KR200198124Y1 - 와이어본딩 장치 - Google Patents

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KR200198124Y1
KR200198124Y1 KR2019960012021U KR19960012021U KR200198124Y1 KR 200198124 Y1 KR200198124 Y1 KR 200198124Y1 KR 2019960012021 U KR2019960012021 U KR 2019960012021U KR 19960012021 U KR19960012021 U KR 19960012021U KR 200198124 Y1 KR200198124 Y1 KR 200198124Y1
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류욱열
김기수
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이중구
삼성테크윈주식회사
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Abstract

와이어 본딩 장치를 개시한다. 이 와어어 본딩 장치는 단부가 하프 에칭된 인너리드를 갖는 리드 프레임을 가열하는 히이터 블록과, 상기 히이터 블록에 지지된 인너리드의 단부와 와이어본딩하는 본딩헤드를 구비하여 된 것에 그 특징이 있으며 본 고안을 채용함으로써 하프 에칭한 제품을 안정적으로 와이어 본딩하는 이점이 있다.

Description

와이어본딩 장치
제1도는 종래의 와이어 본딩 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,
제2도는 본 고안에 따른 와이어 본딩 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10,20 : 와이어 본딩 장치 11,21 : 리드 프레임
11a,21a : 이너리드(inner lead) 부위 11b,21b : 다이패드(die pad) 부위
12,22 : 반도체 칩 13,23 : 히트블록(heat block)
23a : 기저부 23b : 경사부
23c : 단차부
14,24 : 다이 어태치(die attach)용 접착제
15,25 : 골드 와이어(gold wire) 16,26 : 본딩헤드
본 고안의 와이어 본딩 장치에 관한 것이다.
통상적으로 반도체 소자인 리드 프레임을 보다 미세한 제품으로 제작하기 위해서 리드 프레임으로 제작하기 위해서 리드 프레임(lead frame)의 이너리드(inner lead) 팁(tip) 부분을 하프(half) 에칭(etching) 하는 방법을 사용하는데, 이러한 제품을 와이어 본딩하기 위한 와이어 본딩 장치에 관한 것이다.
반도체 고집적화의 요구에 의해 리드 프레임도 미세한 피치(pitch)화가 요구되는데 리드 프레임의 미세한 피치화는 제조공정 능력도 중요하지만 리드 프레임용으로 사용되는 소재의 두께에 의해 결정되고 있는 것이 현실이다.
이러한 얇은 두께의 소재가 미세한 피치화가 가능하다는 기본적인 원리를 응용한 제조방법으로서 제1도에 도시된 바와 같이 리드 프레임(11)의 이너 리드(11a, inner lead) 선단부위(bottom)를 하프에칭(half etching)하여 다른 부위보다 얇은 상태로 에칭함으로써 보다 미세한 리드 프레임(11)을 제조할 수 있다. 그 종래의 와이어 본딩장치(10)의 구조는 히트 블록(13) 상면에 리드 프레임(11)이 놓이고, 이 리드 프레임(11)의 다이패드부위(11b)에 다이어태지용 접착제(14)로 반도체칩(12)이 부착되어 있다. 와이어(15)를 분출하는 본딩헤드(16)는 반도체칩(12)의 상방에 위치하여 반도체칩(12)과 리드 프레임(11)의 이너리드 부위(11a)를 와이어(15)로 연결해준다.
그러나, 종래의 에칭(etching) 제조 기술은 사용하는 소재 두께에 따라서 제작 가능한 이너 리드 피치(inner lead pitch)가 결정되기 때문에 기존의 에칭방법으로는 미세한 피치화에 한계가 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서는 사용되는 소재를 얇게 하던지 아니면 반도체 조립공정 능력을 향상시켜 와이어 본딩 폭을 줄이는 방법이 있으나, 이들 두가지 방법은 아직 완벽하게 실현하기 어려운 현실이다.
따라서 에칭시 리드 프레임(11)의 이너리드부위(11a)를 하프에칭(half etching)하면, 와이어 본딩시 요구되는 편평한 리드 폭을 만족하면서 미세화가 가능하기 때문에 에칭업체에서 검토되고 있는 제조방법이다.
그러나, 이러한 방법으로 제작된 제품을 반도체 조립공정 작업시 기존 설비를 사용하면 하프 에칭(half etching)된 리드 프레임(11)의 하면부와 히트 블록(13, heat block)의 상면부간에 틈새가 있으므로 와이어 본딩시 안정적인 작업이 어려운 문제점이 있었다.
본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 이너 리드 팁(inner lead tip) 선단부위를 하프 에칭(half etching)하고 이 부위를 안정적으로 와이어 본딩할 수 있도록 단차형 히트 블록(heat block)를 구비한 와이어 본딩 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 단부가 하프 에칭된 인너리드를 갖는 리드 프레임을 가열하는 히이터 블록과, 상기 히이터 블록에 지지된 인너리드의 단부와 와이어본딩하는 본딩헤드를 구비하여 된 것에 그 특징이 있다.
본 고안을 채용함으로써, 하프 에칭한 리드 프레임(lead frame)의 이너리드 팁(inner lead tip) 선단부위를 안정적으로 와이어 본딩하는 이점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안에 따른 와이어 본딩 장치를 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안에 따른 와이어 본딩 장치(20)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 고안에 따른 와이어 본딩 장치(20)는 반도체칩(22)과 이 반도체칩(22)를 지지하는 리드 프레임(21)과 이 리드 프레임(21)을 지지하는 히트 블록(23)과 이 리드프레임과 반도체칩을 와어어 본딩하는 본딩헤드(26)로 대별된다.
상기 리드 프레임(21)의 다이 패드부위(21b)에는 상기 반도체 칩(22)이 안착되고, 이너리드(21a, inner lead) 부위는 본딩헤드(26)에서 분출되는 와이어(25, gold wire))를 통해 상기 반도체 칩(22)과 연결되며, 아웃터리드(outer lead) 부위는 외부기기와 연결되는 단자역할을 하게 된다.
상기 히트 블록(23)은 상기 다이 패드부위(21b)를 받쳐주는 편평한 기저부(23a)를 가지며, 상기 기저부(23a)의 단부에서 소정각도로 대칭적으로 연장되는 경사부(23b)가 마련되고, 상기 경사부(23b)의 단부에서 단차를 형성하며 연장되는 단차부(23c)가 리드 프레임(21)의 이너리드부위(21a)를 받쳐주고 있다.
이때, 그 단차부(23c)는 리드 프레임(21)의 하프 에칭된 이너리드부위(21a)와 그 두께가 같은 것을 특징으로 하는 대략적으로 0.03mm에서 0.15mm 정도의 단차를 갖는다.
미세화 피치 리드 프레임(21)을 제작하기 위해 리드(lead)들이 가장 조밀하게 배열되어 있는 이너리드(21a) 팁 부위의 소재 두께를 얇게하여 에칭함으로써 언더 에칭(under etching)을 방지하면서 미세화 피치 리드프레임(21)을 제작할 수 있다.
이러한 리드 프레임(21)은 리드 선단부가 하프 에칭이 되어 있기 때문에 안정적인 와이어 본딩을 위하여 히트 블록(23)을 단차형으로 가공하여 리드 프레임(21)의 하프 에칭된 블록 표면에 밀착되므로 안정적인 와이어 본딩이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 고안의 특징적 구성에 의하면 상기 와이어 본딩 장치는 단차형 히트 블록(heat block)을 채용함으로써 와이어 본딩시 본딩(bonding) 힘에 의한 변형과, 본딩 후의 와이어 오픈(open)불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
본 고안은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록 청구 범위의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.

Claims (1)

  1. 단부가 하프 에칭된 인너리드를 갖는 리드 프레임을 가열하며, 상기 하프 에칭된 인너리드의 단차진 하면을 지지하는 단차부를 구비하는 히이터 블록과, 상기 히이터 블록에 지지된 인너리드의 단부와 와이어본딩하는 본딩헤드를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 와이어본딩 장치.
KR2019960012021U 1996-05-15 1996-05-15 와이어본딩 장치 KR200198124Y1 (ko)

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