JP2524364B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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JP2524364B2 JP62208148A JP20814887A JP2524364B2 JP 2524364 B2 JP2524364 B2 JP 2524364B2 JP 62208148 A JP62208148 A JP 62208148A JP 20814887 A JP20814887 A JP 20814887A JP 2524364 B2 JP2524364 B2 JP 2524364B2
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俊博 井上
公二 平田
勝巳 三村
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
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Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
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    • H01L2224/78703Mechanical holding means

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置の製造技術さらには熱圧着式ワ
イヤボンディング技術に適用して特に有効な技術に関す
るもので、例えば、熱変形の大きいリードフレームを用
いた半導体装置の製造に利用して有効な技術に関するも
のである。
[従来の技術] 半導体ペレットの電極とリードフレームのリード端子
との間を電気的接続するためのワイヤボンディング技術
については、例えば、昭和60年11月20日に株式会社工業
調査会から発行された「LSI製造・試験装置ガイドブッ
ク」第138頁〜第144頁に記載されている。このようなワ
イヤボンディング技術におけるボンディング方法には種
々あるが、そのうち、熱圧着式ワイヤボンディング技術
の概要を説明すれば以下のとおりである。
即ち、この熱圧着式ワイヤボンディング技術は、半導
体ペレットが搭載されたリードフレームをヒートブロッ
ク上で加熱すると共に、リード押さえ治具によりリード
フレームをヒートブロックに対して押圧して、金ワイヤ
を用いて半導体ペレットの電極とリードフレームのリー
ド端子とを電気的に接続するものである。
ところで、従来においては、リードフレームとしては
主に42Alloy(42Ni−58Fe)のような熱変形に強い材料
が用いられていた。そのため、リードフレームを加熱す
るヒートブロックとしては熱伝導性を考慮する必要のな
いことから熱伝導性の悪いSUS材等が用いられていた。
また、上記リードフレームは、熱変形が比較的小さい
ので、リードフレームをヒートブロックに対して押圧す
るリード押え治具の構造も位置決め程度の認識で設計す
れば十分であった。
第5図にはこのリード押さえ治具の構造が示されてい
る。その概要を同図に基づいて説明すれば次のとおりで
ある。
即ち、このリード押え治具にはリード押え板24が取り
付けられており、このリード押え板24には半導体ペレッ
トの搭載領域よりもやや大きめの開口部21が形成され、
その開口縁部下側には、リードフレームのリード端子を
押さえるためのリード端子用押え部22と、リードフレー
ムのタブ吊りリードを押さえるタブ吊りリード用押え部
23とがそれぞれ形成されており、それら押え部22,23の
下端は第6図に示すように面一となるように形成されて
いた。
[発明が解決しようとする問題点] ところが、近年、原価低減等の要請からCuや黄銅製の
リードフレームが頻繁に用いられてきている。
しかし、このリードフレームは熱変形が大きいため、
ヒートブロックとして熱伝導性が悪く昇温の緩慢なSUS
材等を用いてリードフレームを加熱した場合には、リー
ドフレームの半導体ペレット搭載部即ちタブが座屈を起
こしてワイヤボンディングの位置ズレ不良を起こしてし
まう。
つまり、ヒートブロックは第7図の温度プロファイル
に示すように緩慢に昇温するので、タブ吊りリードの熱
変形が大きくなり、座屈によって3〜5%の高率で位置
ずれ不良(電極とAuボールのずれ)が発生するという問
題点があった。
そのため、半導体装置の歩留りや信頼性の低下を招い
ていた。
本発明の目的は、熱変形の大きいリードフレームを用
いる場合において、タブの位置ズレ不良を効果的に防止
し、ひいては半導体装置の信頼性や歩留りの向上を図る
ことができるワイヤボンディング技術を提供することに
ある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴
については、本明細書の記述および添附図面から明らか
になるであろう。
[問題点を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
即ち、ワイヤボンディング装置のヒートブロックとし
て熱伝導率の高い黄銅を用い、リード押え治具のタブ吊
りリード用押え部をリード端子用押え部より僅かに下方
に突出させるようにしたものである。
[作用] 上記した手段によれば、ヒートブロックを黄銅で形成
しているため、昇温が急峻となり、ボンディング前に瞬
時にリードフレームを変形飽和領域まで昇温させ、さら
に、ボンディング時にはリード押え治具によってリード
フレームのタブ吊りリードを確実に押圧することが可能
となり、リードフレームのタブ吊りリードの熱変形を最
小限にくい止めることができ、それによってワイヤボン
ディングの信頼性が向上され、ひいては半導体装置の信
頼性・歩留りの向上を図るという上記目的を達成でき
る。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図には本発明に係るワイヤボンディング装置の一
実施例が示されている。
同図において符号1はヒートブロックを表しており、
このヒートブロック1としては例えば熱伝導率の高い黄
銅製のヒートブロック(熱伝導率0.8cal/cm・℃以上の
材質)が用いられている。一方、符号2はリードフレー
