JPS62220010A - スイツチング電流発生回路 - Google Patents
スイツチング電流発生回路Info
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- JPS62220010A JPS62220010A JP61064537A JP6453786A JPS62220010A JP S62220010 A JPS62220010 A JP S62220010A JP 61064537 A JP61064537 A JP 61064537A JP 6453786 A JP6453786 A JP 6453786A JP S62220010 A JPS62220010 A JP S62220010A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明を以下の順序で説明する。
Ａ 産業上の利用分野
Ｂ 発明の概要
Ｃ従来の技術
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
Ｅ 問題点を解決するための手段
２作用
Ｇ 実施例
Ｇ−１第１の実施例（第１図）
Ｇ−２第２の実施例（第２図）
Ｇ−３第３の実施例（第３図）
Ｇ−４電流源の具体例及びその他（第４図）Ｈ発明の効
果 Ａ 産業上の利用分野 本発明は、トランジスタが用いられて構成され、所定の
スイッチング信号に基づいて断続されるスイッチング電
流を発生する回路に関する。
果 Ａ 産業上の利用分野 本発明は、トランジスタが用いられて構成され、所定の
スイッチング信号に基づいて断続されるスイッチング電
流を発生する回路に関する。
Ｂ 発明の概要
本発明は、トランジスタ及び、例えば、ダイオード接続
されたトランジスタ等のＰＮ接合素子が直流接続されて
構成され、所定のスイッチング信号に基づいて断続され
る電流出力を形成するスイッチング電流発生回路におい
て、第１の電流源による電流を直列接続された２個のＰ
Ｎ接合素子に流し、直列接続された２個のＰＮ接合素子
の一端に得られる電圧を第１のトランジスタ、のベース
に印加するとともに、第１のトランジスタのコレクター
エミッタ通路に、電流値が第１の電流源の電流値のＮ
（Ｎは１より大なる正数）倍に相当するものに選定され
た第２の電流源による電流を流し、第１のトランジスタ
のエミッタがベースに接続される第２のトランジスタを
設けて、そのコレクタに第１の電流源の電流値の１／Ｎ
に相当する電流が流れるようになすとともに、所定のス
イッチング信号に基づいて選択的に第２のトランジスタ
のベース電位を低下させて第２のトランジスタを遮断状
態とすることにより、第２のトランジスタのコレクタに
、微小な値をとり、かつ、高速スイッチングがなされる
ものとされた電流出力を得ることができるようにしたも
のである。
されたトランジスタ等のＰＮ接合素子が直流接続されて
構成され、所定のスイッチング信号に基づいて断続され
る電流出力を形成するスイッチング電流発生回路におい
て、第１の電流源による電流を直列接続された２個のＰ
Ｎ接合素子に流し、直列接続された２個のＰＮ接合素子
の一端に得られる電圧を第１のトランジスタ、のベース
に印加するとともに、第１のトランジスタのコレクター
エミッタ通路に、電流値が第１の電流源の電流値のＮ
（Ｎは１より大なる正数）倍に相当するものに選定され
た第２の電流源による電流を流し、第１のトランジスタ
のエミッタがベースに接続される第２のトランジスタを
設けて、そのコレクタに第１の電流源の電流値の１／Ｎ
に相当する電流が流れるようになすとともに、所定のス
イッチング信号に基づいて選択的に第２のトランジスタ
のベース電位を低下させて第２のトランジスタを遮断状
態とすることにより、第２のトランジスタのコレクタに
、微小な値をとり、かつ、高速スイッチングがなされる
ものとされた電流出力を得ることができるようにしたも
のである。
Ｃ従来の技術
集積回路化された電流出力型トランジスタ増幅回路等に
おいては、その動作にあたって、小なる値の直流電流が
必要とされることが多い。そのため、電流出力型トラン
ジスタ増幅回路等に小なる値の直流電流を供給するため
の電流源回路がトランジスタが用いられて形成され、電
流出力型トランジスタ増幅回路等とともに集積化される
ものとされた回路構成が提案されている。このようなト
ランジスタが用いられ、集積回路化されて構成される電
流源回路は、例えば、数十ｎＡ程度の微小な直流電流を
発生することが望まれるものとなる。
おいては、その動作にあたって、小なる値の直流電流が
必要とされることが多い。そのため、電流出力型トラン
ジスタ増幅回路等に小なる値の直流電流を供給するため
の電流源回路がトランジスタが用いられて形成され、電
流出力型トランジスタ増幅回路等とともに集積化される
ものとされた回路構成が提案されている。このようなト
ランジスタが用いられ、集積回路化されて構成される電
流源回路は、例えば、数十ｎＡ程度の微小な直流電流を
発生することが望まれるものとなる。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
上述の如くに集積回路化された電流出力型トランジスタ
増幅回路等に、それとともに集積化された電流源回路に
より小なる値の直流電流が供給されるに際して、電流出
力型トランジスタ増幅回路等に要求される動作態様から
、電流源回路が発生する小なる値の直流電流が、所定の
スイッチング信号に応じて高速でスイッチングされるも
のであることが望まれる場合が多々ある。しかしながら
、斯かる場合、集積化された電流源回路は、その回路素
子構成上、各部に浮遊容量を伴うものとされ、微小な電
流をスイッチング動作をもって発生するにあたっては、
その浮遊容量の影響を受けて、高速でのスイッチング動
作を行うことが極めて困難となるという問題がある。そ
のため、従来においては、高速スイッチングがなされる
小なる値の直流電流が必要とされる場合に、その直流電
流の値を要望に沿う充分に微小なものとすることができ
ず、そのため、それに伴う負担を直流電流が供給される
回路側で負わなければならないという不都合がある。
増幅回路等に、それとともに集積化された電流源回路に
より小なる値の直流電流が供給されるに際して、電流出
力型トランジスタ増幅回路等に要求される動作態様から
、電流源回路が発生する小なる値の直流電流が、所定の
スイッチング信号に応じて高速でスイッチングされるも
のであることが望まれる場合が多々ある。しかしながら
、斯かる場合、集積化された電流源回路は、その回路素
子構成上、各部に浮遊容量を伴うものとされ、微小な電
流をスイッチング動作をもって発生するにあたっては、
その浮遊容量の影響を受けて、高速でのスイッチング動
作を行うことが極めて困難となるという問題がある。そ
のため、従来においては、高速スイッチングがなされる
小なる値の直流電流が必要とされる場合に、その直流電
流の値を要望に沿う充分に微小なものとすることができ
ず、そのため、それに伴う負担を直流電流が供給される
回路側で負わなければならないという不都合がある。
斯かる点に鑑み、本発明は、トランジスタが用いられて
形成されて集積回路化に好適なものとされ、しかも、微
小な直流電流を発生するとともにその微小な直流電流を
高速でスイッチングする動作を行うことができ、従って
、高速スイッチングがなされる微小な電流出力が得られ
るものとされたスイ・ノチング電流発生回路を提供する
ことを目的とする。
形成されて集積回路化に好適なものとされ、しかも、微
小な直流電流を発生するとともにその微小な直流電流を
高速でスイッチングする動作を行うことができ、従って
、高速スイッチングがなされる微小な電流出力が得られ
るものとされたスイ・ノチング電流発生回路を提供する
ことを目的とする。
Ｅ 問題点を解決するための手段
上述の目的を達成すべく、本発明に係るスイッチング電
流発生回路は、第１の電流源と、それと共通電位点との
間に直列接続された２個のＰＮ接合素子と、第１の電流
源と直列接続された２個のＰＮ接合素子との間にベース
が接続された第１のトランジスタと、その第１のトラン
ジスタのエミッタと共通電位点との間に接続され、電流
値が第１の電流源の電流値のＮ （Ｎはｌより大なる正
数）倍に相当するものに選定された第２の電流源と、第
１のトランジスタのエミッタと第２の電流源との間にベ
ースが接続され、エミッタが共通電位点に接続された第
２のトランジスタとを有し、さらに、所定のスイッチン
グ信号に基づき、選択的に第２のトランジスタのベース
電位を低下させて第２のトランジスタを遮断状態とする
スイッチング手段を備えて構成され、第２のトランジス
タのコレクタにスイッチングされる電流出力を得るもの
とされる。
流発生回路は、第１の電流源と、それと共通電位点との
間に直列接続された２個のＰＮ接合素子と、第１の電流
源と直列接続された２個のＰＮ接合素子との間にベース
が接続された第１のトランジスタと、その第１のトラン
ジスタのエミッタと共通電位点との間に接続され、電流
