JPH05109969A - 半導体素子用複合リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体素子用複合リードフレームの製造方法Info
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- JPH05109969A JPH05109969A JP2401152A JP40115290A JPH05109969A JP H05109969 A JPH05109969 A JP H05109969A JP 2401152 A JP2401152 A JP 2401152A JP 40115290 A JP40115290 A JP 40115290A JP H05109969 A JPH05109969 A JP H05109969A
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- Japan
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- lead frame
- vibration
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- bonding
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームとＴＡＢテープを接続して信
頼度の高いの多ピン対応の複合リードフレームを提供す
る。 【構成】 リードフレームのインナーリードとＴＡＢテ
ープのアウターリードを熱圧着して接合する際に、その
接合部に熱圧着することにより接合強度を向上させる。
頼度の高いの多ピン対応の複合リードフレームを提供す
る。 【構成】 リードフレームのインナーリードとＴＡＢテ
ープのアウターリードを熱圧着して接合する際に、その
接合部に熱圧着することにより接合強度を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体電子工業におい
て、半導体素子のパッケージに用いられる複合リードフ
レームの製造方法に関するものである。
て、半導体素子のパッケージに用いられる複合リードフ
レームの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスがますます高集積
・高機能化するにつれて多ピン化し、リードフレームの
より一層の高精度ファインピッチ化が求められている。
特に、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等では必要と
言われている。
・高機能化するにつれて多ピン化し、リードフレームの
より一層の高精度ファインピッチ化が求められている。
特に、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等では必要と
言われている。
【０００３】現在、リードフレームの加工方法としては
プレス加工法およびエッチング法があるが、これらの加
工方法ではファインピッチ化の限界は、リード幅で板厚
の７〜８割り程度と言われており、リード幅を狭くする
ためには板厚を薄くすることが必要となる。しかしなが
ら、板厚を薄くしていくと強度が不足し、ハンドリング
あるいは接合等でリード曲り等の不都合が発生しやす
い。その限界は板厚０．１〜０．１５mmであり、ピン数
で２００本程度が限界となっている。尚、エッチング法
はプレス加工法よりも高精度ファインピッチ化が可能で
あるが、製造コストがプレス加工法の数倍かかるという
問題がある。
プレス加工法およびエッチング法があるが、これらの加
工方法ではファインピッチ化の限界は、リード幅で板厚
の７〜８割り程度と言われており、リード幅を狭くする
ためには板厚を薄くすることが必要となる。しかしなが
ら、板厚を薄くしていくと強度が不足し、ハンドリング
あるいは接合等でリード曲り等の不都合が発生しやす
い。その限界は板厚０．１〜０．１５mmであり、ピン数
で２００本程度が限界となっている。尚、エッチング法
はプレス加工法よりも高精度ファインピッチ化が可能で
あるが、製造コストがプレス加工法の数倍かかるという
問題がある。
【０００４】一方、多ピン化に一つの対応として、絶縁
樹脂フィルム（ＴＡＢテープ）技術の適用が実施されて
いる。しかしながらＴＡＢテープの場合、リードがＣｕ
箔で形成されているため強度が低く外部配線に際してア
ライメント等で問題が発生しやすく、従来のリードフレ
ームと同様には使用できない。
樹脂フィルム（ＴＡＢテープ）技術の適用が実施されて
いる。しかしながらＴＡＢテープの場合、リードがＣｕ
箔で形成されているため強度が低く外部配線に際してア
ライメント等で問題が発生しやすく、従来のリードフレ
ームと同様には使用できない。
【０００５】これに対して、多ピン化を実現する方策と
