長法、あるいはより一般
的には通常の液相エピタキシヤル成長法によりｎ
形InP基板１上に形成される。
あるInGaAsPを用いたメサ形およびプレーナ形
のアバランシホトダイオードの断面図である。第
１図ａにおいて、１はSn，Ｓ等のｎ形不純物を
高濃度に含んだInP基板、２はｎ形のInP基板１
上に設けられたｎ形のInGaAsP層、３はｎ形の
InGaAsP層２とPN接合を成すように形成され、
Zn，Cd等の不純物を高濃度に含んだｐ形のInP層
である。ｎ形InGaAsP層２・ｐ形InP層３は通常
の気相エピタキシヤル成長法、あるいはより一般
的には通常の液相エピタキシヤル成長法によりｎ
形InP基板１上に形成される。
また、第１図ｂにおいて、１はSn，Ｓ等のｎ
形不純物を高濃度に含んだInP基板、２はｎ形の
InP基板１上に設けられたｎ形のInGaAsP層、４
はｎ形のInGaAsP層２の上に設けられたｎ形の
InP層、６は絶縁膜５をマスクとしてｎ形のInP
層４の表面層部に選択的にBe等の不純物をイオ
ン注入することにより前記InP層４とPN接合成す
ように形成されたｐ形のInP層である。ｎ形の
InGaAsP層２およびｎ形InP層は通常の気相エピ
タキシヤル成長法、あるいは一般的には通常の液
相エピタキシヤル成長法により、ｎ形InP基板１
上に形成される。
形不純物を高濃度に含んだInP基板、２はｎ形の
InP基板１上に設けられたｎ形のInGaAsP層、４
はｎ形のInGaAsP層２の上に設けられたｎ形の
InP層、６は絶縁膜５をマスクとしてｎ形のInP
層４の表面層部に選択的にBe等の不純物をイオ
ン注入することにより前記InP層４とPN接合成す
ように形成されたｐ形のInP層である。ｎ形の
InGaAsP層２およびｎ形InP層は通常の気相エピ
タキシヤル成長法、あるいは一般的には通常の液
相エピタキシヤル成長法により、ｎ形InP基板１
上に形成される。
さて、第１図ａ，ｂで示したようなメサ形やプ
レーナ形アバランシホトダイオードでは、結晶表
面における界面準位等の影響や接合面の曲率の影
響等を受けるためPN接合の耐圧は接合中央部で
高く、周縁部で低くなることがSiやGeを材料と
した半導体素子において良く知られている。この
ため、これらSiやGeを材料とした半導体装置に
おいては接合周縁部の耐圧を高める手段として従
来よりメサ形のアバランシホトダイオードでは、
そのPN接合にベベリングを施したり、プレーナ
形のアバランシホトダイオードでは、そのPN接
合の周囲にガードリングを設けることなどが行な
われている。
レーナ形アバランシホトダイオードでは、結晶表
面における界面準位等の影響や接合面の曲率の影
響等を受けるためPN接合の耐圧は接合中央部で
高く、周縁部で低くなることがSiやGeを材料と
した半導体素子において良く知られている。この
ため、これらSiやGeを材料とした半導体装置に
おいては接合周縁部の耐圧を高める手段として従
来よりメサ形のアバランシホトダイオードでは、
そのPN接合にベベリングを施したり、プレーナ
形のアバランシホトダイオードでは、そのPN接
合の周囲にガードリングを設けることなどが行な
われている。
第２図はこのような従来のベベリングを施した
メサ形接合を有するアバランシホトダイオードを
示す。図において、１１はｎ形不純物を高濃度に
含むｎ+形半導体基板１１上にこれとPN接合１４
を成すように設けられた低濃度のｐ形不純物を含
むｐ形層、１３はｐ形層１２上に設けられたｐ形
不純物を高濃度に拡散したｐ+層である。上記１
１〜１３はｎ+形半導体基板１１からｐ形層１３
に漸次直径が減少するように形成される。この場
合、PN接合１４とメサ斜面とがなす角度θが小
さいほど接合周縁部での耐圧向上の効果が大き
い。しかしながらPN接合の周縁部がメサ斜面に
露出しており、外気による汚染などで耐圧が著し
く損われることが多かつた。これを防ぐために従
来ではメサ斜面に露出しているPN接合周縁部に
SiO2，Si3N4等の表面保護膜をつけることなど試
みられているが、接合の露出部がメサ斜面部にあ
るため、保護膜の形成が容易でなく充分な効果が
得られていなかつた。
メサ形接合を有するアバランシホトダイオードを
示す。図において、１１はｎ形不純物を高濃度に
含むｎ+形半導体基板１１上にこれとPN接合１４
を成すように設けられた低濃度のｐ形不純物を含
むｐ形層、１３はｐ形層１２上に設けられたｐ形
不純物を高濃度に拡散したｐ+層である。上記１
１〜１３はｎ+形半導体基板１１からｐ形層１３
に漸次直径が減少するように形成される。この場
合、PN接合１４とメサ斜面とがなす角度θが小
さいほど接合周縁部での耐圧向上の効果が大き
い。しかしながらPN接合の周縁部がメサ斜面に
露出しており、外気による汚染などで耐圧が著し
く損われることが多かつた。これを防ぐために従
来ではメサ斜面に露出しているPN接合周縁部に
SiO2，Si3N4等の表面保護膜をつけることなど試
みられているが、接合の露出部がメサ斜面部にあ
るため、保護膜の形成が容易でなく充分な効果が
得られていなかつた。
また、第３図は前述のような従来のプレーナ形
接合を有するアバランシホトダイオードを示す。
図において、２１はｎ+形半導体基板、２２はｎ+
形半導体基板２１上にこれとPN接合２４を成す
ように設けられたｐ形不純物を高濃度に含んだｐ
+層、２３はこのｐ+層の周囲に、このｐ+層より
も深く形成されたｐ形のガードリングであり、ｐ
+層２２より低濃度に形成される。ガードリング
２３はその拡散深さが深いほど接合周縁部の耐圧
向上の効果が大きく、ｎ形半導体基板のドナー濃
度が低くPN接合２４の空乏層が厚いほどその効
果は小さくなる。従つて、PN接合２４の空乏層
が厚い場合ほどガードリング２３は深い拡散を必
要とすることになる。このガードリング２３の形
成において、前述のように不純物濃度が低く、且
つ深い拡散を行なうためには極めて高温・長時間
の熱処理が必要である。従つて実際にはアバラン
シホトダイオード等、厚い空乏層を持つダイオー
ドへのガードリング形成は実用性に乏しく、しか
も大きな効果を期待することができない。
接合を有するアバランシホトダイオードを示す。
図において、２１はｎ+形半導体基板、２２はｎ+
形半導体基板２１上にこれとPN接合２４を成す
ように設けられたｐ形不純物を高濃度に含んだｐ
+層、２３はこのｐ+層の周囲に、このｐ+層より
も深く形成されたｐ形のガードリングであり、ｐ
+層２２より低濃度に形成される。ガードリング
２３はその拡散深さが深いほど接合周縁部の耐圧
向上の効果が大きく、ｎ形半導体基板のドナー濃
度が低くPN接合２４の空乏層が厚いほどその効
果は小さくなる。従つて、PN接合２４の空乏層
が厚い場合ほどガードリング２３は深い拡散を必
要とすることになる。このガードリング２３の形
成において、前述のように不純物濃度が低く、且
つ深い拡散を行なうためには極めて高温・長時間
の熱処理が必要である。従つて実際にはアバラン
シホトダイオード等、厚い空乏層を持つダイオー
ドへのガードリング形成は実用性に乏しく、しか
も大きな効果を期待することができない。
以上のように従来のアバランシホトダイオード
は逆バイアス印加時において、接合周縁部の耐圧
が接合中心部の耐圧より低くなり、均一な降伏特
性を得ることができず、従つてまた高い増倍特性
を得ることもできなかつた。
は逆バイアス印加時において、接合周縁部の耐圧
が接合中心部の耐圧より低くなり、均一な降伏特
性を得ることができず、従つてまた高い増倍特性
を得ることもできなかつた。
この発明は上記従来のアバランシホトダイオー
ドの欠点を取除くためになされたものであり、第
１導電型の第１半導体層に囲繞され、この第１半
導体層よりもエネルギギヤツプが小さい第１導電
型の第２半導体層を設け、PN接合の周縁部分の
降伏電圧が高い化合物半導体受光素子の製造方法
を提供するものである。
