JP2774635B2 - フィルムキャリャ及び半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はフイルムキャリヤ及び半導体装置に関するも
のである。

（従来の技術） 従来、第２図に示すように、半導体素子11のパッド上
に形成したバンプ16と、フイルムキャリヤ14上にこれと
対応した位置のビーム状のリード電極13を形成したもの
とを、ボンディングしてなるフイルムキャリヤを用いた
半導体装置において、開孔部15の一辺から他辺へ延在す
るクロスオーバ配線用のリード電極12を有したフイルム
キャリヤを用いた半導体装置が知られている。

（発明が解決しようとする課題） しかし、このような半導体装置においては、半導体素
子11上のバンプ16とリード電極13を接続するボンディン
グの際、別に設けた半導体素子11を載置する開孔部15の
一辺から他辺へ延在するリード電極12が、ボンディング
の必要がないにもかかわらず、ボンディングツールに接
触する。そのため熱影響、加圧によりリード電極12が変
形し、半導体素子11にエッヂショートを起こすことがあ
った。

そこで本発明では、半導体素子上のバンプとリード電
極を接続するためのボンディングをする際に、別に設け
た、半導体素子装置部の開孔部の一辺から他辺へ延在す
る連続したリード電極が、変形、エッヂ４ショート等を
起こさないフイルムキャリヤ及び半導体装置を提供する
ことを目的としている。

（課題を解決するための手段） 本発明のフイルムキャリヤは、半導体素子上の電極
と、フイルムキャリヤ上に形成したリード電極とをボン
ディングするフイルムキャリヤにおいて、クロスオーバ
配線用のリード電極と、ボンディングツールと接触する
側にバンプを設けたビーム状のリード電極とを有し、前
記バンプが前記半導体素子の電極上に位置している。

本発明の半導体装置は、上記フイルムキャリヤを用い
ている。

（作用） このような半導体装置は、ボンディングツールがリー
ド電極の高い部分であるバンプのみに接触し、目的を達
成できる。

（実施例） 以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図に本発明の一実施例を示す。半導体装置は、半
導体素子１とクロスオーバ配線用のリード電極２とビー
ム状のリード電極３とフイルムキャリヤ４からなる。半
導体素子１のパッド上にはバンプ６が設けられ、これら
のパッド及びバンプ６によって該半導体素子１の電極が
形成されている。フイルムキャリヤ４には、半導体素子
１を載置する開孔部５が形成されている。クロスオーバ
配線用のリード電極２は、開孔部５の一辺から他辺へ延
在しており、半導体素子１と対向するところは薄くなっ
ている。ビーム状のリード電極３は、フイルムキャリヤ
４に貼りついており、該リード電極３の一部が開孔部５
内へ突出している。このリード電極３の突出箇所には、
半導体素子１上のバンプ６とは反対側であるボンディン
グツールと接触する側にバンプ７が設けられている。

半導体素子１とリード電極３の接続は、半導体素子１
上のバンプ６とリード電極３との位置合わせを行い、ボ
ンディングツールによって加熱加圧して行う。その際、
ボンディングツールは、リード電極３のバンプ７を押圧
するが、リード電極２に接触することはない。従って、
リード電極２が変形し、エッヂショートしない。

（発明の効果） 本発明は以上説明したように、リード電極のボンディ
ングツールと接触する側にバンプを設け、しかも、前記
バンプは半導体素子の電極上に位置させたので、ボンデ
ィングツールが前記リード電極のバンプのみに接触する
ようになり、エッヂショートなどのない品質上優れた半
導体装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の斜視図、
第２図は従来の半導体装置の斜視図である。 1,11……半導体素子、2,3,12,13……リード電極、4,14
……フイルムキャリヤ、5,15……開孔部、6,7,16……バ
ンプ。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子上の電極と、フイルムキャリヤ
   上に形成したリード電極とをボンディングするフイルム
   キャリヤにおいて、クロスオーバ配線用のリード電極
   と、ボンディングツールと接触する側にバンプを設けた
   ビーム状のリード電極とを有し、前記バンプが前記半導
   体素子の電極上に位置したことを特徴とするフイルムキ
   ャリヤ。
2. 【請求項２】請求項１のフイルムキャリヤを用いたこと
   を特徴とする半導体装置。