JPH02260558A - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents
半導体装置のリードフレームInfo
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- JPH02260558A JPH02260558A JP8064889A JP8064889A JPH02260558A JP H02260558 A JPH02260558 A JP H02260558A JP 8064889 A JP8064889 A JP 8064889A JP 8064889 A JP8064889 A JP 8064889A JP H02260558 A JPH02260558 A JP H02260558A
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- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
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- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のリードフレームに関し、特に樹脂
封止型半導体装置に用いて好適なリードフレームに関す
る。
封止型半導体装置に用いて好適なリードフレームに関す
る。
従来、この種のリードフレームは内部リードの先端に半
導体素子の電極部を接続させている。この場合、第４図
に示すように、内部リード１１の先端と、半導体素子１
２の電極部１３との間にバンブと称する凸部１４を設け
ておき、このバンブ１４を利用して両者の接続を行って
いる。このバンブ１４は、内部リードｌｌ側に設けてい
る場合と、半導体素子の電極部１３側に設けている場合
とがある。
導体素子の電極部を接続させている。この場合、第４図
に示すように、内部リード１１の先端と、半導体素子１
２の電極部１３との間にバンブと称する凸部１４を設け
ておき、このバンブ１４を利用して両者の接続を行って
いる。このバンブ１４は、内部リードｌｌ側に設けてい
る場合と、半導体素子の電極部１３側に設けている場合
とがある。
上述した従来のリードフレームでは、内部リード１１の
先端又は半導体素子１２の電極部１３の何れか一方にバ
ンプ１４を形成する必要があるため、バンブ形成工程が
複雑になり、かつそのためのコストが高くなるという問
題がある。また、バンプ１４は固定的に形成されるため
、内部リードと電極部との間に位置ずれが生じたときに
好適な接続を行うことができなくなることがある。更に
、接続時にはバンプを押し潰すための外力が必要であり
、この外力によって内部リードが変形し、隣接するリー
ド間が短絡するという問題が生じることがある。
先端又は半導体素子１２の電極部１３の何れか一方にバ
ンプ１４を形成する必要があるため、バンブ形成工程が
複雑になり、かつそのためのコストが高くなるという問
題がある。また、バンプ１４は固定的に形成されるため
、内部リードと電極部との間に位置ずれが生じたときに
好適な接続を行うことができなくなることがある。更に
、接続時にはバンプを押し潰すための外力が必要であり
、この外力によって内部リードが変形し、隣接するリー
ド間が短絡するという問題が生じることがある。
本発明は上述した問題を解消した半導体装置のリードフ
レームを提供することを目的とする。
レームを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
本発明のリードフレームは、リードフレームの内部リー
ド先端に１以上のスルーホールを開設し、このスルーホ
ールに注入した導電性ロー材により前記内部リードの先
端を半導体素子の電極部に接続するように構成している
。
ド先端に１以上のスルーホールを開設し、このスルーホ
ールに注入した導電性ロー材により前記内部リードの先
端を半導体素子の電極部に接続するように構成している
。
上述した構成では、スルーホール内に注入された導電性
ロー材により内部リード先端と電極部とを接続でき、内
部リード及び電極部のいずれにもバンプを形成すること
なく両者の接続が実現できる。
ロー材により内部リード先端と電極部とを接続でき、内
部リード及び電極部のいずれにもバンプを形成すること
なく両者の接続が実現できる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。また、第２図は要部の斜視図である。
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。また、第２図は要部の斜視図である。
これらの図において、１はリードフレームであり、金属
板をエツチング或いはプレス加工等により所要形状に形
成し、複数本の内部リード２を一体に形成している。そ
し゛て、これら内部リード２の先端部分には、各リード
に夫々１個のスルーホール３を開設している。
板をエツチング或いはプレス加工等により所要形状に形
成し、複数本の内部リード２を一体に形成している。そ
し゛て、これら内部リード２の先端部分には、各リード
に夫々１個のスルーホール３を開設している。
一方、半導体素子４の電極部５は、これまでと同様にア
ルミニウム等の金属で形成され、その上面は平坦である
。
ルミニウム等の金属で形成され、その上面は平坦である
。
この構成において、内部リード２と電極部５を接続する
際には、電極部５に内部リード２のスルーホール３が位
置するように合わせ、かつ内部リード２の下面を電極部
５に接触させた状態で、スルーホール３内に導電性ロー
材６を注入し、このロー材６により内部リード２と電極
部５を接続する。この接続は導電性ロー材６によるため
、バンプによる接続以上に高い信頼性を得ることができ
る。
際には、電極部５に内部リード２のスルーホール３が位
置するように合わせ、かつ内部リード２の下面を電極部
５に接触させた状態で、スルーホール３内に導電性ロー
材６を注入し、このロー材６により内部リード２と電極
部５を接続する。この接続は導電性ロー材６によるため
、バンプによる接続以上に高い信頼性を得ることができ
る。
この場合、導電性ロー材６は塗布或いはメツキ法により
予めスルーホール３内に設けておき、加熱することで導
電性ロー材６を溶融させて電極部５に接続する方法をと
ることも可能である。
予めスルーホール３内に設けておき、加熱することで導
電性ロー材６を溶融させて電極部５に接続する方法をと
ることも可能である。
したがって、内部リード２や電極部５のいずれにもバン
プを形成することなく、好適な接続が実現できる。
プを形成することなく、好適な接続が実現できる。
第３図は本発明の第２実施例を示しており、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。なお、第１実施例と同一部分には同一符号を付しで
ある。
は平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。なお、第１実施例と同一部分には同一符号を付しで
ある。
この実施例では、リードフレーム１の内部リード２に夫
々複数個、ここでは３個のスルーホール３ａ、３ｂ、３
ｃを開設しティる。
々複数個、ここでは３個のスルーホール３ａ、３ｂ、３
ｃを開設しティる。
この構成によれば、３個のスルーホールのうち、任意の
ものを選択して半導体素子４の電極部５との接続を行う
ことができる。即ち、第３図（ｂ）の例では、右側の内
部リード２ではスルーホール３Ｃを利用して導電性ロー
材６により電極部５との接続を行っており、左側の内部
リード２ではスルーホール３ｂを利用して導電性ロー材
６により電極部５との接続を行っている。
ものを選択して半導体素子４の電極部５との接続を行う
ことができる。即ち、第３図（ｂ）の例では、右側の内
部リード２ではスルーホール３Ｃを利用して導電性ロー
材６により電極部５との接続を行っており、左側の内部
リード２ではスルーホール３ｂを利用して導電性ロー材
６により電極部５との接続を行っている。
このため、同一規格のリードフレームで種々の寸法の半
導体素子に対する接続が可能となり、また半導体素子の
電極部の位置が内側又は外側にばらついている場合でも
好適な接続を行うことができる。
導体素子に対する接続が可能となり、また半導体素子の
電極部の位置が内側又は外側にばらついている場合でも
好適な接続を行うことができる。
なお、スルーホールは、半導体素子の標準的な電極部の
寸法である１２０ｐｍ以内の寸法に形成する必要がある
。
寸法である１２０ｐｍ以内の寸法に形成する必要がある
。
以上説明したように本発明は、内部リードの先端部にス
ルーホールを開設し、このスルーホールを利用して導電
性ロー材により半導体素子の電極部への接続を行ってい
るので、バンプを不要にし、半導体装置の組立ての簡易
化、低コスト化が実現できる。また、複数個のスルーホ
ールを設けることにより、リードフレームの汎用性を高
めることができる。また、バンプを不要にすることで、
内部リードの変形や位置ずれの発生を防止でき、隣接リ
ードとの短絡を防止して信頼性を向上し、歩留りを改善
する。
ルーホールを開設し、このスルーホールを利用して導電
性ロー材により半導体素子の電極部への接続を行ってい
るので、バンプを不要にし、半導体装置の組立ての簡易
化、低コスト化が実現できる。また、複数個のスルーホ
ールを設けることにより、リードフレームの汎用性を高
めることができる。また、バンプを不要にすることで、
内部リードの変形や位置ずれの発生を防止でき、隣接リ
ードとの短絡を防止して信頼性を向上し、歩留りを改善
する。
第１図は本発明の第１実施例を示し、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、第２図は
第１図の要部の斜視図、第３図は本発明の第２実施例を
示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿
う断面図、第４図は従来の接続状態を示す断面図である
。 １・・・リードフレーム、２・・・内部リード、３．３
ａ、３ｂ、３ｃ・・・スルーホール、４・・・半導体素
子、５・・・電極部、６・・・導電性ロー材、１１・・
・内部リード、１２・・・半導体素子、１３・・・電極
部、１４・・・バンプ。 第２
図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図、第２図は
第１図の要部の斜視図、第３図は本発明の第２実施例を
示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿
う断面図、第４図は従来の接続状態を示す断面図である
。 １・・・リードフレーム、２・・・内部リード、３．３
ａ、３ｂ、３ｃ・・・スルーホール、４・・・半導体素
子、５・・・電極部、６・・・導電性ロー材、１１・・
・内部リード、１２・・・半導体素子、１３・・・電極
部、１４・・・バンプ。 第２
Claims (1)
- １、リードフレームの内部リード先端に１以上のスルー
ホールを開設し、このスルーホールに注入した導電性ロ
ー材により前記内部リードの先端を半導体素子の電極部
に接続するように構成したことを特徴とする半導体装置
のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064889A JPH02260558A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体装置のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064889A JPH02260558A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体装置のリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260558A true JPH02260558A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13724184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8064889A Pending JPH02260558A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体装置のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260558A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712159A3 (en) * | 1994-11-08 | 1997-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Structure of a resin molded semiconductor |
| EP1009023A1 (de) * | 1998-12-09 | 2000-06-14 | ESEC Management SA | Verfahren zur Verbindung von zwei Leiterstrukturen und Kunststoffobjekt |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8064889A patent/JPH02260558A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712159A3 (en) * | 1994-11-08 | 1997-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Structure of a resin molded semiconductor |
| US6002181A (en) * | 1994-11-08 | 1999-12-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of resin molded type semiconductor device with embedded thermal dissipator |
| EP1009023A1 (de) * | 1998-12-09 | 2000-06-14 | ESEC Management SA | Verfahren zur Verbindung von zwei Leiterstrukturen und Kunststoffobjekt |
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