値が第１の電流源の電流値のＮ （Ｎはｌより大なる正
数）倍に相当するものに選定された第２の電流源と、第
１のトランジスタのエミッタと第２の電流源との間にベ
ースが接続され、エミッタが共通電位点に接続された第
２のトランジスタとを有し、さらに、所定のスイッチン
グ信号に基づき、選択的に第２のトランジスタのベース
電位を低下させて第２のトランジスタを遮断状態とする
スイッチング手段を備えて構成され、第２のトランジス
タのコレクタにスイッチングされる電流出力を得るもの
とされる。
Ｆ作用
このように構成される本発明に係るスイッチング電流発
生回路においては、第１の電流源の電流値をＸと仮定す
ると、第２の電流源の電流値はＮ・Ｘとなり、第２のト
ランジスタが導通状態とされたもとにおいては、第１の
電流源に接続された２個のＰＮ接合素子の直列構成に略
電流値Ｘを有する電流が流れ、また、第２の電流源にエ
ミッタが接続された第１のトランジスタのコレクターエ
ミッタ通路に略電流値Ｎ−ｘｌ有する電流が流れる。そ
して、第２のトランジスタのコレクターエミッタ通路に
は、略電流値Ｘ／Ｎを有する電流が流れることになる。
生回路においては、第１の電流源の電流値をＸと仮定す
ると、第２の電流源の電流値はＮ・Ｘとなり、第２のト
ランジスタが導通状態とされたもとにおいては、第１の
電流源に接続された２個のＰＮ接合素子の直列構成に略
電流値Ｘを有する電流が流れ、また、第２の電流源にエ
ミッタが接続された第１のトランジスタのコレクターエ
ミッタ通路に略電流値Ｎ−ｘｌ有する電流が流れる。そ
して、第２のトランジスタのコレクターエミッタ通路に
は、略電流値Ｘ／Ｎを有する電流が流れることになる。
従って、Ｎの値を選定することにより、第２のトランジ
スタのコレクターエミッタ通路を流れる電流を微小なも
のとすることができる。
スタのコレクターエミッタ通路を流れる電流を微小なも
のとすることができる。
そして、このように略電流値Ｘ／Ｎを有する電流が流れ
るものとされた第２のトランジスタのベースの電位が、
スイッチング手段により、スイッチング信号に応じて低
下せしめられ、それにより第２のトランジスタが選択的
に遮断状態をとるものとされる。斯かる場合、第２のト
ランジスタのベースの電位の低下はスイッチング手段に
よって速やかに行われ、第２のトランジスタは高速で遮
断される。その結果、第２のトランジスタのコレクタに
、高速スイッチングがなされるものとされた微小電流が
得られる。
るものとされた第２のトランジスタのベースの電位が、
スイッチング手段により、スイッチング信号に応じて低
下せしめられ、それにより第２のトランジスタが選択的
に遮断状態をとるものとされる。斯かる場合、第２のト
ランジスタのベースの電位の低下はスイッチング手段に
よって速やかに行われ、第２のトランジスタは高速で遮
断される。その結果、第２のトランジスタのコレクタに
、高速スイッチングがなされるものとされた微小電流が
得られる。
Ｇ 実施例
Ｇ−１第１の実施例（第１図）
第１図は、本発明に係るスイッチング電流発生回路の一
例を示す。
例を示す。
この例においては、電源子Ｂと接地電位点との間に、電
流Ｉを流す電流源１１と２個のダイオード接続されたＮ
ＰＮトランジスタ１２及び１３の直列接続構成とが、直
列に接続されている。そして、電流源１１とトランジス
タ１２及び１３の直列接続構成との間の接続点Ｐにベー
スが接続されるとともに、コレクタが電源子Ｂに接続さ
れたＮＰＮトランジスタ１４が配され、このトランジス
タ１４のエミッタと接地電位点との間に、電流源１１の
電流値のＮ （Ｎはｌより大なる正数）倍に相当する電
流値を有した電流、即ち、電流Ｎ・■を流す電流源１５
が接続されている。また、トランジスタ１４のエミッタ
と電流源１５との間の接続点Ｑに、抵抗１６を介してベ
ースが接続されるとともに、エミッタが接地されたＮＰ
Ｎ）ランジスタ１７が設けられ、さらに、トランジスタ
１７のベースにコレクタが接続されるとともにエミッタ
が接地されたＮＰＮ トランジスタ１８が配されており
、このトランジスタ１８のベースが、スイッチング信号
Ｓが供給される端子１９に接続されている。
流Ｉを流す電流源１１と２個のダイオード接続されたＮ
ＰＮトランジスタ１２及び１３の直列接続構成とが、直
列に接続されている。そして、電流源１１とトランジス
タ１２及び１３の直列接続構成との間の接続点Ｐにベー
スが接続されるとともに、コレクタが電源子Ｂに接続さ
れたＮＰＮトランジスタ１４が配され、このトランジス
