JPH05109968A - 接合強度の大きい複合リードフレーム - Google Patents
接合強度の大きい複合リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05109968A JPH05109968A JP40115090A JP40115090A JPH05109968A JP H05109968 A JPH05109968 A JP H05109968A JP 40115090 A JP40115090 A JP 40115090A JP 40115090 A JP40115090 A JP 40115090A JP H05109968 A JPH05109968 A JP H05109968A
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- Japan
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- lead
- lead frame
- bonding
- tab tape
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームとTABテープとの接合部強
度を向上させ信頼性大なる多ピン化した複合リードフレ
ームを提供する。 【構成】 リードフレームのインナーリードとTABテ
ープのアウターリードとを熱圧着接合すると共に、さら
にその近傍に接着テープによる接着部を設けたものであ
り、本発明はこれにより、金属リードの接合部に加わっ
た力が緩和され、後工程での接合不良の発生が改善され
る。
度を向上させ信頼性大なる多ピン化した複合リードフレ
ームを提供する。 【構成】 リードフレームのインナーリードとTABテ
ープのアウターリードとを熱圧着接合すると共に、さら
にその近傍に接着テープによる接着部を設けたものであ
り、本発明はこれにより、金属リードの接合部に加わっ
た力が緩和され、後工程での接合不良の発生が改善され
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体電子工業におい
て、半導体素子のパッケージングに用いられる接合強度
大なる複合リードフレームに関するものである。
て、半導体素子のパッケージングに用いられる接合強度
大なる複合リードフレームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスが高集積・高機能
化するにつれてパッケージはますます多ピン化し、リー
ドフレームのより一層の高精度ファインピッチ化が求め
られている。特に、特定用途向け集積回路(ASIC)
等では、その要求が非常に強い。
化するにつれてパッケージはますます多ピン化し、リー
ドフレームのより一層の高精度ファインピッチ化が求め
られている。特に、特定用途向け集積回路(ASIC)
等では、その要求が非常に強い。
【0003】現在、リードフレームの加工方法としては
プレス加工法およびエッチング法があるが、これらの加
工方法ではファインピッチ化の限界は、リード幅で板厚
の7〜8割り程度といわれており、リード幅を狭くする
ためには板厚を薄くすることが必要となる。しかしなが
ら、板厚を薄くしていくと強度が不足し、ハンドリング
あるいは接合等でリード曲り等の不都合が発生しやす
い。その限界は板厚0.1〜0.15mmであり、ピン数
で200本程度が限界となっている。尚、エッチング法
はプレス加工法よりも高精度ファインピッチ化が可能で
あるが、製造コストがプレス加工法の数倍かかるという
問題がある。
プレス加工法およびエッチング法があるが、これらの加
工方法ではファインピッチ化の限界は、リード幅で板厚
の7〜8割り程度といわれており、リード幅を狭くする
ためには板厚を薄くすることが必要となる。しかしなが
ら、板厚を薄くしていくと強度が不足し、ハンドリング
あるいは接合等でリード曲り等の不都合が発生しやす
い。その限界は板厚0.1〜0.15mmであり、ピン数
で200本程度が限界となっている。尚、エッチング法
はプレス加工法よりも高精度ファインピッチ化が可能で
あるが、製造コストがプレス加工法の数倍かかるという
問題がある。
【0004】一方、多ピン化に対する一つの対策とし
て、TAB技術の適用が実施されている。しかしながら
TABテープの場合、リードがCu箔で形成されている
ため強度が低く外部配線に際してアライメント等で問題
が発生しやすく、従来のリードフレームと同様には使用
できない。
て、TAB技術の適用が実施されている。しかしながら
TABテープの場合、リードがCu箔で形成されている
ため強度が低く外部配線に際してアライメント等で問題
が発生しやすく、従来のリードフレームと同様には使用
できない。
【0005】これに対して、多ピン化を実現する方策と
して、例えば特開昭62−232948号公報に開示さ
れているように、絶縁フィルム単独あるいは絶縁フィル
ム上に形成された金属アイランド部よりなるパッド部を
持つTABテープのアウターリード部を、半導体用リー
ドフレームに接合した複合リードフレームや、特開平2
−22850号公報に記載されているように、半導体用
リードフレームのインナーリードにTABテープのアウ
ターリード部を接合し、TABテープとSiチップをT
AB接合により一括接合した複合リードフレームが提案
されている。
して、例えば特開昭62−232948号公報に開示さ
れているように、絶縁フィルム単独あるいは絶縁フィル
ム上に形成された金属アイランド部よりなるパッド部を
持つTABテープのアウターリード部を、半導体用リー
ドフレームに接合した複合リードフレームや、特開平2
−22850号公報に記載されているように、半導体用
リードフレームのインナーリードにTABテープのアウ
ターリード部を接合し、TABテープとSiチップをT
AB接合により一括接合した複合リードフレームが提案
されている。
【0006】既に提案されているこれらの複合リードフ
レームの製造において、リードフレームのインナーリー
ドとTABアウターリードとの接合は、半田付法や、金
被覆をしたTABリードと錫被覆をたリードフレームを
加熱圧着して接合面に金−錫合金を生成せしめる合金法
等で行われているが、特に、多ピン構造のリード接合に
おいては夫々のリードに対して均一に且つ強固に接合す
ることは難しく、不良接合による歩留落ちが問題とな
る。すなわち、リードフレームやTABテープのCu箔
の厚みのばらつき、接合ツールとステージの平行度のず
れ等により、熱圧着する場合における加圧が不均一にな
りやすく、十分な接合強度が得られないことがある。そ
のため、その後の工程において接合不良が生じ、信頼性
を低下させている。
レームの製造において、リードフレームのインナーリー
ドとTABアウターリードとの接合は、半田付法や、金
被覆をしたTABリードと錫被覆をたリードフレームを
加熱圧着して接合面に金−錫合金を生成せしめる合金法
等で行われているが、特に、多ピン構造のリード接合に
おいては夫々のリードに対して均一に且つ強固に接合す
ることは難しく、不良接合による歩留落ちが問題とな
る。すなわち、リードフレームやTABテープのCu箔
の厚みのばらつき、接合ツールとステージの平行度のず
れ等により、熱圧着する場合における加圧が不均一にな
りやすく、十分な接合強度が得られないことがある。そ
のため、その後の工程において接合不良が生じ、信頼性
を低下させている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来の問題点を解決するものであり、TABテープのイン
ナーリードとリードフレームのアウターリードとの熱圧
着すると共にそれ以外に部分に接着部を設けて接合強度
を向上せしめて、従来のピン数i対して大幅な多ピン化
を可能にすると共に歩留の高い信頼性のある複合リード
フレームを提供することを目的とするものである。
来の問題点を解決するものであり、TABテープのイン
ナーリードとリードフレームのアウターリードとの熱圧
着すると共にそれ以外に部分に接着部を設けて接合強度
を向上せしめて、従来のピン数i対して大幅な多ピン化
を可能にすると共に歩留の高い信頼性のある複合リード
フレームを提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成を要旨とする。 (1) リードフレームのインナーリード部と、TAB
テープのアウターリード部とを重ね、この重ね部分を熱
圧着で接合してなる複合リードフレームにおいて、前記
各リードとの接合部の近傍に絶縁接着テープを介在せし
めた接着部を設けたことを特徴とする接合強度の大きい
複合リードフレーム。 (2) 前記各リードとの接合部の近傍における接着部
が、インナーリードとTABテープとを絶縁接着テープ
を介在せしめて接着してなることを特徴とする前項記載
の接合強度の大きい複合リードフレーム。 (3) 前記各リードとの接合部の近傍における接着部
が、少なくともインナーリードとTABテープの一方
と、金属パッドを絶縁接着テープを介在せしめて接着し
たことを特徴とする前項(1)記載の接合強度の大きい
複合リードフレーム。
に、本発明は以下の構成を要旨とする。 (1) リードフレームのインナーリード部と、TAB
テープのアウターリード部とを重ね、この重ね部分を熱
圧着で接合してなる複合リードフレームにおいて、前記
各リードとの接合部の近傍に絶縁接着テープを介在せし
めた接着部を設けたことを特徴とする接合強度の大きい
複合リードフレーム。 (2) 前記各リードとの接合部の近傍における接着部
が、インナーリードとTABテープとを絶縁接着テープ
を介在せしめて接着してなることを特徴とする前項記載
の接合強度の大きい複合リードフレーム。 (3) 前記各リードとの接合部の近傍における接着部
が、少なくともインナーリードとTABテープの一方
と、金属パッドを絶縁接着テープを介在せしめて接着し
たことを特徴とする前項(1)記載の接合強度の大きい
複合リードフレーム。
【0009】
【作用】以下に本発明を図に示す実施例に基づいて詳細
に説明する。図1(a)は本発明の対象とする複合リー
ドフレームの一例を模式的に平面で示したものであり、
同図(b)は(a)図のA−A線断面である。複合リー
ドフレーム1は、Fe−Ni系合金或いはCu系合金等
の薄板をフォトエッチング或いはプレス打ち抜き法で製
造したリードフレーム2と、ポリイミド等の絶縁樹脂フ
ィルム3表面にCu箔等からなるリード4を形成したT
ABテープ5とからなり、TABテープ5には、中央部
にチップ用窓6を設けている。このリードフレーム2と
TABテープ5の複合化はリードフレーム2のインナー
リード7に、TABテープ5のアウターリード8を重
ね、この重ね部を加熱装置を内蔵したツール9を用いて
熱圧着して接合する。この熱圧着はほぼ200〜600
℃に加熱されたツールでそれ自身公知の方法で行えば良
く、この際、インナーリード7とアウターリード8のそ
れぞれの接合部分に銀あるいは金をメッキしておくこと
により接合性を向上できる。
に説明する。図1(a)は本発明の対象とする複合リー
ドフレームの一例を模式的に平面で示したものであり、
同図(b)は(a)図のA−A線断面である。複合リー
ドフレーム1は、Fe−Ni系合金或いはCu系合金等
の薄板をフォトエッチング或いはプレス打ち抜き法で製
造したリードフレーム2と、ポリイミド等の絶縁樹脂フ
ィルム3表面にCu箔等からなるリード4を形成したT
ABテープ5とからなり、TABテープ5には、中央部
にチップ用窓6を設けている。このリードフレーム2と
TABテープ5の複合化はリードフレーム2のインナー
リード7に、TABテープ5のアウターリード8を重
ね、この重ね部を加熱装置を内蔵したツール9を用いて
熱圧着して接合する。この熱圧着はほぼ200〜600
℃に加熱されたツールでそれ自身公知の方法で行えば良
く、この際、インナーリード7とアウターリード8のそ
れぞれの接合部分に銀あるいは金をメッキしておくこと
により接合性を向上できる。
【0010】図2(a)、(b)は本発明の一実施例を
示すものであり、(a)図はリードフレームの一部のリ
ードと、リードの図示を省略したTABテープを平面で
模式的に示しており、(b)図は接合の状況を示す
(a)図のB−B線の断面である。図中10は金属パッ
ド(アイランド)であり、11は接着テープ、12は接
着用(b)図に示すようにリードフレーム2に一体に成
形したアイランド部10を設けた複合リードフレームで
あり、リードフレーム2のインナーリード7とTABテ
ープ5のアウターリード8とを位置合わせして重ねた
後、リード接合用ツール9で熱圧着すると同時にTAB
テープ5の絶縁フィルム3と金属パッド10とを絶縁接
着テープ11を介してツール12により接着する。
示すものであり、(a)図はリードフレームの一部のリ
ードと、リードの図示を省略したTABテープを平面で
模式的に示しており、(b)図は接合の状況を示す
(a)図のB−B線の断面である。図中10は金属パッ
ド(アイランド)であり、11は接着テープ、12は接
着用(b)図に示すようにリードフレーム2に一体に成
形したアイランド部10を設けた複合リードフレームで
あり、リードフレーム2のインナーリード7とTABテ
ープ5のアウターリード8とを位置合わせして重ねた
後、リード接合用ツール9で熱圧着すると同時にTAB
テープ5の絶縁フィルム3と金属パッド10とを絶縁接
着テープ11を介してツール12により接着する。
【0011】図3(a)、(b)は本発明の他の実施例
であり、リードフレーム2のインナーリード7をTAB
テープ5のアウターリード8位置よりも内側に延長7′
した状態に成形し、リードフレーム2のインナーリード
7をTABテープ5のアウターリード8とを位置合わせ
をして重ねた後、熱圧着すると同時にリードフレーム2
の内側延長リード部7′にTABテープ5を絶縁接着テ
ープ11を用いて接着している。
であり、リードフレーム2のインナーリード7をTAB
テープ5のアウターリード8位置よりも内側に延長7′
した状態に成形し、リードフレーム2のインナーリード
7をTABテープ5のアウターリード8とを位置合わせ
をして重ねた後、熱圧着すると同時にリードフレーム2
の内側延長リード部7′にTABテープ5を絶縁接着テ
ープ11を用いて接着している。
【0012】図4(a)、(b)は本発明の別の実施例
を示すものであって、TABテープ5を、リードフレー
ム2のインナーリード7位置より外側8′に絶縁樹脂フ
ィルム3′が残るようにその外周を切断し、リードフレ
ームのインナーリード7とTABテープ5のアウターリ
ード8とを位置合わせして重ねた後、熱圧着すると同時
にリードフレーム2のインナーリード外側7′に、TA
Bテープ5外側8′の絶縁樹脂フィルム3′を絶縁接着
テープ11を介して接着している。一方、TABテープ
5の内側は、リードフレーム2と一体に成形したアイラ
ンド10と絶縁接着テープ11を用いて接着している。
を示すものであって、TABテープ5を、リードフレー
ム2のインナーリード7位置より外側8′に絶縁樹脂フ
ィルム3′が残るようにその外周を切断し、リードフレ
ームのインナーリード7とTABテープ5のアウターリ
ード8とを位置合わせして重ねた後、熱圧着すると同時
にリードフレーム2のインナーリード外側7′に、TA
Bテープ5外側8′の絶縁樹脂フィルム3′を絶縁接着
テープ11を介して接着している。一方、TABテープ
5の内側は、リードフレーム2と一体に成形したアイラ
ンド10と絶縁接着テープ11を用いて接着している。
【0013】図5(a)、(b)は本発明の更に別の実
施例を示すものであって、別に製作した金属パッド(ア
イランッド)を用意し、該パッド10を絶縁接着テープ
11で一体に接着したリードフレーム2を製作した後、
リードフレームのインナーリード7とTABテープ5の
アウターリード8とを位置合わせして重ね、熱圧着する
と同時にパッド部10に絶縁接着テープ11を用いて接
着したものである。
施例を示すものであって、別に製作した金属パッド(ア
イランッド)を用意し、該パッド10を絶縁接着テープ
11で一体に接着したリードフレーム2を製作した後、
リードフレームのインナーリード7とTABテープ5の
アウターリード8とを位置合わせして重ね、熱圧着する
と同時にパッド部10に絶縁接着テープ11を用いて接
着したものである。
【0014】上記したように、本発明による複合リード
フレームは熱圧着接合と同時にテープによる接着を行っ
ているため接合強度が極めて大きく、実装工程における
不良の発生がほとんど見られない。
フレームは熱圧着接合と同時にテープによる接着を行っ
ているため接合強度が極めて大きく、実装工程における
不良の発生がほとんど見られない。
【0015】
【実施例】表1には、上記各図に示した本発明複合リー
ドフレームの実施例と、比較例としてリードフレームと
TABテープをリードのみで熱圧着接合した複合リード
フレームの材料構成および接合法を示すと共に、夫々の
複合リードフレームにSiチップを搭載し、同一条件で
樹脂封止を行って作成した半導体素子を、−55℃で3
0分、150℃で30分の温度サイクルテストを行った
結果を示す。
ドフレームの実施例と、比較例としてリードフレームと
TABテープをリードのみで熱圧着接合した複合リード
フレームの材料構成および接合法を示すと共に、夫々の
複合リードフレームにSiチップを搭載し、同一条件で
樹脂封止を行って作成した半導体素子を、−55℃で3
0分、150℃で30分の温度サイクルテストを行った
結果を示す。
【0016】
【表1】
【0017】上記サイクルテストの結果は、第1表に示
すように、比較例である従来のリードのみを接合した複
合リードフレームを用いた素子は、300サイクルまで
で不良が発生したのに対し、本発明複合リードフレーム
を用いた素子では不良が発生しなかった。
すように、比較例である従来のリードのみを接合した複
合リードフレームを用いた素子は、300サイクルまで
で不良が発生したのに対し、本発明複合リードフレーム
を用いた素子では不良が発生しなかった。
【0018】
【発明の効果】以上のように、本発明による複合リード
フレームは、接合部の強度を大きくできると共に極めて
安定にし、素子の実装工程及び実用に際して不良を起こ
すことが殆どなく、信頼性の高い複合リードフレームを
提供することができる。
フレームは、接合部の強度を大きくできると共に極めて
安定にし、素子の実装工程及び実用に際して不良を起こ
すことが殆どなく、信頼性の高い複合リードフレームを
提供することができる。
【図1】(a)図は複合リードフレームの平面模式図、
(b)図は(a)図A−A線断面図である。
(b)図は(a)図A−A線断面図である。
【図2】(a)図は本発明複合リードフレームの実施例
を示す平面模式図、同(b)図は(a)図B−B線断面
図である。
を示す平面模式図、同(b)図は(a)図B−B線断面
図である。
【図3】(a)図は本発明複合リードフレームの他の実
施例を示す平面模式図、(b)図は(a)図C−C線断
面図である。
施例を示す平面模式図、(b)図は(a)図C−C線断
面図である。
【図4】(a)図は本発明複合リードフレームの別の実
施例を示す平面模式図、(b)図は(a)図D−D線断
面図である。
施例を示す平面模式図、(b)図は(a)図D−D線断
面図である。
【図5】(a)図は本発明複合リードフレームの更に別
の実施例を示す平面模式図であり、(b)図は(a)図
E−E線断面図である。
の実施例を示す平面模式図であり、(b)図は(a)図
E−E線断面図である。
1:複合リードフレーム 2:リードフレーム 3:絶縁樹脂フィルム 4:TABテープのCu箔リード 5:TABテープ 6:チップ用窓 7:リードフレームのインナーリード 8:TABテープのアウターリード 9:接合ツール 10:金属パッド(アイランド) 11:絶縁接着テープ
Claims (3)
- 【請求項1】 リードフレームのインナーリード部と、
TABテープのアウターリード部とを重ね、この重ね部
分を熱圧着で接合してなる複合リードフレームにおい
て、前記各リードとの接合部の近傍に絶縁接着テープを
介在せしめた接着部を設けたことを特徴とする接合強度
の大きい複合リードフレーム。 - 【請求項2】 前記各リードとの接合部の近傍における
接着部が、インナーリードとTABテープとを絶縁接着
テープを介在せしめて接着してなることを特徴とする請
求項1記載の接合強度の大きい複合リードフレーム。 - 【請求項3】 前記各リードとの接合部の近傍における
接着部が、少なくともインナーリードとTABテープの
一方と、金属パッドを絶縁接着テープを介在せしめて接
着してなることを特徴とする請求項1記載の接合強度の
大きい複合リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40115090A JPH05109968A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 接合強度の大きい複合リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40115090A JPH05109968A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 接合強度の大きい複合リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05109968A true JPH05109968A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=18511003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40115090A Withdrawn JPH05109968A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 接合強度の大きい複合リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05109968A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0837269A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1990
- 1990-12-10 JP JP40115090A patent/JPH05109968A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0837269A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |