JPH0732336B2 - スイツチング電流発生回路 - Google Patents
スイツチング電流発生回路Info
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- JPH0732336B2 JPH0732336B2 JP61064537A JP6453786A JPH0732336B2 JP H0732336 B2 JPH0732336 B2 JP H0732336B2 JP 61064537 A JP61064537 A JP 61064537A JP 6453786 A JP6453786 A JP 6453786A JP H0732336 B2 JPH0732336 B2 JP H0732336B2
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- switching
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明を以下の順序で説明する。
Ａ 産業上の利用分野 Ｂ 発明の概要 Ｃ 従来の技術 Ｄ 発明が解決しようとする問題点 Ｅ 問題点を解決するための手段 Ｆ 作用 Ｇ 実施例 Ｇ−１ 第１の実施例（第１図） Ｇ−２ 第２の実施例（第２図） Ｇ−３ 第３の実施例（第３図） Ｇ−４ 電流源の具体例及びその他（第４図） Ｈ 発明の効果 Ａ 産業上の利用分野 本発明は、トラジスタが用いられて構成され、所定のス
イッチング信号に基づいて断続されるスイッチング電流
を発生する回路に関する。
イッチング信号に基づいて断続されるスイッチング電流
を発生する回路に関する。
Ｂ 発明の概要 本発明は、トランジスタ及び、例えば、ダイオード接続
されたトランジスタ等のPN接合素子が直流接続されて構
成され、所定のスイッチング信号に基づいて断続される
電流出力を形成するスイッチング電流発生回路におい
て、第１の電流源による電流を直列接続された２個のPN
接合素子に流し、直列接続された２個のPN接合素子の一
端に得られる電圧を第１のトランジスタのベースに印加
するとともに、第１のトランジスタのコレクターエミッ
タ通路に、電流値が第１の電流源の電流値のＮ（Ｎは１
より大なる正数）倍に相当するものに選定された第２の
電流源による電流を流し、第１のトランジスタのエミッ
タがベースに接続される第２のトランジスタを設けて、
そのコレクタに第１の電流源の電流値の1/Nに相当する
電流が流れるようになすとともに、所定のスイッチング
信号に基づいて選択的に第２のトランジスタのベース電
位を低下させて第２のトランジスタを遮断状態とするこ
とにより、第２のトランジスタのコレクタに、微小な値
をとり、かつ、高速スイッチングがなされるものとされ
た電流出力を得ることができるようにしたものである。
されたトランジスタ等のPN接合素子が直流接続されて構
成され、所定のスイッチング信号に基づいて断続される
電流出力を形成するスイッチング電流発生回路におい
て、第１の電流源による電流を直列接続された２個のPN
接合素子に流し、直列接続された２個のPN接合素子の一
端に得られる電圧を第１のトランジスタのベースに印加
するとともに、第１のトランジスタのコレクターエミッ
タ通路に、電流値が第１の電流源の電流値のＮ（Ｎは１
より大なる正数）倍に相当するものに選定された第２の
電流源による電流を流し、第１のトランジスタのエミッ
タがベースに接続される第２のトランジスタを設けて、
そのコレクタに第１の電流源の電流値の1/Nに相当する
電流が流れるようになすとともに、所定のスイッチング
信号に基づいて選択的に第２のトランジスタのベース電
位を低下させて第２のトランジスタを遮断状態とするこ
とにより、第２のトランジスタのコレクタに、微小な値
をとり、かつ、高速スイッチングがなされるものとされ
た電流出力を得ることができるようにしたものである。
Ｃ 従来の技術 集積回路化された電流出力型トランジスタ増幅回路等に
おいては、その動作にあっては、小なる値の直流電流が
必要とされることが多い。そのため、電流出力型トラン
ジスタ増幅回路等に小なる値の直流電流を供給するため
の電流源回路がトランジスタが用いられて形成され、電
流出力型トランジスタ増幅回路等とともに集積化される
ものとされた回路構成が提案されている。このようなト
ランジスタが用いられ、集積回路化されて構成される電
流源回路は、例えば、数十nA程度の微小な直流電流を発
生することが望まれるものとなる。
おいては、その動作にあっては、小なる値の直流電流が
必要とされることが多い。そのため、電流出力型トラン
ジスタ増幅回路等に小なる値の直流電流を供給するため
の電流源回路がトランジスタが用いられて形成され、電
流出力型トランジスタ増幅回路等とともに集積化される
ものとされた回路構成が提案されている。このようなト
ランジスタが用いられ、集積回路化されて構成される電
流源回路は、例えば、数十nA程度の微小な直流電流を発
生することが望まれるものとなる。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点 上述の如くに集積回路化された電流出力型トランジスタ
増幅回路等に、それとともに集積化された電流源回路に
より小なる値の直流電流が供給されるに際して、電流出
力型トランジスタ増幅回路等に要求される動作態様か
ら、電流源回路が発生する小なる値の直流電流が、所定
のスイッチング信号に応じて高速でスイッチングされる
ものであることが望まれる場合が多々ある。しかしなが
ら、斯かる場合、集積化された電流源回路は、その回路
素子構造上、各部に浮遊容量を伴うものとされ、微小な
電流スイッチング動作をもって発生するにあたっては、
その浮遊容量の影響を受けて、高速でのスイッチング動
作を行うことが極めて困難となるという問題がある。そ
のため、従来においては、高速スイッチングがなされる
小なる値の直流電流が必要とされる場合に、その直流電
流の値を要望に沿う充分に微小なものとすることができ
ず、そのため、それに伴う負担を直流電流が供給される
回路側で負わなければならないという不都合がある。
増幅回路等に、それとともに集積化された電流源回路に
より小なる値の直流電流が供給されるに際して、電流出
力型トランジスタ増幅回路等に要求される動作態様か
ら、電流源回路が発生する小なる値の直流電流が、所定
のスイッチング信号に応じて高速でスイッチングされる
ものであることが望まれる場合が多々ある。しかしなが
ら、斯かる場合、集積化された電流源回路は、その回路
素子構造上、各部に浮遊容量を伴うものとされ、微小な
電流スイッチング動作をもって発生するにあたっては、
その浮遊容量の影響を受けて、高速でのスイッチング動
作を行うことが極めて困難となるという問題がある。そ
のため、従来においては、高速スイッチングがなされる
小なる値の直流電流が必要とされる場合に、その直流電
流の値を要望に沿う充分に微小なものとすることができ
ず、そのため、それに伴う負担を直流電流が供給される
回路側で負わなければならないという不都合がある。
斯かる点に鑑み、本発明は、トランジスタが用いられて
形成されて集積回路化に好適なものとされ、しかも、微
小な直流電流を発生するとともにその微小な直流電流を
高速でスイッチングする動作を行うことができ、従っ
て、高速スイッチングがなされる微小な電流出力が得ら
れるものとされたスイッチング電流発生回路を提供する
ことを目的とする。
形成されて集積回路化に好適なものとされ、しかも、微
小な直流電流を発生するとともにその微小な直流電流を
高速でスイッチングする動作を行うことができ、従っ
て、高速スイッチングがなされる微小な電流出力が得ら
れるものとされたスイッチング電流発生回路を提供する
ことを目的とする。
Ｄ 問題点を解決するための手段 上述の目的を達成すべく、本発明に係るスイッチング電
流発生回路は、第１の電流源と、それと共通電位点との
間に直列接続された２個のPN接合素子と、第１の電流源
と直列接続された２個のPN接合素子との間にベースが接
続された第１のトランジスタと、その第１のトランジス
タのエミッタと共通電位点との間に接続され、電流値が
第１の電流源の電流値のＮ（Ｎは１より大なる正数）倍
に相当するものに選定された第２の電流源と、第１のト
ランジスタのエミッタと第２の電流源との間にベースが
接続され、エミッタが共通電位点に接続された第２のト
ラジスタとを有し、さらに、所定のスイッチング信号に
基づき、選択的に第２のトランジスタのベース電位を低
下させて第２のトランジスタを遮断状態とするスイッチ
ング手段を備えて構成され、第２のトランジスタのコレ
クタにスイッチングされる電流出力を得るものとされ
る。
流発生回路は、第１の電流源と、それと共通電位点との
間に直列接続された２個のPN接合素子と、第１の電流源
と直列接続された２個のPN接合素子との間にベースが接
続された第１のトランジスタと、その第１のトランジス
タのエミッタと共通電位点との間に接続され、電流値が
第１の電流源の電流値のＮ（Ｎは１より大なる正数）倍
に相当するものに選定された第２の電流源と、第１のト
ランジスタのエミッタと第２の電流源との間にベースが
接続され、エミッタが共通電位点に接続された第２のト
ラジスタとを有し、さらに、所定のスイッチング信号に
基づき、選択的に第２のトランジスタのベース電位を低
下させて第２のトランジスタを遮断状態とするスイッチ
ング手段を備えて構成され、第２のトランジスタのコレ
クタにスイッチングされる電流出力を得るものとされ
る。
Ｆ 作用 このように構成される本発明に係るスイッチング電流発
生回路においては、第１の電流源の電流値をＸと仮定す
ると、第２の電流源の電流値はＮ・Ｘとなり、第２のト
ランジスタが導通状態とされたものとにおいては、第１
の電流源に接続された２個のPN接合素子の直列構成に略
電流値Ｘを有する電流が流れ、また、第２の電流源にエ
ミッタが接続された第１のトランジスタのコレクタタ−
エミッタ通路に略電流値Ｎ・Ｘを有する電流が流れる。
そして、第２のトランジスタのコレクタ−エミッタ通路
には、略電流値X/Nを有する電流が流れることになる。
従って、Ｎの値を選定することにより、第２のトランジ
スタのコレクタ−エミッタ通路を流れる電流を微小なも
のとすることができる。
生回路においては、第１の電流源の電流値をＸと仮定す
ると、第２の電流源の電流値はＮ・Ｘとなり、第２のト
ランジスタが導通状態とされたものとにおいては、第１
の電流源に接続された２個のPN接合素子の直列構成に略
電流値Ｘを有する電流が流れ、また、第２の電流源にエ
ミッタが接続された第１のトランジスタのコレクタタ−
エミッタ通路に略電流値Ｎ・Ｘを有する電流が流れる。
そして、第２のトランジスタのコレクタ−エミッタ通路
には、略電流値X/Nを有する電流が流れることになる。
従って、Ｎの値を選定することにより、第２のトランジ
スタのコレクタ−エミッタ通路を流れる電流を微小なも
のとすることができる。
そして、このように略電流値X/Nを有する電流が流れる
ものとされた第２のトランジスタのベースの電位が、ス
イッチング手段により、スイッチング信号に応じて低下
せしめられ、それにより第２のトランジスタが選択的に
遮断状態をとるものとされる。斯かる場合、第２のトラ
ンジスタのベースの電位の低下はスイッチング手段によ
って速やかに行われ、第２のトランジスタは高速で遮断
される。その結果、第２のトランジスタのコレクタに、
高速スイッチングがなされるものとされた微小電流が得
られる。
ものとされた第２のトランジスタのベースの電位が、ス
イッチング手段により、スイッチング信号に応じて低下
せしめられ、それにより第２のトランジスタが選択的に
遮断状態をとるものとされる。斯かる場合、第２のトラ
ンジスタのベースの電位の低下はスイッチング手段によ
って速やかに行われ、第２のトランジスタは高速で遮断
される。その結果、第２のトランジスタのコレクタに、
高速スイッチングがなされるものとされた微小電流が得
られる。
Ｇ 実施例 Ｇ−１ 第１の実施例（第１図） 第１図は、本発明に係るスイッチング電流発生回路の一
例を示す。
例を示す。
この例においては、電源＋Ｂと接地電位点との間に、電
流Ｉを流す電流源11と２個のダイオード接続されたNPN
トランジスタ12及び13の直列接続構成とが、直列に接続
されている。そして、電流源11とトランジスタ12及び13
の直列接続構成との間の接続点Ｐにベースが接続される
とともに、コレクタが電源＋Ｂに接続されたNPNトラン
ジスタ14が配され、このトランジスタ14のエミッタと接
地電位点との間に、電流源11の電流値のＮ（Ｎは１より
大なる正数）倍に相当する電流値を有した電流、即ち、
電流Ｎ・Ｉを流す電流源15が接続されている。また、ト
ランジスタ14のエミッタと電流源15との間の接続点Ｑ
に、抵抗16を介してベースが接続されるとともに、エミ
ッタが接地されたNPNトランジスタ17が設けられ、さら
に、トランジスタ17のベースにコレクタが接続されると
ともにエミッタが接地されたNPNトランジスタ18が配さ
れており、このトランジスタ18のベースが、スイッチン
グ信号Ｓが供給される端子19に接続されている。
流Ｉを流す電流源11と２個のダイオード接続されたNPN
トランジスタ12及び13の直列接続構成とが、直列に接続
されている。そして、電流源11とトランジスタ12及び13
の直列接続構成との間の接続点Ｐにベースが接続される
とともに、コレクタが電源＋Ｂに接続されたNPNトラン
ジスタ14が配され、このトランジスタ14のエミッタと接
地電位点との間に、電流源11の電流値のＮ（Ｎは１より
大なる正数）倍に相当する電流値を有した電流、即ち、
電流Ｎ・Ｉを流す電流源15が接続されている。また、ト
ランジスタ14のエミッタと電流源15との間の接続点Ｑ
に、抵抗16を介してベースが接続されるとともに、エミ
ッタが接地されたNPNトランジスタ17が設けられ、さら
に、トランジスタ17のベースにコレクタが接続されると
ともにエミッタが接地されたNPNトランジスタ18が配さ
れており、このトランジスタ18のベースが、スイッチン
グ信号Ｓが供給される端子19に接続されている。
斯かる構成のもとに、トランジスタ18は、スイッチング
信号Ｓに応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）がな
されるものとなる。そして、トランジスタ18が遮断され
ている状態で、トランジスタ12及び13を流れる電流を
I1,トランジスタ14を流れる電流をI2,トランジスタ17を
流れる電流をI3,トランジスタ12,13,14及び17の夫々の
ベース−エミッタ間電圧をVBE2,VBE3,VBE4及びVBE7、飽
和電流をISとすると、トランジスタ12,13,14及び17の夫
々のベース電流を無視したもとでは、I1＝Ｉ及びI2＝Ｎ
・Ｉとなり、また、接続点Ｐの電圧Vpは、 となり、さらに、接続点Ｑの電圧Vqは、 となる。但し、ｑは電子電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は絶対温度を表わす。さらに、 Vq＝VBE7であるので、 となり、これよりして、 が得られる。即ち、トランジスタ17のコレクタ−エミッ
タ通路には、電流源11の電流値の1/Nに相当する電流値
を有した電流、即ち、電流I/Nが流れることになる。そ
して、この例においては、Ｎが適切に選定されて、トラ
ンジスタ17のコレクタ−エミッタ通路を流れる電流I3＝
I/Nは、例えば、数十nA程度の微小電流とされる。
信号Ｓに応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）がな
されるものとなる。そして、トランジスタ18が遮断され
ている状態で、トランジスタ12及び13を流れる電流を
I1,トランジスタ14を流れる電流をI2,トランジスタ17を
流れる電流をI3,トランジスタ12,13,14及び17の夫々の
ベース−エミッタ間電圧をVBE2,VBE3,VBE4及びVBE7、飽
和電流をISとすると、トランジスタ12,13,14及び17の夫
々のベース電流を無視したもとでは、I1＝Ｉ及びI2＝Ｎ
・Ｉとなり、また、接続点Ｐの電圧Vpは、 となり、さらに、接続点Ｑの電圧Vqは、 となる。但し、ｑは電子電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は絶対温度を表わす。さらに、 Vq＝VBE7であるので、 となり、これよりして、 が得られる。即ち、トランジスタ17のコレクタ−エミッ
タ通路には、電流源11の電流値の1/Nに相当する電流値
を有した電流、即ち、電流I/Nが流れることになる。そ
して、この例においては、Ｎが適切に選定されて、トラ
ンジスタ17のコレクタ−エミッタ通路を流れる電流I3＝
I/Nは、例えば、数十nA程度の微小電流とされる。
斯かる状態において、トランジスタ18がスイッチング信
号Ｓに基づいて導通せしめられると、トランジスタ17の
ベース電位が速やかに接地電位に低下して、トランジス
タ17が遮断される。さらに、その後、トランジスタ18
が、再び、スイッチング信号Ｓに基づいて遮断される
と、トランジスタ17のベース電位はトランジスタ14を通
じて速やかに上昇し、トランジスタ17が導通せしめられ
る。即ち、トランジスタ17は、スイッチング信号Ｓに基
づいて高速スイッチング動作を行うものとされており、
それにより、トランジスタ17のコレクタには、高速スイ
チングがなされるものとされた電流I3、即ち、電流I/N
が得られる。
号Ｓに基づいて導通せしめられると、トランジスタ17の
ベース電位が速やかに接地電位に低下して、トランジス
タ17が遮断される。さらに、その後、トランジスタ18
が、再び、スイッチング信号Ｓに基づいて遮断される
と、トランジスタ17のベース電位はトランジスタ14を通
じて速やかに上昇し、トランジスタ17が導通せしめられ
る。即ち、トランジスタ17は、スイッチング信号Ｓに基
づいて高速スイッチング動作を行うものとされており、
それにより、トランジスタ17のコレクタには、高速スイ
チングがなされるものとされた電流I3、即ち、電流I/N
が得られる。
Ｇ−２ 第２の実施例（第２図） 第２図は、本発明に係るスイッチング電流発生回路の他
の例を示す。
の例を示す。
この例は、第１図に示される例における抵抗16及びトラ
ンジスタ18が除去され、代わりに、電流源11とトランジ
スタ14のベースとの間に、PNPトランジスタ20のエミッ
タ−コレクタ通路が接続され、さらに、トランジスタ20
のエミッタと接地電位点との間にPNPトランジスタ23の
エミッタ−コレクタ通路が接続されたものに相当し、第
２図において第１図に示される各部に対応する部分に
は、第１図と共通の符号が付されている。そして、トラ
ンジスタ20のベースには、電源＋Ｂと接地電位点との間
に接続されたブリーダ抵抗21及び22により接続されて所
定の固定バイアス電圧が印加され、また、トランジスタ
23のベースは、スイッチング信号Ｓ′が供給される端子
24に接続される。
ンジスタ18が除去され、代わりに、電流源11とトランジ
スタ14のベースとの間に、PNPトランジスタ20のエミッ
タ−コレクタ通路が接続され、さらに、トランジスタ20
のエミッタと接地電位点との間にPNPトランジスタ23の
エミッタ−コレクタ通路が接続されたものに相当し、第
２図において第１図に示される各部に対応する部分に
は、第１図と共通の符号が付されている。そして、トラ
ンジスタ20のベースには、電源＋Ｂと接地電位点との間
に接続されたブリーダ抵抗21及び22により接続されて所
定の固定バイアス電圧が印加され、また、トランジスタ
23のベースは、スイッチング信号Ｓ′が供給される端子
24に接続される。
斯かる例においては、トランジスタ23が、スイッチング
信号Ｓ′に応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）が
なされるものとされる。そして、トランジスタ23が遮断
されている状態においては、電流源11の電流Ｉが、トラ
ンジスタ20を通じて、直列接続されたトランジスタ12及
び13を流がれ、その結果、第１図に示される例の場合と
同様にして、トランジスタ17のコレクターエミッタ通路
に微小電流I/Nが流れる。
信号Ｓ′に応じた導通・遮断制御（オン・オフ制御）が
なされるものとされる。そして、トランジスタ23が遮断
されている状態においては、電流源11の電流Ｉが、トラ
ンジスタ20を通じて、直列接続されたトランジスタ12及
び13を流がれ、その結果、第１図に示される例の場合と
同様にして、トランジスタ17のコレクターエミッタ通路
に微小電流I/Nが流れる。
トランジスタ17のコレクタ−エミッタ通路に微小電流I/
Nが流れている状態において、トランジスタ23がスイッ
チング信号Ｓ′に基づいて導通せしめられると、電流源
11の電流Ｉは、トランジスタ23を通じて流れて、直列接
続されたトランジスタ12及び13には流れなくなる。その
ため、トランジスタ14が遮断されることになり、電流源
15の存在によって、トランジスタ17のベース電位が速や
かに接地電位に低下し、その結果、トランジスタ17が遮
断される。その後、トランジスタ23が、再び、スイッチ
ング信号Ｓ′に基づいて遮断されると、トランジスタ14
が導通せしめられ、トランジスタ17のベース電位がトラ
ンジスタ14を通じて速やかに上昇して、トランジスタ17
が導通せしめられる。即ち、この場合にも、トランジス
タ17は、スイッチング信号Ｓ′に基づいて高速スイッチ
ング動作を行うものとされており、トランジスタ17のコ
レクタには、高速スイッチングがなされるものとされた
微小電流I/Nが得られる。
Nが流れている状態において、トランジスタ23がスイッ
チング信号Ｓ′に基づいて導通せしめられると、電流源
11の電流Ｉは、トランジスタ23を通じて流れて、直列接
続されたトランジスタ12及び13には流れなくなる。その
ため、トランジスタ14が遮断されることになり、電流源
15の存在によって、トランジスタ17のベース電位が速や
かに接地電位に低下し、その結果、トランジスタ17が遮
断される。その後、トランジスタ23が、再び、スイッチ
ング信号Ｓ′に基づいて遮断されると、トランジスタ14
が導通せしめられ、トランジスタ17のベース電位がトラ
ンジスタ14を通じて速やかに上昇して、トランジスタ17
が導通せしめられる。即ち、この場合にも、トランジス
タ17は、スイッチング信号Ｓ′に基づいて高速スイッチ
ング動作を行うものとされており、トランジスタ17のコ
レクタには、高速スイッチングがなされるものとされた
微小電流I/Nが得られる。
Ｇ−３ 第３の実施例（第３図） 第３図は、本発明に係るスイッチング電流発生回路のさ
らに他の例を示す。この例は、第１図に示される例にお
ける２個のダイオード接続されたトランジスタ12とトラ
ンジスタ13との間の接続点Ｒに信号源25が接続されたも
のに相当し、第３図において第１図に示される各部に対
応する部分には、第１図と共通の符号が付されている。
信号源25は、信号電流ｉ（正及び負の両極性をとり得
る）を接続点Ｒに供給するものとされる。
らに他の例を示す。この例は、第１図に示される例にお
ける２個のダイオード接続されたトランジスタ12とトラ
ンジスタ13との間の接続点Ｒに信号源25が接続されたも
のに相当し、第３図において第１図に示される各部に対
応する部分には、第１図と共通の符号が付されている。
信号源25は、信号電流ｉ（正及び負の両極性をとり得
る）を接続点Ｒに供給するものとされる。
斯かる例において、トランジスタ18が遮断されている状
態で、トランジスタ12を流れる電流をI4,トランジスタ1
3を流れる電流をI5,トランジスタ14を流れる電流をI6,
トランジスタ17を流れる電流をI7,トランジスタ12,13,1
4及び17の夫々のベース−エミッタ間電圧をVBE2,VBE3,V
BE4及びVBE7、飽和電流をISとすると、トランジスタ12,
13,14及び17の夫々のベース電流を無視したもとでは、I
4＝I,I5＝Ｉ＋ｉ及びI6＝Ｎ・Ｉとなり、また、接続点
Ｐの電圧Vpは、 となり、さらに、接続点Ｑの電圧Vqは、 となる。さらに、Vq＝VBE7であるので、 となり、これよりして、 が得られる。即ち、トランジスタ17のコレクタ−エミッ
タ通路には、電流源11の電流値の1/Nに相当する電流値
を有した電流、即ち、電流I/Nとともに、信号源25の信
号電流ｉが1/Nに低減されて得る信号電流i/Nが流れるこ
とになる。そして、この例においても、Ｎが適切に選定
されて、トランジスタ17のコレクタ−エミッタ通路を流
れる電流I7＝I/N＋i/Nは微小電流とされる。
態で、トランジスタ12を流れる電流をI4,トランジスタ1
3を流れる電流をI5,トランジスタ14を流れる電流をI6,
トランジスタ17を流れる電流をI7,トランジスタ12,13,1
4及び17の夫々のベース−エミッタ間電圧をVBE2,VBE3,V
BE4及びVBE7、飽和電流をISとすると、トランジスタ12,
13,14及び17の夫々のベース電流を無視したもとでは、I
4＝I,I5＝Ｉ＋ｉ及びI6＝Ｎ・Ｉとなり、また、接続点
Ｐの電圧Vpは、 となり、さらに、接続点Ｑの電圧Vqは、 となる。さらに、Vq＝VBE7であるので、 となり、これよりして、 が得られる。即ち、トランジスタ17のコレクタ−エミッ
タ通路には、電流源11の電流値の1/Nに相当する電流値
を有した電流、即ち、電流I/Nとともに、信号源25の信
号電流ｉが1/Nに低減されて得る信号電流i/Nが流れるこ
とになる。そして、この例においても、Ｎが適切に選定
されて、トランジスタ17のコレクタ−エミッタ通路を流
れる電流I7＝I/N＋i/Nは微小電流とされる。
そして、斯かる状態において、第１図に示される場合の
例と同様に、トランジスタ17が、スイッチング信号Ｓに
基づいて高速スイッチング動作を行うものとされ、それ
により、トランジスタ17のコレクタには、高速スイッチ
ングがなされるものとされた電流I/Nに加えて、高速ス
イッチングがなされるものとされ、かつ、1/Nに低減さ
れた信号電流i/Nが得られることになる。従って、この
例においては、信号源25の信号電流ｉに対するスイッチ
ング・アッテネータが構成されることになる。
例と同様に、トランジスタ17が、スイッチング信号Ｓに
基づいて高速スイッチング動作を行うものとされ、それ
により、トランジスタ17のコレクタには、高速スイッチ
ングがなされるものとされた電流I/Nに加えて、高速ス
イッチングがなされるものとされ、かつ、1/Nに低減さ
れた信号電流i/Nが得られることになる。従って、この
例においては、信号源25の信号電流ｉに対するスイッチ
ング・アッテネータが構成されることになる。
Ｇ−４ 電流源の具体例及びその他（第４図） なお、上述の各例における電流源15は、例えば、第４図
に示される如く、電流Ｎ・Ｉを発生する電流発生部26
と、この電流発生部26と接地電位点との間に接続された
ダイオード接続されたNPNトランジスタ27と、電流発生
部26とトランジスタ27との間の接続点にベースが接続さ
れ、エミッタが接地されたNPNトランジスタ28とで構成
され、トランジスタ28のコレクタが、トランジスタ14の
エミッタに接続されるものとすることができる。
に示される如く、電流Ｎ・Ｉを発生する電流発生部26
と、この電流発生部26と接地電位点との間に接続された
ダイオード接続されたNPNトランジスタ27と、電流発生
部26とトランジスタ27との間の接続点にベースが接続さ
れ、エミッタが接地されたNPNトランジスタ28とで構成
され、トランジスタ28のコレクタが、トランジスタ14の
エミッタに接続されるものとすることができる。
また、上述の各例において、トランジスタ12及び13の夫
々のサイズを比較的大なるものとし、電流源11の電流値
を大となすことにより、トランジスタ14のベース電流の
影響をより一層低減することができる。
々のサイズを比較的大なるものとし、電流源11の電流値
を大となすことにより、トランジスタ14のベース電流の
影響をより一層低減することができる。
Ｈ 発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係るスイッチン
グ電流発生回路は、集積回路化に好適なものであり、し
かも、所定の電流源の電流に基づいて得られる微小な直
流電流を発生するとともに、その微小な直流電流を高速
でスイッチングする動作を行うことができ、従って、高
速スイッチングがなされる微小な電流出力が得られるも
のとなる。そのため、本発明に係るスイッチング電流発
生回路が、電流出力型トランジスタ増幅回路等を作動さ
せるための電流供給部を形成すべく用いられる場合に
は、電流出力型トランジスタ増幅回路等は、高速スイッ
チングがなされる微小な直流電流を受けることができ、
回路構成上の負担が軽減されることになる。
グ電流発生回路は、集積回路化に好適なものであり、し
かも、所定の電流源の電流に基づいて得られる微小な直
流電流を発生するとともに、その微小な直流電流を高速
でスイッチングする動作を行うことができ、従って、高
速スイッチングがなされる微小な電流出力が得られるも
のとなる。そのため、本発明に係るスイッチング電流発
生回路が、電流出力型トランジスタ増幅回路等を作動さ
せるための電流供給部を形成すべく用いられる場合に
は、電流出力型トランジスタ増幅回路等は、高速スイッ
チングがなされる微小な直流電流を受けることができ、
回路構成上の負担が軽減されることになる。
第１図は本発明に係るスイッチング電流発生回路の一例
を示す回路構成図、第２図は本発明に係るスイッチング
電流発生回路の他の例を示す回路構成図、第３図は本発
明に係るスイッチング電流発生回路のさらに他の例を示
す回路構成図、第４図は本発明に係るスイッチング電流
発生回路に用いられる電流源の具体例を示す回路構成図
である。 図中、11及び15は電流源、12及び13はダイオード接続さ
れたNPNトランジスタ、14、17及び18はNPNトランジス
タ、20及び23はPNPトランジスタ、25は信号源である。
を示す回路構成図、第２図は本発明に係るスイッチング
電流発生回路の他の例を示す回路構成図、第３図は本発
明に係るスイッチング電流発生回路のさらに他の例を示
す回路構成図、第４図は本発明に係るスイッチング電流
発生回路に用いられる電流源の具体例を示す回路構成図
である。 図中、11及び15は電流源、12及び13はダイオード接続さ
れたNPNトランジスタ、14、17及び18はNPNトランジス
タ、20及び23はPNPトランジスタ、25は信号源である。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の電流源と、 該第１の電流源と共通電位点との間に直列接続された２
個のPN接合素子と、 上記第１の電流源と上記直列接続された２個のPN接合素
子との間にベースが接続された第１のトランジスタと、 該第１のトランジスタのエミッタと共通電位点との間に
接続され、電流値が上記第１の電流源の電流値のＮ（Ｎ
は１より大なる正数）倍に相当するものに選定された第
２の電流源と、 上記第１のトランジスタのエミッタと上記第２の電流源
との間にベースが接続され、エミッタが共通電位点に接
続された第２のトランジスタと、 スイッチング信号に基づいて選択的に上記第２のトラン
ジスタのベース電位を低下させて該第２のトランジスタ
を遮断状態とするスイッチング手段と、 を備えて構成され、 上記第２のトランジスタのコレクタにスイッチングされ
る電流出力を得るスイッチング電流発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61064537A JPH0732336B2 (ja) | 1986-03-21 | 1986-03-21 | スイツチング電流発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61064537A JPH0732336B2 (ja) | 1986-03-21 | 1986-03-21 | スイツチング電流発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62220010A JPS62220010A (ja) | 1987-09-28 |
| JPH0732336B2 true JPH0732336B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=13261071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61064537A Expired - Fee Related JPH0732336B2 (ja) | 1986-03-21 | 1986-03-21 | スイツチング電流発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732336B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190085832A (ko) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 오므론 가부시키가이샤 | 출력 회로 및 출력 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19917863C1 (de) | 1999-04-20 | 2001-01-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Schaltung zum Verarbeiten eines Analogsignals und Bildsensor |
-
1986
- 1986-03-21 JP JP61064537A patent/JPH0732336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190085832A (ko) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 오므론 가부시키가이샤 | 출력 회로 및 출력 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62220010A (ja) | 1987-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |