JPH01231334A - Wire bonding method - Google Patents
Wire bonding methodInfo
- Publication number
- JPH01231334A JPH01231334A JP5600388A JP5600388A JPH01231334A JP H01231334 A JPH01231334 A JP H01231334A JP 5600388 A JP5600388 A JP 5600388A JP 5600388 A JP5600388 A JP 5600388A JP H01231334 A JPH01231334 A JP H01231334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- section
- wire
- protrusion
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置のワイヤーボンディング方法に係
り、特に内部配線に使用するワイヤーボンダーのクラン
プに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a wire bonding method for semiconductor devices, and particularly to a clamp for a wire bonder used for internal wiring.
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば、以下に
示すようなものがあった。(Prior Art) Conventionally, as technologies in this field, there have been, for example, the following.
第５図は係る従来の半導体装置の内部配線の一例を示す
斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing an example of internal wiring of such a conventional semiconductor device.
図中、１はヒータブロック、２はリードフレームのイン
ナーリード部、３はアイランド、４は半導体素子、５は
金属細線（以下、ワイヤーと呼ぶ）であり、この図に示
すように、リードフレー１、のインナーリード部２と半
導体素子４はワイヤー５に依り結線される。この結線作
業はワイヤーボンダーを使用して行う。In the figure, 1 is a heater block, 2 is an inner lead part of a lead frame, 3 is an island, 4 is a semiconductor element, and 5 is a thin metal wire (hereinafter referred to as wire). The inner lead portion 2 of , and the semiconductor element 4 are connected by a wire 5 . This wiring work is done using a wire bonder.
第６図はこの結線作業時のリードフレームの固定状態を
示す部分断面図であり、リードフレームのインナーリー
ド部２はワイヤーボンダーに付属しているクランプ６で
ヒータブロック１に押しイ」けられ、半導体素子４の電
極部とをワイヤー５で接続するようにしていた。FIG. 6 is a partial sectional view showing the fixed state of the lead frame during this wiring work, in which the inner lead portion 2 of the lead frame is pushed against the heater block 1 with a clamp 6 attached to the wire bonder. The electrode portion of the semiconductor element 4 was connected to the wire 5.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成の装置では、クランプ６でイン
ナーリード部２を押さえる時、ヒータブｍｌ 、り１と
クランプ６との組立上の平行度が出なかったり、インナ
ーリード部２のプレス加工時にネジレがあったりすると
、アイランド３の周りの全部のインナーリード部２をし
っかり固定することができず、ワイヤーボンド作業時に
超音波の振動によりインナーリード部２も４Ｉｉ勤する
ことにより接着強度が低下したり、また、超音波の振動
が他のインナーリード部に伝わることにより、半導体素
子とワイヤーとの接続部に形成されるワイヤーのネック
部の断線を招くなどワイヤーボンド後の品質を低下させ
るといった問題点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the device having the above configuration, when the inner lead part 2 is held down by the clamp 6, the parallelism of the heater tab ml and the clamp 6 may not be achieved during assembly, or the inner lead If part 2 is twisted during press processing, all the inner lead parts 2 around the island 3 cannot be firmly fixed, and the inner lead parts 2 may also be distorted due to ultrasonic vibration during wire bonding work. After wire bonding, the adhesive strength may decrease, and the ultrasonic vibrations may be transmitted to other inner leads, leading to breakage of the neck of the wire formed at the connection between the semiconductor element and the wire. There was a problem that quality deteriorated.
本発明は、インナーリードをしっかり固定することがで
きないという問題点を除去し、超音波の振動により、イ
ンナーリードも振動してしまうことによる接着強度低下
や振動が伝わることにより起こるネック断線を防止する
ことができる信軽性の高いワイヤーボンディング方法を
提供することを目的とする。The present invention eliminates the problem of not being able to securely fix the inner reed, and prevents a decrease in adhesive strength due to vibration of the inner reed due to ultrasonic vibrations and neck breakage caused by the transmission of vibration. The purpose of the present invention is to provide a wire bonding method with high reliability and lightness.
