JPH04303958A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JPH04303958A
JPH04303958A JP6747791A JP6747791A JPH04303958A JP H04303958 A JPH04303958 A JP H04303958A JP 6747791 A JP6747791 A JP 6747791A JP 6747791 A JP6747791 A JP 6747791A JP H04303958 A JPH04303958 A JP H04303958A
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JP
Japan
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lead frame
die pad
film tape
lead
inner lead
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Pending
Application number
JP6747791A
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English (en)
Inventor
Takeshi Tsunoda
角田剛
Hiroshi Yagi
八木▲ひろし▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、搭載する半導体素子等
の電子制御部品の電極にワイヤボンディングされる所定
数のインナーリードを少なくとも有するインナーリード
に関し、特にインナーリードの変形等を防止するために
ポリイミド樹脂等のフィルムテープを用いてインナーリ
ードがテーピングされたリードフレームに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図3に示すように、一般に半導体素子等
の電子制御部品を搭載するリードフレーム1は、電子制
御部品を搭載する矩形状のダイパッド2と、このダイパ
ッド2を囲むようにして配設され、電子制御部品の電極
と接続される所定数のインナーリード3と、インナーリ
ード3に連続して外部回路と接続されるアウターリード
4とを有している。
【0003】近年、半導体素子等の電子制御部品が高速
小型化のため多ピン化かつ狭ピッチ化する傾向にあり、
この電子制御部品の多ピン化および狭ピッチ化に伴い、
リードフレーム1のインナーリード3の数が増大傾向に
あるとともにピッチも狭小化の傾向にある。このため、
リードフレーム1の製造・加工時や搬送時等にリードフ
レーム1のインナーリード3が変形することにより、イ
ンナーリード3どうしが接触したり、インナーリード3
の先端が上下にばらついたりすることが生じ易くなって
いる。
【0004】そこで、従来はインナーリード3をポリイ
ミドテープを用いてテーピングし、インナーリード部分
の変形を防ぐ手段が講じられている。すなわち、図4に
示すようにリードフレーム1におけるインナーリード3
の表面にポリイミドテープ5を接着することにより、各
インナーリード3をテーピングするようにしている。そ
して、図5(a)に示すように半導体素子6をリードフ
レーム1のダイパッド2上にダイボンドし、半導体素子
6の電極7とテーピングされたインナーリード3とをそ
れぞれワイヤ8でボンディングする。このようにポリイ
ミドテープ5でインナーリード3がテーピングされるこ
とにより各インナーリード3が補強されるので、インナ
ーリード3の変形が防止される。
【0005】ところで、リードフレーム1のインナーリ
ード3が多ピン化するに伴って、ワイヤ8が長くなる傾
向にあり、このため図6に示すようにワイヤ8が垂れ下
がってダイパッド2に接触してショートを起こしてしま
うという問題が生じる。この問題を解消するために、図
5(b)に示すように従来はリードフレーム1のタブ吊
りバー9(図3、図4に図示)を金型で変形加工するこ
とにより、ダイパッド2をインナーリード3の高さより
も低くなるようにディプレスしている。このようにダイ
パッド2を下方にディプレスすることにより、ワイヤ8
とダイパッド2との接触が防止される。
【0006】一方、ワイヤ8とインナーリード3とのボ
ンディングにおいては温度が高いほどボンディング性が
向上するので、従来はヒート駒によりインナーリードを
熱しながらボンディングするようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、インナ
ーリード3の表面にポリイミドテープ5を接着したので
は、ワイヤボンダビリティに支障を来すおそれがある。 そのために、図4に示すように従来のリードフレームお
いては、インナーリード3の表面のワイヤボンディング
位置αから離れた中央部分にポリイミドテープ5を接着
するようにしている。しかし、インナーリード3の表面
の中央部分にポリイミドテープ5を接着したのでは、イ
ンナーリード3先端におけるワイヤボンディング位置α
の上下のばらつきを十分に防止できるとは言えなく、こ
のためワイヤを確実にボンディングできない場合が生じ
ることが考えられる。
【0008】また、ダイパッド2をディプレスするとイ
ンナーリード3とダイパッド2との間に段差ができるた
め、図7(a),(b)に示すようにインナーリード3
とワイヤ8とのボンディングの際にインナーリード3を
熱するために用いるヒート駒10の表面に、この段差と
同じだけの段差a,bを設ける必要がある。これらの段
差a,bはきわめて微小であるので、このようにヒート
駒10の表面に段差a,bをつけるためには超微細加工
を行わなければならなくなり、その結果加工が難しくき
わめて手間がかかってしまう。
【0009】更にこのようなヒート駒10を使用するこ
とにより、リードフレームの種類毎にヒート駒10を用
意しなければならなく、ヒート駒10が多種類となる。 このため、使用するリードフレームの種類毎にヒート駒
10を交換しなければならないとともにヒート駒10と
リードフレームとの位置合わせを正確に行わなければな
らないので、交換位置合わせに多大の時間を要すること
になり、生産性が悪いものとなっている。
【0010】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、インナーリードをテーピン
グしてもワイヤボンダビリティに支障なく、ワイヤボン
ディングを確実に行うことのできるリードフレームを提
供することである。本発明の他の目的は、ヒート駒への
加工を不要にするとともにリードフレームの種類毎にヒ
ート駒を設ける必要をなくすことにより、半導体装置等
の電子制御装置の生産性を向上することのできるリード
フレームを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、請求項1の発明は、表面に搭載する電子制御部品
の電極とワイヤボンディングされる所定数のインナーリ
ードを少なくとも有するリードフレームにおいて、前記
インナーリードの裏面に、これらのインナーリードをテ
ーピングするフィルムテープが接着されていることを特
徴としている。また請求項2の発明は、前記フィルムテ
ープが前記インナーリードの裏面におけるワイヤボンデ
ィングの2ndボンド位置に対応した位置に接着されて
いることを特徴としている。更に請求項3の発明は、ダ
イパッドが備えられているとともに、このダイパッドが
前記インナーリードよりも低い位置にディプレスされて
おり、前記フィルムテープの厚さがダイパッドのディプ
レス量と等しく設定されていて、ダイパッド裏面と前記
フィルムテープの裏面が同一平面に設定されていること
を特徴としている。
【0012】
【作用】このように構成された本発明のリードフレーム
においては、インナーリードの裏面にフィルムテープが
接着されるので、インナーリードの表面のワイヤボンデ
ィング位置に関係なく、フィルムテープをインナーリー
ドに接着することができるようになる。
【0013】したがって、インナーリードがフィルムテ
ープによりテーピングされていても、ワイヤボンダビリ
ティに何等支障を来すことがなく、ワイヤーを確実にボ
ンディングすることができる。特に請求項2の発明のよ
うに、フィルムテープをインナーリードの裏面における
ワイヤボンディングの2ndボンド位置に対応した位置
に接着することにより、インナーリードの先端は上下に
ほとんどばらつかなくなる。これにより、ワイヤーを更
に一層確実にボンディングすることができる。しかも、
フィルムテープによりリードフレームの搬送時や製造工
程中等におけるインナーリードの変形を防止でき、フィ
ルムテープは本来の機能も十分に果たすことができるよ
うになる。
【0014】また、請求項3の発明のようにフィルムテ
ープの厚さをダイパッドのディプレス量と等しく設定し
て、ダイパッド裏面とフィルムテープの裏面とを同一平
面にすることにより、インナーリードとディプレスされ
たダイパッドとの段差が解消されるようになる。このた
め、ヒート駒の表面に段差を設ける必要がないとともに
そのための超微細加工を行う必要もない。また、リード
フレームの種類毎にヒート駒を用意する必要もなくなり
、ヒート駒の交換、ヒート駒とリードフレームの正確な
位置合わせ等の必要がなくなり、生産性が向上する。
【0015】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は、本発明に係るリードフレームの一実施例を
部分的に示す平面図であり、図2はこのリードフレーム
を用いて半導体素子を搭載したときのワイヤボンディン
グを説明する部分断面図である。なお、前述の従来のリ
ードフレームと同じ構成要素には同じ符号を付すことに
より、その詳細な説明は省略する。
【0016】図1に示すように、リードフレーム1は、
例えば42アロイ、銅合金などの金属から形成され、従
来のリードフレームと同様に中央に矩形状のダイパッド
2を有するとともに、このダイパッド2の周囲を囲むよ
うにして所定数のインナーリード3が配設されている。 また、ダイパッド2はその4角部をタブ吊りバー9によ
り連結することによりリードフレーム1のレール部(不
図示:図3、図4に図示したレール部11と同じ)に支
持されている。なお、図1にはインナーリード3および
ダイパッド2のみしか記載されていないが、この実施例
のリードフレーム1においても、従来のリードフレーム
と同様にインナーリード3の先にはアウターリード4が
形成されている。
【0017】タブ吊りバー9のダイパッド2との連結部
を金型により変形加工12することにより、図2に示す
ようにダイパッド2がインナーリード3よりも低くなる
ようにディプレスされている。インナーリード3表面に
おけるワイヤ8のボンディング位置αと対応した、イン
ナーリード3の裏面には、フィルムテープ5が接着剤1
3によって接着されている。このフィルムテープ5は従
来のフィルムテープと同様の材料である、例えば接着剤
付きポリイミド樹脂等の樹脂フィルムから形成されてい
る。
【0018】図2に示すように、インナーリード3の裏
面に接着されたフィルムテープ5の裏面とディプレスさ
れたダイパッド2の裏面とは、同一平面となるようにさ
れている。すなわち、フィルムテープ5を形成する接着
剤付き樹脂フィルムの厚さがインナーリード3とダイパ
ッド2との段差に等しくなるように設定されており、こ
のフィルムテープ5および接着剤13により段差が解消
されている。したがって、フィルムテープ5および接着
剤13により、本発明のフィルムテープが構成されてい
る。
【0019】次に、このように形成されたリードフレー
ム1に半導体素子6を搭載して、半導体装置を形成する
場合について説明する。半導体素子6の電極7とインナ
ーリード3とを接続する方法として、従来から一般に広
く採用されているワイヤボンディング法を採用する。こ
のワイヤボンディング法には、金線を主体として熱圧着
法、アルミニウム線を主体にした超音波ボンディング法
、両者を組み合わせたサーモソニック法等がある。
【0020】図2に示すように、まずリードフレーム1
のダイパッド2上面に半導体素子6をダイボンドした後
、半導体素子6の電極7とリードフレーム1のインナー
リード3との間を、適当な太さの例えば金線やアルミニ
ウム線等からなるワイヤ8によりそれぞれ接続する。 その場合、ワイヤ8をインナーリード3にボンディング
するにあたっては、まずヒート駒10上にダイパッド2
およびフィルムテープ5を載置し、このヒート駒10に
より200℃〜350℃程度に加熱する。このヒート駒
10はヒーター(不図示)に載置されて使用される。こ
の状態で、ワイヤ8をインナーリード3にボンディング
する。
【0021】ところで、フィルムテープ5がインナーリ
ード3の裏面に接着されるので、ワイヤ8のボンダビリ
ティに何等支障を来すことがない。したがって、ワイヤ
8は確実にインナーリード3にボンディングされるよう
になる。しかも、フィルムテープ5がインナーリード3
の裏面におけるワイヤボンディングの2ndボンド位置
に対応した位置に接着されているので、インナーリード
3の先端は上下にほとんどばらつかない。これにより、
ワイヤー8を更に一層確実にボンディングすることがで
きる。
【0022】また、図2に示すようにヒート駒10の上
面には段差が何等設けられていなく一つの平面となって
いる。しかし、本実施例のリードフレームはフィルムテ
ープ5の裏面とダイパッド2の裏面とが同一平面となっ
ているので、ダイパッド2およびフィルムテープ5がヒ
ート駒10上に載置されたとき安定して載置されるよう
になる。また、ヒート駒10に段差がないので、この段
差等を形成するための超微細加工を行う必要がなくなり
、これによりリードフレームの種類毎にヒート駒10を
用意する必要がなくなる。したがって、リードフレーム
の種類毎のヒート駒10の交換やヒート駒10とリード
フレームとの正確な位置合わせ等の諸作業が必要でなく
なり、半導体装置の生産性が大幅に向上するものとなる
【0023】なお、前述の実施例では本発明を半導体素
子用のリードフレームに適用するものとしているが、半
導体素子6以外の電子制御部品を搭載するリードフレー
ムにも適用することができる。また、請求項1の発明は
ダイパッドのないリードフレームにも適用できることは
言うまでもない。
【0024】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のリードフレームによれば、インナーリードの裏面にフ
ィルムテープを接着しているので、インナーリードの表
面のワイヤボンディング位置に関係なく、フィルムテー
プをインナーリードに接着することができるようになる
。したがって、ワイヤボンダビリティに何等支障を来す
ことがなく、ワイヤーを確実にボンディングすることが
できる。特に請求項2の発明のように、フィルムテープ
をインナーリードの裏面におけるワイヤボンディングの
2ndボンド位置に対応した位置に接着することにより
、インナーリードの先端は上下にほとんどばらつかなく
なる。これにより、ワイヤーを更に一層確実にボンディ
ングすることができる。
【0025】その上、本発明によれば、フィルムテープ
によりリードフレームの搬送時や製造工程中等における
インナーリードの変形を防止でき、フィルムテープは本
来の機能も十分に果たすことができる。
【0026】また本発明によれば、ダイパッド裏面とフ
ィルムテープの裏面とを同一平面に位置させているので
、ヒート駒の表面に段差が不要となり、段差のためのヒ
ート駒への超微細加工を行う必要がない。しかも、リー
ドフレームの種類毎にヒート駒を用意する必要がなくな
り、ヒート駒の交換、ヒート駒とリードフレームの正確
な位置合わせ等の諸作業が必要でなくなり、生産性が向
上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るリードフレームの一実施例を部分
的に示す平面図である。
【図2】この実施例のリードフレームを用いて半導体装
置を製造する場合のワイヤボンディングを説明する部分
断面図である。
【図3】テーピングされる前の従来のリードフレームの
平面図である。
【図4】テーピングされた従来のリードフレームの平面
図である。
【図5】従来のリードフレームで構成した半導体装置の
部分縦断面図であり、(a)はダイパッドがディプレス
されていないリードフレームを用いた場合の部分断面図
、(b)はダイパッドがディプレスされているリードフ
レームを用いた場合の部分断面図である。
【図6】図5(a)に示す半導体装置におけるワイヤと
ダイパッドとのショートを説明する部分縦断面図である
【図7】ワイヤボンディング時に用いられるヒート駒の
一例を示し(a)はその平面図、(b)は(a)におけ
るVIIBーVIIB線に沿う部分縦断面図である。
【符号の説明】
1…リードフレーム、2…ダイパッド、3…インナーリ
ード、4…アウターリード、5…フィルムテープ、6…
半導体素子、7…電極、8…ワイヤ、9…ダム吊りバー
、10…ヒート駒、12…ディプレス加工部、13…接
着剤

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  表面に搭載する電子制御部品の電極と
    ワイヤボンディングされる所定数のインナーリードを少
    なくとも有するリードフレームにおいて、前記インナー
    リードの裏面に、これらのインナーリードをテーピング
    するフィルムテープが接着されていることを特徴とする
    リードフレーム。
  2. 【請求項2】  前記フィルムテープは前記インナーリ
    ードの裏面におけるワイヤボンディングの2ndボンド
    位置に対応した位置に接着されていることを特徴とする
    請求項1記載のリードフレーム。
  3. 【請求項3】  更にダイパッドが備えられているとと
    もに、このダイパッドが前記インナーリードよりも低い
    位置にディプレスされており、前記フィルムテープの厚
    さはダイパッドのディプレス量と等しく設定されていて
    、ダイパッド裏面と前記フィルムテープの裏面とが同一
    平面となるように設定されていることを特徴とする請求
    項1または2記載のリードフレーム。
JP6747791A 1991-03-30 1991-03-30 リードフレーム Pending JPH04303958A (ja)

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