ムを表している。このリードフレーム2の外枠にはタブ
吊りリード3を介してペレット搭載部(タブ)4が支持
されており、このペレット搭載部4には半導体ペレット
5がマウントされている。また、このリードフレーム2
の外枠には図示しないタイバを介してリード端子6が配
設されている。なお、第1図において符号5aは半導体ペ
レット5の電極である。
また、ヒートブロック1の上方にはリード押え治具7
(第2図)が配設されている。
このリード押え治具7には第1図に示すリード押え板
7aが取り付けられており、このリード押え板7aには半導
体ペレット5の搭載領域よりもやや大きめの開口部8が
形成されている。そして、リード押え板7aの開口縁下側
には、リードフレーム2のタブ吊りリード3を押圧する
タブ吊りリード用押え部9と、リード端子6を押圧する
リード端子用押え部10とが設けられている。このうち、
タブ吊りリード用押え部9は舌片状に形成され、開口部
8内に突出するように設けられると共に、その先端がリ
ード端子用押え部10より僅かに下方となるように湾曲し
ている(第3図参照)。
また、このリード押え治具7の上方にはボンディング
ワイヤ11を支持するキャピラリ12が配設されている。
次に、このように構成されたワイヤボンディング装置
によってなされるワイヤボンディング方法を説明する。
半導体ペレット5がマウントされたリードフレーム2
はヒートブロック1上にセットされ、図示しない送り爪
(図示省略)によりボンディング位置まで搬送される。
この間、ヒートブロック1ひいてはリードフレーム2は
温度プロファイル(第4図)に沿って加熱される。つま
り、ボンディング位置の直前においてヒートブロック1
は300℃以上の温度まで瞬時に加熱される。
そして、この状態でリード押え治具7によってリード
フレーム2をヒートブロック1に押圧し、その状態でキ
ャピラリ12を用いて熱圧着方式のワイヤボンディングを
行なう。その際、リード押え治具7のタブ吊りリード用
押え部9によってリードフレーム2のタブ吊り用リード
3がヒートブロック1に強く押し付けられる。また一
方、リード端子用押え部10によってリードフレーム2の
リード端子6が比較的弱くヒートブロック1に対して押
し付けられる。
そうして、ワイヤボンディングが終了した後、リード
フレーム2はアンローダ(図示省略)によって次の工程
まで搬送される。
このように構成されたワイヤボンディング装置によれ
ば以下のような効果を得ることができる。
即ち、ヒートブロック1を熱伝導性の高い黄銅で構成
しているので、ヒートブロック1によってリードフレー
ム2がその変形飽和領域まで瞬時に加熱され、ボンディ
ング時におけるリードフレーム2の熱変形が最小限にく
い止められるという作用によって、ワイヤボンディング
の信頼性が向上され、ひいては、半導体装置の信頼性・
歩留りの向上が図れることとなる。
また、上記実施例においてはリード押え治具7がリー
ド端子用押え部10よりもタブ吊り用押え部9の方が下方
に形成されているので、タブ吊りリード3を小さい力で
もって確実に押さえることができるという作用によっ
て、半導体ペレット搭載部4の座屈変形を効果的に押さ
えられ、その結果、さらにワイヤボンディングの信頼性
の向上が図れる。
なお、リード端子6のインナリード側は自由端となっ
ているので座屈がなく、変形した場合にもその変形は比
較的に小さいので軽く押さえられれば済む。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
[発明の効果] 本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。
即ち、本発明によれば、ヒートブロックによってリー
ドフレームをその変形飽和領域まで瞬時に加熱すること
ができ、しかもボンディング時にはタブ吊りリード用押
え部によって確実にタブ吊りリードを押圧することがで
きるので、リードフレームの変形が大幅に減じ、これに
よりリードフレームが変形することに起因する位置ずれ
不良が防止できる。その結果、半導体装置の歩留りや信
頼性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るワイヤボンディング装置の一実施
例を表す斜視図、 第2図は第1図中のリード押え治具の下面図、 第3図は第1図中のリード押え治具のIII−III線に沿う
縦断面図、 第4図は第1図中の黄銅製ヒートブロックの温度プロフ
ァイルを表す図、 第5図は従来のリード押え治具の下面図、 第6図は第5図のリード押え治具の縦断面図、 第7図は従来のヒートブロックの温度プロファイルを表
す図である。 1……ヒートブロック、2……リードフレーム、3……
タブ吊りリード、5……半導体ペレット、5a……電極、
6……リード端子、7……リード押え治具、9……タブ
吊りリード用押え部、10……リード端子用押え部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三村 勝巳 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立 東京エレクトロニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−150263(JP,A) 特開 昭62−33432(JP,A) 特開 昭62−188331(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】リードフレームを加熱するヒートブロック
    と、前記リードフレームを前記ヒートブロックに対して
    押圧するリード押え治具とを備え、半導体ペレットの電
    極と前記リードフレームのリード端子とをワイヤにて電
    気的に接続するように構成されたワイヤボンディング装
    置において、前記ヒートブロックは黄銅にて構成され、
    前記リード押え治具は、前記リードフレームのタブ吊り
    リードを押圧するタブ吊りリード用押え部と、前記リー
    ドフレームのリード端子を押圧するリード端子用押え部
    とを備え、前記タブ吊りリード用押え部が前記リード端
    子用押え部より僅か下方に突出するように構成されてい
    ることを特徴とするワイヤボンディング装置。
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