JPH01231334A - ワイヤーボンディング方法 - Google Patents
ワイヤーボンディング方法Info
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- JPH01231334A JPH01231334A JP5600388A JP5600388A JPH01231334A JP H01231334 A JPH01231334 A JP H01231334A JP 5600388 A JP5600388 A JP 5600388A JP 5600388 A JP5600388 A JP 5600388A JP H01231334 A JPH01231334 A JP H01231334A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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-
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- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置のワイヤーボンディング方法に係
り、特に内部配線に使用するワイヤーボンダーのクラン
プに関するものである。
り、特に内部配線に使用するワイヤーボンダーのクラン
プに関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば、以下に
示すようなものがあった。
示すようなものがあった。
第５図は係る従来の半導体装置の内部配線の一例を示す
斜視図である。
斜視図である。
図中、１はヒータブロック、２はリードフレームのイン
ナーリード部、３はアイランド、４は半導体素子、５は
金属細線（以下、ワイヤーと呼ぶ）であり、この図に示
すように、リードフレー１、のインナーリード部２と半
導体素子４はワイヤー５に依り結線される。この結線作
業はワイヤーボンダーを使用して行う。
ナーリード部、３はアイランド、４は半導体素子、５は
金属細線（以下、ワイヤーと呼ぶ）であり、この図に示
すように、リードフレー１、のインナーリード部２と半
導体素子４はワイヤー５に依り結線される。この結線作
業はワイヤーボンダーを使用して行う。
第６図はこの結線作業時のリードフレームの固定状態を
示す部分断面図であり、リードフレームのインナーリー
ド部２はワイヤーボンダーに付属しているクランプ６で
ヒータブロック１に押しイ」けられ、半導体素子４の電
極部とをワイヤー５で接続するようにしていた。
示す部分断面図であり、リードフレームのインナーリー
ド部２はワイヤーボンダーに付属しているクランプ６で
ヒータブロック１に押しイ」けられ、半導体素子４の電
極部とをワイヤー５で接続するようにしていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成の装置では、クランプ６でイン
ナーリード部２を押さえる時、ヒータブｍｌ 、り１と
クランプ６との組立上の平行度が出なかったり、インナ
ーリード部２のプレス加工時にネジレがあったりすると
、アイランド３の周りの全部のインナーリード部２をし
っかり固定することができず、ワイヤーボンド作業時に
超音波の振動によりインナーリード部２も４Ｉｉ勤する
ことにより接着強度が低下したり、また、超音波の振動
が他のインナーリード部に伝わることにより、半導体素
子とワイヤーとの接続部に形成されるワイヤーのネック
部の断線を招くなどワイヤーボンド後の品質を低下させ
るといった問題点があった。
ナーリード部２を押さえる時、ヒータブｍｌ 、り１と
クランプ６との組立上の平行度が出なかったり、インナ
ーリード部２のプレス加工時にネジレがあったりすると
、アイランド３の周りの全部のインナーリード部２をし
っかり固定することができず、ワイヤーボンド作業時に
超音波の振動によりインナーリード部２も４Ｉｉ勤する
ことにより接着強度が低下したり、また、超音波の振動
が他のインナーリード部に伝わることにより、半導体素
子とワイヤーとの接続部に形成されるワイヤーのネック
部の断線を招くなどワイヤーボンド後の品質を低下させ
るといった問題点があった。
本発明は、インナーリードをしっかり固定することがで
きないという問題点を除去し、超音波の振動により、イ
ンナーリードも振動してしまうことによる接着強度低下
や振動が伝わることにより起こるネック断線を防止する
ことができる信軽性の高いワイヤーボンディング方法を
提供することを目的とする。
きないという問題点を除去し、超音波の振動により、イ
ンナーリードも振動してしまうことによる接着強度低下
や振動が伝わることにより起こるネック断線を防止する
ことができる信軽性の高いワイヤーボンディング方法を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、ワイヤーボン
ディングを行うに際し、ヒータブロックに突起部を設け
ると共に、クランプに凹部を設け、該突起部と凹部を対
、向させてリードフレームを押さえ付けながらクランプ
し、その状態でワイヤーボンディングを行うようにした
ものである。
ディングを行うに際し、ヒータブロックに突起部を設け
ると共に、クランプに凹部を設け、該突起部と凹部を対
、向させてリードフレームを押さえ付けながらクランプ
し、その状態でワイヤーボンディングを行うようにした
ものである。
また、前記突起部の７ウタ一リード部側のエツジと前記
凹部のアウターリード部側のエツジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエツジと前記凹部の
インナーリード部側のエツジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させるようにしたものである。
凹部のアウターリード部側のエツジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエツジと前記凹部の
インナーリード部側のエツジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させるようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、ワイヤーボンド装置のヒータブロック
に突起部を設け、クランプの前記突起部の相対する場所
に凹部を設けて、インナーリードを押さえ付けながらク
ランプできるようにしたので、インナーリード部を確実
に押さえ付けることができ、信軌性の高いワイヤーボン
ディングを行うことができる。
に突起部を設け、クランプの前記突起部の相対する場所
に凹部を設けて、インナーリードを押さえ付けながらク
ランプできるようにしたので、インナーリード部を確実
に押さえ付けることができ、信軌性の高いワイヤーボン
ディングを行うことができる。
また、前記突起部のアウターリード部側のエツジと前記
凹部のアウターリード部側のエツジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエツジと前記凹部の
インナーリード部側のエツジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させるようにしたので、インナーリードと半導
体素子を接続するワイヤーがアイランドに接触すること
がなくなり、確実な配線を行うことができる。
凹部のアウターリード部側のエツジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエツジと前記凹部の
インナーリード部側のエツジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させるようにしたので、インナーリードと半導
体素子を接続するワイヤーがアイランドに接触すること
がなくなり、確実な配線を行うことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すワイヤーボンディング状
態を示す部分断面図である。
態を示す部分断面図である。
図中、１１はヒータブロック、１２はこのヒータブロッ
クのインナーリードが位置する所定箇所に設けられる突
起部、１３はリードフレームのインナーリード部、Ｉ４
はアイランド、１５は半導体素子、１６はその半導体素
子の電極部、１７はワイヤー、１８はクランプ、１９は
そのクランプの前記突起部に対応する箇所に形成される
凹部である。
クのインナーリードが位置する所定箇所に設けられる突
起部、１３はリードフレームのインナーリード部、Ｉ４
はアイランド、１５は半導体素子、１６はその半導体素
子の電極部、１７はワイヤー、１８はクランプ、１９は
そのクランプの前記突起部に対応する箇所に形成される
凹部である。
この図に示すように、リードフレームのインナーリード
部１３は突起部１２を設けたヒータブロック１１と相対
する所に凹部１９を設けたクランプ１８で挟まれなから
ヒータブロック１１にしっかり密着される。そこで、半
導体素子１５の電極部１６としっかり押さえられたイン
ナーリード部１３とはワイヤー１７によりワイヤボンド
装置により結線される。
部１３は突起部１２を設けたヒータブロック１１と相対
する所に凹部１９を設けたクランプ１８で挟まれなから
ヒータブロック１１にしっかり密着される。そこで、半
導体素子１５の電極部１６としっかり押さえられたイン
ナーリード部１３とはワイヤー１７によりワイヤボンド
装置により結線される。
このように構成することにより、インナーリード部１３
においてヒータブロック１１とクランプ１８との組立上
の平行度が出なかったり、インナーリード部１３のプレ
ス加工時にネジレがあったとしても、インナーリード部
１３は確実に押さえ付けられることになり、信顛性の高
いワイヤーボンディングを行うことができる。
