JPS6239908A - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
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- JPS6239908A JPS6239908A JP17972485A JP17972485A JPS6239908A JP S6239908 A JPS6239908 A JP S6239908A JP 17972485 A JP17972485 A JP 17972485A JP 17972485 A JP17972485 A JP 17972485A JP S6239908 A JPS6239908 A JP S6239908A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波回路のバイアス回路に関し、特に、高周
波多段ＡＢ級バイアス増幅器のバイアス回路に関するも
のである。
波多段ＡＢ級バイアス増幅器のバイアス回路に関するも
のである。
第３図に従来より使用されている高周波多段ＡＢ級バイ
アス増幅器の等価回路を示す。図において、１はこの増
幅器の能動素子である後段高周波トランジスタ、２はト
ランジスタ１のベースに高周波信号を供給する能動素子
である前段高周波トランジスタ、３は直流阻止を含み、
高周波信号を適正に伝送するための整合回路、４．５は
前段および後段のバイアス回路、６，７はバイアス回路
４．５にブリーダ電流を流すためのバイアス用電源端子
である。バイアス回路４はストリップ線路４１、高周波
バイパスコンデンサ４２．バイアス用抵抗４３およびバ
イアス用ブリーダ抵抗４４から構成され、バイアス回路
５はストリップ線路５１、高周波バイパスコンデンサ５
２．バイアス用抵抗５３およびバイアス用ブリーダ抵抗
５４から構成される。
アス増幅器の等価回路を示す。図において、１はこの増
幅器の能動素子である後段高周波トランジスタ、２はト
ランジスタ１のベースに高周波信号を供給する能動素子
である前段高周波トランジスタ、３は直流阻止を含み、
高周波信号を適正に伝送するための整合回路、４．５は
前段および後段のバイアス回路、６，７はバイアス回路
４．５にブリーダ電流を流すためのバイアス用電源端子
である。バイアス回路４はストリップ線路４１、高周波
バイパスコンデンサ４２．バイアス用抵抗４３およびバ
イアス用ブリーダ抵抗４４から構成され、バイアス回路
５はストリップ線路５１、高周波バイパスコンデンサ５
２．バイアス用抵抗５３およびバイアス用ブリーダ抵抗
５４から構成される。
次にこのように構成されたバイアス回路の動作を前段の
バイアス回路４により説明する。トランジスタ２のベー
スよりバイアス回路４を見たインピータンスＺ（Ω）は
、高周波バイパスコンデンサ４２のインピーダンスを「
０」とみなし、ストリップ線路４１の特性インピーダン
スをＺＯ（Ω）とすると、 Ｚ＝ｊＺＱｔａｎθ’＝ｊＺＯｔａｎ （λｇ／４）
−閃・・・・（１） 従って、バイアス回路４をベースより見た場合、高周波
的にはオーブンとなる。
バイアス回路４により説明する。トランジスタ２のベー
スよりバイアス回路４を見たインピータンスＺ（Ω）は
、高周波バイパスコンデンサ４２のインピーダンスを「
０」とみなし、ストリップ線路４１の特性インピーダン
スをＺＯ（Ω）とすると、 Ｚ＝ｊＺＱｔａｎθ’＝ｊＺＯｔａｎ （λｇ／４）
−閃・・・・（１） 従って、バイアス回路４をベースより見た場合、高周波
的にはオーブンとなる。
次にトランジスタ２のアイドル電流（無信号時の直流電
流）Ｉｃｏｚは、Ｘ ＝ Ｖ Ｅｌ／ ｋ Ｔとすると
、Ｉｃｏｚ＃Ｔｔ＝ Ｉｏ （ε” １） −・−１
２＋となる。ただし、 ■ｏ：逆方向の飽和電流 ｑ：電子の電荷 ＶＥＢ：ベース・エミッタ間電圧 に：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度 である。ベース・エミッタ間電圧Ｖ２Ｂは、バイアス用
電源端子６に印加される直流電圧の値を■、ｂとし、バ
イアス用抵抗４３．バイアス用ブリーダ抵抗４４の値を
Ｒ１，Ｒ２とすると、 Ｖ＋：ｐ−Ｖｂｂ−Ｒ１／ （Ｒ１＋Ｒ２） ・・・
・（３）となる。ただし、 ベース電流１Ｂ＜＜ｒｌｌＢ＝Ｖｂｂ／ （ＲＩ ＋Ｒ
２）とする。
流）Ｉｃｏｚは、Ｘ ＝ Ｖ Ｅｌ／ ｋ Ｔとすると
、Ｉｃｏｚ＃Ｔｔ＝ Ｉｏ （ε” １） −・−１
２＋となる。ただし、 ■ｏ：逆方向の飽和電流 ｑ：電子の電荷 ＶＥＢ：ベース・エミッタ間電圧 に：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度 である。ベース・エミッタ間電圧Ｖ２Ｂは、バイアス用
電源端子６に印加される直流電圧の値を■、ｂとし、バ
イアス用抵抗４３．バイアス用ブリーダ抵抗４４の値を
Ｒ１，Ｒ２とすると、 Ｖ＋：ｐ−Ｖｂｂ−Ｒ１／ （Ｒ１＋Ｒ２） ・・・
・（３）となる。ただし、 ベース電流１Ｂ＜＜ｒｌｌＢ＝Ｖｂｂ／ （ＲＩ ＋Ｒ
２）とする。
（１）〜（３）式に基づき、高周波的には分離されたバ
イアス用抵抗４３．バイアス用ブリーダ抵抗４４の値Ｒ
１，Ｒ２を直流電圧Ｖいに応じて設定することにより、
トランジスタ２をオンさせ、アイドル電流Ｔ ｃｏｚを
流すことができる。
イアス用抵抗４３．バイアス用ブリーダ抵抗４４の値Ｒ
１，Ｒ２を直流電圧Ｖいに応じて設定することにより、
トランジスタ２をオンさせ、アイドル電流Ｔ ｃｏｚを
流すことができる。
以上の動作はバイアス回路５の場合も同様である。
従来のバイアス回路を適用した高周波回路においては、
各段のトランジスタについてバイアス回路を設ける必要
があり、各段ごとに高周波バイパスコンデンサ、バイア
ス用抵抗およびバイアス用ブリーダ抵抗を必要とする。
各段のトランジスタについてバイアス回路を設ける必要
があり、各段ごとに高周波バイパスコンデンサ、バイア
ス用抵抗およびバイアス用ブリーダ抵抗を必要とする。
従って、多段化するほど部品点数が多くなり、バイパス
回路のスペースが広くなるという問題があった。
回路のスペースが広くなるという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、各段にベース電位を供給するこ
とができると共に、部品点数を削減できるバイアス回路
を提供することにある。
の目的とするところは、各段にベース電位を供給するこ
とができると共に、部品点数を削減できるバイアス回路
を提供することにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
このような目的を達成するために本発明は、高周波的に
能動素子を分離するためのストリップ線路と、共通のベ
ース電位を供給するための供給手段とを設けるようにし
たものである。
能動素子を分離するためのストリップ線路と、共通のベ
ース電位を供給するための供給手段とを設けるようにし
たものである。
本発明においては、各段に共通なベース電位を発生する
ことができる。
ことができる。
本発明に係わるバイアス回路に一実施例を適用した高周
波多段ＡＢ級バイアス増幅器を第１図に示す。第１図に
おいて、８はバイアス回路、９はバイアス用電源端子で
あり、バイアス回路８は、電気長λｇ／４のストリップ
線路３１ ａ、 ８１ ｂと高周波バイパスコンデン
サ８２とバイパス用抵抗８３とバイパス用ブリーダ抵抗
８４から構成される。また、バイパス用抵抗８３とバイ
パス用ブリーダ抵抗８４とは供給手段を構成する。第１
図において第３図と同一部分又は相当部分には同一符号
が付しである。
波多段ＡＢ級バイアス増幅器を第１図に示す。第１図に
おいて、８はバイアス回路、９はバイアス用電源端子で
あり、バイアス回路８は、電気長λｇ／４のストリップ
線路３１ ａ、 ８１ ｂと高周波バイパスコンデン
サ８２とバイパス用抵抗８３とバイパス用ブリーダ抵抗
８４から構成される。また、バイパス用抵抗８３とバイ
パス用ブリーダ抵抗８４とは供給手段を構成する。第１
図において第３図と同一部分又は相当部分には同一符号
が付しである。
次にこのような構成の増幅器の動作について説明する。
バイアス回路８は、ストリップ線路８１ａ、８１ｂおよ
び高周波バイパスコンデンサ８２により、高周波的に分
離されているので、増幅器における直流バイアス回路の
みを考えると、第２図のようになる。ここで、トランジ
スタ１．２のエミッタ電流Ｔ ＥＩ＋ Ｉ Ｅ２は、
Ｉ ＥＩ−Ｔ Ｅ２＝ Ｔ Ｅ＋ベース・エミッタ電圧
をＶ Ｅ Ｂ ｒ熱電圧Ｖ ’ｒ ＝ ｋ Ｔ／ｑ、逆
方向飽和電流を■。とすると、ｖＥＩＩ−Ｖ７７！ｎ（
■ｏ／Ｉ０）・・・・（４）逆方向飽和電流■。はエミ
ッタ・ベース接合面積Ａと次のような関係が存在する。
び高周波バイパスコンデンサ８２により、高周波的に分
離されているので、増幅器における直流バイアス回路の
みを考えると、第２図のようになる。ここで、トランジ
スタ１．２のエミッタ電流Ｔ ＥＩ＋ Ｉ Ｅ２は、
Ｉ ＥＩ−Ｔ Ｅ２＝ Ｔ Ｅ＋ベース・エミッタ電圧
をＶ Ｅ Ｂ ｒ熱電圧Ｖ ’ｒ ＝ ｋ Ｔ／ｑ、逆
方向飽和電流を■。とすると、ｖＥＩＩ−Ｖ７７！ｎ（
■ｏ／Ｉ０）・・・・（４）逆方向飽和電流■。はエミ
ッタ・ベース接合面積Ａと次のような関係が存在する。
１ｏ＝ ＴＥＡ ・−・−（５ま
ただしγ、は定数である。
トランジスタ１のエミッタ・ベース接合面積をＡ１、ト
ランジスタ２のエミッタ・ベース接合面積をＡ２とする
と、 ＩＥＩ／ Ｉｇｚ＝Ａ １／Ａ ２ ＃ Ｉｃａ＋／
Ｉｃｏｚとなり、アイドル電流Ｔ ＣＱＩ＋ Ｉ Ｃ
８４は、トランジスタのｈＦＥに関係なく、トランジス
タの接合面積に比例して流れる。
ランジスタ２のエミッタ・ベース接合面積をＡ２とする
と、 ＩＥＩ／ Ｉｇｚ＝Ａ １／Ａ ２ ＃ Ｉｃａ＋／
Ｉｃｏｚとなり、アイドル電流Ｔ ＣＱＩ＋ Ｉ Ｃ
８４は、トランジスタのｈＦＥに関係なく、トランジス
タの接合面積に比例して流れる。
この実施例においては、能動素子は２段で説明したが、
何段にしても同一の効果を奏する。
何段にしても同一の効果を奏する。
また、バイアス用抵抗８３の代わりにダイオードを使用
してもよい。
してもよい。
以上説明したように本発明は、高周波的に能動素子を分
離するためのストリップ線路と、共通のベース電位を供
給するための供給手段とを設けることにより、部品点数
を削減できる効果がある。
離するためのストリップ線路と、共通のベース電位を供
給するための供給手段とを設けることにより、部品点数
を削減できる効果がある。
また、部品点数を削減できるので、スペースに余裕がで
き、簡単化・コンパクト化が可能となる効果がある。
き、簡単化・コンパクト化が可能となる効果がある。
第１図は本発明に係わるバイアス回路の一実施例を適用
した高周波多段ＡＢ級バイアス増幅器を示す回路図、第
２図はその直流バイアス回路を示す回路図、第３図は従
来のバイアス回路を適用した高周波多段ＡＢ級バイアス
増幅器を示す回路図である。 １．２・・・・トランジスタ、３・・・・整合回路、８
・・・・バイアス回路、９・・・・バイアス用電源端子
、８１ａ、８１ｂ・・・・ストリップ線路、８２・・・
・高周波バイパスコンデンザ、８３・・・・バイアス用
抵抗、８４・・・・バイアス用ブリーダ抵抗。
した高周波多段ＡＢ級バイアス増幅器を示す回路図、第
２図はその直流バイアス回路を示す回路図、第３図は従
来のバイアス回路を適用した高周波多段ＡＢ級バイアス
増幅器を示す回路図である。 １．２・・・・トランジスタ、３・・・・整合回路、８
・・・・バイアス回路、９・・・・バイアス用電源端子
、８１ａ、８１ｂ・・・・ストリップ線路、８２・・・
・高周波バイパスコンデンザ、８３・・・・バイアス用
抵抗、８４・・・・バイアス用ブリーダ抵抗。
Claims (1)
- 高周波回路におけるバイアス回路において、高周波的に
能動素子を分離するためのストリップ線路と、共通のベ
ース電位を供給するための供給手段とを備えたことを特
徴とするバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17972485A JPH0754888B2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17972485A JPH0754888B2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | バイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239908A true JPS6239908A (ja) | 1987-02-20 |
| JPH0754888B2 JPH0754888B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=16070761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17972485A Expired - Lifetime JPH0754888B2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754888B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1317062A2 (en) * | 2001-11-16 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Power supply control of cascaded amplifiers in a transmission circuit |
| JP2017103678A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 株式会社東芝 | 高周波半導体増幅器 |
| GB2506050B (en) * | 2011-06-17 | 2018-09-05 | Tensorcom Inc | A Direct Coupled Biasing Circuit for High Frequency Applications |
| KR20190009793A (ko) | 2016-08-10 | 2019-01-29 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전력 증폭 모듈, 프런트 엔드 회로, 및 통신 장치 |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP17972485A patent/JPH0754888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1317062A2 (en) * | 2001-11-16 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Power supply control of cascaded amplifiers in a transmission circuit |
| EP1317062A3 (en) * | 2001-11-16 | 2003-10-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Power supply control of cascaded amplifiers in a transmission circuit |
| GB2506050B (en) * | 2011-06-17 | 2018-09-05 | Tensorcom Inc | A Direct Coupled Biasing Circuit for High Frequency Applications |
| GB2560475A (en) * | 2011-06-17 | 2018-09-12 | Tensorcom Inc | A direct coupled biasing circuit for high frequency applications |
| GB2560475B (en) * | 2011-06-17 | 2019-02-06 | Tensorcom Inc | A direct coupled biasing circuit for high frequency applications |
| JP2017103678A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 株式会社東芝 | 高周波半導体増幅器 |
| US9947628B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor amplifier |
| KR20190009793A (ko) | 2016-08-10 | 2019-01-29 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전력 증폭 모듈, 프런트 엔드 회로, 및 통신 장치 |
| US10554180B2 (en) | 2016-08-10 | 2020-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
| US10992267B2 (en) | 2016-08-10 | 2021-04-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
| US11601096B2 (en) | 2016-08-10 | 2023-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
| US11870401B2 (en) | 2016-08-10 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power amplifier module, frontend circuit, and communication device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754888B2 (ja) | 1995-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |