JPH0444355A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH0444355A JPH0444355A JP15339490A JP15339490A JPH0444355A JP H0444355 A JPH0444355 A JP H0444355A JP 15339490 A JP15339490 A JP 15339490A JP 15339490 A JP15339490 A JP 15339490A JP H0444355 A JPH0444355 A JP H0444355A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
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- 244000144992 flock Species 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ダイステージ表面とインナーリード表面との間に段差を
設けたリードフレームに関し、ダイステージに搭載した
半導体チップとインナーリード間を金属細線で接続する
ワイヤボンディング作業の能率とワイヤボンディングを
行うワイヤボンダーの稼動率とを向上できるリードフレ
ームの提供を目的とし、 インナーリードの先端部の裏面側に、その下端部がダイ
ステージの裏面とほぼ同一面となる突部を設けてリード
フレームを構成する。
設けたリードフレームに関し、ダイステージに搭載した
半導体チップとインナーリード間を金属細線で接続する
ワイヤボンディング作業の能率とワイヤボンディングを
行うワイヤボンダーの稼動率とを向上できるリードフレ
ームの提供を目的とし、 インナーリードの先端部の裏面側に、その下端部がダイ
ステージの裏面とほぼ同一面となる突部を設けてリード
フレームを構成する。
本発明は、ダイステージとインナーリードとの間に段差
を設けたリードフレーム、特にワイヤボンディング作業
の能率とワイヤボンダーの稼動率とを向上できるリード
フレームに関する。
を設けたリードフレーム、特にワイヤボンディング作業
の能率とワイヤボンダーの稼動率とを向上できるリード
フレームに関する。
昨今の半導体装置の種類の著しい増加に伴い、それに使
用されている半導体チップの大きさも多種類化している
。
用されている半導体チップの大きさも多種類化している
。
そして、これからの半導体装置の用途の拡大に伴に、こ
の傾向は益々強くなることが容５に想定されることであ
る。
の傾向は益々強くなることが容５に想定されることであ
る。
従って、斯かる半導体チップの大きさの多種類化に対し
て、柔軟に対応することのできるリードフレームの実用
化が強く要請されることは勿論である。
て、柔軟に対応することのできるリードフレームの実用
化が強く要請されることは勿論である。
次に、従来のリードフレームについて図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第２図は、従来のリードフレームを説明するための図で
あって、同図（ａ）はリードフレームの要部平面図、同
図（ｂ）はリードフレームのＡ−Ａ！断面図、同図（ｃ
）は段差のないリードフレームの要部側断面図である。
あって、同図（ａ）はリードフレームの要部平面図、同
図（ｂ）はリードフレームのＡ−Ａ！断面図、同図（ｃ
）は段差のないリードフレームの要部側断面図である。
尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号を
付与しである。
付与しである。
従来のリードフレームには、同図（ａ）及び同図（ｂ）
で示すようにダイステージ２１の表面をインナーリード
２２の表面より落ち込ませて形成した段差りが設けられ
ている。
で示すようにダイステージ２１の表面をインナーリード
２２の表面より落ち込ませて形成した段差りが設けられ
ている。
リードフレームに段差りを設けているのは、同図（Ｃ）
に示すように段差のないリードフレームでは金属細線４
２（例えば、線径が２５μｍ程度の金＆ｉ）をワイヤボ
ンディングし、半導体チップ４１のパッド４１ａ とイ
ンナーリード２３とを接続した際に金属細線４２が半導
体チップ４１と接触して短絡事故を起こす危険があるか
らである。
に示すように段差のないリードフレームでは金属細線４
２（例えば、線径が２５μｍ程度の金＆ｉ）をワイヤボ
ンディングし、半導体チップ４１のパッド４１ａ とイ
ンナーリード２３とを接続した際に金属細線４２が半導
体チップ４１と接触して短絡事故を起こす危険があるか
らである。
次に、かかる段差りを有するリードフレームのダイステ
ージ２１の表面に搭載した半導体チップ４１のパッド４
１ａ とインナーリード２２の表面に、熱圧着方式のワ
イヤボンダーにより金属細線４２をワイヤボンディング
し、半導体チップ４１とインナーリード２２とを電気的
に接続する方法について図面を参照しながら説明する。
ージ２１の表面に搭載した半導体チップ４１のパッド４
１ａ とインナーリード２２の表面に、熱圧着方式のワ
イヤボンダーにより金属細線４２をワイヤボンディング
し、半導体チップ４１とインナーリード２２とを電気的
に接続する方法について図面を参照しながら説明する。
第３図は、ワイヤボンディングの方法を説明するための
要部側断面図であって、同図（ａ）はヒートブロックの
凹部とリードフレームの組み合わせが適切な場合を示す
図、同図（ｂ）はヒートフロックの凹部とリードフレー
ムの組み合わせが不適切な場合を示す図である。
要部側断面図であって、同図（ａ）はヒートブロックの
凹部とリードフレームの組み合わせが適切な場合を示す
図、同図（ｂ）はヒートフロックの凹部とリードフレー
ムの組み合わせが不適切な場合を示す図である。
リードフレームのダイステージ２１上の半導体チップ４
１のパッド４１ａ とインナーリード２２に金属細線４
２をワイヤボンディングするには、まず 同図（ａ）に
示す如く、３００度Ｃ程度に加熱したヒートブロック３
１の表面を穿孔して設けた凹部３１ａの中に、半導体チ
ップ４１を搭載したダイステージ２１を嵌着する。
１のパッド４１ａ とインナーリード２２に金属細線４
２をワイヤボンディングするには、まず 同図（ａ）に
示す如く、３００度Ｃ程度に加熱したヒートブロック３
１の表面を穿孔して設けた凹部３１ａの中に、半導体チ
ップ４１を搭載したダイステージ２１を嵌着する。
この時、半導体チップ４１の表面は、ヒートブロック３
１の表面より僅かに高い位置にある。
１の表面より僅かに高い位置にある。
そして、この状態を保持し、半導体チップ４１の温度が
３００度Ｃ程度になったら、ワイヤボンダーのキャピラ
リ４３の先端を半導体チップ４１のパッド４１ａに押し
付けるようにして金属細線４２の一端を当該パッド４１
ａ表面に熱圧着する。
３００度Ｃ程度になったら、ワイヤボンダーのキャピラ
リ４３の先端を半導体チップ４１のパッド４１ａに押し
付けるようにして金属細線４２の一端を当該パッド４１
ａ表面に熱圧着する。
そして、この後、金属細線４２を先端から繰り出しなが
金属細線４２を矢印Ｂで示すように移動し、キャピラリ
４３の先端をヒートブロック３１の表面に支持されたイ
ンナーリード２２に押し付けるようにして金属細線４２
を当該インナーリードの表面に熱圧着する。
金属細線４２を矢印Ｂで示すように移動し、キャピラリ
４３の先端をヒートブロック３１の表面に支持されたイ
ンナーリード２２に押し付けるようにして金属細線４２
を当該インナーリードの表面に熱圧着する。
このようにして金属細線４２のインナーリードの表面へ
の熱圧着が終了したら、ワイヤボンダーのクランパー（
図示せず）を作動し、金属細線４２をクランプしてキャ
ピラリ４３を移動させると、金属細線４２は、インナー
リード２２との熱圧着部の近傍で引き千切られてる。
の熱圧着が終了したら、ワイヤボンダーのクランパー（
図示せず）を作動し、金属細線４２をクランプしてキャ
ピラリ４３を移動させると、金属細線４２は、インナー
リード２２との熱圧着部の近傍で引き千切られてる。
斯くして、ダイステージ２１に搭載した半導体チップ４
１のパッド４１ａ とインナーリード２２とが、金属線
！４２で接続されることとなる。
１のパッド４１ａ とインナーリード２２とが、金属線
！４２で接続されることとなる。
ところが、搭載する半導体子ノブサイズが小さいと、ダ
イステージも小さく作られているとともに、ダイステー
ジとインナーリード間の距離も短く構成されるのが一般
的である。
イステージも小さく作られているとともに、ダイステー
ジとインナーリード間の距離も短く構成されるのが一般
的である。
従って、前記ワイヤボンダーによりワイヤボンディング
すべく前記半導体チップ４１よりサイズの小さい半導体
チップ４１”が搭載されたリードフレームを前記ヒート
ブロック３１にそのままセントすると、第３図の（ｂ）
図に示すようにヒートブロック３１の凹部３１ａにイン
ナーリード２２゛ の先端部が張り出すこととなる。
すべく前記半導体チップ４１よりサイズの小さい半導体
チップ４１”が搭載されたリードフレームを前記ヒート
ブロック３１にそのままセントすると、第３図の（ｂ）
図に示すようにヒートブロック３１の凹部３１ａにイン
ナーリード２２゛ の先端部が張り出すこととなる。
そして、このような状態のインナーリード２２“に金属
細線４２を熱圧着するために、キャピラリ４３の先端を
インナーリード２２゛ に押しつけると凹部３１ａに張
り出したインインナーリード２２゛ の先端部が曲がっ
てしまったり、またインインナーリード２２”が撓んで
金属細線４２が十分な強度でもってインナーリード２２
゛ に熱圧着されないという問題があった。
細線４２を熱圧着するために、キャピラリ４３の先端を
インナーリード２２゛ に押しつけると凹部３１ａに張
り出したインインナーリード２２゛ の先端部が曲がっ
てしまったり、またインインナーリード２２”が撓んで
金属細線４２が十分な強度でもってインナーリード２２
゛ に熱圧着されないという問題があった。
このために、かかる問題を回避するために従来は、リー
ドフレームのダイステージを嵌着する凹部の大きさが異
なるヒートブロックを幾つか用意して置き、半導体チッ
プを搭載したリードフレームにあったヒートブロックを
その都度選択して使用していた。
ドフレームのダイステージを嵌着する凹部の大きさが異
なるヒートブロックを幾つか用意して置き、半導体チッ
プを搭載したリードフレームにあったヒートブロックを
その都度選択して使用していた。
しかしながら、このような方法はヒートブロックの交換
作業を必要とし、ワイヤボンディング作業の能率を低下
させるとともに、ワイヤボンダーの稼動率をも低下させ
るとう問題があった。
作業を必要とし、ワイヤボンディング作業の能率を低下
させるとともに、ワイヤボンダーの稼動率をも低下させ
るとう問題があった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたも
ので、その目的はワイヤボンディング作業の能率とワイ
ヤボンダーの稼動率とを向上できるリードフレームの提
供にある。
ので、その目的はワイヤボンディング作業の能率とワイ
ヤボンダーの稼動率とを向上できるリードフレームの提
供にある。
前記目的は、第１図に示すように半導体チップを搭載す
るダイステージ１１の表面が半導体チップに一端を接続
した金属細線の他端を接続するインナーリード１２の該
金属細線接続部より落ち込んだリードフレームにおいて
、 インナーリード１２の先端部の裏面側に、その下端部が
ダイステージ１１の裏面とほぼ同一面となる突部１３が
設けられていることを特徴とするリードフレームによっ
て達成される。
るダイステージ１１の表面が半導体チップに一端を接続
した金属細線の他端を接続するインナーリード１２の該
金属細線接続部より落ち込んだリードフレームにおいて
、 インナーリード１２の先端部の裏面側に、その下端部が
ダイステージ１１の裏面とほぼ同一面となる突部１３が
設けられていることを特徴とするリードフレームによっ
て達成される。
本発明のリードフレームにおいては、そのインナーリー
ド１２の先端部の裏面側に、その下端部がダイステージ
１１の裏面と先端面がほぼ同一面となる突部１３が設け
られている。
ド１２の先端部の裏面側に、その下端部がダイステージ
１１の裏面と先端面がほぼ同一面となる突部１３が設け
られている。
このため、インナーリード１２がヒートブロック３１の
凹部３１ａに張り出しても、インナーリード１２は凹部
３１ａの底に下端面を当接させた突部１３に支持されて
いる。
凹部３１ａに張り出しても、インナーリード１２は凹部
３１ａの底に下端面を当接させた突部１３に支持されて
いる。
従って、本発明のリードフレームにおいては、インナー
リード１２に金属細線４２を熱圧着するためにキャピラ
リ４３の先端をインナーリード１２に押しつけても、イ
ンナーリード１２は撓んだり或いは曲がったりすること
はない。
リード１２に金属細線４２を熱圧着するためにキャピラ
リ４３の先端をインナーリード１２に押しつけても、イ
ンナーリード１２は撓んだり或いは曲がったりすること
はない。
斯くして、本発明のリードフレームは、装着する半導体
チップ４１の大きさが変わってもワイヤボンディング作
業に用いるヒートブロック３１の交換作業が不要となり
、ワイヤボンディング作業の能率の向上は固より、ワイ
ヤボンダーの稼動率をも向上することとなる。
チップ４１の大きさが変わってもワイヤボンディング作
業に用いるヒートブロック３１の交換作業が不要となり
、ワイヤボンディング作業の能率の向上は固より、ワイ
ヤボンダーの稼動率をも向上することとなる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の実施例のリードフレームを説明する
ための図であって、同図（ａ）は第１の実施例のリード
フレームの要部平面図、同図（ｂ）は第１の実施例のリ
ードフレームのＡ−Ａ線断面図、同図（ｃ）はワイヤボ
ンディングの状態を示す要部側断面図、同図（ｄ）は第
２の実施例のり一トフレームの要部斜視図、同図（ｅ）
は第３の実施例のリードフレームの要部斜視図である。
ための図であって、同図（ａ）は第１の実施例のリード
フレームの要部平面図、同図（ｂ）は第１の実施例のリ
ードフレームのＡ−Ａ線断面図、同図（ｃ）はワイヤボ
ンディングの状態を示す要部側断面図、同図（ｄ）は第
２の実施例のり一トフレームの要部斜視図、同図（ｅ）
は第３の実施例のリードフレームの要部斜視図である。
第１の実施例のリードフレームのインナーリード１２は
、その先端部の両側面から圧力を加えて成形し、突部１
３を形成したものである。
、その先端部の両側面から圧力を加えて成形し、突部１
３を形成したものである。
従って、第１の実施例のリードフレームのダイステージ
１１に搭載した半導体チップ４１とインナーリード１２
に金属細線４２をワイヤボンディングすぺ（、該半導体
チップ４１より大きな半導体チップ用のヒートブロック
３１に同図（ｃ）に示す如く本実施例のリードフレーム
をセットすると、インナーリード１２は、ヒートブロッ
ク３１の凹部３１ａの底に下端面を当接させた該インナ
ーリード１２の先端裏面に設けられた突部１３によって
支持される。
１１に搭載した半導体チップ４１とインナーリード１２
に金属細線４２をワイヤボンディングすぺ（、該半導体
チップ４１より大きな半導体チップ用のヒートブロック
３１に同図（ｃ）に示す如く本実施例のリードフレーム
をセットすると、インナーリード１２は、ヒートブロッ
ク３１の凹部３１ａの底に下端面を当接させた該インナ
ーリード１２の先端裏面に設けられた突部１３によって
支持される。
従ってこのような状態でインナーリード１２に金属細線
４２を熱圧着するためにキャピラリ４３の先端をインナ
ーリード１２に押しつけても、インナーリ−ド１２は撓
んだり或いは曲がることがない。
４２を熱圧着するためにキャピラリ４３の先端をインナ
ーリード１２に押しつけても、インナーリ−ド１２は撓
んだり或いは曲がることがない。
このため本実施例では、十分な強度をもった熱圧着を行
うことができるのである。
うことができるのである。
斯くして、本発明の第１の実施例のリードフレームは、
装着する半導体チップの大きさが変わってもワイヤボン
ディング作業に用いるヒートブロックの交換作業が不要
となり、ワイヤボンディング作業の能率の向上は固より
、ワイヤボンダーの稼動率をも向上することとなる。
装着する半導体チップの大きさが変わってもワイヤボン
ディング作業に用いるヒートブロックの交換作業が不要
となり、ワイヤボンディング作業の能率の向上は固より
、ワイヤボンダーの稼動率をも向上することとなる。
上記した第１の実施例のリードフレームと同様な効果を
奏するリードフレームとして、同図（ｄ）に示すような
インナーリードの先端を直角に折り曲げて突部１４を形
成した第２の実施例、インナーリードの先端部の両側面
を直角に折り曲げて突部１５を形成した第３の実施例な
ども考えられることは勿論である。
奏するリードフレームとして、同図（ｄ）に示すような
インナーリードの先端を直角に折り曲げて突部１４を形
成した第２の実施例、インナーリードの先端部の両側面
を直角に折り曲げて突部１５を形成した第３の実施例な
ども考えられることは勿論である。
以上の説明から明らかなように本発明のリードフレーム
は、装着する半導体チップの大きさが変わってもワイヤ
ボンディング作業に用いるワイヤボンダーのヒートブロ
ックの時間のかかる交換作業を不要とし、ワイヤボンデ
ィング作業の能率の向上は固より、ワイヤボンダーの稼
動率をも向上することとなる。
は、装着する半導体チップの大きさが変わってもワイヤ
ボンディング作業に用いるワイヤボンダーのヒートブロ
ックの時間のかかる交換作業を不要とし、ワイヤボンデ
ィング作業の能率の向上は固より、ワイヤボンダーの稼
動率をも向上することとなる。
第１図は、本発明の実施例のリードフレームを説明する
ための図、 第２図は、従来のリードフレームを説明するための図、 第３図は、ワイヤボンディングの方法を説明するための
要部側断面図である。 図において、 １１はダイステージ、 １２はインナーリード、 １３と１４と１５は突部、 ３１はワイヤボンダーのヒートブロック、３１ａはヒー
トブロックに設けた凹部、４１は半導体チップ、 ４１ａ はパッド、 ４２は金属細線をそれぞれ示す。
ための図、 第２図は、従来のリードフレームを説明するための図、 第３図は、ワイヤボンディングの方法を説明するための
要部側断面図である。 図において、 １１はダイステージ、 １２はインナーリード、 １３と１４と１５は突部、 ３１はワイヤボンダーのヒートブロック、３１ａはヒー
トブロックに設けた凹部、４１は半導体チップ、 ４１ａ はパッド、 ４２は金属細線をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 半導体チップを搭載するダイステージ（１１）の表面
が半導体チップに一端を接続した金属細線の他端を接続
するインナーリード（１２）の該金属細線接続部より落
ち込んだリードフレームにおいて、前記インナーリード
（１２）の先端部の裏面側に、その下端部が前記ダイス
テージ（１１）の裏面とほぼ同一面となる突部（１３）
が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339490A JPH0444355A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339490A JPH0444355A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444355A true JPH0444355A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15561536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15339490A Pending JPH0444355A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444355A (ja) |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15339490A patent/JPH0444355A/ja active Pending
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