して例えば特開昭６２−２３２９４８号公報に開示され
ているように、絶縁フィルム単独あるいは絶縁フィルム
上に成型された金属アイランド部よりなるパッド部を持
つＴＡＢテープのアウターリード部を、半導体用リード
フレームに接合した複合リードフレームや、特開平２−
２２８５０号公報に記載されているように、半導体用リ
ードフレームのインナーリード部にＴＡＢテープのアウ
ターリード部を接合し、ＴＡＢテープとＳｉチップをＴ
ＡＢ接合により一括接合した複合リードフレームが提案
されている。
して例えば特開昭６２−２３２９４８号公報に開示され
ているように、絶縁フィルム単独あるいは絶縁フィルム
上に成型された金属アイランド部よりなるパッド部を持
つＴＡＢテープのアウターリード部を、半導体用リード
フレームに接合した複合リードフレームや、特開平２−
２２８５０号公報に記載されているように、半導体用リ
ードフレームのインナーリード部にＴＡＢテープのアウ
ターリード部を接合し、ＴＡＢテープとＳｉチップをＴ
ＡＢ接合により一括接合した複合リードフレームが提案
されている。
【０００６】しかしながら、すでに提案されているこれ
らの複合リードフレームの成型において、リードフレー
ムのインナーリードとＴＡＢアウターリードとも接合
は、半田付法や、金被覆をしたＴＡＢリードと銀被覆を
したリードフレームを加熱圧着して接合面に金−銀合金
を生成せしめる合金法等で行われているが、特に、多ピ
ン構造のリード接合においては夫々のリードに対して均
一に且つ強固に接合することは困難であって、不十分な
接合による歩留落ちが問題となる。
らの複合リードフレームの成型において、リードフレー
ムのインナーリードとＴＡＢアウターリードとも接合
は、半田付法や、金被覆をしたＴＡＢリードと銀被覆を
したリードフレームを加熱圧着して接合面に金−銀合金
を生成せしめる合金法等で行われているが、特に、多ピ
ン構造のリード接合においては夫々のリードに対して均
一に且つ強固に接合することは困難であって、不十分な
接合による歩留落ちが問題となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来の問題点を解決するものであり、ＴＡＢリードとリー
ドフレームのリードとの接合力を向上して、従来のピン
数を大幅に改善した多ピン化を可能にすると共に歩留の
高い信頼性のある複合リードフレームの製造方法を提供
することを目的とするものである。
来の問題点を解決するものであり、ＴＡＢリードとリー
ドフレームのリードとの接合力を向上して、従来のピン
数を大幅に改善した多ピン化を可能にすると共に歩留の
高い信頼性のある複合リードフレームの製造方法を提供
することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の要旨とするところは以下の通りである。 （１） 絶縁樹脂フィルムに貼着したリードの外側部
と、リードフレームに設けた内側リード部を重ねて熱圧
着して接合した複合リードフレームにおいて、前記熱圧
着する際に振動を付加することを特徴とする半導体素子
用複合リードフレームの製造方法。 （２） Ｓｉチップを載せる金属製パッドを設けたリー
ドフレームの内側リード部に、絶縁樹脂フィルムに貼着
したリードの外側部を重ねて熱圧着して接合するに際
し、振動を付加することを特徴とする半導体素子用複合
リードフレームの製造方法。
に、本発明の要旨とするところは以下の通りである。 （１） 絶縁樹脂フィルムに貼着したリードの外側部
と、リードフレームに設けた内側リード部を重ねて熱圧
着して接合した複合リードフレームにおいて、前記熱圧
着する際に振動を付加することを特徴とする半導体素子
用複合リードフレームの製造方法。 （２） Ｓｉチップを載せる金属製パッドを設けたリー
ドフレームの内側リード部に、絶縁樹脂フィルムに貼着
したリードの外側部を重ねて熱圧着して接合するに際
し、振動を付加することを特徴とする半導体素子用複合
リードフレームの製造方法。
【０００９】
【作用】以下に本発明を詳細に説明する。図１は本発明
の対象とする複合リードフレームの一例を模式的に示し
たものである。複合リードフレーム１は、Ｆｅ−Ｎｉ系
合金あるいはＣｕ系合金等の薄板をフォトエッチングあ
るいはプレス打ち抜き法で製造したリードフレーム２
と、ポリイミド等の絶縁樹脂フィルム３表面にＣｕ箔等
からなるリード４を貼着したＴＡＢフィルム５とからな
り、ＴＡＢフィルム５には、中央部にチップ用窓６を設
けている。このリードフレーム１とＴＡＢフィルム５の
複合化はリードフレーム１の内側部（インナーリード）
７に、ＴＡＢフィルム５に貼着したリードの外側部（ア
ウターリード８）を重ね、これらを熱圧着で接合して行
われる。
の対象とする複合リードフレームの一例を模式的に示し
たものである。複合リードフレーム１は、Ｆｅ−Ｎｉ系
合金あるいはＣｕ系合金等の薄板をフォトエッチングあ
るいはプレス打ち抜き法で製造したリードフレーム２
と、ポリイミド等の絶縁樹脂フィルム３表面にＣｕ箔等
からなるリード４を貼着したＴＡＢフィルム５とからな
り、ＴＡＢフィルム５には、中央部にチップ用窓６を設
けている。このリードフレーム１とＴＡＢフィルム５の
複合化はリードフレーム１の内側部（インナーリード）
７に、ＴＡＢフィルム５に貼着したリードの外側部（ア
ウターリード８）を重ね、これらを熱圧着で接合して行
われる。
【００１０】図２に本発明の熱圧着接合の一例を示す。
本例では、Ｓｉチップを載せるパッド部９を有するリー
ドフレーム２を用いており、ステージ上にこのリードフ
レーム２を載置し、そのインナーリード７上に、ＴＡＢ
フィルム５のアウターリード８を重ね、その重ね部分を
加熱圧着する。１１は下端に単ピン毎あるいは複数ピン
毎に加圧する加圧部１２を有するツールであり、ヒータ
ーを内蔵している。すなわち、前記インナーリード７と
アウターリード８の重合部分を、ほぼ２００〜４００℃
に加熱されたツール加圧部１２で加熱押圧して接合す
る。この際、インナーリード７とアウターリード８のそ
れぞれの接合部分に銀あるいは金をメッキしておくこと
により接合性を向上できる。しかし、加圧部による圧着
は必ずしも均一にされるとは限らず、加圧力を制限して
均一接合を計れば、接合強度が低下する。
本例では、Ｓｉチップを載せるパッド部９を有するリー
ドフレーム２を用いており、ステージ上にこのリードフ
レーム２を載置し、そのインナーリード７上に、ＴＡＢ
フィルム５のアウターリード８を重ね、その重ね部分を
加熱圧着する。１１は下端に単ピン毎あるいは複数ピン
毎に加圧する加圧部１２を有するツールであり、ヒータ
ーを内蔵している。すなわち、前記インナーリード７と
アウターリード８の重合部分を、ほぼ２００〜４００℃
に加熱されたツール加圧部１２で加熱押圧して接合す
る。この際、インナーリード７とアウターリード８のそ
れぞれの接合部分に銀あるいは金をメッキしておくこと
により接合性を向上できる。しかし、加圧部による圧着
は必ずしも均一にされるとは限らず、加圧力を制限して
均一接合を計れば、接合強度が低下する。
【００１１】本発明はステージ１０に振動端子１３を設
置し、前記熱圧着と同時に接合部に振動を付加し、この
相乗効果に因り非接触部を無くすると共に接合強度を著
しく向上することができる。付与する振動は短時間に小
さく振幅する超音波振動が好ましい。また、振動はツー
ル１１に直接付与することもできる。
置し、前記熱圧着と同時に接合部に振動を付加し、この
相乗効果に因り非接触部を無くすると共に接合強度を著
しく向上することができる。付与する振動は短時間に小
さく振幅する超音波振動が好ましい。また、振動はツー
ル１１に直接付与することもできる。
【００１２】振動の付与手段は、超音波ホーンや、ピエ
ゾ素子を使った振動方法等がある。また、周波数は特に
規定する必要はないが、数キロヘルツ以上の超音波の方
が付与しやすい。付与時間ツールを加圧している時間の
初〜中期で終了するのが望ましい。なおツールは耐熱材
料からなり、圧着接合部が凸になっている形状を有して
いて、接合を一括して行うのが一般的である。
ゾ素子を使った振動方法等がある。また、周波数は特に
規定する必要はないが、数キロヘルツ以上の超音波の方
が付与しやすい。付与時間ツールを加圧している時間の
初〜中期で終了するのが望ましい。なおツールは耐熱材
料からなり、圧着接合部が凸になっている形状を有して
いて、接合を一括して行うのが一般的である。
【００１３】
【実施例１】アウターリード部に金メッキした２１６本
のリードを有するＴＡＢテープと、銀メッキしたリード
フレームを用意し、ＴＡＢテープの１コマを打ち抜いて
そのアウターリード部とリードフレームのインナーリー
ド部との位置合わせを行って重合し、図１に示すように
ツール１１を３５０℃に加熱し、加圧部１２を重合部に
当て１ピン当たり５０ｇで加圧接合した。その際、ステ
ージ１３を振幅２μmで６０サイクルの振動を付与し
た。
のリードを有するＴＡＢテープと、銀メッキしたリード
フレームを用意し、ＴＡＢテープの１コマを打ち抜いて
そのアウターリード部とリードフレームのインナーリー
ド部との位置合わせを行って重合し、図１に示すように
ツール１１を３５０℃に加熱し、加圧部１２を重合部に
当て１ピン当たり５０ｇで加圧接合した。その際、ステ
ージ１３を振幅２μmで６０サイクルの振動を付与し
た。
【００１４】その結果、振動を付与しない場合は、接合
したＴＡＢリードのプッシュテストで接合強度の平均値
が４８ｇ／ピンであったが、振動を付与した接合部では
７４ｇ／ピンであった。
したＴＡＢリードのプッシュテストで接合強度の平均値
が４８ｇ／ピンであったが、振動を付与した接合部では
７４ｇ／ピンであった。
【００１５】
【実施例２】アウターリード部に金メッキした３１２本
のリードを有するＴＡＢテープと、銀メッキしたリード
フレームとを実施例１と同様の方法で接合した。ツール
温度は３８０℃、１ピン当たり５０ｇで加圧接合し、同
時に、ツール１１に取り付けた６０kHz の超音波ホーン
で振動を付与した。その結果、プッシュテストで振動を
付与しない場合に比べ、２１ｇ／ピンの工場が見られ
た。
のリードを有するＴＡＢテープと、銀メッキしたリード
フレームとを実施例１と同様の方法で接合した。ツール
温度は３８０℃、１ピン当たり５０ｇで加圧接合し、同
時に、ツール１１に取り付けた６０kHz の超音波ホーン
で振動を付与した。その結果、プッシュテストで振動を
付与しない場合に比べ、２１ｇ／ピンの工場が見られ
た。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法によりリー
ド重合部を熱圧着する際、振動を付与することにより接
合強度を向上でき、かつ均一接合が可能となって、歩留
が極めて高く生産性を向上できる。
ド重合部を熱圧着する際、振動を付与することにより接
合強度を向上でき、かつ均一接合が可能となって、歩留
が極めて高く生産性を向上できる。
【図１】本発明の複合リードフレームの平面模式図であ
る。
る。
【図２】本発明法の説明図である。
１：複合リードフレーム ２：リードフレーム ３：絶縁樹脂フィルム ４：リード ５：ＴＡＢフィールム ６：チップ用窓 ７：リードフレームのインナーリード ８：ＴＢＡテープのアウターリード ９：パッド部 １０：ステージ １１：ツール １２：加圧部 １３：振動端子
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁樹脂フィルムに貼着したリードの外
側部と、リードフレームに設けた内側リード部を重ねて
熱圧着して接合した複合リードフレームにおいて、前記
熱圧着する際に振動を付加することを特徴とする半導体
素子用複合リードフレームの製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｉチップを載せる金属製パッドを設け
たリードフレームの内側リード部に、絶縁樹脂フィルム
に貼着したリードの外側部を重ねて熱圧着して接合する
に際し、振動を付加することを特徴とする半導体素子用
複合リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401152A JPH05109969A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 半導体素子用複合リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401152A JPH05109969A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 半導体素子用複合リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109969A true JPH05109969A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=18511006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401152A Withdrawn JPH05109969A (ja) | 1990-12-10 | 1990-12-10 | 半導体素子用複合リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109969A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885892A (en) * | 1996-02-08 | 1999-03-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Bumpless method of attaching inner leads to semiconductor integrated circuits |
-
1990
- 1990-12-10 JP JP2401152A patent/JPH05109969A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885892A (en) * | 1996-02-08 | 1999-03-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Bumpless method of attaching inner leads to semiconductor integrated circuits |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |