JPH05306958A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
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- JPH05306958A JPH05306958A JP11144092A JP11144092A JPH05306958A JP H05306958 A JPH05306958 A JP H05306958A JP 11144092 A JP11144092 A JP 11144092A JP 11144092 A JP11144092 A JP 11144092A JP H05306958 A JPH05306958 A JP H05306958A
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- circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造プロセスに依存することなく、高精度の
温度検出が可能な温度検出回路を得る。 【構成】 電圧比較回路１３の分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６は電
源端子１５に印加された電源電圧ＶCCを分圧して参照電
圧Ｖb を出力する。バンドギャップ回路１１は、所定の
コレクタ電流ＩO を出力するトランジスタＱ５と、この
トランジスタＱ５のコレクタに接続された抵抗Ｒ２とを
備え、このコレクタの電位を測定電圧Ｖaとして出力す
る。電圧比較回路１３のコンパレータ１６は、Ｖa とＶ
b を比較し、Ｖa ＞Ｖb となったとき、“Ｈ”レベルの
出力電圧ＶO を出力する。参照電圧Ｖb は、分圧抵抗の
比“Ｒ５／Ｒ６”依存するが、この比は温度変化に依存
せず、また、製造プロセス上もばらつきがない。一方、
バンドギャップ回路１１から出力される測定電圧Ｖa は
絶対温度に比例する一方、この測定電圧Ｖa を決定する
他のパラメータは製造プロセスに依存しない。これによ
り、両者を比較することにより高精度の温度検出が可能
となる。
温度検出が可能な温度検出回路を得る。 【構成】 電圧比較回路１３の分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６は電
源端子１５に印加された電源電圧ＶCCを分圧して参照電
圧Ｖb を出力する。バンドギャップ回路１１は、所定の
コレクタ電流ＩO を出力するトランジスタＱ５と、この
トランジスタＱ５のコレクタに接続された抵抗Ｒ２とを
備え、このコレクタの電位を測定電圧Ｖaとして出力す
る。電圧比較回路１３のコンパレータ１６は、Ｖa とＶ
b を比較し、Ｖa ＞Ｖb となったとき、“Ｈ”レベルの
出力電圧ＶO を出力する。参照電圧Ｖb は、分圧抵抗の
比“Ｒ５／Ｒ６”依存するが、この比は温度変化に依存
せず、また、製造プロセス上もばらつきがない。一方、
バンドギャップ回路１１から出力される測定電圧Ｖa は
絶対温度に比例する一方、この測定電圧Ｖa を決定する
他のパラメータは製造プロセスに依存しない。これによ
り、両者を比較することにより高精度の温度検出が可能
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度検出回路に係わり、
特にバンドギャップ回路を用いた温度検出回路の構成に
関する。
特にバンドギャップ回路を用いた温度検出回路の構成に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路においては、その性質上
使用環境の温度が動作に与える影響が大きく、一定温度
以上となった場合には何らかの保護等を行う必要があ
る。このため、集積回路に、例えば実開平２−３５５１
７号に示されているようにダイオードからなる温度検出
回路を組み込み、温度検出を行う場合が多い。
使用環境の温度が動作に与える影響が大きく、一定温度
以上となった場合には何らかの保護等を行う必要があ
る。このため、集積回路に、例えば実開平２−３５５１
７号に示されているようにダイオードからなる温度検出
回路を組み込み、温度検出を行う場合が多い。
【０００３】以下、図２とともに、従来の温度検出回路
について説明する。この回路には定電流原１８が設けら
れ、電源端子１５に印加される直流電圧ＶCCを基に一定
の電流ＩO を出力するようになっている。この出力電流
は、定電流原１８に直列に接続されたｍ個のダイオード
Ｄ１〜Ｄｍを接地（ＧＮＤ）へと流れ、ダイオードＤ１
のアノード端に電位（測定電圧）Ｖa を生じさせる。こ
の測定電圧Ｖa はコンパレータ１６の（−）端子に入力
される。
について説明する。この回路には定電流原１８が設けら
れ、電源端子１５に印加される直流電圧ＶCCを基に一定
の電流ＩO を出力するようになっている。この出力電流
は、定電流原１８に直列に接続されたｍ個のダイオード
Ｄ１〜Ｄｍを接地（ＧＮＤ）へと流れ、ダイオードＤ１
のアノード端に電位（測定電圧）Ｖa を生じさせる。こ
の測定電圧Ｖa はコンパレータ１６の（−）端子に入力
される。
【０００４】一方、電源端子１５とＧＮＤ間には分圧抵
抗Ｒ１，Ｒ２が接続され、その接続点の電位（参照電
圧）Ｖb はコンパレータ１６の（＋）端子に入力される
ようになっている。
抗Ｒ１，Ｒ２が接続され、その接続点の電位（参照電
圧）Ｖb はコンパレータ１６の（＋）端子に入力される
ようになっている。
【０００５】コンパレータ１６は、測定電圧Ｖa を参照
電圧Ｖb と比較し、Ｖa ＞Ｖb となったとき、出力電圧
を“Ｈ”レベルにする。
電圧Ｖb と比較し、Ｖa ＞Ｖb となったとき、出力電圧
を“Ｈ”レベルにする。
【０００６】以上のような構成の従来の温度検出回路の
動作を説明する。
動作を説明する。
【０００７】一般に、ダイオードの順方向電圧ＶF は負
の温度係数（約−２ｍＶ／°Ｃ）を有しているが、上記
回路では、この負の温度係数を利用することにより温度
検出を行っている。すなわち、定電流原１８からの定電
流ＩO がダイオードＤ１〜Ｄｍを流れることにより生ず
る測定電圧Ｖa は次の（１）式により表される。
の温度係数（約−２ｍＶ／°Ｃ）を有しているが、上記
回路では、この負の温度係数を利用することにより温度
検出を行っている。すなわち、定電流原１８からの定電
流ＩO がダイオードＤ１〜Ｄｍを流れることにより生ず
る測定電圧Ｖa は次の（１）式により表される。
【０００８】 Ｖa ＝ＶF （Ｄ１）＋ＶF （Ｄ２）＋……ＶF （Ｄｍ） ……（１） ここに、ＶF （Ｄｉ）〔ｉ＝１〜ｍ〕は、各ダイオード
の順方向電圧を示す。
の順方向電圧を示す。
【０００９】これらのダイオードの順方向電圧は、上記
したように周囲温度Ｔa により変化し、次の（２）式の
ように表される。但し、ＶF はＴa ＝２５°Ｃにおける
順方向電圧を示す。
したように周囲温度Ｔa により変化し、次の（２）式の
ように表される。但し、ＶF はＴa ＝２５°Ｃにおける
順方向電圧を示す。
【００１０】 Ｖa ＝ｍ・〔ＶF −０．００２・（Ｔa −２５）〕 ……（２） 一方、参照電圧Ｖb は次の（３）式のように表される。
【００１１】 Ｖb ＝〔Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）〕・ＶCC ……（３） 今、ある温度Ｔa ′における測定電圧Ｖa をＶa ′と
し、Ｖa ′＝Ｖb となるように分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２を設
定する。この場合、測定点の温度がＴa ′を越えるとＶ
a ′＞Ｖb となり、コンパレータ１６の出力は“Ｈ”レ
ベルとなる。これにより、温度Ｔa ′の検出が可能とな
る。
し、Ｖa ′＝Ｖb となるように分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２を設
定する。この場合、測定点の温度がＴa ′を越えるとＶ
a ′＞Ｖb となり、コンパレータ１６の出力は“Ｈ”レ
ベルとなる。これにより、温度Ｔa ′の検出が可能とな
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の温度検出回路
は、以上のような構成となっていたので、これを集積回
路に組み込む場合には、製造プロセスのばらつきによ
り、ダイオードの順方向電圧ＶF がばらつき、結果とし
て測定電圧Ｖa の絶対値にもばらつきが生じるため、温
度検出の精度を向上させることが困難であった。
は、以上のような構成となっていたので、これを集積回
路に組み込む場合には、製造プロセスのばらつきによ
り、ダイオードの順方向電圧ＶF がばらつき、結果とし