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、ワイヤーボン
ディングを行うに際し、ヒータブロックに突起部を設け
ると共に、クランプに凹部を設け、該突起部と凹部を対
、向させてリードフレームを押さえ付けながらクランプ
し、その状態でワイヤーボンディングを行うようにした
ものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a protrusion on the heater block, a recess on the clamp, and connects the protrusion and the recess when performing wire bonding. , the lead frame is clamped while being held down, and wire bonding is performed in this state.
また、前記突起部の７ウタ一リード部側のエツジと前記
凹部のアウターリード部側のエツジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエツジと前記凹部の
インナーリード部側のエツジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させるようにしたものである。Also, the distance between the edge of the protrusion on the outer lead part side and the edge of the recess on the outer lead part side is changed between the edge of the protrusion on the inner lead part side of the opposite side and the edge of the recess on the inner lead part side. The lead frame is made plastically deformed by making the lead frame narrower than the distance from the edge, and the tip of the inner lead is raised.
（作用）
本発明によれば、ワイヤーボンド装置のヒータブロック
に突起部を設け、クランプの前記突起部の相対する場所
に凹部を設けて、インナーリードを押さえ付けながらク
ランプできるようにしたので、インナーリード部を確実
に押さえ付けることができ、信軌性の高いワイヤーボン
ディングを行うことができる。(Function) According to the present invention, the heater block of the wire bonding device is provided with a protrusion, and the clamp is provided with a recess at a location opposite to the protrusion, so that the inner lead can be clamped while being pressed. The lead part can be reliably pressed and wire bonding with high reliability can be performed.
また、前記突起部のアウターリード部側のエツジと前記
凹部のアウターリード部側のエツジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエツジと前記凹部の
インナーリード部側のエツジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させるようにしたので、インナーリードと半導
体素子を接続するワイヤーがアイランドに接触すること
がなくなり、確実な配線を行うことができる。Also, the distance between the edge of the protrusion on the outer lead part side and the edge of the recess on the outer lead part side is set to the distance between the edge of the protrusion on the inner lead part side and the edge of the recess on the inner lead part side on the opposite side. The lead frame is made plastically deformed by making the lead frame narrower than the spacing, and the tip of the inner lead is raised, so the wire connecting the inner lead and the semiconductor element does not come into contact with the island, ensuring reliable wiring. be able to.
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の実施例を示すワイヤーボンディング状
態を示す部分断面図である。FIG. 1 is a partial sectional view showing a wire bonding state according to an embodiment of the present invention.
図中、１１はヒータブロック、１２はこのヒータブロッ
クのインナーリードが位置する所定箇所に設けられる突
起部、１３はリードフレームのインナーリード部、Ｉ４
はアイランド、１５は半導体素子、１６はその半導体素
子の電極部、１７はワイヤー、１８はクランプ、１９は
そのクランプの前記突起部に対応する箇所に形成される
凹部である。In the figure, 11 is a heater block, 12 is a protrusion provided at a predetermined location where an inner lead of this heater block is located, 13 is an inner lead part of a lead frame, and I4
1 is an island, 15 is a semiconductor element, 16 is an electrode portion of the semiconductor element, 17 is a wire, 18 is a clamp, and 19 is a recess formed at a location corresponding to the protrusion of the clamp.
この図に示すように、リードフレームのインナーリード
部１３は突起部１２を設けたヒータブロック１１と相対
する所に凹部１９を設けたクランプ１８で挟まれなから
ヒータブロック１１にしっかり密着される。そこで、半
導体素子１５の電極部１６としっかり押さえられたイン
ナーリード部１３とはワイヤー１７によりワイヤボンド
装置により結線される。As shown in this figure, the inner lead portion 13 of the lead frame is firmly attached to the heater block 11 without being pinched by a clamp 18 having a recess 19 opposite to the heater block 11 having the protrusion 12. Therefore, the electrode section 16 of the semiconductor element 15 and the firmly pressed inner lead section 13 are connected by a wire 17 using a wire bonding device.
このように構成することにより、インナーリード部１３
においてヒータブロック１１とクランプ１８との組立上
の平行度が出なかったり、インナーリード部１３のプレ
ス加工時にネジレがあったとしても、インナーリード部
１３は確実に押さえ付けられることになり、信顛性の高
いワイヤーボンディングを行うことができる。With this configuration, the inner lead portion 13
Even if the heater block 11 and the clamp 18 are not parallel when assembled or the inner lead part 13 is twisted during press processing, the inner lead part 13 will be reliably pressed and the reliability will be improved. It is possible to perform wire bonding with high quality.
第２図は前記したインナーリード部１３のクランブ機能
に加えて、インナーリード部１３を塑性変形させてイン
ナーリードの先端部を隆起させるようにしたものである
。In FIG. 2, in addition to the aforementioned clamping function of the inner lead portion 13, the inner lead portion 13 is plastically deformed to raise the tip of the inner lead.
従来の第５図及び第６図に示すワイヤーボンディング方
法によれば、インナーリード部２とアイランド３とは同
一平面上に位置し、ワイヤーボンディングを行うとワイ
ヤー５がアイランド３に接触するといった問題があった
。その問題を解決するために、従来はアイランドのサポ
ート部を曲げることによりアイランドの高さをインナー
リード部に対して低くするデプレス（Ｄｅｐｒｅｓｓ）
フレームなどが提案されている。このようなものでは、
アイランドのサポート部を曲げる工程が増加すると共に
、モールドをする際にアイランドから所定の厚みが必要
になるため、結局、半導体パッケージの高さが嵩むとい
った問題がある。According to the conventional wire bonding method shown in FIGS. 5 and 6, the inner lead portion 2 and the island 3 are located on the same plane, and there is a problem that the wire 5 comes into contact with the island 3 when wire bonding is performed. there were. In order to solve this problem, conventionally, the height of the island is lowered with respect to the inner lead part by bending the support part of the island (Depress).
Frames have been proposed. In something like this,
This increases the number of steps required to bend the support portion of the island, and requires a certain thickness from the island during molding, resulting in a problem that the height of the semiconductor package increases.
そこで、本発明によれば、前記したインナーリード部の
クランプ態様を工夫することにより、インナーリード部
を確実に押さえながら、しかも、インナーリード部の塑
性変形によるインナーリードの先端部を隆起せさて、ア
イランドの高さに対して、インナーリードの先端部の高
さを高くして、ワイヤーボンディング時のワイヤーのア
イランドへの接触を防止するようにした。Therefore, according to the present invention, by devising the above-mentioned clamping mode of the inner lead portion, the inner lead portion can be securely pressed, and the tip portion of the inner lead can be raised due to plastic deformation of the inner lead portion. The height of the tip of the inner lead is made higher than the height of the island to prevent the wire from coming into contact with the island during wire bonding.
以下、その実施例について第２図乃至第４図を参照しな
がら説明する。Examples thereof will be described below with reference to FIGS. 2 to 4.
図中、２１はヒータブロック、２２はこのヒータブロッ
クのインナーリードが位置する所定箇所に設けられる突
起部、２２ａはその突起部のアウターリード部側のエツ
ジ、２２ｂはその突起部のインナーリード部側のエツジ
、２２Ｃはその突起部の頂面部、２３はクランプ、２４
はそのクランプの前記突起部に対応する箇所に形成され
る凹部、２４ａはその凹部のインナーリード部側のエツ
ジ、２４ｂはその凹部のアウターリード部側のエツジ、
２４Ｃはその凹部の底面部である。In the figure, 21 is a heater block, 22 is a protrusion provided at a predetermined location where the inner lead of this heater block is located, 22a is the edge of the protrusion on the outer lead side, and 22b is the edge of the protrusion on the inner lead side. 22C is the top surface of the protrusion, 23 is the clamp, 24
24a is the edge of the recess on the inner lead portion side; 24b is the edge of the recess on the outer lead portion side;
24C is the bottom of the recess.
これらの図に示すように、突起部２２上を載り越えて配
置されたインナーリード部１３を上方より凹部２４を有
するクランプ２３で押さえ付ける。この場合、凹部２４
の中心線ｌ、に対して突起部２２の中心線１２は凹部の
アウターリード部側のエツジ２４ａ側に配ｌする。つま
り、突起部２２のアウターリード部側のエッジ２２ａと
凹部２４のアウターリード部側のエツジ２４ａとの間隔
を反対側の突起部２２のインナーリード部側のエツジ２
２ｂと凹部２４のインナーリード部側のエツジ２４ｂと
の間隔より狭めることにより、その狭い前記エツジ２４
ａとエッジ２２ａ間でインナーリードを強く面げろよう
にし、クランプの時のインナーリードの曲がりが開放後
も残るようにして、この状態のもとで、第２図（ａ）に
示すように、ワイヤボンディングを行った後、クランプ
２３を解除すると、インナーリード部は第２図（ｂ）に
示すように変形する。つまり、前記エツジ２４ａとエツ
ジ２２２間のＢ部においてはリードは弾性限界を越えて
塑性変形するが、０部及びＤ部においては塑性変形しな
い。As shown in these figures, the inner lead portion 13 placed over the protrusion 22 is pressed down from above by a clamp 23 having a recess 24 . In this case, the recess 24
The center line 12 of the protrusion 22 is located on the edge 24a side of the recess on the outer lead portion side with respect to the center line l. In other words, the distance between the edge 22a of the protrusion 22 on the outer lead part side and the edge 24a of the recess 24 on the outer lead part side is changed from the edge 24a of the protrusion 22 on the inner lead part side to
2b and the edge 24b on the inner lead portion side of the recess 24, the narrow edge 24
The inner lead is strongly curved between a and the edge 22a, so that the bend of the inner lead during clamping remains even after release, and under this condition, as shown in FIG. 2(a), When the clamp 23 is released after wire bonding, the inner lead portion is deformed as shown in FIG. 2(b). That is, in the B section between the edge 24a and the edge 222, the lead is plastically deformed beyond the elastic limit, but in the 0 section and the D section, it is not plastically deformed.
なお、リードのクランプによるクランプ力は、例えば、
リード１本に対して５０〜１００ ｇにする。Note that the clamping force due to lead clamping is, for example,
The weight should be 50 to 100 g per lead.
第４図は第２図のＡ部の寸法を示す図であり、例えば、
インナーリード部１３の先端からクランプの先端までの
寸法讐、は０．５鰭、インナーリード１３の先端から突
起部２２の中心部までの寸法６は１，５龍〜３．０諷墓
、突起部２２の幅−３はＯ，Ｓ關、突起部２２の高さ讐
、は０．５ ｕ、凹部２４の中心線ｉ、に対して、突起
部２２の中心線１２はその凹部のエツジ２４ａ側に配置
し、中心線ｌ、と中心線１２間には所定の距離を設ける
ようにする。FIG. 4 is a diagram showing the dimensions of section A in FIG. 2, for example,
The dimension from the tip of the inner lead part 13 to the tip of the clamp is 0.5 fin, and the dimension 6 from the tip of the inner lead 13 to the center of the protrusion 22 is 1.5 to 3.0 mm. The width -3 of the protrusion 22 is O, S, the height of the protrusion 22 is 0.5 u, the center line i of the recess 24, and the center line 12 of the protrusion 22 is the edge 24a of the recess. A predetermined distance is provided between the center line 1 and the center line 12.
このようにして、インナーリードの先端部をアイランド
１４より高さｈだけ隆起させることができる。In this way, the tip of the inner lead can be raised above the island 14 by a height h.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。Note that the present invention is not limited to the above embodiments,
Various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、インナ
ーリード部を突起部と凹部で確実に押さえ付けることが
できるようにしたので、ワイヤーボンド時に使用する超
音波を効果的に使うことができ、インナーリード側の接
着強度不良、ワイ−１−一のネック断線などのトラブル
をなくすことができる。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, the inner lead part can be reliably pressed by the protrusion and the recess, so that the ultrasonic waves used during wire bonding can be effectively used. This eliminates problems such as poor adhesion strength on the inner lead side and disconnection of the neck of Wi-1-1.
また、インナーリードの先端部が隆起するような曲げを
残すことにより、デプレスフレームと同様或いはそれ以
上の効果が期待できる。即ち、確実なワイヤボンディン
グを行いながら、併せてワイヤのアイランドのエツジシ
ョート対策を講じることができると共に、より高さの低
い小型の半導体パッケージを得ることができる。Further, by leaving a bend in which the tip of the inner lead is raised, it is possible to expect an effect similar to or better than that of a depression frame. That is, while performing reliable wire bonding, it is also possible to take measures against edge shorts of the wire islands, and it is also possible to obtain a smaller semiconductor package with a lower height.
第１図は本発明の実施例を示すワイヤーボンディング状
態を示す部分断面図、第２図は本発明のワイヤーボンデ
ィングの工程回、第３図は第２図のＡ部拡大断面図、第
４図は第２図のＡ部の寸法例を示す図、第５図は従来の
半導体装置の内部配線の一例を示す斜視図、第６図は従
来のワイヤーボンディング時のリードフレームの固定状
態を示す部分断面図である。
１１、２１・・・ヒータブロック、１２．２２・・・突
起部、１３・・・インナーリード部、１４・・・アイラ
ンド、１５・・・半導体素子、１６・・・電極部、１７
・・・ワイヤー、１８．２３・・・クランプ、１９．２
４・・・凹部、２２ａ・・・突起部のアウターリード部
側のエツジ、２２ｂ・・・突起部のインナーリード部側
のエツジ、２２ｃ・・・突起部の頂面部、２４ａ・・・
凹部のアウターリード部側のエツジ、２４ｂ・・・凹部
のインナーリード部側のエツジ、２４ｃ・・・凹部の底
面部。
特許出願人 沖電気工業株式会社
代 理 人 弁理士 清 水 守劫圀、ワイヤ
ーＸ雇ｌ゛状態Ｅ示ｄ紛す面２オぞ・呵つワイＹ−ボ２
ン／へ工雇図
第２図
第２図−Ａ部塘丈助°面図
譲２図、Ａ部つ寸殖ｊｌ五示す図
第４図FIG. 1 is a partial sectional view showing a wire bonding state according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a wire bonding process of the present invention, FIG. 3 is an enlarged sectional view of section A in FIG. 2, and FIG. 5 is a perspective view showing an example of the internal wiring of a conventional semiconductor device, and FIG. 6 is a portion showing a fixed state of a lead frame during conventional wire bonding. FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 21... Heater block, 12.22... Projection part, 13... Inner lead part, 14... Island, 15... Semiconductor element, 16... Electrode part, 17
... wire, 18.23 ... clamp, 19.2
4... Concavity, 22a... Edge of the protrusion on the outer lead part side, 22b... Edge of the protrusion on the inner lead part side, 22c... Top surface of the protrusion, 24a...
Edge of the recess on the outer lead part side, 24b... Edge of the recess on the inner lead part side, 24c... Bottom face of the recess. Patent Applicant Oki Electric Industry Co., Ltd. Representative Patent Attorney Morikuni Shimizu, Wire
Figure 2 - A section of Tojosuke's side view, Figure 2, A section's dimensions, Figure 4
Claims (2)
プに凹部を設け、該突起部と凹部を対向させてリードフ
レームを押さえ付けながらクランプし、その状態でワイ
ヤーボンディングを行うことを特徴とするワイヤーボン
ディング方法。(1) Wire bonding characterized by providing a protrusion on the heater block and a recess on the clamp, clamping the lead frame while pressing the lead frame with the protrusion and recess facing each other, and performing wire bonding in this state. Method.
凹部のアウターリード部側のエッジとの間隔を反対側の
前記突起部のインナーリード部側のエッジと前記凹部の
インナーリード部側のエッジとの間隔より狭めてリード
フレームに塑性変形を生ぜしめ、インナーリードの先端
部を隆起させることを特徴とする請求項１記載のワイヤ
ーボンディング方法。(2) The distance between the edge of the protrusion on the outer lead part side and the edge of the recess on the outer lead part side is set to the opposite edge of the protrusion on the inner lead part side and the edge of the recess on the inner lead part side. 2. The wire bonding method according to claim 1, wherein the lead frame is plastically deformed by narrowing the distance from the inner lead to make the tip of the inner lead bulge.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5600388A JPH01231334A (en) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | Wire bonding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5600388A JPH01231334A (en) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | Wire bonding method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231334A true JPH01231334A (en) | 1989-09-14 |
Family
ID=13014890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5600388A Pending JPH01231334A (en) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | Wire bonding method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01231334A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590356A (en) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Kaijo Corp | Bonder |
| JPH0729836U (en) * | 1993-11-10 | 1995-06-02 | サンケン電気株式会社 | Semiconductor device |
| US6977214B2 (en) * | 1998-12-11 | 2005-12-20 | Micron Technology, Inc. | Die paddle clamping method for wire bond enhancement |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5600388A patent/JPH01231334A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590356A (en) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Kaijo Corp | Bonder |
| JPH0729836U (en) * | 1993-11-10 | 1995-06-02 | サンケン電気株式会社 | Semiconductor device |
| US6977214B2 (en) * | 1998-12-11 | 2005-12-20 | Micron Technology, Inc. | Die paddle clamping method for wire bond enhancement |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6047877A (en) | Lead penetrating clamping system | |
| US6454158B1 (en) | Wire bonding apparatus and wire bonding method of semiconductor device | |
| US6000599A (en) | Bondhead lead clamp apparatus and method | |
| JPH01231334A (en) | Wire bonding method | |
| JP3384762B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2001185671A (en) | Method of manufacturing for semiconductor device and method of manufacturing for lead frame used for the same | |
| JP3293757B2 (en) | Method of manufacturing lead frame assembly for manufacturing semiconductor device | |
| JPH09289276A (en) | Lead frame and semiconductor device using it | |
| JPH0758143A (en) | Wire bonding device | |
| JPH04369235A (en) | Fabrication of semiconductor device | |
| JPH05326812A (en) | Lead frame for semiconductor device, wire bonding device and wire bonding method for semiconductor chip using thereof | |
| JPH06260525A (en) | Wire bonding device | |
| KR0127359Y1 (en) | Semiconductor manufacture lead frame | |
| JP3488138B2 (en) | Wire bonding equipment | |
| JPH01243565A (en) | Lead cutting apparatus for semiconductor device | |
| JPH0443655A (en) | Preparation of semiconductor device | |
| JPH0384941A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0456333A (en) | Semiconductor production device | |
| JPH08203950A (en) | Wire bonding equipment | |
| JPH0579946U (en) | Semiconductor device | |
| JPH05299463A (en) | Wire bonding apparatus | |
| JPS58180035A (en) | Bonder | |
| JPS60257532A (en) | Heater-block for semiconductor die-bonder | |
| JPS62119948A (en) | Semiconductor device | |
| JPH11274385A (en) | Manufacture of lead frame for semiconductor device and assembly thereof |