JPH05206755A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
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- JPH05206755A JPH05206755A JP4038521A JP3852192A JPH05206755A JP H05206755 A JPH05206755 A JP H05206755A JP 4038521 A JP4038521 A JP 4038521A JP 3852192 A JP3852192 A JP 3852192A JP H05206755 A JPH05206755 A JP H05206755A
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- transistor
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
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- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路規模が小さく、かつ、温度特性が良好な
基準電圧発生回路を提供する。 【構成】 Ｑ１とＱ２はエミッタ面積比がＱ１：Ｑ２＝
１：Ｋ1 であるので、両者のベース・エミッタ間電圧は
異なる。Ｑ３とＱ４はカレントミラー回路を構成し、両
者のエミッタ面積比はＱ３：Ｑ４＝Ｋ2 ：１である。つ
まり、Ｑ１とＱ２はＫ2 ：１の電流比で駆動される。Ｖ
REF は、ＶREF ＝ＶBE1 ＋（Ｒ１／Ｒ２）（ｋＴ／ｑ）
ln（Ｋ1 Ｋ2)となり、ＶREF の温度特性はほぼ零とな
る。そして、ＶBE1 の温度特性の直線性が良好であるの
で、この出力基準電圧ＶREF の温度特性のずれは非常に
小さくなる。
基準電圧発生回路を提供する。 【構成】 Ｑ１とＱ２はエミッタ面積比がＱ１：Ｑ２＝
１：Ｋ1 であるので、両者のベース・エミッタ間電圧は
異なる。Ｑ３とＱ４はカレントミラー回路を構成し、両
者のエミッタ面積比はＱ３：Ｑ４＝Ｋ2 ：１である。つ
まり、Ｑ１とＱ２はＫ2 ：１の電流比で駆動される。Ｖ
REF は、ＶREF ＝ＶBE1 ＋（Ｒ１／Ｒ２）（ｋＴ／ｑ）
ln（Ｋ1 Ｋ2)となり、ＶREF の温度特性はほぼ零とな
る。そして、ＶBE1 の温度特性の直線性が良好であるの
で、この出力基準電圧ＶREF の温度特性のずれは非常に
小さくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、定電圧回路において基
準電圧の発生に用いられ基準電圧発生回路に係り、特に
バイポーラトランジスタで構成される基準電圧発生回路
に関する。
準電圧の発生に用いられ基準電圧発生回路に係り、特に
バイポーラトランジスタで構成される基準電圧発生回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタで構成される基
準電圧発生回路は、従来、ワイドラー（Widlar）の提案
に係るWidlar bandgap voltage reference（図７）が有
名であり、実用に供されている。以下を図７を参照して
概要を説明する。
準電圧発生回路は、従来、ワイドラー（Widlar）の提案
に係るWidlar bandgap voltage reference（図７）が有
名であり、実用に供されている。以下を図７を参照して
概要を説明する。
【０００３】図７において、トランジスタＱ７３のベー
ス・エミッタ間電圧をＶBE、トランジスタＱ７１と同Ｑ
７２のＶBEの差電圧をΔＶBEとすると、この基準電圧発
生回路の出力電圧ＶREF は、数式１で表せる。なお、差
電圧ΔＶBEは、ボルツマン定数ｋ、絶対温度Ｔ、単位電
子電荷ｑ、トランジスタＱ７１の電流密度Ｊ1 、トラン
ジスタＱ７２の電流密度Ｊ2 を用いて数式２と表せる。
ス・エミッタ間電圧をＶBE、トランジスタＱ７１と同Ｑ
７２のＶBEの差電圧をΔＶBEとすると、この基準電圧発
生回路の出力電圧ＶREF は、数式１で表せる。なお、差
電圧ΔＶBEは、ボルツマン定数ｋ、絶対温度Ｔ、単位電
子電荷ｑ、トランジスタＱ７１の電流密度Ｊ1 、トラン
ジスタＱ７２の電流密度Ｊ2 を用いて数式２と表せる。
【０００４】
【数１】
【０００５】
【数２】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の基準電
圧発生回路では、定電流源Ｉと制御トランジスタＱ７３
を必要としているので、回路規模が大きくなりがちであ
る。また、トランジスタの電流密度比が温度で変化する
ので、図８に示すように、出力基準電圧ＶREF は温度特
性を持つ、等の問題がある。
圧発生回路では、定電流源Ｉと制御トランジスタＱ７３
を必要としているので、回路規模が大きくなりがちであ
る。また、トランジスタの電流密度比が温度で変化する
ので、図８に示すように、出力基準電圧ＶREF は温度特
性を持つ、等の問題がある。
【０００７】本発明の目的は、回路規模を小さくでき、
かつ、温度特性の優れた基準電圧発生回路を提供するこ
とにある。
かつ、温度特性の優れた基準電圧発生回路を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の基準電圧発生回路は次の如き構成を有す
る。即ち、第１発明の基準電圧発生回路は、エミッタ面
積が異なる２つのバイポーラトランジスタと； 前記２
つのバイポーラトランジスタのそれぞれを異なる電流値
で駆動するカレントミラー回路と； を備え、前記２つ
のバイポーラトランジスタの相互間では一方のトランジ
スタのコレクタと他方のトランジスタのベースとが共通
接続されると共に； 一方のトランジスタは、ベースが
第１の抵抗を介して前記カレントミラー回路の一方の電
流出力端に接続され、コレクタが第２の抵抗を介してベ
ースに接続され； 他方のトランジスタは、コレクタが
前記カレントミラー回路の他方の電流出力端に接続さ
れ； 出力端子を前記第１の抵抗と前記カレントミラー
回路の一方の電流出力端との接続端に設けてある； こ
とを特徴とするものである。
に、本発明の基準電圧発生回路は次の如き構成を有す
る。即ち、第１発明の基準電圧発生回路は、エミッタ面
積が異なる２つのバイポーラトランジスタと； 前記２
つのバイポーラトランジスタのそれぞれを異なる電流値
で駆動するカレントミラー回路と； を備え、前記２つ
のバイポーラトランジスタの相互間では一方のトランジ
スタのコレクタと他方のトランジスタのベースとが共通
接続されると共に； 一方のトランジスタは、ベースが
第１の抵抗を介して前記カレントミラー回路の一方の電
流出力端に接続され、コレクタが第２の抵抗を介してベ
ースに接続され； 他方のトランジスタは、コレクタが
前記カレントミラー回路の他方の電流出力端に接続さ
れ； 出力端子を前記第１の抵抗と前記カレントミラー
回路の一方の電流出力端との接続端に設けてある； こ
とを特徴とするものである。
【０００９】また、第２発明の基準電圧発生回路は、エ
ミッタ面積が異なる２つのバイポーラトランジスタと；
前記２つのバイポーラトランジスタのそれぞれを異な
る電流値で駆動するカレントミラー回路と； を備え、
前記２つのバイポーラトランジスタの相互間では一方の
トランジスタのコレクタと他方のトランジスタのベース
とが共通接続されると共に； 一方のトランジスタは、
ベースが第１の抵抗を介して前記カレントミラー回路の
一方の電流出力端に接続され、コレクタが直接ベースに
接続され； 他方のトランジスタは、エミッタに第３の
抵抗が設けられ、コレクタが前記カレントミラー回路の
他方の電流出力端に接続され； 出力端子を前記第１の
抵抗と前記カレントミラー回路の一方の電流出力端との
接続端に設けてある； ことを特徴とするものである。
ミッタ面積が異なる２つのバイポーラトランジスタと；
前記２つのバイポーラトランジスタのそれぞれを異な
る電流値で駆動するカレントミラー回路と； を備え、
前記２つのバイポーラトランジスタの相互間では一方の
トランジスタのコレクタと他方のトランジスタのベース
とが共通接続されると共に； 一方のトランジスタは、
ベースが第１の抵抗を介して前記カレントミラー回路の
一方の電流出力端に接続され、コレクタが直接ベースに
接続され； 他方のトランジスタは、エミッタに第３の
抵抗が設けられ、コレクタが前記カレントミラー回路の
他方の電流出力端に接続され； 出力端子を前記第１の
抵抗と前記カレントミラー回路の一方の電流出力端との
接続端に設けてある； ことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】次に、前記の如く構成される本発明の基準電圧
発生回路の作用を説明する。本発明では、エミッタ面積
が異なる、つまり、ベース・エミッタ間電圧を異ならせ
た２つのバイポーラトランジスタのそれぞれを異なる電
流値で駆動する。その結果、回路規模を小さくでき、か
つ、温度特性を良好にできる。
発生回路の作用を説明する。本発明では、エミッタ面積
が異なる、つまり、ベース・エミッタ間電圧を異ならせ
た２つのバイポーラトランジスタのそれぞれを異なる電
流値で駆動する。その結果、回路規模を小さくでき、か
つ、温度特性を良好にできる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１実施例に係る基準電圧発生
回路を示す。図１において、この基準電圧発生回路は、
接地側に設けられる２個のｎｐｎバイポーラトランジス
タ（Ｑ１、Ｑ２）と、直流電源ＶCC側に設けられる２個
のｎｐｎバイポーラトランジスタ（Ｑ３、Ｑ４）とで基
本的に構成される。図７の従来例回路に比べ回路が大幅
に簡略化されるのである。
する。図１は、本発明の第１実施例に係る基準電圧発生
回路を示す。図１において、この基準電圧発生回路は、
接地側に設けられる２個のｎｐｎバイポーラトランジス
タ（Ｑ１、Ｑ２）と、直流電源ＶCC側に設けられる２個
のｎｐｎバイポーラトランジスタ（Ｑ３、Ｑ４）とで基
本的に構成される。図７の従来例回路に比べ回路が大幅
に簡略化されるのである。
【００１２】Ｑ１とＱ２は、エミッタ面積が異なるもの
で、その比はＱ１：Ｑ２＝１：Ｋ1である。Ｑ１のコレ
クタとＱ２のベースとは共通接続される。そして、Ｑ１
は、エミッタが直接接地され、ベースが（第１の）抵抗
Ｒ１を介してＱ３のコレクタに接続され、コレクタが
（第２の）抵抗Ｒ２を介して抵抗Ｒ１に接続される。つ
まり、ベースとコレクタ間は抵抗Ｒ２を介して接続さ
れ、コレクタは抵抗Ｒ２と同Ｒ１の直列回路を介してＱ
３のコレクタに接続される。また、Ｑ２は、エミッタが
直接接地され、コレクタがＱ４のコレクタに接続され
る。そして、抵抗Ｒ１とＱ３のコレクタとの接続端に出
力端子が設けられ、ここから出力基準電圧たるＶREF が
取り出される。
で、その比はＱ１：Ｑ２＝１：Ｋ1である。Ｑ１のコレ
クタとＱ２のベースとは共通接続される。そして、Ｑ１
は、エミッタが直接接地され、ベースが（第１の）抵抗
Ｒ１を介してＱ３のコレクタに接続され、コレクタが
（第２の）抵抗Ｒ２を介して抵抗Ｒ１に接続される。つ
まり、ベースとコレクタ間は抵抗Ｒ２を介して接続さ
れ、コレクタは抵抗Ｒ２と同Ｒ１の直列回路を介してＱ
３のコレクタに接続される。また、Ｑ２は、エミッタが
直接接地され、コレクタがＱ４のコレクタに接続され
る。そして、抵抗Ｒ１とＱ３のコレクタとの接続端に出
力端子が設けられ、ここから出力基準電圧たるＶREF が
取り出される。
【００１３】また、Ｑ３とＱ４はエミッタ面積が異なる
もので、その比はＱ３：Ｑ４＝Ｋ2：１である。両者は
エミッタが直流電源ＶCCに共通接続され、ベース同士が
共通接続される。そして、Ｑ４ではベースとコレクタが
直接接続される。要するに、Ｑ３とＱ４は、周知のカレ
ントミラー回路を構成し、Ｋ2 ：１の電流比でＱ１とＱ
２を駆動するのである。
もので、その比はＱ３：Ｑ４＝Ｋ2：１である。両者は
エミッタが直流電源ＶCCに共通接続され、ベース同士が
共通接続される。そして、Ｑ４ではベースとコレクタが
直接接続される。要するに、Ｑ３とＱ４は、周知のカレ
ントミラー回路を構成し、Ｋ2 ：１の電流比でＱ１とＱ
２を駆動するのである。
【００１４】次に、図１において、Ｑ１のコレクタに接
続される抵抗Ｒ２を省略し、つまり、Ｑ１のベースとコ
レクタとを直接接続し、その抵抗Ｒ２を第３の抵抗とし
てＱ２のエミッタとアース間に移設しても良い。即ち、
図２の構成とするのである。
続される抵抗Ｒ２を省略し、つまり、Ｑ１のベースとコ
レクタとを直接接続し、その抵抗Ｒ２を第３の抵抗とし
てＱ２のエミッタとアース間に移設しても良い。即ち、
図２の構成とするのである。
【００１５】そして、この基準電圧発生回路は、ｐｎｐ
トランジスタを用いても構成でき、図１に対応する回路
は図３となり、図２に対応する回路は図４となる。以
下、図１を参照して動作を説明する。
トランジスタを用いても構成でき、図１に対応する回路
は図３となり、図２に対応する回路は図４となる。以
下、図１を参照して動作を説明する。
【００１６】Ｑ１のベース・エミッタ間電圧ＶBE1 とＱ
２のベース・エミッタ間電圧ＶBE2との差電圧をΔＶBE
とすると、出力基準電圧ＶREF は数式３で表せる。
２のベース・エミッタ間電圧ＶBE2との差電圧をΔＶBE
とすると、出力基準電圧ＶREF は数式３で表せる。
【００１７】
【数３】
【００１８】そして、Ｑ３とＱ４からなるカレントミラ
ー回路の電流比はＫ2 ：１であるので、Ｑ１のコレクタ
電流Ｉ1 とＱ２のコレクタ電流Ｉ2 とは、Ｉ1 ＝Ｋ2 Ｉ
2 と関係付けられる。従って、差電圧ΔＶBEは数式４で
表せる。
ー回路の電流比はＫ2 ：１であるので、Ｑ１のコレクタ
電流Ｉ1 とＱ２のコレクタ電流Ｉ2 とは、Ｉ1 ＝Ｋ2 Ｉ
2 と関係付けられる。従って、差電圧ΔＶBEは数式４で
表せる。
【００１９】
【数４】
【００２０】この数式４においてＩS1とＩS2は飽和電流
であるが、両者は、Ｑ１とＱ２のエミッタ面積比がＫ
1 ：１であるので、Ｋ1 ＩS1＝ＩS2と関係付けられる。
従って、数式３で示した出力基準電圧ＶREF は数式５と
求まる。
であるが、両者は、Ｑ１とＱ２のエミッタ面積比がＫ
1 ：１であるので、Ｋ1 ＩS1＝ＩS2と関係付けられる。
従って、数式３で示した出力基準電圧ＶREF は数式５と
求まる。
【００２１】
【数５】
【００２２】ここで、良く知られているように、ベース
・エミッタ間電圧ＶBE1 は、−２mV／deg 程度の温度特
性を持ち、ｋＴ／ｑは３３３３ ppm／deg の温度特性を
持つ。また、抵抗Ｒ１と同Ｒ２それぞれの温度特性が等
しければ、抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）は、温度特性を持たな
い一定値とみなせる。
・エミッタ間電圧ＶBE1 は、−２mV／deg 程度の温度特
性を持ち、ｋＴ／ｑは３３３３ ppm／deg の温度特性を
持つ。また、抵抗Ｒ１と同Ｒ２それぞれの温度特性が等
しければ、抵抗比（Ｒ１／Ｒ２）は、温度特性を持たな
い一定値とみなせる。
【００２３】従って、出力基準電圧ＶREF の温度特性
は、数式５を温度で微分して求めるが、ＶBE1 ≒ 0.6Ｖ
のときにＶREF ≒ 1.2Ｖとすれば、温度特性がほぼ零と
なることが解る。このとき（Ｒ１／Ｒ２）ln（Ｋ1 Ｋ2)
＝23.08 と求まる。また、Ｋ1とＫ2 はエミッタ面積比
であるので、何れも温度特性を持たない。
は、数式５を温度で微分して求めるが、ＶBE1 ≒ 0.6Ｖ
のときにＶREF ≒ 1.2Ｖとすれば、温度特性がほぼ零と
なることが解る。このとき（Ｒ１／Ｒ２）ln（Ｋ1 Ｋ2)
＝23.08 と求まる。また、Ｋ1とＫ2 はエミッタ面積比
であるので、何れも温度特性を持たない。
【００２４】それ故、数式５で示される出力基準電圧Ｖ
REF の温度特性のずれは、ＶBE1 の温度特性の直線性が
良いので、非常に小さくなる。図５（入出力特性図）と
図６（温度特性図）は測定データであるが、非常に優れ
た温度特性が得られていることが理解できる。なお、測
定は、Ｑ１とＱ２に２ＳＣ２７８５を用い、Ｑ３とＱ４
に２ＳＢ８１０を用い、Ｒ１＝８ＫΩ、Ｒ２＝５００
Ω、Ｋ1 ＝５、Ｋ2 ＝１として行った。
REF の温度特性のずれは、ＶBE1 の温度特性の直線性が
良いので、非常に小さくなる。図５（入出力特性図）と
図６（温度特性図）は測定データであるが、非常に優れ
た温度特性が得られていることが理解できる。なお、測
定は、Ｑ１とＱ２に２ＳＣ２７８５を用い、Ｑ３とＱ４
に２ＳＢ８１０を用い、Ｒ１＝８ＫΩ、Ｒ２＝５００
Ω、Ｋ1 ＝５、Ｋ2 ＝１として行った。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基準電圧
発生回路によれば、エミッタ面積が異なる、つまり、ベ
ース・エミッタ間電圧を異ならせた２つのバイポーラト
ランジスタのそれぞれを異なる電流値で駆動する。その
結果、回路規模を小さくでき、かつ、温度特性を良好に
できる基準電圧発生回路を提供できる効果がある。
発生回路によれば、エミッタ面積が異なる、つまり、ベ
ース・エミッタ間電圧を異ならせた２つのバイポーラト
ランジスタのそれぞれを異なる電流値で駆動する。その
結果、回路規模を小さくでき、かつ、温度特性を良好に
できる基準電圧発生回路を提供できる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例に係る基準電圧発生回路の
回路図である。
回路図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る基準電圧発生回路の
回路図である。
回路図である。
【図３】本発明の第３実施例に係る基準電圧発生回路の
回路図である。
回路図である。
【図４】本発明の第４実施例に係る基準電圧発生回路の
回路図である。
回路図である。
【図５】本発明の基準電圧発生回路の入出力特性図であ
る。
る。
【図６】本発明の基準電圧発生回路の温度特性図であ
る。
る。
【図７】従来の基準電圧発生回路の回路図である。
【図８】従来の基準電圧発生回路の温度特性図である。
Ｋ1 エミッタ面積比 Ｋ2 エミッタ面積比 Ｑ１〜Ｑ４ バイポーラトランジスタ Ｒ１ 抵抗 Ｒ２ 抵抗 ＶCC 直流電源 ＶREF 出力基準電圧
Claims (2)
- 【請求項１】 エミッタ面積が異なる２つのバイポーラ
トランジスタと；前記２つのバイポーラトランジスタの
それぞれを異なる電流値で駆動するカレントミラー回路
と； を備え、前記２つのバイポーラトランジスタの相
互間では一方のトランジスタのコレクタと他方のトラン
ジスタのベースとが共通接続されると共に； 一方のト
ランジスタは、ベースが第１の抵抗を介して前記カレン
トミラー回路の一方の電流出力端に接続され、コレクタ
が第２の抵抗を介してベースに接続され； 他方のトラ
ンジスタは、コレクタが前記カレントミラー回路の他方
の電流出力端に接続され； 出力端子を前記第１の抵抗
と前記カレントミラー回路の一方の電流出力端との接続
端に設けてある； ことを特徴とする基準電圧発生回
路。 - 【請求項２】 エミッタ面積が異なる２つのバイポーラ
トランジスタと；前記２つのバイポーラトランジスタの
それぞれを異なる電流値で駆動するカレントミラー回路
と； を備え、前記２つのバイポーラトランジスタの相
互間では一方のトランジスタのコレクタと他方のトラン
ジスタのベースとが共通接続されると共に； 一方のト
ランジスタは、ベースが第１の抵抗を介して前記カレン
トミラー回路の一方の電流出力端に接続され、コレクタ
が直接ベースに接続され；他方のトランジスタは、エミ
ッタに第３の抵抗が設けられ、コレクタが前記カレント
ミラー回路の他方の電流出力端に接続され； 出力端子
を前記第１の抵抗と前記カレントミラー回路の一方の電
流出力端との接続端に設けてある； ことを特徴とする
基準電圧発生回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038521A JP2861593B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 基準電圧発生回路 |
| GB9301729A GB2263794B (en) | 1992-01-29 | 1993-01-28 | Reference voltage generating circuit formed of bipolar transistors |
| US08/342,008 US5440224A (en) | 1992-01-29 | 1994-11-16 | Reference voltage generating circuit formed of bipolar transistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038521A JP2861593B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 基準電圧発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206755A true JPH05206755A (ja) | 1993-08-13 |
| JP2861593B2 JP2861593B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=12527580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4038521A Expired - Lifetime JP2861593B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5440224A (ja) |
| JP (1) | JP2861593B2 (ja) |
| GB (1) | GB2263794B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08166429A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Advantest Corp | ドライバ回路 |
| JP2009087010A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632357A1 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Voltage reference circuit with programmable temperature coefficient |
| GB2317719B (en) * | 1993-12-08 | 1998-06-10 | Nec Corp | Reference current circuit and reference voltage circuit |
| EP0658835B1 (en) * | 1993-12-17 | 1999-10-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Low supply voltage, band-gap voltage reference |
| US5627490A (en) * | 1995-02-23 | 1997-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifier circuit |
| US5712590A (en) * | 1995-12-21 | 1998-01-27 | Dries; Michael F. | Temperature stabilized bandgap voltage reference circuit |
| JP3853911B2 (ja) * | 1997-06-25 | 2006-12-06 | 沖電気工業株式会社 | 定電流回路及びそれを用いた差動増幅回路 |
| US6150871A (en) * | 1999-05-21 | 2000-11-21 | Micrel Incorporated | Low power voltage reference with improved line regulation |
| JP3638530B2 (ja) | 2001-02-13 | 2005-04-13 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 基準電流回路及び基準電圧回路 |
| DE10146849A1 (de) * | 2001-09-24 | 2003-04-10 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Ausgangsspannung |
| US6788041B2 (en) * | 2001-12-06 | 2004-09-07 | Skyworks Solutions Inc | Low power bandgap circuit |
| US6737849B2 (en) * | 2002-06-19 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Constant current source having a controlled temperature coefficient |
| US7592859B2 (en) * | 2006-12-28 | 2009-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus to compare an input voltage with a threshold voltage |
| DE102008012809B4 (de) * | 2008-03-06 | 2009-11-26 | Infineon Technologies Ag | Potentialwandlerschaltung |
| US7750721B2 (en) * | 2008-04-10 | 2010-07-06 | Infineon Technologies Ag | Reference current circuit and low power bias circuit using the same |
| CN103853227B (zh) * | 2012-12-05 | 2016-02-17 | 艾尔瓦特集成电路科技（天津）有限公司 | 基准电压生成电路 |
| EP3712739A1 (en) | 2019-03-22 | 2020-09-23 | NXP USA, Inc. | A voltage reference circuit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6133519A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基準電圧源回路 |
| JPS61154303A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-14 | Toshiba Corp | バイアス回路 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2186453A (en) * | 1986-02-07 | 1987-08-12 | Plessey Co Plc | Reference circuit |
| DE3788033T2 (de) * | 1986-10-06 | 1994-03-03 | Motorola Inc | Spannungsregler mit Präzisionsthermostromquelle. |
| US4808909A (en) * | 1987-10-15 | 1989-02-28 | Apex Microtechnology Corporation | Bias voltage and constant current supply circuit |
| JP2513854B2 (ja) * | 1989-08-22 | 1996-07-03 | 富士通株式会社 | 起動回路 |
| JPH0666600B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1994-08-24 | 株式会社東芝 | 電流検出回路 |
| US5038053A (en) * | 1990-03-23 | 1991-08-06 | Power Integrations, Inc. | Temperature-compensated integrated circuit for uniform current generation |
| NL9001018A (nl) * | 1990-04-27 | 1991-11-18 | Philips Nv | Referentiegenerator. |
| JPH04111008A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 定電流源回路 |
| US5144223A (en) * | 1991-03-12 | 1992-09-01 | Mosaid, Inc. | Bandgap voltage generator |
| US5221889A (en) * | 1991-11-22 | 1993-06-22 | Texas Instruments Incorporated | Bidirectional current mirrors and method for bidirectional current conduction |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP4038521A patent/JP2861593B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-28 GB GB9301729A patent/GB2263794B/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-16 US US08/342,008 patent/US5440224A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6133519A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基準電圧源回路 |
| JPS61154303A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-14 | Toshiba Corp | バイアス回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08166429A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Advantest Corp | ドライバ回路 |
| JP2009087010A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2263794B (en) | 1996-03-06 |
| US5440224A (en) | 1995-08-08 |
| GB2263794A (en) | 1993-08-04 |
| JP2861593B2 (ja) | 1999-02-24 |
| GB9301729D0 (en) | 1993-03-17 |
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