タ１４のエミッタと接地電位点との間に、電流源１１の
電流値のＮ （Ｎはｌより大なる正数）倍に相当する電
流値を有した電流、即ち、電流Ｎ・■を流す電流源１５
が接続されている。また、トランジスタ１４のエミッタ
と電流源１５との間の接続点Ｑに、抵抗１６を介してベ
ースが接続されるとともに、エミッタが接地されたＮＰ
Ｎ）ランジスタ１７が設けられ、さらに、トランジスタ
１７のベースにコレクタが接続されるとともにエミッタ
が接地されたＮＰＮ トランジスタ１８が配されており
、このトランジスタ１８のベースが、スイッチング信号
Ｓが供給される端子１９に接続されている。
斯かる構成のもとに、トランジスタ１８は、スイッチン
グ信号Ｓに応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）が
なされるものとなる。そして、トランジスタ１８が遮断
されている状態で、トランジスタ１２及び１３を流れる
電流を■１．トランジスタ１４を流れる電流を■２．ト
ランジスタ１７を流れる電流を１１．トランジスタ１２
．１３．１４及び１７の夫々のベース−エミッタ間電圧
をｖ０２、ｖＩＩＥ！＋ Ｖ ｌ！４及びＶＯ？ ％飽
和電流を■３とすると、トランジスタ１２．１３．１４
及び１７の夫々のベース電流を無視したもとでは、ｒ、
＝を及びＩｔ−Ｎ・■となり、また、接続点Ｐの電圧Ｖ
ｐは、 Ｖ Ｉ）＝ Ｖｓｔｇ ＋ ＶｌｌＥ３となり、さら
に、接続点Ｑの電圧Ｖｑは、Ｖｑ＝Ｖｐ ｖｌｌＥ４ となる。但し、ｑは電子電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は絶対温度を表わす。さらに、 Ｖｑ＝■ｌＩＥ？であるので、 となり、これよりして、 ■、＝ − が得られる。即ち、トランジスター７のコレクターエミ
ッタ通路には、電流源１１の電流値の１／Ｎに相当する
電流値を有した電流、即ち、電流Ｉ／Ｎが流れることに
なる。そして、この例においては、Ｎが適切に選定され
て、トランジスター７のコレクターエミッタ通路を流れ
る電流ｔ、＝ Ｉ／Ｎは、例えば、数十ｎＡ程度の微小
電流とされる。
グ信号Ｓに応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）が
なされるものとなる。そして、トランジスタ１８が遮断
されている状態で、トランジスタ１２及び１３を流れる
電流を■１．トランジスタ１４を流れる電流を■２．ト
ランジスタ１７を流れる電流を１１．トランジスタ１２
．１３．１４及び１７の夫々のベース−エミッタ間電圧
をｖ０２、ｖＩＩＥ！＋ Ｖ ｌ！４及びＶＯ？ ％飽
和電流を■３とすると、トランジスタ１２．１３．１４
及び１７の夫々のベース電流を無視したもとでは、ｒ、
＝を及びＩｔ−Ｎ・■となり、また、接続点Ｐの電圧Ｖ
ｐは、 Ｖ Ｉ）＝ Ｖｓｔｇ ＋ ＶｌｌＥ３となり、さら
に、接続点Ｑの電圧Ｖｑは、Ｖｑ＝Ｖｐ ｖｌｌＥ４ となる。但し、ｑは電子電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は絶対温度を表わす。さらに、 Ｖｑ＝■ｌＩＥ？であるので、 となり、これよりして、 ■、＝ − が得られる。即ち、トランジスター７のコレクターエミ
ッタ通路には、電流源１１の電流値の１／Ｎに相当する
電流値を有した電流、即ち、電流Ｉ／Ｎが流れることに
なる。そして、この例においては、Ｎが適切に選定され
て、トランジスター７のコレクターエミッタ通路を流れ
る電流ｔ、＝ Ｉ／Ｎは、例えば、数十ｎＡ程度の微小
電流とされる。
斯かる状態において、トランジスタ１８がスイッチング
信号Ｓに基づいて導通せしめられると、トランジスター
７のベース電位が速やかに接地電位に低下して、トラン
ジスター７が遮断される。
信号Ｓに基づいて導通せしめられると、トランジスター
７のベース電位が速やかに接地電位に低下して、トラン
ジスター７が遮断される。
さらに、その後、トランジスタ１８が、再び、スイッチ
ング信号Ｓに基づいて遮断されると、トランジスター７
のベース電位はトランジスター４を通じて速やかに上昇
し、トランジスター７が導通せしめられる。即ち、トラ
ンジスター７は、スイッチング信号Ｓに基づいて高速ス
イッチング動作を行うものとされており、それにより、
トランジスタ１７のコレクタには、高速スイッチングが
なされるものとされた電流１．、即ち、電流Ｉ／Ｎが得
られる。
ング信号Ｓに基づいて遮断されると、トランジスター７
のベース電位はトランジスター４を通じて速やかに上昇
し、トランジスター７が導通せしめられる。即ち、トラ
ンジスター７は、スイッチング信号Ｓに基づいて高速ス
イッチング動作を行うものとされており、それにより、
トランジスタ１７のコレクタには、高速スイッチングが
なされるものとされた電流１．、即ち、電流Ｉ／Ｎが得
られる。
Ｇ−２第２の実施例（第２図）
第２図は、本発明に係るスイッチング電流発生回路の他
の例を示す。
の例を示す。
この例は、第１図に示される例における抵抗１６及びト
ランジスタ１８が除去され、代わりに、電流源１１とト
ランジスタ１４のベースとの間に、ＰＮＰ ）ランジス
タ２０のエミッターコレクタ通路が接続され、さらに、
トランジスタ２０のエミッタと接地電位点との間にＰＮ
Ｐ ）ランジスタ２３のエミッターコレクタ通路が接続
されたものに相当し、第２図において第１図に示される
各部に対応する部分には、第１図と共通の符号が付され
ている。そして、トランジスタ２０のベースには、電源
子Ｂと接地電位点との間に接続されたブリーダ抵抗２１
及び２２により接続されて所定の固定バイアス電圧が印
加され、また、トランジスタ２３のベースは、スイッチ
ング信号Ｓ″が供給される端子２４に接続される。
ランジスタ１８が除去され、代わりに、電流源１１とト
ランジスタ１４のベースとの間に、ＰＮＰ ）ランジス
タ２０のエミッターコレクタ通路が接続され、さらに、
トランジスタ２０のエミッタと接地電位点との間にＰＮ
Ｐ ）ランジスタ２３のエミッターコレクタ通路が接続
されたものに相当し、第２図において第１図に示される
各部に対応する部分には、第１図と共通の符号が付され
ている。そして、トランジスタ２０のベースには、電源
子Ｂと接地電位点との間に接続されたブリーダ抵抗２１
及び２２により接続されて所定の固定バイアス電圧が印
加され、また、トランジスタ２３のベースは、スイッチ
ング信号Ｓ″が供給される端子２４に接続される。
斯かる例においては、トランジスタ２３が、スイッチン
グ信号Ｓ°に応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）
がなされるものとされる。そして、トランジスタ２３が
遮断されている状態においては、電流源１１の電流■が
、トランジスタ２０を通じて、直列接続されたトランジ
スタ１２及び１３を流かれ、その結果、第１図に示され
る例の場合と同様にして、トランジスタ１７のコレクタ
ーエミッタ通路に微小電流Ｉ／Ｎが流れる。
グ信号Ｓ°に応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）
がなされるものとされる。そして、トランジスタ２３が
遮断されている状態においては、電流源１１の電流■が
、トランジスタ２０を通じて、直列接続されたトランジ
スタ１２及び１３を流かれ、その結果、第１図に示され
る例の場合と同様にして、トランジスタ１７のコレクタ
ーエミッタ通路に微小電流Ｉ／Ｎが流れる。
トランジスタ１７のコレクターエミッタ通路に微小電流
１／Ｎが流れている状態において、トランジスタ２３が
スイッチング信号Ｓ゛に基づいて導通せしめられると、
電流源１１の電流Ｉは、トランジスタ２３を通じて流れ
て、直列接続されたトランジスタ１２及び１３には流れ
なくなる。そのため、トランジスタ１４が遮断されるこ
とになり、電流源１５の存在によって、トランジスタ１
７のベース電位が速やかに接地電位に低下し、その結果
、トランジスタ１７が遮断される。その後、トランジス
タ２３が、再び、スイッチング信号Ｓ゛に基づいて遮断
されると、トランジスタ１４が導通せしめられ、トラン
ジスタ１７のベース電位がトランジスタ１４を通じて速
やかに上昇して、トランジスタ１７が導通せしめられる
。即ち、この場合にも、トランジスタ１７は、スイッチ
ング信号Ｓ°に基づいて高速スイッチング動作を行うも
のとされており、トランジスタ１７のコレクタには、高
速スイッチングがなされるものとされた微小電流１／Ｎ
が得られる。
１／Ｎが流れている状態において、トランジスタ２３が
スイッチング信号Ｓ゛に基づいて導通せしめられると、
電流源１１の電流Ｉは、トランジスタ２３を通じて流れ
て、直列接続されたトランジスタ１２及び１３には流れ
なくなる。そのため、トランジスタ１４が遮断されるこ
とになり、電流源１５の存在によって、トランジスタ１
７のベース電位が速やかに接地電位に低下し、その結果
、トランジスタ１７が遮断される。その後、トランジス
タ２３が、再び、スイッチング信号Ｓ゛に基づいて遮断
されると、トランジスタ１４が導通せしめられ、トラン
ジスタ１７のベース電位がトランジスタ１４を通じて速
やかに上昇して、トランジスタ１７が導通せしめられる
。即ち、この場合にも、トランジスタ１７は、スイッチ
ング信号Ｓ°に基づいて高速スイッチング動作を行うも
のとされており、トランジスタ１７のコレクタには、高
速スイッチングがなされるものとされた微小電流１／Ｎ
が得られる。
Ｇ−３第３の実施例（第３図）
第３図は、本発明に係るスイッチング電流発生回路のさ
らに他の例を示す。 この例は、第１図に示される例に
おける２個のダイオード接続されたトランジスタ１２と
トランジスタ１３との間の接続点Ｒに信号源２５が接続
されたものに相当し、第３図において第１図に示される
各部に対応する部分には、第１図と共通の符号が付され
ている。
らに他の例を示す。 この例は、第１図に示される例に
おける２個のダイオード接続されたトランジスタ１２と
トランジスタ１３との間の接続点Ｒに信号源２５が接続
されたものに相当し、第３図において第１図に示される
各部に対応する部分には、第１図と共通の符号が付され
ている。
信号源２５は、信号電流ｉ （正及び負の両極性をとり
得る）を接続点Ｒに供給するものとされる。
得る）を接続点Ｒに供給するものとされる。
斯かる例において、トランジスタ１８が遮断されている
状態で、トランジスタ１２を流れる電流を■４．トラン
ジスタ１３を流れる電流を！３．トランジスタ１４を流
れる電流を■６．トランジスタ１７を流れる電流を■？
３トランジスタ１２，１３゜１４及び１７の夫々のベー
ス−エミッタ間電圧をｖｌＥ２．” ｌＥ３．ｖＩｆ！
４及びＶｌｌＥ’ｌ 、飽和電流を■。
状態で、トランジスタ１２を流れる電流を■４．トラン
ジスタ１３を流れる電流を！３．トランジスタ１４を流
れる電流を■６．トランジスタ１７を流れる電流を■？
３トランジスタ１２，１３゜１４及び１７の夫々のベー
ス−エミッタ間電圧をｖｌＥ２．” ｌＥ３．ｖＩｆ！
４及びＶｌｌＥ’ｌ 、飽和電流を■。
とすると、トランジスタ１２．１３．１４及び１７の夫
々のベース電流を無視したもとでは、■４−Ｉ、Ｉｓ
冨１＋ｉ及び■、鯰Ｎ・■となり、また、接続点Ｐの電
圧Ｖｐは、 Ｖ ｐ”’ Ｖｍｔｚ ＋ｖａｔ３ となり、さらに、接続点Ｑの電圧Ｖｑは、Ｖｑ−Ｖｌ）
−Ｖｍｉ４ ｑ Ｉｓ ｑ ｌ５ ｋＴ Ｉ＆ となる。さらに、Ｖ ｑ” Ｖｍｅｒであるので、ｑ
Ｉｓ Ｎ となり、これよりして、 Ｎ が得られる。即ち、トランジスタ１７のコレクターエミ
ッタ通路には、電流源１１の電流値の１／Ｎに相当する
電流値を有した電流、即ち、電流１／Ｎとともに、信号
源２５の信号電流ｉが１／Ｎに低減されて得られる信号
電流ｉ／Ｎが流れることになる。
々のベース電流を無視したもとでは、■４−Ｉ、Ｉｓ
冨１＋ｉ及び■、鯰Ｎ・■となり、また、接続点Ｐの電
圧Ｖｐは、 Ｖ ｐ”’ Ｖｍｔｚ ＋ｖａｔ３ となり、さらに、接続点Ｑの電圧Ｖｑは、Ｖｑ−Ｖｌ）
−Ｖｍｉ４ ｑ Ｉｓ ｑ ｌ５ ｋＴ Ｉ＆ となる。さらに、Ｖ ｑ” Ｖｍｅｒであるので、ｑ
Ｉｓ Ｎ となり、これよりして、 Ｎ が得られる。即ち、トランジスタ１７のコレクターエミ
ッタ通路には、電流源１１の電流値の１／Ｎに相当する
電流値を有した電流、即ち、電流１／Ｎとともに、信号
源２５の信号電流ｉが１／Ｎに低減されて得られる信号
電流ｉ／Ｎが流れることになる。
そして、この例においても、Ｎが適切に選定されて、ト
ランジスタ１７のコレクターエミッタ通路を流れる電流
Ｉ？ ＝ Ｉ／Ｎ ＋ ｉ／Ｎは微小電流とされる
。
ランジスタ１７のコレクターエミッタ通路を流れる電流
Ｉ？ ＝ Ｉ／Ｎ ＋ ｉ／Ｎは微小電流とされる
。
そして、斯かる状態において、第１図に示される例の場
合と同様に、トランジスタ１７が、スイッチング信号Ｓ
に基づいて高速スイッチング動作を行うものとされ、そ
れにより、トランジスタ１７のコレクタには、高速スイ
ッチングがなされるものとされた電流Ｉ／Ｈに加えて、
高速スイッチングがなされるものとされ、かつ、１／Ｎ
に低減された信号電流ｉ／Ｎが得られることになる。従
って、この例においては、信号源２５の信号電流ｉに対
するスイッチング・アッテネータが構成されることにな
る。
合と同様に、トランジスタ１７が、スイッチング信号Ｓ
に基づいて高速スイッチング動作を行うものとされ、そ
れにより、トランジスタ１７のコレクタには、高速スイ
ッチングがなされるものとされた電流Ｉ／Ｈに加えて、
高速スイッチングがなされるものとされ、かつ、１／Ｎ
