JPS58146111A - 定電流回路 - Google Patents
定電流回路Info
- Publication number
- JPS58146111A JPS58146111A JP57028369A JP2836982A JPS58146111A JP S58146111 A JPS58146111 A JP S58146111A JP 57028369 A JP57028369 A JP 57028369A JP 2836982 A JP2836982 A JP 2836982A JP S58146111 A JPS58146111 A JP S58146111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant current
- emitter
- current
- circuit
- equation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、差動増幅器などアナログ回路で多く用いられ
る定電流回路の改良に関するものである。
る定電流回路の改良に関するものである。
ＰＮＰ ）ランジスタで入力段が構成されている差動増
幅器の場合、ＰＮＰ ｌ−ランジスタのｈＦＥが小さい
のでバイアス電源の温度変動によって入力バイアス電流
が大きく影響を受ける。これを押えるために１従来バイ
アス電源として用いられる定電流回路には比較的複雑な
温度補償回路を必要とするという欠点があった。
幅器の場合、ＰＮＰ ｌ−ランジスタのｈＦＥが小さい
のでバイアス電源の温度変動によって入力バイアス電流
が大きく影響を受ける。これを押えるために１従来バイ
アス電源として用いられる定電流回路には比較的複雑な
温度補償回路を必要とするという欠点があった。
本発明は上記の欠点を解消するためＫなされたもので、
回路構成を複雑にせずに、温度変動の影響を補償できる
定電流回路の実現を目的としている。
回路構成を複雑にせずに、温度変動の影響を補償できる
定電流回路の実現を目的としている。
以下図面にもとづいて本発明を説明する。
第１図は、本発明による定電流回路の基本電気回路−図
である。本回路は定電流源を構成するＦＥＴトランジス
タＱ３と、このＦＥＴ ）ランジスタＱ３から定電流を
供給されるトランジスタＱ□と、このトランジスタＱ工
とカレント・ミラー回路を構成するトランジスタＱ２及
び抵抗Ｒとから構成される装置図において、端子１，２
間に電源電圧が加えられると、接合形ＦＩＣＴ （電界
効果型トランジスタ）Ｑ３で構成される定電流回路によ
りトランジスタＱ１に定電流Ｉ□が流れる。負荷３に流
れる電流工２は抵抗Ｒ１カレントミラー回路を構成する
２つのトランジスタＱ１＋Ｑ２０ベース・エミッタ間電
圧ｖＢＥＩ’ｖＢＥ□から次式によって定められる。
である。本回路は定電流源を構成するＦＥＴトランジス
タＱ３と、このＦＥＴ ）ランジスタＱ３から定電流を
供給されるトランジスタＱ□と、このトランジスタＱ工
とカレント・ミラー回路を構成するトランジスタＱ２及
び抵抗Ｒとから構成される装置図において、端子１，２
間に電源電圧が加えられると、接合形ＦＩＣＴ （電界
効果型トランジスタ）Ｑ３で構成される定電流回路によ
りトランジスタＱ１に定電流Ｉ□が流れる。負荷３に流
れる電流工２は抵抗Ｒ１カレントミラー回路を構成する
２つのトランジスタＱ１＋Ｑ２０ベース・エミッタ間電
圧ｖＢＥＩ’ｖＢＥ□から次式によって定められる。
ＶＢ、 ＋ ＲＩ２− ＶＢ、１（１）（１）式に−い
て、各トランジスタＱ□、Ｑ２のペース・エミッタ間電
圧ｖＢＥＩ”ＢＨ３を、エミッタ電流１１゜工２．トラ
ンジスタＱＣｓ Ｑ２のエミッタ有効面積Ａ工。
て、各トランジスタＱ□、Ｑ２のペース・エミッタ間電
圧ｖＢＥＩ”ＢＨ３を、エミッタ電流１１゜工２．トラ
ンジスタＱＣｓ Ｑ２のエミッタ有効面積Ａ工。
Ａ２．ボルツマン定数に、電子電荷ｑ、飽和電流密度Ｊ
ｓ、絶対温度Ｔを用いて表わすと次式のようになる。
ｓ、絶対温度Ｔを用いて表わすと次式のようになる。
（２）式を絶対温度Ｔで微分すると（３）式のように々
る。
る。
周囲温度Ｔ ｍ Ｔｏにおいてエミッタ電流Ｉ２の温度
依存性が０となる条件は（４）式で表わされる。
依存性が０となる条件は（４）式で表わされる。
（４）式を（３）式の場合に適用すると（５）式の関係
が得られる。
が得られる。
（５）式において、エミッタ電流Ｉ□は接合！！１１
ＦＥＴ 、 Ｑ３の飽和ドレイン電流よりＳＳを決めれ
ばこのＩＤ１３８にほぼ等しくなる。
ＦＥＴ 、 Ｑ３の飽和ドレイン電流よりＳＳを決めれ
ばこのＩＤ１３８にほぼ等しくなる。
は前記飽和ドレイン電流よりＳＳのＴ■ＴＯにおける温
度変化率から求められる。したがってエミッタ電流Ｉを
決めれば、エミッタ電流工２の温度依存性を０にするよ
うなエミッタ有効面積比Ａ１１Ａ２が求まる。このエミ
ッタ有効面積比を満足するようＫＡｌ。
度変化率から求められる。したがってエミッタ電流Ｉを
決めれば、エミッタ電流工２の温度依存性を０にするよ
うなエミッタ有効面積比Ａ１１Ａ２が求まる。このエミ
ッタ有効面積比を満足するようＫＡｌ。
Ａ２を決めれば（２）式から抵抗Ｒの値も定まる。上記
のようにして値を定められた属１図の回路において、負
荷５に流れる電流Ｉは広い温度範囲にわたりて温度依存
性は非常に小さくなるので、安定な定電流回路を実現で
きる。
のようにして値を定められた属１図の回路において、負
荷５に流れる電流Ｉは広い温度範囲にわたりて温度依存
性は非常に小さくなるので、安定な定電流回路を実現で
きる。
なお！ｉＫ１図でＦｉＰＮＰ ｍ ）ランジスタを用い
ているが、替りＫ ＮＰＮ Ｗ ）ランジスタを用いて
同様の回路を構成することもできる。
ているが、替りＫ ＮＰＮ Ｗ ）ランジスタを用いて
同様の回路を構成することもできる。
菖３図は本発明の一実施例を示す電気回路図で、蔦１図
の負荷３としてＰＮＰＩｌトランジスタを中心に構成し
た差動増幅器の初段を用いて全体を集積回路化した場合
である。図においてＱ１〜Ｑ３．Ｒで構成される定電流
回路は、Ｑ４〜Ｑ８．Ｄ□で構成される差動増幅回路に
対する入力バイアス電源として働いている。一般に集積
回路のラテラルｐＮｐトランジスタ、サブストレートＰ
ＮＰ ）ランジスタのｈＦＥは温度依存性が小さいが、
ｈｎが小さいのでトランジスタの動作電流に温度依存性
があるとその影響を強く受け、ベース電流の温度依存性
となって表われる。第５図の実施例では、バイアス電源
として本発明に係る、温度依存性の小さい定電流回路を
用いているので、トランジスタＱ４＊ Ｑ５ｓ Ｑ７ｔ
Ｑ８の動作電流をｔ１バ一定に保つことができ、トラン
ジスタＱ４＋ Ｑ５のベース電流も一定に保たれる。
の負荷３としてＰＮＰＩｌトランジスタを中心に構成し
た差動増幅器の初段を用いて全体を集積回路化した場合
である。図においてＱ１〜Ｑ３．Ｒで構成される定電流
回路は、Ｑ４〜Ｑ８．Ｄ□で構成される差動増幅回路に
対する入力バイアス電源として働いている。一般に集積
回路のラテラルｐＮｐトランジスタ、サブストレートＰ
ＮＰ ）ランジスタのｈＦＥは温度依存性が小さいが、
ｈｎが小さいのでトランジスタの動作電流に温度依存性
があるとその影響を強く受け、ベース電流の温度依存性
となって表われる。第５図の実施例では、バイアス電源
として本発明に係る、温度依存性の小さい定電流回路を
用いているので、トランジスタＱ４＊ Ｑ５ｓ Ｑ７ｔ
Ｑ８の動作電流をｔ１バ一定に保つことができ、トラン
ジスタＱ４＋ Ｑ５のベース電流も一定に保たれる。
この結果入力端子４．５を流れる入力バイアス電流も温
度依存性が小さくなる。
度依存性が小さくなる。
以上述べたように第３図の実施例によれば、ＰＮＰトラ
ンジスタを中心に構成された差動増幅器の入力バイアス
電流の温度依存性を簡単な構成で補償できる。
ンジスタを中心に構成された差動増幅器の入力バイアス
電流の温度依存性を簡単な構成で補償できる。
萬４図は本発明の他の実施例を示す電気回路図で、差動
増幅回路に対する温度安定なバイアス電流が２つのトラ
ンジスタＱ２□、Ｑ２３から供給されている点以外はＷ
ｔＳ図と同様である。
増幅回路に対する温度安定なバイアス電流が２つのトラ
ンジスタＱ２□、Ｑ２３から供給されている点以外はＷ
ｔＳ図と同様である。
なお第５図、第４図の実施例においては差動増幅ａ定電
流回路の負荷とした場合を示しているが、本発明は温度
依存性の小さい定電流回路を必要とする多くの場合に利
用することができる。
流回路の負荷とした場合を示しているが、本発明は温度
依存性の小さい定電流回路を必要とする多くの場合に利
用することができる。
以上述べたように１本発明によれば温度依存性の小さい
定電流回路を簡単な構成で実現できる。
定電流回路を簡単な構成で実現できる。
峙にＰＮＰ トランジスタを中心に構成された差動増幅
回路のバイアス電源として使用すれば、入カバ。
回路のバイアス電源として使用すれば、入カバ。
イアスミ流の温度依存性を小さくする効果がある。
【図面の簡単な説明】
属１図は、定電流回路の基本電気回路図、第２図は接合
型ＦＥＴの飽和ドレイン電流の温度特性曲線、第３図は
本発明の一実施例を示す電気回路図、薦４図は本発明の
他の実施例を示す電気回路図でスタ、Ｑ３・・・定電流
源用接合［ＦＥＴ、Ｒ・・・定電流設定用抵抗、３・・
・負荷、！□・・・接合１１ ＦＥＴによる定電流、Ｉ
２・・・温度補償を行なった定電流。 ４１図 蝉 ３ 図 芽 ２ ｎ 芽 ４Ｉ￥１
型ＦＥＴの飽和ドレイン電流の温度特性曲線、第３図は
本発明の一実施例を示す電気回路図、薦４図は本発明の
他の実施例を示す電気回路図でスタ、Ｑ３・・・定電流
源用接合［ＦＥＴ、Ｒ・・・定電流設定用抵抗、３・・
・負荷、！□・・・接合１１ ＦＥＴによる定電流、Ｉ
２・・・温度補償を行なった定電流。 ４１図 蝉 ３ 図 芽 ２ ｎ 芽 ４Ｉ￥１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 接合型ＦＥＴで構成された定電流源と、この定電流源に
コレクタが接続され前記定電流源から定電流工、が供給
されているトランジスタＱ□と、このトランジスタＱ１
と互いにカレントミラー回路を構成シエミッタが前記ト
ランジスタＱ１のエミッタと抵抗を介して接続し、コレ
クタに接続した負荷に定電流工。を供給するトランジス
タＱ２とから成り、周囲温度Ｔｏにおいて なる関係を満たすようにトランジスタＱ□のエミッタ面
積Ａ□とトランジスタＱ２のエミッタ面積ム２の比Ａ□
／Ａ２を定めるこ−とにより′、前記負荷に温度に対し
て安定な定電流を供給するようにしたことを特徴とする
定電流回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028369A JPS58146111A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 定電流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028369A JPS58146111A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 定電流回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58146111A true JPS58146111A (ja) | 1983-08-31 |
Family
ID=12246705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57028369A Pending JPS58146111A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 定電流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58146111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01321706A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 定電流発生回路 |
| JPH03143221A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
-
1982
- 1982-02-24 JP JP57028369A patent/JPS58146111A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01321706A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 定電流発生回路 |
| JPH03143221A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101829416B1 (ko) | 보상된 밴드갭 | |
| JPS61187020A (ja) | 電圧基準回路 | |
| EP0072589A2 (en) | Current stabilizing arrangement | |
| JPH07202591A (ja) | 基準電流源 | |
| US6288525B1 (en) | Merged NPN and PNP transistor stack for low noise and low supply voltage bandgap | |
| US5334929A (en) | Circuit for providing a current proportional to absolute temperature | |
| JPH0123802B2 (ja) | ||
| US4603290A (en) | Constant-current generating circuit | |
| US4785231A (en) | Reference current source | |
| JP4031043B2 (ja) | 温度補償を有する基準電圧源 | |
| JP4689126B2 (ja) | 電子回路 | |
| US4352057A (en) | Constant current source | |
| JPS604611B2 (ja) | バイアス電流供給回路 | |
| TWI688205B (zh) | 帶差電壓參考電路 | |
| JPS58146111A (ja) | 定電流回路 | |
| US4356455A (en) | Amplifier | |
| JPS59108411A (ja) | 電流源回路 | |
| JPH04338812A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JP2638771B2 (ja) | 基準電圧発生装置 | |
| KR900008361B1 (ko) | 이득제어 수단을 구비한 전류 미러형 증폭회로 | |
| JP2859461B2 (ja) | 温度補償用回路 | |
| JPH09146648A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JP2591817Y2 (ja) | 定電圧生成回路 | |
| JPS62220010A (ja) | スイツチング電流発生回路 | |
| JP3024026B2 (ja) | バンドギャップ型定電圧発生回路 |