て測定電圧Ｖa の絶対値にもばらつきが生じるため、温
度検出の精度を向上させることが困難であった。
【００１３】この発明は、かかる課題を解決するために
なされたもので、製造プロセスに依存することなく、高
精度の温度検出が可能な温度検出回路を得ることを目的
とする。
なされたもので、製造プロセスに依存することなく、高
精度の温度検出が可能な温度検出回路を得ることを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る温度検出
回路は、(i) 複数の直列接続抵抗からなり印加された電
源電圧を分圧して所定の参照電圧を出力する抵抗分圧回
路と、(ii)所定のコレクタ電流を出力するトランジスタ
と、このトランジスタのコレクタに接続された抵抗とを
含み、このコレクタの電位を測定電圧として出力するバ
ンドギャップ回路と、抵抗分圧回路から出力される参照
電圧とバンドギャップ回路から出力される測定電圧とを
比較し、測定電圧が参照電圧を越えたとき所定の検出電
圧を出力する比較回路、とを有するものである。
回路は、(i) 複数の直列接続抵抗からなり印加された電
源電圧を分圧して所定の参照電圧を出力する抵抗分圧回
路と、(ii)所定のコレクタ電流を出力するトランジスタ
と、このトランジスタのコレクタに接続された抵抗とを
含み、このコレクタの電位を測定電圧として出力するバ
ンドギャップ回路と、抵抗分圧回路から出力される参照
電圧とバンドギャップ回路から出力される測定電圧とを
比較し、測定電圧が参照電圧を越えたとき所定の検出電
圧を出力する比較回路、とを有するものである。
【００１５】
【作用】この発明に係る温度検出回路では、参照電圧と
しての分圧回路出力電圧は温度変化に依存せず、測定電
圧としてのバンドギャップ回路出力は温度のみに依存し
その他のパラメータに依存しない。これにより、両者を
比較することにより高精度の温度検出が可能となる。
しての分圧回路出力電圧は温度変化に依存せず、測定電
圧としてのバンドギャップ回路出力は温度のみに依存し
その他のパラメータに依存しない。これにより、両者を
比較することにより高精度の温度検出が可能となる。
【００１６】
【実施例】以下実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００１７】図１は本発明の実施例における温度検出回
路を表したものである。この図で、従来例（図２）と同
一部分には同一の符号を付す。
路を表したものである。この図で、従来例（図２）と同
一部分には同一の符号を付す。
【００１８】この温度検出回路は、定電流源として動作
するバンドギャップ回路１１と、このバンドギャップ回
路１１の起動を行う起動回路１２と、測定電圧を参照電
圧と比較するための電圧比較回路１３から構成される。
するバンドギャップ回路１１と、このバンドギャップ回
路１１の起動を行う起動回路１２と、測定電圧を参照電
圧と比較するための電圧比較回路１３から構成される。
【００１９】バンドギャップ回路１１には、コレクタ・
ベース間が接続されたトランジスタＱ４、及びこれと同
一の特性を有するトランジスタＱ３，Ｑ５が設けられ、
これらはいわゆるミラー接続されている。すなわち、ト
ランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ５のエミッタは共に、直流電
圧ＶCCが印加される電源端子１５に接続され、三者のベ
ース同士は相互に接続されている。
ベース間が接続されたトランジスタＱ４、及びこれと同
一の特性を有するトランジスタＱ３，Ｑ５が設けられ、
これらはいわゆるミラー接続されている。すなわち、ト
ランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ５のエミッタは共に、直流電
圧ＶCCが印加される電源端子１５に接続され、三者のベ
ース同士は相互に接続されている。
【００２０】トランジスタＱ３のコレクタはコレクタ・
ベース間が接続されエミッタが接地されたトランジスタ
Ｑ１のコレクタに接続され、トランジスタＱ４のコレク
タはトランジスタＱ２のコレクタに接続される。また、
トランジスタＱ５のコレクタは抵抗Ｒ２を介して接地接
続されている。
ベース間が接続されエミッタが接地されたトランジスタ
Ｑ１のコレクタに接続され、トランジスタＱ４のコレク
タはトランジスタＱ２のコレクタに接続される。また、
トランジスタＱ５のコレクタは抵抗Ｒ２を介して接地接
続されている。
【００２１】トランジスタＱ１のベースはトランジスタ
Ｑ２のベースに接続され、これら２つのトランジスタは
ミラー接続となっている。トランジスタＱ２のエミッタ
はトランジスタＱ１のエミッタのｎ倍の面積を有し、抵
抗Ｒ１を介して接地接続されている。
Ｑ２のベースに接続され、これら２つのトランジスタは
ミラー接続となっている。トランジスタＱ２のエミッタ
はトランジスタＱ１のエミッタのｎ倍の面積を有し、抵
抗Ｒ１を介して接地接続されている。
【００２２】起動回路１２には、コレクタ・ベース間が
接続されエミッタが接地されたトランジスタＱ８が設け
られている。このトランジスタＱ８のコレクタは、抵抗
Ｒ４を介して電源端子１５に接続され、ベースは、トラ
ンジスタＱ８と同一特性のエミッタ接地のトランジスタ
Ｑ９のベースに接続される。これにより両者はミラー接
続となっている。トランジスタＱ９のコレクタはバンド
ギャップ回路１１のトランジスタＱ４のコレクタに接続
されている。
接続されエミッタが接地されたトランジスタＱ８が設け
られている。このトランジスタＱ８のコレクタは、抵抗
Ｒ４を介して電源端子１５に接続され、ベースは、トラ
ンジスタＱ８と同一特性のエミッタ接地のトランジスタ
Ｑ９のベースに接続される。これにより両者はミラー接
続となっている。トランジスタＱ９のコレクタはバンド
ギャップ回路１１のトランジスタＱ４のコレクタに接続
されている。
【００２３】また、この起動回路１２には、バンドギャ
ップ回路１１のトランジスタＱ４と同一特性を有し、こ
れとベース同士を接続された（ミラー接続された）トラ
ンジスタＱ６が設けられている。このトランジスタＱ６
のエミッタは電源端子１５に接続され、コレクタは抵抗
Ｒ３を介して接地されるとともにエミッタ接地のトラン
ジスタＱ７のベースに接続されている。このトランジス
タＱ７のコレクタはトランジスタＱ８のコレクタに接続
されている。
ップ回路１１のトランジスタＱ４と同一特性を有し、こ
れとベース同士を接続された（ミラー接続された）トラ
ンジスタＱ６が設けられている。このトランジスタＱ６
のエミッタは電源端子１５に接続され、コレクタは抵抗
Ｒ３を介して接地されるとともにエミッタ接地のトラン
ジスタＱ７のベースに接続されている。このトランジス
タＱ７のコレクタはトランジスタＱ８のコレクタに接続
されている。
【００２４】電圧比較回路１３にはコンパレータ１６が
設けられ、その入力端子には、ＶCCと接地間に直列に接
続された分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６の接続点の電位（以下参照
電圧という）Ｖb 、及びバンドギャップ回路１１の抵抗
Ｒ２とトランジスタＱ５のコレクタの接続点の電位（以
下、測定電圧という）Ｖa が入力されるようになってい
る。このオペアンプ１６は、これら２つの電圧を比較
し、Ｖa ＞Ｖb となったとき、“Ｈ”レベルの電圧を出
力するようになっている。
設けられ、その入力端子には、ＶCCと接地間に直列に接
続された分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６の接続点の電位（以下参照
電圧という）Ｖb 、及びバンドギャップ回路１１の抵抗
Ｒ２とトランジスタＱ５のコレクタの接続点の電位（以
下、測定電圧という）Ｖa が入力されるようになってい
る。このオペアンプ１６は、これら２つの電圧を比較
し、Ｖa ＞Ｖb となったとき、“Ｈ”レベルの電圧を出
力するようになっている。
【００２５】以上のような構成の温度検出回路の動作を
説明する。
説明する。
【００２６】電源端子１５に直流電圧ＶCCを印加する
と、まず起動回路１２の抵抗Ｒ４を介してトランジスタ
Ｑ８のコレクタ・エミッタ間に電流が流れ、トランジス
タＱ８にはベース・エミッタ間電圧ＶBEが発生する。こ
れにより、トランジスタＱ８のミラーとなっているトラ
ンジスタＱ９がオンし、バンドギャップ回路１１のトラ
ンジスタＱ４のエミッタ・コレクタ間、及びトランジス
タＱ９のコレクタ・エミッタ間の経路で電流が流れるた
め、トランジスタＱ４にはベース・エミッタ間電圧ＶBE
が発生する。このため、トランジスタＱ４のミラーとな
っているトランジスタＱ３，Ｑ５，Ｑ６がオンとなり、
トランジスタＱ４のコレクタ側に流れる定電流ＩO と同
一の電流がトランジスタＱ３，Ｑ５，Ｑ６を流れる。
と、まず起動回路１２の抵抗Ｒ４を介してトランジスタ
Ｑ８のコレクタ・エミッタ間に電流が流れ、トランジス
タＱ８にはベース・エミッタ間電圧ＶBEが発生する。こ
れにより、トランジスタＱ８のミラーとなっているトラ
ンジスタＱ９がオンし、バンドギャップ回路１１のトラ
ンジスタＱ４のエミッタ・コレクタ間、及びトランジス
タＱ９のコレクタ・エミッタ間の経路で電流が流れるた
め、トランジスタＱ４にはベース・エミッタ間電圧ＶBE
が発生する。このため、トランジスタＱ４のミラーとな
っているトランジスタＱ３，Ｑ５，Ｑ６がオンとなり、
トランジスタＱ４のコレクタ側に流れる定電流ＩO と同
一の電流がトランジスタＱ３，Ｑ５，Ｑ６を流れる。
【００２７】これにより、トランジスタＱ１がオンとな
り、トランジスタＱ１のミラーとなっているトランジス
タＱ２がオンし、トランジスタＱ１を流れる定電流ＩO
と同一の定電流ＩO が流れる。一方、トランジスタＱ５
を流れる定電流ＩO は抵抗Ｒ２を流れ、この抵抗端に電
圧Ｖa を生じさせる。
り、トランジスタＱ１のミラーとなっているトランジス
タＱ２がオンし、トランジスタＱ１を流れる定電流ＩO
と同一の定電流ＩO が流れる。一方、トランジスタＱ５
を流れる定電流ＩO は抵抗Ｒ２を流れ、この抵抗端に電
圧Ｖa を生じさせる。
【００２８】一方、トランジスタＱ４の動作に伴ってト
ランジスタＱ６がオンすると、抵抗Ｒ３の両端にはこれ
を流れる電流に応じた電圧が発生するため、トランジス
タＱ７がオンとなる。このため、トランジスタＱ８，Ｑ
９はオフとなり、この起動回路１２の動作が停止する。
ランジスタＱ６がオンすると、抵抗Ｒ３の両端にはこれ
を流れる電流に応じた電圧が発生するため、トランジス
タＱ７がオンとなる。このため、トランジスタＱ８，Ｑ
９はオフとなり、この起動回路１２の動作が停止する。
【００２９】このようにして得られる定電流ＩO は以下
のようにして求められる。すなわち、上記したように、
トランジスタＱ３，Ｑ４は同一特性のトランジスタであ
ること、トランジスタＱ２のエミッタ面積はトランジス
タＱ１のエミッタ面積のｎ倍であることを考慮すると、
トランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧ＶBE（Ｑ
１）は次の（４），（５）式で表される。
のようにして求められる。すなわち、上記したように、
トランジスタＱ３，Ｑ４は同一特性のトランジスタであ
ること、トランジスタＱ２のエミッタ面積はトランジス
タＱ１のエミッタ面積のｎ倍であることを考慮すると、
トランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧ＶBE（Ｑ
１）は次の（４），（５）式で表される。
【００３０】 ＶBE（Ｑ１）＝ＶT ・ｌｎ（ＩO ／ＩS ） ……（４） ＶT ＝（ｋ／ｑ）・Ｔ ……（５） 但し、ＩS は飽和電流で一定値、ｋはボルツマン定数
（１．３８×１０-23 Ｊ／Ｋ）、ｑは電子の電荷量
（１．６×１０-19 Ｃ）、及びＴは絶対温度（Ｋ）であ
る。また、ｌｎ（ ）は対数を表す。
（１．３８×１０-23 Ｊ／Ｋ）、ｑは電子の電荷量
（１．６×１０-19 Ｃ）、及びＴは絶対温度（Ｋ）であ
る。また、ｌｎ（ ）は対数を表す。
【００３１】一方、トランジスタＱ２のベース・エミッ
タ間電圧ＶBE（Ｑ２）は図より明らかなように次の
（６）式として表される。
タ間電圧ＶBE（Ｑ２）は図より明らかなように次の
（６）式として表される。
【００３２】 ＶBE（Ｑ２）＝ＶBE（Ｑ２）＋Ｒ１・ＩO ＝ＶT ・ｌｎ〔ＩO ／（ｎ・ＩS ）〕＋Ｒ１・ＩO ……（６） 従って、（４），（６）式より、定電流ＩO は次の
（７）式となる。
（７）式となる。
【００３３】 ＩO ＝（ＶT ／Ｒ１）・ｌｎ（ｎ） ……（７） これにより、抵抗Ｒ２には次の（８）式に示される測定
電圧Ｖa が生じ、これがコンパレータ１６の（＋）端子
に入力される。
電圧Ｖa が生じ、これがコンパレータ１６の（＋）端子
に入力される。
【００３４】 Ｖa ＝ＩO ・Ｒ２ ＝（Ｒ２／Ｒ１）・ｌｎ（ｎ）・ＶT ……（８） 一方、電圧比較回路１３の分圧抵抗Ｒ５とＲ６の接続点
には、次の（９）式で表される参照電圧Ｖb が生じ、コ
ンパレータ１６の（−）端子に入力される。
には、次の（９）式で表される参照電圧Ｖb が生じ、コ
ンパレータ１６の（−）端子に入力される。
【００３５】 Ｖb ＝〔Ｒ６／（Ｒ５＋Ｒ６）〕・ＶCC ……（９） コンパレータ１６は（８），（９）式の電圧を比較し、
Ｖa ＞Ｖb になると、出力端子１７から“Ｈ”レベルの
電圧ＶO を出力する。
Ｖa ＞Ｖb になると、出力端子１７から“Ｈ”レベルの
電圧ＶO を出力する。
【００３６】ところで、（８）式のうち、“Ｒ２／Ｒ
１”は抵抗比であり製造プロセスにおけるばらつきがな
く精度よく一定値を取りうる。また、“ｌｎ（ｎ）”は
定数である。そして、（５）式において“ｋ／ｑ”は定
数であるからＶT は絶対温度Ｔに比例し、例えば、次の
（１０．１），（１０．２）式のようになる。
１”は抵抗比であり製造プロセスにおけるばらつきがな
く精度よく一定値を取りうる。また、“ｌｎ（ｎ）”は
定数である。そして、（５）式において“ｋ／ｑ”は定
数であるからＶT は絶対温度Ｔに比例し、例えば、次の
（１０．１），（１０．２）式のようになる。
【００３７】 Ｔ＝２５°Ｃ ： ＶT ＝２５．７ｍＶ ……（１０．１） Ｔ＝１００°Ｃ ： ＶT ＝３２．２ｍＶ ……（１０．２） 従って、測定電圧Ｖa は絶対温度Ｔのみの関数となるか
ら、分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６により、参照電圧Ｖb の値を、
所望の検出温度Ｔに対応する測定電圧Ｖa に等しくして
おけば、Ｖa ＞Ｖb となったときにコンパレータ１６の
出力が“Ｈ”レベルとなり、この検出温度Ｔを越えたこ
とが検出されることとなる。
ら、分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６により、参照電圧Ｖb の値を、
所望の検出温度Ｔに対応する測定電圧Ｖa に等しくして
おけば、Ｖa ＞Ｖb となったときにコンパレータ１６の
出力が“Ｈ”レベルとなり、この検出温度Ｔを越えたこ
とが検出されることとなる。
【００３８】例えば、ｎ＝４，Ｒ２／Ｒ１＝２８．０７
とすると、（８）式，（１０．１）式，及び（１０．
２）式より、測定点の温度Ｔa と測定電圧Ｖa との関係
は次の（１１．１）式，（１１．２）式となる。
とすると、（８）式，（１０．１）式，及び（１０．
２）式より、測定点の温度Ｔa と測定電圧Ｖa との関係
は次の（１１．１）式，（１１．２）式となる。
【００３９】 Ｔa ＝２５°Ｃ ： Ｖa ＝１．００Ｖ ……（１１．１） Ｔa ＝１００°Ｃ ： Ｖa ＝１．２５Ｖ ……（１１．２） 従って、例えば分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６により参照電圧Ｖb
を１．２５Ｖに設定しておけば、周囲温度が１００°Ｃ
以上となったとき、出力電圧ＶO が“Ｈ”レベルとな
り、所望の温度検出が可能となる。
を１．２５Ｖに設定しておけば、周囲温度が１００°Ｃ
以上となったとき、出力電圧ＶO が“Ｈ”レベルとな
り、所望の温度検出が可能となる。
【００４０】なお、上記したように、製造上、抵抗比
“Ｒ２／Ｒ１”のばらつきは極めて小さく、また、エミ
ッタの面積比ｎもばらつきが小さいため、温度に対する
測定電圧Ｖa のばらつきは小さくなる。また、参照電圧
Ｖb は分圧抵抗の比“Ｒ５／Ｒ６”によって定まるが、
これもまた製造上のばらつきが小さい。従って、結果的
として温度検出を精度よく行うことができる。
“Ｒ２／Ｒ１”のばらつきは極めて小さく、また、エミ
ッタの面積比ｎもばらつきが小さいため、温度に対する
測定電圧Ｖa のばらつきは小さくなる。また、参照電圧
Ｖb は分圧抵抗の比“Ｒ５／Ｒ６”によって定まるが、
これもまた製造上のばらつきが小さい。従って、結果的
として温度検出を精度よく行うことができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
参照電圧としての分圧回路出力電圧は温度変化に依存せ
ず、測定電圧としてのバンドギャップ回路出力は温度の
みに依存しその他のパラメータに依存しない。従って、
比較回路により両者を比較することによりばらつきのな
い高精度の温度検出が可能となる。
参照電圧としての分圧回路出力電圧は温度変化に依存せ
ず、測定電圧としてのバンドギャップ回路出力は温度の
みに依存しその他のパラメータに依存しない。従って、
比較回路により両者を比較することによりばらつきのな
い高精度の温度検出が可能となる。
【図１】本発明の一実施例における温度検出回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図２】従来の温度検出回路を示す回路図である。
１１ バンドギャップ回路 １２ 起動回路 １３ 電圧比較回路 １５ 電源端子 １６ コンパレータ １７ 出力端子
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の直列接続抵抗からなり印加され
た電源電圧を分圧して所定の参照電圧を出力する抵抗分
圧回路と、 所定のコレクタ電流を出力するトランジスタと、このト
ランジスタのコレクタに接続された抵抗とを含み、前記
コレクタの電位を測定電圧として出力するバンドギャッ
プ回路と、 前記抵抗分圧回路から出力される参照電圧と、前記バン
ドギャップ回路から出力される測定電圧とを比較し、測
定電圧が参照電圧を越えたとき所定の検出電圧を出力す
る比較回路とを具備することを特徴とする温度検出回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144092A JPH05306958A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144092A JPH05306958A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 温度検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05306958A true JPH05306958A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14561259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11144092A Pending JPH05306958A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05306958A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000146711A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサ装置 |
| JP2007192718A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 温度センサ |
| KR100772594B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2007-11-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 온도 센서 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP11144092A patent/JPH05306958A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000146711A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサ装置 |
| KR100772594B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2007-11-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 온도 센서 |
| JP2007192718A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 温度センサ |
| US7581882B2 (en) | 2006-01-20 | 2009-09-01 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Temperature sensor |
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