ドの欠点を取除くためになされたものであり、第
１導電型の第１半導体層に囲繞され、この第１半
導体層よりもエネルギギヤツプが小さい第１導電
型の第２半導体層を設け、PN接合の周縁部分の
降伏電圧が高い化合物半導体受光素子の製造方法
を提供するものである。
第４図はこの発明の一実施例になるInGaAsP
アバランシホトダイオードを示す断面図である。
図において、４１はｎ形InP基板、４２はｎ形
InP基板４１上に部分的に設けられたｎ形
InGaAsP層、４３はｎ形InP基板４１上にｎ形
InGaAsP層を覆うようにかつこのｎ形InGaAsP
層と同等の不純物濃度に形成されたｎ形InP層、
４４はSiO2，Si3N4等の絶縁膜４５をマスクとし
てｎ形InP層４３の一部に選択的にｐ形不純物を
導入することにより形成され、ｎ形InGaAsP層
４２やｎ形InP層４３よりも高不純物濃度のｐ形
InP層、４６はPN接合であり、このPN接合４６
の周縁部に位置するｎ形InP層４３の表面はメサ
形状を成すように形成される。４７，４８はそれ
ぞれ金属電極、４９は表面での反射防止用の絶縁
膜である。
アバランシホトダイオードを示す断面図である。
図において、４１はｎ形InP基板、４２はｎ形
InP基板４１上に部分的に設けられたｎ形
InGaAsP層、４３はｎ形InP基板４１上にｎ形
InGaAsP層を覆うようにかつこのｎ形InGaAsP
層と同等の不純物濃度に形成されたｎ形InP層、
４４はSiO2，Si3N4等の絶縁膜４５をマスクとし
てｎ形InP層４３の一部に選択的にｐ形不純物を
導入することにより形成され、ｎ形InGaAsP層
４２やｎ形InP層４３よりも高不純物濃度のｐ形
InP層、４６はPN接合であり、このPN接合４６
の周縁部に位置するｎ形InP層４３の表面はメサ
形状を成すように形成される。４７，４８はそれ
ぞれ金属電極、４９は表面での反射防止用の絶縁
膜である。
第４図で示したアバランシホトダイオードは、
第５図ａ〜ｃで示したプロセスにより製造され
る。即ち、第５図ａで示すようにｎ形InP基板４
１上に通常の気相エピタキシヤル成長法、あるい
はより一般的には液相エピタキシヤル成長法によ
りInGaAsP層４２およびｎ形InP層４３を順次成
長させた後、ｎ形InP層４３の表面にSiO2，Si3N4
等の絶縁膜５０を選択的に形成する。次に第５図
ｂで示すように絶縁膜５０をエツチングマスクと
して５％の臭素を含むメタノール溶液等によりｎ
形InP層４３、InGaAsP層４２およびInP基板４
１の一部を選択的にエツチング除去する。次に絶
縁膜５０を除去した後、基板表面の清浄化を図る
為に、ｎ形InP層４３の一部若しくは全部と、
InP基板４１の一部を気相エツチングまたはメル
トエツチングにより除去する。次に第５図ｃに示
すように、再びエピタキシヤル成長法により、ｎ
形InP層４３を成長させ、このｎ形InP層４３の
周縁表面部分をメサ形状に形成する。さらに、
InGaAsP層４２に対応するｎ形InP層４３の表面
部分を除いて、ｎ形InP層４３の表面にSiO2，
Si3N4等の絶縁膜４５を選択的に形成した後、こ
の絶縁膜４５をマスクとして、ｎ形InP層４３に
Zn，Cd等を拡散、あるいはBe等をイオン注入す
ることによりｐ形InP層４４を形成する。こゝ
で、PN接合４６はその底部がInGaAsP層４２と
ｎ形InP層４３との界面もしくはその近傍に位置
するように形成される。次にウエハの表裏面にそ
れぞれAuZn合金層（またはAuGe合金層）上に
Au層を形成して成る金属層を付着することによ
り、金属電極４７，４８を形成し、さらに反射防
止膜４９としてSiO2，Si3N4等を表面に付着する
ことにより、第４図に示した構造のInGaAsPア
バランシホトダイオードが得られる。
第５図ａ〜ｃで示したプロセスにより製造され
る。即ち、第５図ａで示すようにｎ形InP基板４
１上に通常の気相エピタキシヤル成長法、あるい
はより一般的には液相エピタキシヤル成長法によ
りInGaAsP層４２およびｎ形InP層４３を順次成
長させた後、ｎ形InP層４３の表面にSiO2，Si3N4
等の絶縁膜５０を選択的に形成する。次に第５図
ｂで示すように絶縁膜５０をエツチングマスクと
して５％の臭素を含むメタノール溶液等によりｎ
形InP層４３、InGaAsP層４２およびInP基板４
１の一部を選択的にエツチング除去する。次に絶
縁膜５０を除去した後、基板表面の清浄化を図る
為に、ｎ形InP層４３の一部若しくは全部と、
InP基板４１の一部を気相エツチングまたはメル
トエツチングにより除去する。次に第５図ｃに示
すように、再びエピタキシヤル成長法により、ｎ
形InP層４３を成長させ、このｎ形InP層４３の
周縁表面部分をメサ形状に形成する。さらに、
InGaAsP層４２に対応するｎ形InP層４３の表面
部分を除いて、ｎ形InP層４３の表面にSiO2，
Si3N4等の絶縁膜４５を選択的に形成した後、こ
の絶縁膜４５をマスクとして、ｎ形InP層４３に
Zn，Cd等を拡散、あるいはBe等をイオン注入す
ることによりｐ形InP層４４を形成する。こゝ
で、PN接合４６はその底部がInGaAsP層４２と
ｎ形InP層４３との界面もしくはその近傍に位置
するように形成される。次にウエハの表裏面にそ
れぞれAuZn合金層（またはAuGe合金層）上に
Au層を形成して成る金属層を付着することによ
り、金属電極４７，４８を形成し、さらに反射防
止膜４９としてSiO2，Si3N4等を表面に付着する
ことにより、第４図に示した構造のInGaAsPア
バランシホトダイオードが得られる。
次に本発明の一実施例になるInGaAsPアバラ
ンシホトダイオードにおけるPN接合周縁部の耐
圧向上について説明する。第４図において、PN
接合４６の中央部はInGaAsP層４２とｐ形InP層
４４との界面に形成されており空乏層は両層のキ
ヤリヤ濃度の違いにより主にInGaAsP層４２側
に広がる。また同様にPN接合４６の周縁部は空
乏層は主にｎ形InP層４３側に広がる。こゝで、
InGaAsP層４２のキヤリヤ濃度とｎ形InP層４３
とのキヤリヤ濃度は同程度になつているが、両層
の禁制帯幅は材料のちがいにより、InGaAsP層
４２よりもInP層４３の方が大きくなつている。
従つて、両層４２，４３に広がる空乏層の降伏電
界はInP層４３でより高くなる。従つてこの発明
の一実施例のInGaAsPアバランシホトダイオー
ドは、PN接合４６中央部よりもPN接合４６周縁
部において、より高い耐圧を示す。
ンシホトダイオードにおけるPN接合周縁部の耐
圧向上について説明する。第４図において、PN
接合４６の中央部はInGaAsP層４２とｐ形InP層
４４との界面に形成されており空乏層は両層のキ
ヤリヤ濃度の違いにより主にInGaAsP層４２側
に広がる。また同様にPN接合４６の周縁部は空
乏層は主にｎ形InP層４３側に広がる。こゝで、
InGaAsP層４２のキヤリヤ濃度とｎ形InP層４３
とのキヤリヤ濃度は同程度になつているが、両層
の禁制帯幅は材料のちがいにより、InGaAsP層
４２よりもInP層４３の方が大きくなつている。
従つて、両層４２，４３に広がる空乏層の降伏電
界はInP層４３でより高くなる。従つてこの発明
の一実施例のInGaAsPアバランシホトダイオー
ドは、PN接合４６中央部よりもPN接合４６周縁
部において、より高い耐圧を示す。
さらに、この発明の一実施例は第４図で示した
ように、ｎ形InP層４３の表面は素子中央部から
周縁部に向つてへこむように形成されており、
PN接合４６から空乏層がこの部分に拡がつてき
ても、この部分はメサ形接合と同様の効果を有し
ているので、この部分での耐圧向上が期待でき
る。このようにこの発明の一実施例によれば、
PN接合４６の周縁部の降伏電圧を高くすること
ができるので高い増倍特性のアバランシホトダイ
オードを実現できる。
ように、ｎ形InP層４３の表面は素子中央部から
周縁部に向つてへこむように形成されており、
PN接合４６から空乏層がこの部分に拡がつてき
ても、この部分はメサ形接合と同様の効果を有し
ているので、この部分での耐圧向上が期待でき
る。このようにこの発明の一実施例によれば、
PN接合４６の周縁部の降伏電圧を高くすること
ができるので高い増倍特性のアバランシホトダイ
オードを実現できる。
第６図は第１図ａで示した従来構造による
InGaAsPアバランシホトダイオードおよび第４
図で示した本発明によるInGaAsPアバランシホ
トダイオードのそれぞれの逆バイアス印加時にお
ける降伏特性を示している。従来のものａではな
だらかな特性を示すのに対し、本発明の一実施例
になるものｂでは極めて急峻な特性を示すことが
判る。
InGaAsPアバランシホトダイオードおよび第４
図で示した本発明によるInGaAsPアバランシホ
トダイオードのそれぞれの逆バイアス印加時にお
ける降伏特性を示している。従来のものａではな
だらかな特性を示すのに対し、本発明の一実施例
になるものｂでは極めて急峻な特性を示すことが
判る。
以上の説明ではInGaAsPアバランシホトダイ
オードについて説明したが、この発明は
InGaAs，AlGaAsSb等の−族化合物半導体
材料を使用した半導体装置、例えばPinホトダイ
オード、インパツトダイオード、さらにはSiや
Ge等の単一元素から成る半導体材料を使用した
半導体装置にも適用できる。
オードについて説明したが、この発明は
InGaAs，AlGaAsSb等の−族化合物半導体
材料を使用した半導体装置、例えばPinホトダイ
オード、インパツトダイオード、さらにはSiや
Ge等の単一元素から成る半導体材料を使用した
半導体装置にも適用できる。
以上説明したように、本発明は第１導電型の第
１半導体層に囲繞され、この第１半導体層よりも
エネルギギヤツプが小さい第１導電型の第２半導
体層を設けたので、PN接合の周縁部分の降伏電
圧の高い化合物半導体受光素子の製造方法を得る
ことができるという優れた効果を有する。
１半導体層に囲繞され、この第１半導体層よりも
エネルギギヤツプが小さい第１導電型の第２半導
体層を設けたので、PN接合の周縁部分の降伏電
圧の高い化合物半導体受光素子の製造方法を得る
ことができるという優れた効果を有する。
第１図ａ，ｂは夫々従来のInGaAsPアバラン
シホトダイオードを示す断面図、第２図はSiまた
は、Geを材料とした従来のベベリングを施した
メサ形アバランシホトダイオードを示す断面図、
第３図はSiまたはGeを材料とした従来のガード
リングを有するプレーナ形アバランシホトダイオ
ードを示す断面図、第４図は本発明の一実施例に
なるInGaAsPアバランシホトダイオードを示す
断面図、第５図ａ〜ｃは本発明の一実施例になる
InGaAsPアバランシホトダイオードの製造方法
を示す工程別断面図、第６図は従来のInGaAsP
アバランシホトダイオードと本発明の一実施例に
なるアバランシホトダイオードのそれぞれの逆バ
イアス印加時における降伏特性を示すグラフであ
る。 ４２はｎ形InGaAsP層、４３はｎ形InP層、４
４はｐ形InP層である。
シホトダイオードを示す断面図、第２図はSiまた
は、Geを材料とした従来のベベリングを施した
メサ形アバランシホトダイオードを示す断面図、
第３図はSiまたはGeを材料とした従来のガード
リングを有するプレーナ形アバランシホトダイオ
ードを示す断面図、第４図は本発明の一実施例に
なるInGaAsPアバランシホトダイオードを示す
断面図、第５図ａ〜ｃは本発明の一実施例になる
InGaAsPアバランシホトダイオードの製造方法
を示す工程別断面図、第６図は従来のInGaAsP
アバランシホトダイオードと本発明の一実施例に
なるアバランシホトダイオードのそれぞれの逆バ
イアス印加時における降伏特性を示すグラフであ
る。 ４２はｎ形InGaAsP層、４３はｎ形InP層、４
４はｐ形InP層である。
Claims (1)
- １ 第１導電形の第１化合物半導体基板上にこの
第１化合物半導体よりもエネルギーギヤツプの小
さい第１導電形の第２化合物半導体層および第１
導電形の第１化合物半導体層を順次形成し、選択
的メサエツチング法により前記第１の化合物半導
体層の周縁部と第２の化合物半導体層の周縁部お
よび第１化合物半導体基体の一部の周縁部を除去
し、メサ部の前記第１導電形の第１化合物半導体
層の一部または全部およびメサ溝部の前記第１導
電形の第１化合物半導体基板の表面部を化学エツ
チング法またはメルトエツチング法により除去し
た後、メサ頂上部およびメサ溝部全体を覆うよう
に新たに第１の導電形の第１の化合物半導体層を
形成し、前記第２化合物半導体層の直上の第１化
合物半導体層表面から前記第１化合物半導体層と
第２化合物半導体層との界面近傍に至る領域を拡
散法またはイオン注入法により選択的に第２導電
形化することを特徴とする化合物半導体受光素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019579A JPS5681984A (en) | 1979-12-06 | 1979-12-06 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019579A JPS5681984A (en) | 1979-12-06 | 1979-12-06 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5681984A JPS5681984A (en) | 1981-07-04 |
| JPS6222475B2 true JPS6222475B2 (ja) | 1987-05-18 |
Family
ID=15709862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16019579A Granted JPS5681984A (en) | 1979-12-06 | 1979-12-06 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5681984A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0824199B2 (ja) * | 1984-05-31 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 半導体受光素子の製造方法 |
| JP4010337B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2007-11-21 | 住友電気工業株式会社 | ｐｉｎ型受光素子およびｐｉｎ型受光素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671985A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light receiving system |
-
1979
- 1979-12-06 JP JP16019579A patent/JPS5681984A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671985A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light receiving system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5681984A (en) | 1981-07-04 |
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