に低減された信号電流ｉ／Ｎが得られることになる。従
って、この例においては、信号源２５の信号電流ｉに対
するスイッチング・アッテネータが構成されることにな
る。
Ｇ−４電流源の具体例及びその他（第４図）なお、上述
の各側における電流源１５は、例えば、第４図に示され
る如く、電流Ｎ−１を発生する電流発生部２６と、この
電流発生部２６と接地電位点との間に接続されたダイオ
ード接続されたＮＰＮ ）ランジスタ２７と、電流発生
部２６とトランジスタ２７との間の接続点にベースが接
続され、エミッタが接地されたＮＰＮ ）ランジスタ２
８とで構成され、トランジスタ２８のコレクタが、トラ
ンジスタ１４のエミッタに接続されるものとすることが
できる。
の各側における電流源１５は、例えば、第４図に示され
る如く、電流Ｎ−１を発生する電流発生部２６と、この
電流発生部２６と接地電位点との間に接続されたダイオ
ード接続されたＮＰＮ ）ランジスタ２７と、電流発生
部２６とトランジスタ２７との間の接続点にベースが接
続され、エミッタが接地されたＮＰＮ ）ランジスタ２
８とで構成され、トランジスタ２８のコレクタが、トラ
ンジスタ１４のエミッタに接続されるものとすることが
できる。
また、上述の各側において、トランジスタ１２及び１３
の夫々のサイズを比較的大なるものとし、電流源１１の
電流値を大となすことにより、トランジスタ１４のベー
ス電流の影響をより一層低減することができる。
の夫々のサイズを比較的大なるものとし、電流源１１の
電流値を大となすことにより、トランジスタ１４のベー
ス電流の影響をより一層低減することができる。
Ｈ発明の効果
以上の説明から明らかな如く、本発明に係るスイッチン
グ電流発生回路は、集積回路化に好適なものであり、し
かも、所定の電流源の電流に基づいて得られる微小な直
流電流を発生するとともに、その微小な直流電流を高速
でスイッチングする動作を行うことができ、従って、高
速スイッチングがなされる微小な電流出力が得られるも
のとなる。
グ電流発生回路は、集積回路化に好適なものであり、し
かも、所定の電流源の電流に基づいて得られる微小な直
流電流を発生するとともに、その微小な直流電流を高速
でスイッチングする動作を行うことができ、従って、高
速スイッチングがなされる微小な電流出力が得られるも
のとなる。
そのため、本発明に係るスイッチング電流発生回路が、
電流出力型トランジスタ増幅回路等を作動させるための
電流供給部を形成すべく用いられる場合には、電流出力
型トランジスタ増幅回路等は、高速スイッチングがなさ
れる微小な直流電流を受けることができ、回路構成上の
負担が軽減されることになる。
電流出力型トランジスタ増幅回路等を作動させるための
電流供給部を形成すべく用いられる場合には、電流出力
型トランジスタ増幅回路等は、高速スイッチングがなさ
れる微小な直流電流を受けることができ、回路構成上の
負担が軽減されることになる。
第１図は本発明に係るスイッチング電流発生回路の一例
を示す回路構成図、第２図は本発明に係るスイッチング
電流発生回路の他の例を示す回路構成図、第３図は本発
明に係るスイッチング電流発生回路のさらに他の例を示
す回路構成図、第４図は本発明に係るスイッチング電流
発生回路に用いられる電流源の具体例を示す回路構成図
である。 図中、１１及び１５は電流源、１２及び１３はダイオー
ド接続されたＮＰＮ ）ランジスタ、１４．１７及び１
８はＮＰＮ ）ランジスタ、２０及び２３はＰＮＰ ）
ランジスタ、２５は信号源である。 ｗｊ２図
を示す回路構成図、第２図は本発明に係るスイッチング
電流発生回路の他の例を示す回路構成図、第３図は本発
明に係るスイッチング電流発生回路のさらに他の例を示
す回路構成図、第４図は本発明に係るスイッチング電流
発生回路に用いられる電流源の具体例を示す回路構成図
である。 図中、１１及び１５は電流源、１２及び１３はダイオー
ド接続されたＮＰＮ ）ランジスタ、１４．１７及び１
８はＮＰＮ ）ランジスタ、２０及び２３はＰＮＰ ）
ランジスタ、２５は信号源である。 ｗｊ２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の電流源と、 該第１の電流源と共通電位点との間に直列接続された２
個のＰＮ接合素子と、 上記第１の電流源と上記直列接続された２個のＰＮ接合
素子との間にベースが接続された第１のトランジスタと
、 該第１のトランジスタのエミッタと共通電位点との間に
接続され、電流値が上記第１の電流源の電流値のＮ（Ｎ
は１より大なる正数）倍に相当するものに選定された第
２の電流源と、 上記第１のトランジスタのエミッタと上記第２の電流源
との間にベースが接続され、エミッタが共通電位点に接
続された第２のトランジスタと、スイッチング信号に基
づいて選択的に上記第２のトランジスタのベース電位を
低下させて該第２のトランジスタを遮断状態とするスイ
ッチング手段と、 を備えて構成され、 上記第２のトランジスタのコレクタにスイッチングされ
る電流出力を得るスイッチング電流発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61064537A JPH0732336B2 (ja) | 1986-03-21 | 1986-03-21 | スイツチング電流発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61064537A JPH0732336B2 (ja) | 1986-03-21 | 1986-03-21 | スイツチング電流発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62220010A true JPS62220010A (ja) | 1987-09-28 |
| JPH0732336B2 JPH0732336B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=13261071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61064537A Expired - Fee Related JPH0732336B2 (ja) | 1986-03-21 | 1986-03-21 | スイツチング電流発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732336B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7295236B1 (en) | 1999-04-20 | 2007-11-13 | Fraunhofer-Gesellschaft Zue Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Circuit for processing a time-discrete analog signal and image sensor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6880511B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2021-06-02 | オムロン株式会社 | 出力回路及び出力方法 |
-
1986
- 1986-03-21 JP JP61064537A patent/JPH0732336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7295236B1 (en) | 1999-04-20 | 2007-11-13 | Fraunhofer-Gesellschaft Zue Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Circuit for processing a time-discrete analog signal and image sensor |
| US7961236B2 (en) | 1999-04-20 | 2011-06-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Circuit for processing a time-discrete analog signal and image sensor |
| US8830365B2 (en) | 1999-04-20 | 2014-09-09 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Circuit for processing a time-discrete analog signal and image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732336B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |