JPS62195164A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

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JPS62195164A
JPS62195164A JP61037859A JP3785986A JPS62195164A JP S62195164 A JPS62195164 A JP S62195164A JP 61037859 A JP61037859 A JP 61037859A JP 3785986 A JP3785986 A JP 3785986A JP S62195164 A JPS62195164 A JP S62195164A
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lead
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Kenji Iinuma
飯沼　健司
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体チップど外部端子等を電気的に接続する
リードフレームに関する。
〔従来の技術とその問題点〕
一般に、リードフレームはそのインナーリードの先端部
をもって半導体チップ等とワイヤボンディングされる。
特に、樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレー
ムにおいては、第５図に示すようにインナーリード１の
先端部の表面側にワイヤボンディングを良好に行なうた
め、コイニング２を施している。
ところが、］コイニングを施すとインナーリード１の先
端部が表面側に反ってしまう。そして、半導体チップと
のワイヤボンディングを行なうために、インナーリード
１をヒータブロック３上にクランプ４によって上から押
圧して固定した場合に、］コイニングを施したインナー
リード１の先端部がヒータブロック３の上面より上方に
浮ぎ上がって離れてしまう。すなわち、第４図Ｂ線に示
すように、従来のインナーリード１をクランプ４によっ
てヒータブロック３に固定した場合、インナーリード１
の基端部１ａからコイニングライン２ａまでの間は約６
０μｍ下降されているが、コイニングライン２ａから先
端までは約１０μｍ反り上がっている。このため、ワイ
ヤボンディングを施すべきインナーリード１の先端部は
、ヒータブロック３によって直接加熱されず、後方から
の伝導熱によって加熱されるだけである。従って、コイ
ニング２を施したインナーリード１の先端部のワイヤボ
ンディング時における加熱立上がり時間が長くなる。
一方、今日においては半導体製品等の生産性向上のため
、高速ホンダを用いてワイヤボンディングを極めて高速
に行なうことが試みられている。
しかしながら、前述したように従来のインナーリード１
はコイニング２を施した先端部が表面側へ反っていて加
熱立上がり時間が長いので、高速でワイヤボンディング
するとインナーリード１の加熱不足により、第６図に示
すように、ワイヤ５の］イニング２部におけるステッチ
ボンド６の形状が、同図鎖線の正常な形状に比べて潰れ
幅が小さく、ワイヤ５とインナーリード１との接続不良
を起すおそれがあった。
〔発明の目的〕
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、］イ
ニングを施したインナーリードの先端部が表面側に反る
こともなく、加熱立−Ｖがり時間が短く、高速にワイヤ
ボンディングを行なうことができ、半導体装置の生産能
率を高めるリードフレームを提供することを目的とする
。
〔発明の概要〕
本発明のリードフレームは、インナーリードの先端の表
面にコイニングを施してなるリードフレームにおいて、
前記コイニングにより表面側に反っているインナーリー
ドの先端部を、インナーリードの裏面側にヒット・フォ
ームを入れることによりほぼ元の状態に復位矯正させて
なることを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を第１図から第４図について説明
する。
本実施例においては、第１図に示すように、インナーリ
ード１の裏面にコイニングライン２ａと反対位置付近に
おいてインナーリード１の幅方向に亘ってプレス等によ
り押打してヒット・フォーム７を形成している。
このヒット・フォーム７を形成する反作用により、表面
側へ反っていたインナーリード１の先端部は、第１図お
よび第２図に示すように、裏面側へ曲げられ、はぼ元の
状態に復位矯正させられる。
このヒット・フォーム７を形成したインブーリード１を
ヒータブロック３上に載置し、クランプ４によって押圧
して固定すると、コイニング２を施したインナーリード
１の先端部はヒータブロック３上に密着する。すなわち
、第４図Ａ線に示すように、インナーリード１をクラン
プ４によってヒータブロック３に固定すると、インナー
リード１の基端部１ａからヒット・フォーム７までの問
は約６５μｍ下降し、ヒット・フォーム７の部分で約１
０μｍ上昇し、ヒット・フォーム７からインナーリード
１の先端までは約３０μｍ下降する。
これによりコイニング２を施したインナーリード１の先
端部分は、ヒータブロック３と直接接触しているのでヒ
ータブロック３により直かに加熱されることとなり、そ
の加熱立上がり時間は従来に比較すると極“めで短いも
のとなる。従って、コイニング２を施したインナーリー
ド１の先端部の高速加熱が可能となり、高速ホンダを用
いてワイヤ５とインナーリード１とを高速に、かつ、確
実に接続することができる。第３図に示すように、イン
ナーリード１の先端部に接続されたワイヤ５のステッチ
ボンド６の形状も十分に潰されたものとなり、接続不良
を起すことは皆無となる。
〔発明の効果〕
このように本発明のリードフレームは構成され作用する
ものであるから、コイニングを施したインナーリードの
先端部が表面側に反ることもなく、加熱立上がり時間が
短く、高速にワイヤボンディングを行なうことができ、
生産能率も高くなる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図から第３図は本発明のリードフレームの一実施例
を示し、第１図はインナーリードの裏面から見た斜視図
、第２図はワイヤボンディング前の状態を示す斜視図、
第３図はボンディング形状を示す斜視図、第４図は本発
明と従来例とのインナーリードのワイヤボンディング時
における変位量を比較して示した特性図、第５図および
第６図はそれぞれ従来例を示す第２図および第３図同様
の図である。 １・・・インナーリード、２・・・］イニング、３・・
・ヒータブロック、４・・・クランプ、７・・・ヒット
・フォーム。 第　　　１　　　図 第　　　２　　　図 第　　　３　　　図 第　　　４　　　図 つ 第　　　５　　　図 第　　　６　　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　インナーリードの先端の表面にコイニングを施してな
    るリードフレームにおいて、前記コイニングにより表面
    側に反っているインナーリードの先端部を、インナーリ
    ードの裏面側にヒット・フォームを入れることによりほ
    ぼ元の状態に復位矯正させてなることを特徴とするリー
    ドフレーム。
JP61037859A 1986-02-21 1986-02-21 リードフレームの製造方法 Granted JPS62195164A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61037859A JPS62195164A (ja) 1986-02-21 1986-02-21 リードフレームの製造方法
KR1019870000109A KR900003873B1 (ko) 1986-02-21 1987-01-09 리드 프레임

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JP61037859A JPS62195164A (ja) 1986-02-21 1986-02-21 リードフレームの製造方法

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Publication Number Publication Date
JPS62195164A true JPS62195164A (ja) 1987-08-27
JPH0366814B2 JPH0366814B2 (ja) 1991-10-18

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ID=12509274

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JP61037859A Granted JPS62195164A (ja) 1986-02-21 1986-02-21 リードフレームの製造方法

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JP (1) JPS62195164A (ja)
KR (1) KR900003873B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729836U (ja) * 1993-11-10 1995-06-02 サンケン電気株式会社 半導体装置
JPH07254679A (ja) * 1993-11-20 1995-10-03 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置用リードフレーム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57210651A (en) * 1981-06-19 1982-12-24 Toshiba Corp Lead frame and manufacture thereof

Patent Citations (1)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0729836U (ja) * 1993-11-10 1995-06-02 サンケン電気株式会社 半導体装置
JPH07254679A (ja) * 1993-11-20 1995-10-03 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置用リードフレーム

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Publication number Publication date
JPH0366814B2 (ja) 1991-10-18
KR870008385A (ko) 1987-09-26
KR900003873B1 (ko) 1990-06-02

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