JPH0666044B2 - 集積化電源装置 - Google Patents
集積化電源装置Info
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- JPH0666044B2 JPH0666044B2 JP56142720A JP14272081A JPH0666044B2 JP H0666044 B2 JPH0666044 B2 JP H0666044B2 JP 56142720 A JP56142720 A JP 56142720A JP 14272081 A JP14272081 A JP 14272081A JP H0666044 B2 JPH0666044 B2 JP H0666044B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は集積化した基準電圧源または基準電流源のごと
き電源装置に関し、特に、 （１） 零を含む任意の温度係数を有する基準電圧ある
いは基準電流源。
き電源装置に関し、特に、 （１） 零を含む任意の温度係数を有する基準電圧ある
いは基準電流源。
（２） きわめて低い電源電圧のもとで、その動作およ
び特性が保証された基準電圧あるいは基準電流源。
び特性が保証された基準電圧あるいは基準電流源。
（３） 零温度係数のもとで、きわめて広範囲の出力電
圧範囲あるいは出力電流範囲を有する基準電圧あるいは
基準電流源。
圧範囲あるいは出力電流範囲を有する基準電圧あるいは
基準電流源。
（４） 公知のバンドギャップ基準電圧源よりも狭いチ
ップ面積で零温度係数の基準電圧を発生することの出来
る基準電圧源。
ップ面積で零温度係数の基準電圧を発生することの出来
る基準電圧源。
を実現するのに有効なものである。
従来公知の、例えばR.J.WIDLAR“New Develop-ments in
IC Voltage Regulators" IEEE JOURNAL OF SOLID−STA
TE CIRCUITS,Vol.SC−6,No.1 pp 2−7,Feb.1971に記載
されたバンドギャップ基準電圧源回路は第１図に示す様
に、比較的簡単な回路構成で低電圧の出力電圧が得られ
るため、乾電池使用のポータブル機器などを始めとし
て、低電源電圧のもとで動作させる必要のある集積回路
の内部にしばしば用いられている。
IC Voltage Regulators" IEEE JOURNAL OF SOLID−STA
TE CIRCUITS,Vol.SC−6,No.1 pp 2−7,Feb.1971に記載
されたバンドギャップ基準電圧源回路は第１図に示す様
に、比較的簡単な回路構成で低電圧の出力電圧が得られ
るため、乾電池使用のポータブル機器などを始めとし
て、低電源電圧のもとで動作させる必要のある集積回路
の内部にしばしば用いられている。
第１図において、Ｂは電源端子、Ｘは出力端子、Ｇは共
通端子である。トランジスタ１のエミッタ面積Aeに対し
て、トランジスタ２のエミッタ面積はAeのＮ倍の広さを
有しているものとし、トランジスタ３のエミッタ面積は
Aeに等してものとし、前記トランジスタ１のコレクタの
出力端子Ｘの間に接続された抵抗４の抵抗値をR4,前記
トランジスタ２のコレクタ側に接続された抵抗５の抵抗
値をR5、同エミッタ側に接続された抵抗６の抵抗値を
R6,前記トランジスタ1,2,3のベース・エミッタ間順方向
電圧をそれぞれVBE1,VBE2,VBE3とし、それぞれのトラン
ジスタの直流電流増幅率は１よりも充分大きいものとす
ると、前記出力端子Ｘと共通端子Ｇの間に現われる出力
電圧VXは次式で与えられる。
通端子である。トランジスタ１のエミッタ面積Aeに対し
て、トランジスタ２のエミッタ面積はAeのＮ倍の広さを
有しているものとし、トランジスタ３のエミッタ面積は
Aeに等してものとし、前記トランジスタ１のコレクタの
出力端子Ｘの間に接続された抵抗４の抵抗値をR4,前記
トランジスタ２のコレクタ側に接続された抵抗５の抵抗
値をR5、同エミッタ側に接続された抵抗６の抵抗値を
R6,前記トランジスタ1,2,3のベース・エミッタ間順方向
電圧をそれぞれVBE1,VBE2,VBE3とし、それぞれのトラン
ジスタの直流電流増幅率は１よりも充分大きいものとす
ると、前記出力端子Ｘと共通端子Ｇの間に現われる出力
電圧VXは次式で与えられる。
VX＝I2R5＋VBE3 ……（１） ここで、I2は前記トランジスタ２のコレクタ電流で、 I2＝（VBE1−VBE2）／R6 ……（２） また、前記トランジスタ1,3のコレクタ電流をそれぞれI
1,I3とすると、 ただし、ｈはボルツマン定数,gは電子の電荷で、それぞ
れ、 ｈ＝1.38×10-23 joule／゜Ｋ ｇ＝1.602×10-19 coulmb である。
1,I3とすると、 ただし、ｈはボルツマン定数,gは電子の電荷で、それぞ
れ、 ｈ＝1.38×10-23 joule／゜Ｋ ｇ＝1.602×10-19 coulmb である。
また、Ｔは接合部の絶対温度（゜Ｋ）で、I0は単位面積
あたりの逆方向飽和電流である。
あたりの逆方向飽和電流である。
いま、R4とR5がほぼ等しく、I1＝I2が成立しているもの
とすると、 前記（１）式，（５）式，（６）式より、 第１図において、トランジスタ３のコレクタ電流I3はト
ランジスタ7,8,9と抵抗10,11,12によって構成されたカ
レントミラー回路より供給され、前記トランジスタ７の
ベース・エミッタ間順方向電圧がほぼ、−3000ppmの温
度係数を有し、前記抵抗10の抵抗値は通常のICではほぼ
＋2000ppmの温度係数を有しているので、出力電圧が約
1.2Vで、温度係数がかなり小さい領域においては、前記
コレクタ電流I3はほぼ、＋1000ppmの温度係数を有する
ことになる。
とすると、 前記（１）式，（５）式，（６）式より、 第１図において、トランジスタ３のコレクタ電流I3はト
ランジスタ7,8,9と抵抗10,11,12によって構成されたカ
レントミラー回路より供給され、前記トランジスタ７の
ベース・エミッタ間順方向電圧がほぼ、−3000ppmの温
度係数を有し、前記抵抗10の抵抗値は通常のICではほぼ
＋2000ppmの温度係数を有しているので、出力電圧が約
1.2Vで、温度係数がかなり小さい領域においては、前記
コレクタ電流I3はほぼ、＋1000ppmの温度係数を有する
ことになる。
一方、単位面積あたりの逆方向飽和電流I0は温度によっ
て大きく変化し、 実際例として、エミッタ面積400〔μｍ〕２のトランジ
スタのエミッタ電流が100μA,接合温度が19℃のときのV
BE値は660mVであった場合、これをもとにして（５）
式，（８）式からγを算出すると、 γ＝2.92×103 となる。したがって、接合部温度Tj（℃）の中心値を50
℃に設定したとき、前記接合部温度Tjと出力電圧Vxの関
係は次式で与えられる。
て大きく変化し、 実際例として、エミッタ面積400〔μｍ〕２のトランジ
スタのエミッタ電流が100μA,接合温度が19℃のときのV
BE値は660mVであった場合、これをもとにして（５）
式，（８）式からγを算出すると、 γ＝2.92×103 となる。したがって、接合部温度Tj（℃）の中心値を50
℃に設定したとき、前記接合部温度Tjと出力電圧Vxの関
係は次式で与えられる。
第２図は、トランジスタ２のエミッタ２のエミッタ面積
をトランジスタ１のエミッタ面積の10倍に設定し、抵抗
５の抵抗値を抵抗６の抵抗値の10.5倍に設定し、トラン
ジスタ１および３のエミッタサイズを20ミクロン平方に
して、さらにトランジスタ３のコレクタ電流I3を200μ
Ａにした場合の出力電圧Vxの変化ΔVxをプロットしたも
のであり、接合部温度Tjが−20〜＋150℃の間で変化し
ても、出力電圧の変化は0.2％以内であることがわか
る。
をトランジスタ１のエミッタ面積の10倍に設定し、抵抗
５の抵抗値を抵抗６の抵抗値の10.5倍に設定し、トラン
ジスタ１および３のエミッタサイズを20ミクロン平方に
して、さらにトランジスタ３のコレクタ電流I3を200μ
Ａにした場合の出力電圧Vxの変化ΔVxをプロットしたも
のであり、接合部温度Tjが−20〜＋150℃の間で変化し
ても、出力電圧の変化は0.2％以内であることがわか
る。
なお、このときの出力電圧Vxは1.28Vであり、これより
も大きな基準電圧が必要な場合や、反対に低電圧の基準
電圧が必要な場合にはカレントミラー回路などを用いて
出力電圧を零温度係数のまま昇圧したり，降圧する必要
があった。
も大きな基準電圧が必要な場合や、反対に低電圧の基準
電圧が必要な場合にはカレントミラー回路などを用いて
出力電圧を零温度係数のまま昇圧したり，降圧する必要
があった。
また、前記計算例では、トランジスタ２のエミッタ面積
をトランジスタ１のエミッタ面積の10倍に設定したが、
一般に、この種のバドギャップ基準電圧源回路では、ト
ランジスタ２のエミッタ面積をトランジスタ１のエミッ
タ面積に比べて充分広く設定しておいて、さらに抵抗６
の抵抗値に比べて抵抗4,5の抵抗値をかなり大きく設定
しないと期待する特性を得ることが出来ない。
をトランジスタ１のエミッタ面積の10倍に設定したが、
一般に、この種のバドギャップ基準電圧源回路では、ト
ランジスタ２のエミッタ面積をトランジスタ１のエミッ
タ面積に比べて充分広く設定しておいて、さらに抵抗６
の抵抗値に比べて抵抗4,5の抵抗値をかなり大きく設定
しないと期待する特性を得ることが出来ない。
すなわち、第１図の回路はその構成だけをみれば比較的
簡単であるが、実際のIC設計に際してはかなりのチップ
面積を占有し、問題が多かった。
簡単であるが、実際のIC設計に際してはかなりのチップ
面積を占有し、問題が多かった。
さらに、バンドギャップ基準電圧源回路の零温度係数の
もとでの出力電圧は約1.2Vであるため、例えば、第１図
の回路では、プラス側供電端子Ｂの電圧が2V以下になる
と満足な特性が得られなくなり、特に乾電池を２個用い
て、定格電圧が3Vで使用される装置においては、電池電
圧が2Vまで降下した時点で、その乾電池が使用不能にな
ってしまうので、資源の節約と言う点からも、もっと低
い電圧まで安定に動作する基準電圧源の出現が切望され
ていた。
もとでの出力電圧は約1.2Vであるため、例えば、第１図
の回路では、プラス側供電端子Ｂの電圧が2V以下になる
と満足な特性が得られなくなり、特に乾電池を２個用い
て、定格電圧が3Vで使用される装置においては、電池電
圧が2Vまで降下した時点で、その乾電池が使用不能にな
ってしまうので、資源の節約と言う点からも、もっと低
い電圧まで安定に動作する基準電圧源の出現が切望され
ていた。
本発明は以上の様な問題を解消するものである。
第３図は本発明の一実施例である集積化基準電圧・電流
源回路の回路結線図を示したものである。同図におい
て、トランジスタ13のベースとコレクタ間、およびベー
スとエミッタ間にはそれぞれ抵抗14,抵抗15が接続さ
れ、同トランジスタ13のコレクタにはトランジスタ16の
ベースが接続されている。トランジスタ16のエミッタは
抵抗17を介して前記トランジスタ13のエミッタに接続さ
れ、前記トランジスタ13のエミッタは共通端子Ｇにも接
続されている。
源回路の回路結線図を示したものである。同図におい
て、トランジスタ13のベースとコレクタ間、およびベー
スとエミッタ間にはそれぞれ抵抗14,抵抗15が接続さ
れ、同トランジスタ13のコレクタにはトランジスタ16の
ベースが接続されている。トランジスタ16のエミッタは
抵抗17を介して前記トランジスタ13のエミッタに接続さ
れ、前記トランジスタ13のエミッタは共通端子Ｇにも接
続されている。
一方、トランジスタ18,19,20と抵抗21,22,23,24によっ
て、前記トランジスタ16のコレクタ電流を前記トランジ
スタ18によって受電するカレントミラー回路100が構成
され、前記トランジスタ13のコレクタには前記カレント
ミラー回路100を構成するトランジスタ19のコレクタか
ら定電流を供給する様に接続されている。
て、前記トランジスタ16のコレクタ電流を前記トランジ
スタ18によって受電するカレントミラー回路100が構成
され、前記トランジスタ13のコレクタには前記カレント
ミラー回路100を構成するトランジスタ19のコレクタか
ら定電流を供給する様に接続されている。
また、前記トランジスタ20のコレクタ電流を前記抵抗24
を供給して、前記抵抗24の両端に出力電圧を発生する様
に構成されている。
を供給して、前記抵抗24の両端に出力電圧を発生する様
に構成されている。
さて、動作の説明を簡単にするために、抵抗17の抵抗値
R17と抵抗24の抵抗値R24が等しく、抵抗21の抵抗値と抵
抗23の抵抗値とが等しいものとすると、出力端子Ｘと共
通端子Ｇの間に現われる出力電圧Vxは前記抵抗17の両端
に現われる電圧と等しくなる。
R17と抵抗24の抵抗値R24が等しく、抵抗21の抵抗値と抵
抗23の抵抗値とが等しいものとすると、出力端子Ｘと共
通端子Ｇの間に現われる出力電圧Vxは前記抵抗17の両端
に現われる電圧と等しくなる。
すなわち、トランジスタ13,16のベース・エミッタ間順
方向電圧をそれぞれVBE13,VBE16とし、抵抗14,15,17の
抵抗値をそれぞれR14,R15,R17としたとき、出力電圧Vx
は次式で与えられる。
方向電圧をそれぞれVBE13,VBE16とし、抵抗14,15,17の
抵抗値をそれぞれR14,R15,R17としたとき、出力電圧Vx
は次式で与えられる。
また、前記トランジスタ13のエミッタ面積がAeで、前記
トランジスタ16のエミッタ面積はそのＮ倍の広さである
とし、前記トランジスタ13,16のエミッタ電流（コレク
タ電流に等しいものとする。）をそれぞれI13,I16とす
ると、 となる。ところで、 I16＝Vx／R17 ……（13） であるから、トランジスタ16のコレクタ電流の温度変化
は出力電圧Vxの温度係数がきわめて小さい領域において
は抵抗17の抵抗値の温度係数に依存する。
トランジスタ16のエミッタ面積はそのＮ倍の広さである
とし、前記トランジスタ13,16のエミッタ電流（コレク
タ電流に等しいものとする。）をそれぞれI13,I16とす
ると、 となる。ところで、 I16＝Vx／R17 ……（13） であるから、トランジスタ16のコレクタ電流の温度変化
は出力電圧Vxの温度係数がきわめて小さい領域において
は抵抗17の抵抗値の温度係数に依存する。
また、抵抗21,22の抵抗値をそれぞれR21,R22とし、トラ
ンジスタ19のコレクタ電流をI19とすると、 となる。各抵抗の抵抗値の温度係数が、＋2000ppmであ
り、トランジスタ13のベース・エミッタ間順方向電圧の
温度係数は、−3000ppmであることを考慮し、接合部温
度Tjが50℃のときのトランジスタ16のエミッタ電流I16
の基準値を▲Ｉ※ 16▼，抵抗14および抵抗15の直列回路
に流れるブリーダ電流の基準値を▲Ｉ※ Ｂ▼とすると、
各電流の温度変化は次式によって与えられる。
ンジスタ19のコレクタ電流をI19とすると、 となる。各抵抗の抵抗値の温度係数が、＋2000ppmであ
り、トランジスタ13のベース・エミッタ間順方向電圧の
温度係数は、−3000ppmであることを考慮し、接合部温
度Tjが50℃のときのトランジスタ16のエミッタ電流I16
の基準値を▲Ｉ※ 16▼，抵抗14および抵抗15の直列回路
に流れるブリーダ電流の基準値を▲Ｉ※ Ｂ▼とすると、
各電流の温度変化は次式によって与えられる。
前記（10）式〜（12）式，（16）式，（17）式と前記
（８）式より、接合部温度Tjと出力電圧Vxの関係式は次
式で与えられる。
（８）式より、接合部温度Tjと出力電圧Vxの関係式は次
式で与えられる。
前記（18）式において、対数項の中のI13／AeをI16／Ｎ
・Aeよりも大きくすることによって、出力電圧Vxの温度
係数を零に近づけることが出来る。
・Aeよりも大きくすることによって、出力電圧Vxの温度
係数を零に近づけることが出来る。
すなわち、第３図の回路において、トランジスタ13のエ
ミッタ電流密度をトランジスタ16のエミッタ電流密度よ
りも高くすることによって零温度係数を達成することが
出来、具体的には、抵抗21と抵抗22の抵抗比率を適当に
設定したり、トランジスタ13とトランジスタ16の面積比
を適当に選定することにより実現される。
ミッタ電流密度をトランジスタ16のエミッタ電流密度よ
りも高くすることによって零温度係数を達成することが
出来、具体的には、抵抗21と抵抗22の抵抗比率を適当に
設定したり、トランジスタ13とトランジスタ16の面積比
を適当に選定することにより実現される。
第４図はトランジスタ13のエミッタ面積を20ミクロン平
方にするとともにトランジスタ16のエミッタ面積はその
２倍に設定し、抵抗15の抵抗値を抵抗14の抵抗値の10.3
倍に設定し、前記トランジスタ16のエミッタ電流を120
μＡ（抵抗17の抵抗値R17が1KΩ）にするとともにカレ
ントミラー回路100におけるトランジスタ18とトランジ
スタ19の電流比を１対５、すなわちトランジスタ18によ
る受電電流に対するトランジスタ19からの出力電流のミ
ラー比を５に設定し（抵抗21の抵抗値がR21が1KΩで、
抵抗22の抵抗値が200Ω）、さらに▲Ｉ※ Ｂ▼を100μＡ
（抵抗15の抵抗値R15は約6KΩで、抵抗14の抵抗値R14は
約580Ωとなる。）に設定した場合の出力電圧Vxの変化
ΔVxをプロットしたもので、第１図の回路では出力電圧
の温度特性が直線ではないために、温度変化を0.2％程
度にするのが限界であったのに対し、第２図の回路では
温度変化をさらに小さく出来ることがわかる。
方にするとともにトランジスタ16のエミッタ面積はその
２倍に設定し、抵抗15の抵抗値を抵抗14の抵抗値の10.3
倍に設定し、前記トランジスタ16のエミッタ電流を120
μＡ（抵抗17の抵抗値R17が1KΩ）にするとともにカレ
ントミラー回路100におけるトランジスタ18とトランジ
スタ19の電流比を１対５、すなわちトランジスタ18によ
る受電電流に対するトランジスタ19からの出力電流のミ
ラー比を５に設定し（抵抗21の抵抗値がR21が1KΩで、
抵抗22の抵抗値が200Ω）、さらに▲Ｉ※ Ｂ▼を100μＡ
（抵抗15の抵抗値R15は約6KΩで、抵抗14の抵抗値R14は
約580Ωとなる。）に設定した場合の出力電圧Vxの変化
ΔVxをプロットしたもので、第１図の回路では出力電圧
の温度特性が直線ではないために、温度変化を0.2％程
度にするのが限界であったのに対し、第２図の回路では
温度変化をさらに小さく出来ることがわかる。
なお、このときの出力電圧Vxは0.12Vとなるが、この値
は抵抗21と抵抗23の抵抗比、あるいは抵抗23と抵抗24の
抵抗比を変えることにより、零温度係数のままで、任意
の値に自由に設定出来ることは言うまでもない。
は抵抗21と抵抗23の抵抗比、あるいは抵抗23と抵抗24の
抵抗比を変えることにより、零温度係数のままで、任意
の値に自由に設定出来ることは言うまでもない。
また、抵抗14と抵抗15の抵抗比やトランジスタ13とトラ
ジスタ16の電流比を適当に設定することによって、＋30
00ppmから−3000ppmの間の任意の温度係数を有する出力
電圧を得ることも可能である。
ジスタ16の電流比を適当に設定することによって、＋30
00ppmから−3000ppmの間の任意の温度係数を有する出力
電圧を得ることも可能である。
ICチップ上に占める回路面積という観点から第１図の回
路と第３図の回路とを比較してみると、抵抗数は同じで
あるが、PNPトランジスタが１個減少し、NPNトランジス
タは２個減少し、さらに第１図のトラジスタ２の面積は
トランジスタ１の面積の10倍であるのに対して、第３図
のトランジスタ16の面積はトランジスタ13の面積の２倍
にしかならないため、第３図の回路の占有面積は第１図
の回路の半分近くにまで減少する。
路と第３図の回路とを比較してみると、抵抗数は同じで
あるが、PNPトランジスタが１個減少し、NPNトランジス
タは２個減少し、さらに第１図のトラジスタ２の面積は
トランジスタ１の面積の10倍であるのに対して、第３図
のトランジスタ16の面積はトランジスタ13の面積の２倍
にしかならないため、第３図の回路の占有面積は第１図
の回路の半分近くにまで減少する。
さらに、動作限界電圧について考えてみると、例えば第
３図のトラジスタ13のコレクタ・エミッタ電圧が0.7V程
度になる様に設定しておけば、カウントミラー回路100
でのドロップ電圧が0.8V必要ぜあるとしても、1.5Vの電
源電圧まで安定な動作を期待することが出来る。
３図のトラジスタ13のコレクタ・エミッタ電圧が0.7V程
度になる様に設定しておけば、カウントミラー回路100
でのドロップ電圧が0.8V必要ぜあるとしても、1.5Vの電
源電圧まで安定な動作を期待することが出来る。
このように本発明の集積化電源装置は従来のバンドギャ
ップ基準電圧源回路に比べてあらゆる面で優れている
が、その実施形態は必らずしも第３図の回路に限定され
るものではなく、そのはか、第５図乃至第７図に示すご
とき構成も本発明に含まれる。例えば、第５図において
は出力電圧を抵抗17の両端から直接取り出す様に構成し
ており、この場合には回路構成はさらに簡単になる。
ップ基準電圧源回路に比べてあらゆる面で優れている
が、その実施形態は必らずしも第３図の回路に限定され
るものではなく、そのはか、第５図乃至第７図に示すご
とき構成も本発明に含まれる。例えば、第５図において
は出力電圧を抵抗17の両端から直接取り出す様に構成し
ており、この場合には回路構成はさらに簡単になる。
また、第６図の実施例では、出力電圧ではなく出力電流
をトランジスタ25の第２コレクタから取り出すようにし
ており、トランジスタ13とトランジスタ25にはトラジス
タ26から電流が供給されている。
をトランジスタ25の第２コレクタから取り出すようにし
ており、トランジスタ13とトランジスタ25にはトラジス
タ26から電流が供給されている。
なお、第７図は第３図の回路に抵抗27,28とトランジス
タ29,30からなる起動回路を付加した例を示したもので
ある。
タ29,30からなる起動回路を付加した例を示したもので
ある。
すなわち、第１図の回路も同様であるが、第３図の回路
は自己遮断型の回路であるので、あらかじめカレントミ
ラー回路100に何らかの手段によって起動電流を流して
やらないと起動しないのでトランジスタが起動スイッチ
として作動する様に構成されている。
は自己遮断型の回路であるので、あらかじめカレントミ
ラー回路100に何らかの手段によって起動電流を流して
やらないと起動しないのでトランジスタが起動スイッチ
として作動する様に構成されている。
トランジスタ13のコレクタとエミッタ間に別の電流供給
手段（例えば別に構成されたカレントミラー回路など）
から電流を供給する場合には起動回路は必要としない。
手段（例えば別に構成されたカレントミラー回路など）
から電流を供給する場合には起動回路は必要としない。
以上のように、本発明の集積化電源装置は、ベースとコ
レクタ間に第１の抵抗14が接続され、ベースとエミッタ
間に前記第１の抵抗よりも抵抗値の大きい第２の抵抗15
が接続された第１のトランジスタ13と、前記第１のトラ
ンジスタのコレクタ電位がベースに与えられ、エミッタ
が第３の抵抗17を介して前記第１のトランジスタのエミ
ッタに接続され、エミッタ面積が前記第１のトランジス
タよりも大きい第２のトランジスタ16と、前記第２のト
ランジスタのコレクタ電流を受電して１よりも大きなミ
ラー比で前記第１のトランジスタのコレクタにバイアス
電流を供給するカレントミラー回路100を備え、前記第
２のトランジスタのエミッタあるいはコレクタから基準
電圧出力もしくは基準電流出力を取り出すように構成し
たことにより、低電圧動作と優れた温度特性を実現して
おり、さらには、本願第１図に示された有名な公知のバ
ンドギャップ基準電圧電源回路では、トランジスタ２の
エミッタ面積はトランジスタ１に対して10倍もの大きさ
に設定しなければならず、ICのチップサイズを大きくす
るだけでなく、トランジスタ１とトランジスタ２は単位
面積あたりの物理特性を同一に揃える必要があるので、
ICレイアウト作業がきわめて難しいものになるが、本発
明の例えば第３図の回路では、トランジスタ16の面積は
トランジスタ13の面積の２倍にしかならないなど、容易
な構成を可能にするものである。
レクタ間に第１の抵抗14が接続され、ベースとエミッタ
間に前記第１の抵抗よりも抵抗値の大きい第２の抵抗15
が接続された第１のトランジスタ13と、前記第１のトラ
ンジスタのコレクタ電位がベースに与えられ、エミッタ
が第３の抵抗17を介して前記第１のトランジスタのエミ
ッタに接続され、エミッタ面積が前記第１のトランジス
タよりも大きい第２のトランジスタ16と、前記第２のト
ランジスタのコレクタ電流を受電して１よりも大きなミ
ラー比で前記第１のトランジスタのコレクタにバイアス
電流を供給するカレントミラー回路100を備え、前記第
２のトランジスタのエミッタあるいはコレクタから基準
電圧出力もしくは基準電流出力を取り出すように構成し
たことにより、低電圧動作と優れた温度特性を実現して
おり、さらには、本願第１図に示された有名な公知のバ
ンドギャップ基準電圧電源回路では、トランジスタ２の
エミッタ面積はトランジスタ１に対して10倍もの大きさ
に設定しなければならず、ICのチップサイズを大きくす
るだけでなく、トランジスタ１とトランジスタ２は単位
面積あたりの物理特性を同一に揃える必要があるので、
ICレイアウト作業がきわめて難しいものになるが、本発
明の例えば第３図の回路では、トランジスタ16の面積は
トランジスタ13の面積の２倍にしかならないなど、容易
な構成を可能にするものである。
第１図は従来例を示す回路結線図、第２図はその出力電
圧の温度特性図、第３図は本発明の一実施例である集積
化基準電圧・電流源回路の回路結線図、第４図はその出
力電圧の温度特性図、第５図，第６図，第７図はいずれ
も本発明の別の実施例の回路結線図である。 13,16,18,19,20,25,26,29,30……トランジスタ、14,15,
17,21,22,23,24,27,28……抵抗、Ｂ……電源端子、Ｘ…
…出力端子、Ｇ……共通端子。
圧の温度特性図、第３図は本発明の一実施例である集積
化基準電圧・電流源回路の回路結線図、第４図はその出
力電圧の温度特性図、第５図，第６図，第７図はいずれ
も本発明の別の実施例の回路結線図である。 13,16,18,19,20,25,26,29,30……トランジスタ、14,15,
17,21,22,23,24,27,28……抵抗、Ｂ……電源端子、Ｘ…
…出力端子、Ｇ……共通端子。
Claims (1)
- 【請求項１】ベースとコレクタ間に第１の抵抗が接続さ
れ、ベースとエミッタ間に前記第１の抵抗よりも抵抗値
の大きい第２の抵抗が接続された第１のトランジスタ
と、前記第１のトランジスタのコレクタ電位がベースに
与えられ、エミッタが第３の抵抗を介して前記第１のト
ランジスタのエミッタに接続され、エミッタ面積が前記
第１のトランジスタよりも大きい第２のトランジスタ
と、前記第２のトランジスタのコレクタ電流を受電して
１よりも大きなミラー比で前記第１のトランジスタのコ
レクタにバイアス電流を供給するカレントミラー回路を
備え、前記第２のトランジスタのエミッタあるいはコレ
クタから基準電圧出力もしくは基準電流出力を取り出す
ように構成したことを特徴とする集積化電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142720A JPH0666044B2 (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 集積化電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142720A JPH0666044B2 (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 集積化電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846837A JPS5846837A (ja) | 1983-03-18 |
| JPH0666044B2 true JPH0666044B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=15322003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142720A Expired - Lifetime JPH0666044B2 (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 集積化電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666044B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139879A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 直流モ−タの速度制御装置 |
| JPS63158773A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-01 | 山一電機工業株式会社 | コネクタ組立体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50343A (ja) * | 1973-05-07 | 1975-01-06 |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP56142720A patent/JPH0666044B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5846837A (ja) | 1983-03-18 |
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