JPH0794556A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

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JPH0794556A
JPH0794556A JP5257644A JP25764493A JPH0794556A JP H0794556 A JPH0794556 A JP H0794556A JP 5257644 A JP5257644 A JP 5257644A JP 25764493 A JP25764493 A JP 25764493A JP H0794556 A JPH0794556 A JP H0794556A
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義光 寺門
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一夫 杉浦
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亨 持田
Tatsunari Mitsui
竜成 三井
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ルーピング直線性の向上及びボンデイング性の
向上を図る。 【構成】第2ボンド点2aへのボンデイング時の超音波
振動印加と同時にキヤピラリ4をルーピング方向に移動
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は第1ボンド点と第2ボン
ド点との間をワイヤで接続するワイヤボンデイング方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】IC等の半導体組立装置の製造工程に、
ワイヤボンデイング工程がある。この工程により、図2
に示すように、ペレット1のパッド(第1ボンド点)1
aとリードフレーム2のリード(第2ボンド点)2aに
ワイヤ3が接続される。なお、矢印Aはルーピング方向
を示す。
【0003】前記ワイヤボンデイング工程におけるワイ
ヤボンデイング方法には、種々の方法が提案されている
が、最も一般的な方法を図3に示す。図3において、ま
ず、(a)に示すように、キヤピラリ4の下端より延在
するワイヤ3に電気トーチ5による火花放電によってボ
ール3aを作る。その後、電気トーチ5は矢印方向へ移
動する。次に(b)に示すように、キヤピラリ4は第1
ボンド点1aの上方に移動する。続いて(c)に示すよ
うに、キヤピラリ4が下降し、ワイヤ3の先端のボール
3aを第1ボンド点1aに押し付け、キヤピラリ4を保
持するホーンにより該キヤピラリ4に超音波振動を印加
してボール3aをボンデイングする。
【0004】その後、(d)に示すように、キヤピラリ
4は上昇する。続いて(e)に示すように、キヤピラリ
4はルーピング方向Aの第2ボンド点2aの上方に移動
する。次に(f)に示すように、キヤピラリ4が下降し
て第2ボンド点2aにワイヤ3を押し付け、ホーンによ
りキヤピラリ4に超音波振動を印加してワイヤ3をボン
デイングする。その後、キヤピラリ4が一定の位置へ上
昇した後、クランパ6が閉じ、キヤピラリ4とクランパ
6が共に上昇して(g)に示すようにワイヤ3を切断す
る。これにより、1本のワイヤ接続が完了する。なお、
この種のワイヤボンデイング方法に関連するものとし
て、例えば特開昭57−87143号公報、特公平1−
26531号公報等があげられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のワイヤ
ボンデイング方法では、第2ボンド点2aへのボンデイ
ングにおける超音波振動印加時にワイヤ3が第1ボンド
点1a側に押し出され、ワイヤ曲がりが発生し、ルーピ
ング直線性(第1ボンド点から第2ボンド点に張られた
ワイヤを平面より見た形状)が悪くなる。また第2ボン
ド点2a側は、一般にリードであり、リード幅が細く、
またリード表面状態が悪い(ペースト等により汚染酸化
等している)場合には、超音波振動印加だけではボンデ
イング性(着き性)が悪く、安定的なボンデイング性能
が得られない。
【0006】本発明の目的は、ルーピング直線性の向上
及びボンデイング性の向上が図れるワイヤボンデイング
方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、第1ボンド点と第2ボンド点との間
をワイヤで接続するワイヤボンデイング方法において、
第2ボンド点へのボンデイング時の超音波振動印加と同
時にキヤピラリをルーピング方向に移動させることを特
徴とする。
【0008】
【作用】超音波振動印加と同時にルーピング方向にキヤ
ピラリを移動させると、ワイヤを第1ボンド点方向に押
し戻すのが抑えられ、直線性の良いルーピングが得られ
る。またワイヤを押し付けた状態でキヤピラリを移動さ
せるので、第2ボンド点のリードとワイヤとの接合強度
が上がり、リード表面状態の悪い場合や細いリードも安
定した接合強度が得られる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図3を参照しなが
ら図1により説明する。なお、本発明は、第2ボンド点
2aにワイヤをボンデイングする時における課題を解決
するものであるので、第1ボンド点1aから第2ボンド
点2aまでキヤピラリ4を移動させる軌跡については、
その説明を省略する。即ち、第1ボンド点1aから第2
ボンド点2aまでにキヤピラリ4を移動させる軌跡は、
どのような軌跡でもよい。
【0010】キヤピラリ4が下降してワイヤ3をキヤピ
ラリ4で第2ボンド点2aに押し付け、この押し付けた
状態でキヤピラリ4に超音波振動印加と同時に、ルーピ
ング方向Aにキヤピラリ4を僅かに(ΔL=2.5〜2
0μm)移動させてボンデイングする。第2ボンド点2
aのボンデイング完了後は、従来と同様に、キヤピラリ
4が一定の位置へ上昇した後、クランパ6が閉じ、キヤ
ピラリ4とクランパ6が共に上昇してワイヤ3を切断す
る。
【0011】このように、超音波振動印加と同時にルー
ピング方向Aにキヤピラリ4をΔLだけ移動させると、
ワイヤ3を第1ボンド点1a方向に押し戻すのが抑えら
れ、直線性の良いルーピングが得られる。またワイヤ3
を押し付けた状態でキヤピラリ4を移動させるので、第
2ボンド点2aのリードとワイヤ3との接合強度が上が
り、リード表面状態の悪い場合や細いリードも安定した
接合強度が得られる。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、第2ボンド点へのボン
デイング時の超音波振動印加と同時にキヤピラリをルー
ピング方向に移動させるので、ルーピング直線性の向上
及びボンデイング性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明になるワイヤボンデイング方法の一実施
例を示すワイヤ接続状態図である。
【図2】ワイヤボンデイングされた試料の平面図であ
る。
【図3】最も一般的なワイヤボンデイング方法を示し、
(a)乃至(g)は工程図である。
【符号の説明】
1a 第1ボンド点 2a 第2ボンド点 3 ワイヤ 4 キヤピラリ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年12月15日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、第1ボンド点と第2ボンド点との間
をワイヤで接続するワイヤボンデイング方法において、
第2ボンド点へのボンデイング時の超音波振動印加と同
時にキヤピラリを第1ボンド点と反対方向に移動させる
ことを特徴とする。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【作用】第2ボンド点へのボンデイング時の超音波振動
印加と同時に第1ボンド点と反対方向にキヤピラリを移
動させると、ワイヤを第1ボンド点方向に押し戻すのが
抑えられ、直線性の良い第1ボンド点と反対が得られ
る。またワイヤを押し付けた状態でキヤピラリを移動さ
せるので、第2ボンド点のリードとワイヤとの接合強度
が上がり、リード表面状態の悪い場合や細いリードも安
定した接合強度が得られる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】キヤピラリ4が下降してワイヤ3をキヤピ
ラリ4で第2ボンド点2aに押し付け、この押し付けた
状態でキヤピラリ4に超音波振動印加と同時に、第1ボ
ンド点1aと反対方向Aにキヤピラリ4を僅かに(ΔL
=2.5〜20μm)移動させてボンデイングする。第
2ボンド点2aのボンデイング完了後は、従来と同様
に、キヤピラリ4が一定の位置へ上昇した後、クランパ
6が閉じ、キヤピラリ4とクランパ6が共に上昇してワ
イヤ3を切断する。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】このように、超音波振動印加と同時に第1
ボンド点1aと反対方向Aにキヤピラリ4をΔLだけ移
動させると、ワイヤ3を第1ボンド点1a方向に押し戻
すのが抑えられ、直線性の良いルーピングが得られる。
またワイヤ3を押し付けた状態でキヤピラリ4を移動さ
せるので、第2ボンド点2aのリードとワイヤ3との接
合強度が上がり、リード表面状態の悪い場合や細いリー
ドも安定した接合強度が得られる。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、第2ボンド点へのボン
デイング時の超音波振動印加と同時にキヤピラリを第1
ボンド点と反対方向に移動させるので、ルーピング直線
性の向上及びボンデイング性の向上が図れる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年9月27日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【作用】第2ボンド点へのボンデイング時の超音波振動
印加と同時に第1ボンド点と反対方向にキヤピラリを移
動させると、ワイヤを第1ボンド点方向に押し戻すのが
抑えられ、直線性の良いルーピングが得られる。またワ
イヤを押し付けた状態でキヤピラリを移動させるので、
第2ボンド点のリードとワイヤとの接合強度が上がり、
リード表面状態の悪い場合や細いリードも安定した接合
強度が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三井 竜成 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 株式会社新川内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1ボンド点と第2ボンド点との間をワ
    イヤで接続するワイヤボンデイング方法において、第2
    ボンド点へのボンデイング時の超音波振動印加と同時に
    キヤピラリをルーピング方向に移動させることを特徴と
    するワイヤボンデイング方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
KR100263253B1 (ko) * 1998-02-23 2001-01-15 송희 폐 유리병을 이용한 아트유리패널 제조방법
JP4176292B2 (ja) * 2000-07-27 2008-11-05 株式会社新川 シングルポイントボンディング装置
KR100403756B1 (ko) * 2001-02-12 2003-10-30 송 희 폐유리를 이용한 장식용 유리판재의 제조방법
JP4467631B1 (ja) 2009-01-07 2010-05-26 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
WO2013111452A1 (ja) * 2012-01-26 2013-08-01 株式会社新川 酸化防止ガス吹き出しユニット

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5787143A (en) * 1980-11-19 1982-05-31 Shinkawa Ltd Method for wire bonding
JPH0228587B2 (ja) * 1987-07-22 1990-06-25 Nippon Light Metal Co Shibosankuroraidonoseizohoho
US5111989A (en) * 1991-09-26 1992-05-12 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Method of making low profile fine wire interconnections

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100479919B1 (ko) * 1997-12-29 2005-05-16 삼성테크윈 주식회사 와이어본딩헤드의와이어루프형성방법

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