JPH0366814B2 - - Google Patents

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JPH0366814B2
JPH0366814B2 JP61037859A JP3785986A JPH0366814B2 JP H0366814 B2 JPH0366814 B2 JP H0366814B2 JP 61037859 A JP61037859 A JP 61037859A JP 3785986 A JP3785986 A JP 3785986A JP H0366814 B2 JPH0366814 B2 JP H0366814B2
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JP
Japan
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coining
tip
lead
wire bonding
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Kenji Iinuma
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体チツプと外部端子等を電気的に
接続するリードフレームの製造方法に関する。
〔従来の技術とその問題点〕
一般に、リードフレームはそのインナーリード
の先端部をもつて半導体チツプ等とワイヤボンデ
イングされる。
特に、樹脂封止型半導体装置に用いられるリー
ドフレームにおいては、第５図に示すようにイン
ナーリード１の先端部の表面側にワイヤボンデイ
ングを良好に行うため、コイニング２を施してい
る。
ところが、コイニング２を施すとインナーリー
ド１の先端部が表面側に反つてしまう。そして、
半導体チツプとのワイヤボンデイングを行なうた
めに、インナーリード１をヒータブロツク３上に
クランプ４によつて上から押圧して固定した場合
に、コイニング２を施したインナーリード１の先
端部がヒータブロツク３の上面より上方に浮き上
がつて離れてしまう。すなわち、第４図Ｂ線に示
すように、従来のインナーリード１をクランプ４
によつてヒータブロツク３に固定した場合、イン
ナーリード１の基端部１ａからコイニングライン
２ａまでの間は約60μｍ下降されているが、コイ
ニングライン２ａから先端までは約10μｍ反り上
がつている。このため、ワイヤボンデイングを施
すべきインナーリード１の先端部は、ヒータブロ
ツク３によつて直接加熱されず、後方からの伝導
熱によつて加熱されるだけである。従つて、コイ
ニング２を施したインナーリード１の先端部のワ
イヤボンデイング時における加熱立上がり時間が
長くなる。
一方、今日においては半導体製品等の生産性向
上のため、高速ボンダを用いてワイヤボンデイン
グを極めて高速に行なうことが試みられている。
しかしながら、前述したように従来のインナー
リード１はコイニング２を施した先端部が表面側
へ反つていて加熱立上がり時間が長いので、高速
でワイヤボンデイングするとインナーリード１の
加熱不足により、第６図に示すように、ワイヤ５
のコイニング２部におけるステツチボンド６の形
状が、同図鎖線の正常な形状に比べて潰れ幅が小
さく、ワイヤ５とインナーリード１との接続不良
を起すおそれがあつた。
〔発明の目的〕
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであ
り、コイニングを施したインナーリードの先端部
が表面側に反ることもなく、加熱立上がり時間が
短く、高速にワイヤボンデイングを行なうことが
でき、半導体装置の生産能率を高めるリードフレ
ームを提供できるリードフレームの製造方法を提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明のリードフレームは、インナーリードの
先端の表面にコイニングを施してなるリードフレ
ームの製造方法において、インナーリードの先端
にコイニングを施して後、前記コイニングのコイ
ニングランインと反対位置付近のインナーリード
の裏面側にリードの幅方向全幅に亙つてヒツトフ
オームを入れることにより前記コイニングにより
表面側に反つているインナーリードの先端部をほ
ぼ元の状態に復位矯正することを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を第１図から第４図につ
いて説明する。
本実施例においては、第１図に示すように、イ
ンナーリード１の裏面にコイニングライン２ａと
反対位置付近においてインナーリード１の幅方向
全幅に亘つてプレス等により押打してヒツト・フ
オーム７を形成している。
このヒツト・フオーム７を形成する反作用によ
り、表面側へ反つていたインナーリード１の先端
部は、第１図および第２図に示すように、裏面側
へ曲げられ、ほぼ元の状態に復位矯正させられ
る。
このヒツト・フオーム７を形成したインナーリ
ード１をヒータブロツク３上に載置し、クランプ
４によつて押圧して固定すると、コイニング２を
施したインナーリード１の先端部はヒータブロツ
ク３上に密着する。すなわち、第４図Ａ線に示す
ように、インナーリード１をクランプ４によつて
ヒータブロツク３に固定すると、インナーリード
１の基端部１ａからヒツト・フオーム７までの間
は約65μｍ下降し、ヒツト・フオーム７の部分で
約10μｍ上昇し、ヒツト・フオーム７からインナ
ーリード１の先端までは約30μｍ下降する。これ
によりコイニング２を施したインナーリード１の
先端部分は、ヒータブロツク３と直接接触してい
るのでヒータブロツク３により直かに加熱される
こととなり、その加熱立上がり時間は従来に比較
すると極めて短いものとなる。従つて、コイニン
グ２を施したインナーリード１の先端部の高速加
熱が可能となり、高速ボンダを用いてワイヤ５と
インナーリード１とを高速に、かつ、確実に接続
することができる。第３図に示すように、インナ
ーリード１の先端部に接続されたワイヤ５のステ
ツチボンド６の形状も十分に潰されたものとな
り、接続不良を起すことは皆無となる。
〔発明の効果〕
このように本発明のリードフレームの製造方法
によれば、コイニングラインと反対位置付近のイ
ンナーリードの裏面側にリードの幅方向全幅に亙
つてヒツトフオームを入れることにより、コイニ
ングによつて表面側に反つたインナーリードの先
端部を、リードの幅方向全幅に亙つてヒツトフオ
ームを入れる反作用によりほぼ元の状態に復位矯
正できるので、ワイヤボンデイングの際、ヒータ
ーブロツクに直接接触して直に加熱され、加熱立
ち上がり時間が短く、高速にワイヤボンデイング
を行うことができるリードフレームを提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図から第３図はリードフレームの一実施例
を示し、第１図はインナーリードの裏面から見た
斜視図、第２図はワイヤボンデイング前の状態を
示す斜視図、第３図はボンデイング形状を示す斜
視図、第４図は本発明と従来例とのインナーリー
ドのワイヤボンデイング時における変位量を比較
して示した特性図、第５図および第６図はそれぞ
れ従来例を示す第２図および第３図同様の図であ
る。 １……インナーリード、２……コイニング、３
……ヒータブロツク、４……クランプ、７……ヒ
ツト・フオーム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ インナーリードの先端の表面にコイニングを
    施してなるリードフレームの製造方法において、
    インナーリードの先端にコイニングを施して後、
    前記コイニングのコイニングラインと反対位置付
    近のインナーリードの裏面側にリードの幅方向全
    幅に亙つてヒツトフオームを入れることにより前
    記コイニングにより表面側に反つているインナー
    リードの先端部をほぼ元の状態に復位矯正するこ
    とを特徴とするリードフレームの製造方法。
JP61037859A 1986-02-21 1986-02-21 リードフレームの製造方法 Granted JPS62195164A (ja)

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JP61037859A JPS62195164A (ja) 1986-02-21 1986-02-21 リードフレームの製造方法
KR1019870000109A KR900003873B1 (ko) 1986-02-21 1987-01-09 리드 프레임

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JPS62195164A JPS62195164A (ja) 1987-08-27
JPH0366814B2 true JPH0366814B2 (ja) 1991-10-18

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JPH0729836U (ja) * 1993-11-10 1995-06-02 サンケン電気株式会社 半導体装置
KR950015736A (ko) * 1993-11-20 1995-06-17 김광호 반도체 장치용 리드프레임

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57210651A (en) * 1981-06-19 1982-12-24 Toshiba Corp Lead frame and manufacture thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57210651A (en) * 1981-06-19 1982-12-24 Toshiba Corp Lead frame and manufacture thereof

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KR870008385A (ko) 1987-09-26

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