においてヒータブロック１１とクランプ１８との組立上
の平行度が出なかったり、インナーリード部１３のプレ
ス加工時にネジレがあったとしても、インナーリード部
１３は確実に押さえ付けられることになり、信顛性の高
いワイヤーボンディングを行うことができる。
第２図は前記したインナーリード部１３のクランブ機能
に加えて、インナーリード部１３を塑性変形させてイン
ナーリードの先端部を隆起させるようにしたものである
。
に加えて、インナーリード部１３を塑性変形させてイン
ナーリードの先端部を隆起させるようにしたものである
。
従来の第５図及び第６図に示すワイヤーボンディング方
法によれば、インナーリード部２とアイランド３とは同
一平面上に位置し、ワイヤーボンディングを行うとワイ
ヤー５がアイランド３に接触するといった問題があった
。その問題を解決するために、従来はアイランドのサポ
ート部を曲げることによりアイランドの高さをインナー
リード部に対して低くするデプレス（Ｄｅｐｒｅｓｓ）
フレームなどが提案されている。このようなものでは、
アイランドのサポート部を曲げる工程が増加すると共に
、モールドをする際にアイランドから所定の厚みが必要
になるため、結局、半導体パッケージの高さが嵩むとい
った問題がある。
法によれば、インナーリード部２とアイランド３とは同
一平面上に位置し、ワイヤーボンディングを行うとワイ
ヤー５がアイランド３に接触するといった問題があった
。その問題を解決するために、従来はアイランドのサポ
ート部を曲げることによりアイランドの高さをインナー
リード部に対して低くするデプレス（Ｄｅｐｒｅｓｓ）
フレームなどが提案されている。このようなものでは、
アイランドのサポート部を曲げる工程が増加すると共に
、モールドをする際にアイランドから所定の厚みが必要
になるため、結局、半導体パッケージの高さが嵩むとい
った問題がある。
そこで、本発明によれば、前記したインナーリード部の
クランプ態様を工夫することにより、インナーリード部
を確実に押さえながら、しかも、インナーリード部の塑
性変形によるインナーリードの先端部を隆起せさて、ア
イランドの高さに対して、インナーリードの先端部の高
さを高くして、ワイヤーボンディング時のワイヤーのア
イランドへの接触を防止するようにした。
クランプ態様を工夫することにより、インナーリード部
を確実に押さえながら、しかも、インナーリード部の塑
性変形によるインナーリードの先端部を隆起せさて、ア
イランドの高さに対して、インナーリードの先端部の高
さを高くして、ワイヤーボンディング時のワイヤーのア
イランドへの接触を防止するようにした。
以下、その実施例について第２図乃至第４図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
図中、２１はヒータブロック、２２はこのヒータブロッ
クのインナーリードが位置する所定箇所に設けられる突
起部、２２ａはその突起部のアウターリード部側のエツ
ジ、２２ｂはその突起部のインナーリード部側のエツジ
、２２Ｃはその突起部の頂面部、２３はクランプ、２４
はそのクランプの前記突起部に対応する箇所に形成され
る凹部、２４ａはその凹部のインナーリード部側のエツ
ジ、２４ｂはその凹部のアウターリード部側のエツジ、
２４Ｃはその凹部の底面部である。
クのインナーリードが位置する所定箇所に設けられる突
起部、２２ａはその突起部のアウターリード部側のエツ
ジ、２２ｂはその突起部のインナーリード部側のエツジ
、２２Ｃはその突起部の頂面部、２３はクランプ、２４
はそのクランプの前記突起部に対応する箇所に形成され
る凹部、２４ａはその凹部のインナーリード部側のエツ
ジ、２４ｂはその凹部のアウターリード部側のエツジ、
２４Ｃはその凹部の底面部である。
これらの図に示すように、突起部２２上を載り越えて配
置されたインナーリード部１３を上方より凹部２４を有
するクランプ２３で押さえ付ける。この場合、凹部２４
の中心線ｌ、に対して突起部２２の中心線１２は凹部の
アウターリード部側のエツジ２４ａ側に配ｌする。つま
り、突起部２２のアウターリード部側のエッジ２２ａと
凹部２４のアウターリード部側のエツジ２４ａとの間隔
を反対側の突起部２２のインナーリード部側のエツジ２
２ｂと凹部２４のインナーリード部側のエツジ２４ｂと
の間隔より狭めることにより、その狭い前記エツジ２４
ａとエッジ２２ａ間でインナーリードを強く面げろよう
にし、クランプの時のインナーリードの曲がりが開放後
も残るようにして、この状態のもとで、第２図（ａ）に
示すように、ワイヤボンディングを行った後、クランプ
２３を解除すると、インナーリード部は第２図（ｂ）に
示すように変形する。つまり、前記エツジ２４ａとエツ
ジ２２２間のＢ部においてはリードは弾性限界を越えて
塑性変形するが、０部及びＤ部においては塑性変形しな
い。
置されたインナーリード部１３を上方より凹部２４を有
するクランプ２３で押さえ付ける。この場合、凹部２４
の中心線ｌ、に対して突起部２２の中心線１２は凹部の
アウターリード部側のエツジ２４ａ側に配ｌする。つま
り、突起部２２のアウターリード部側のエッジ２２ａと
凹部２４のアウターリード部側のエツジ２４ａとの間隔
を反対側の突起部２２のインナーリード部側のエツジ２
２ｂと凹部２４のインナーリード部側のエツジ２４ｂと
の間隔より狭めることにより、その狭い前記エツジ２４
ａとエッジ２２ａ間でインナーリードを強く面げろよう
にし、クランプの時のインナーリードの曲がりが開放後
も残るようにして、この状態のもとで、第２図（ａ）に
示すように、ワイヤボンディングを行った後、クランプ
２３を解除すると、インナーリード部は第２図（ｂ）に
示すように変形する。つまり、前記エツジ２４ａとエツ
ジ２２２間のＢ部においてはリードは弾性限界を越えて
塑性変形するが、０部及びＤ部においては塑性変形しな
い。
なお、リードのクランプによるクランプ力は、例えば、
リード１本に対して５０〜１００ ｇにする。
リード１本に対して５０〜１００ ｇにする。
第４図は第２図のＡ部の寸法を示す図であり、例えば、
インナーリード部１３の先端からクランプの先端までの
寸法讐、は０．５鰭、インナーリード１３の先端から突
起部２２の中心部までの寸法６は１，５龍〜３．０諷墓
、突起部２２の幅−３はＯ，Ｓ關、突起部２２の高さ讐
、は０．５ ｕ、凹部２４の中心線ｉ、に対して、突起
部２２の中心線１２はその凹部のエツジ２４ａ側に配置
し、中心線ｌ、と中心線１２間には所定の距離を設ける
ようにする。
インナーリード部１３の先端からクランプの先端までの
寸法讐、は０．５鰭、インナーリード１３の先端から突
起部２２の中心部までの寸法６は１，５龍〜３．０諷墓
、突起部２２の幅−３はＯ，Ｓ關、突起部２２の高さ讐
、は０．５ ｕ、凹部２４の中心線ｉ、に対して、突起
部２２の中心線１２はその凹部のエツジ２４ａ側に配置
し、中心線ｌ、と中心線１２間には所定の距離を設ける
ようにする。
このようにして、インナーリードの先端部をアイランド
１４より高さｈだけ隆起させることができる。
１４より高さｈだけ隆起させることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、インナ
ーリード部を突起部と凹部で確実に押さえ付けることが
できるようにしたので、ワイヤーボンド時に使用する超
音波を効果的に使うことができ、インナーリード側の接
着強度不良、ワイ−１−一のネック断線などのトラブル
をなくすことができる。
ーリード部を突起部と凹部で確実に押さえ付けることが
できるようにしたので、ワイヤーボンド時に使用する超
音波を効果的に使うことができ、インナーリード側の接
着強度不良、ワイ−１−一のネック断線などのトラブル
をなくすことができる。
また、インナーリードの先端部が隆起するような曲げを
残すことにより、デプレスフレームと同様或いはそれ以
上の効果が期待できる。即ち、確実なワイヤボンディン
グを行いながら、併せてワイヤのアイランドのエツジシ
ョート対策を講じることができると共に、より高さの低
い小型の半導体パッケージを得ることができる。
残すことにより、デプレスフレームと同様或いはそれ以
上の効果が期待できる。即ち、確実なワイヤボンディン
グを行いながら、併せてワイヤのアイランドのエツジシ
ョート対策を講じることができると共に、より高さの低
い小型の半導体パッケージを得ることができる。
第１図は本発明の実施例を示すワイヤーボンディング状
態を示す部分断面図、第２図は本発明のワイヤーボンデ
ィングの工程回、第３図は第２図のＡ部拡大断面図、第
４図は第２図のＡ部の寸法例を示す図、第５図は従来の
半導体装置の内部配線の一例を示す斜視図、第６図は従
来のワイヤーボンディング時のリードフレームの固定状
態を示す部分断面図である。 １１、２１・・・ヒータブロック、１２．２２・・・突
起部、１３・・・インナーリード部、１４・・・アイラ
ンド、１５・・・半導体素子、１６・・・電極部、１７
・・・ワイヤー、１８．２３・・・クランプ、１９．２
４・・・凹部、２２ａ・・・突起部のアウターリード部
側のエツジ、２２ｂ・・・突起部のインナーリード部側
のエツジ、２２ｃ・・・突起部の頂面部、２４ａ・・・
凹部のアウターリード部側のエツジ、２４ｂ・・・凹部
のインナーリード部側のエツジ、２４ｃ・・・凹部の底
面部。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 清 水 守劫圀、ワイヤ
ーＸ雇ｌ゛状態Ｅ示ｄ紛す面２オぞ・呵つワイＹ−ボ２
ン／へ工雇図 第２図 第２図−Ａ部塘丈助°面図 譲２図、Ａ部つ寸殖ｊｌ五示す図 第４図
態を示す部分断面図、第２図は本発明のワイヤーボンデ
ィングの工程回、第３図は第２図のＡ部拡大断面図、第
４図は第２図のＡ部の寸法例を示す図、第５図は従来の
半導体装置の内部配線の一例を示す斜視図、第６図は従
来のワイヤーボンディング時のリードフレームの固定状
態を示す部分断面図である。 １１、２１・・・ヒータブロック、１２．２２・・・突
起部、１３・・・インナーリード部、１４・・・アイラ
ンド、１５・・・半導体素子、１６・・・電極部、１７
・・・ワイヤー、１８．２３・・・クランプ、１９．２
４・・・凹部、２２ａ・・・突起部のアウターリード部
側のエツジ、２２ｂ・・・突起部のインナーリード部側
のエツジ、２２ｃ・・・突起部の頂面部、２４ａ・・・
凹部のアウターリード部側のエツジ、２４ｂ・・・凹部
のインナーリード部側のエツジ、２４ｃ・・・凹部の底
面部。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 清 水 守劫圀、ワイヤ
ーＸ雇ｌ゛状態Ｅ示ｄ紛す面２オぞ・呵つワイＹ−ボ２
ン／へ工雇図 第２図 第２図−Ａ部塘丈助°面図 譲２図、Ａ部つ寸殖ｊｌ五示す図 第４図
Claims (2)
- （１）ヒータブロックに突起部を設けると共に、クラン
プに凹部を設け、該突起部と凹部を対向させてリードフ
レームを押さえ付けながらクランプし、その状態でワイ
ヤーボンディングを行うことを特徴とするワイヤーボン
ディング方法。 - （２）前記突起部のアウターリード部側のエッジと前記
凹部のアウターリード部側のエッジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエッジと前記凹部の
インナーリード部側のエッジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させることを特徴とする請求項１記載のワイヤ
ーボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5600388A JPH01231334A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | ワイヤーボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5600388A JPH01231334A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | ワイヤーボンディング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231334A true JPH01231334A (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=13014890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5600388A Pending JPH01231334A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | ワイヤーボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01231334A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590356A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Kaijo Corp | ボンデイング装置 |
| JPH0729836U (ja) * | 1993-11-10 | 1995-06-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| US6977214B2 (en) * | 1998-12-11 | 2005-12-20 | Micron Technology, Inc. | Die paddle clamping method for wire bond enhancement |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5600388A patent/JPH01231334A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590356A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Kaijo Corp | ボンデイング装置 |
| JPH0729836U (ja) * | 1993-11-10 | 1995-06-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| US6977214B2 (en) * | 1998-12-11 | 2005-12-20 | Micron Technology, Inc. | Die paddle clamping method for wire bond enhancement |
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