JPS62178544A - 液晶性化合物、その組成物および光スイツチング素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な液晶性化合物ならびに液晶組成物およ
び光スイッチング素子に関するもので、特に強誘電性を
有する液晶材料を提供するものであり、従来の液晶材料
と比較して、特に応答性、メモリー性にすぐれた液晶表
示素子への利用可能性を有するため、テレビジョン等の
高速動１［１像の表示に最適な材料を提供するものであ
る。

〔従来の技術〕

液晶表示素子は、その低電圧作動性、低消費電力性、薄
型表示が可能なこと、受光型で目が疲れないことなどの
すぐれた特徴を有するため各種表示素子として広く用い
られている。

現在のところ表示方式としては、ツイステクドネマチッ
ク（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　）　ｍ　（ＴＮ
；’、１）と呼ばれるネマチック液晶を材料として用い
るものが最も多く採用されている。しめ）しながらこの
ＴＮ型液晶表示素子においては、前述のすぐれた特徴を
有しながら、応答速度が発光ダイオード、エレクトロル
ミネツセンス等に比較して遅いという欠点があり、その
ため応用上の制約があった。しかし前述のごとく、受光
型で低消費電力であるｔ￥ｆ徴を利用し、かつ高速応答
性を有する新しい表示方式の開発が行われてきている。

この目的に沿ったものとして、近年強誘電性液晶が注目
されて来ている。この強誘電性液晶を利用した表示表子
は、従来のＴＮ型液晶に比較して約ｆｉ１００倍という
高速応答性を有し、さらに双安定性も得られることから
テレビジョン等の動画像や高速光シャッターを始めとす
る多方面の表示素子への応用が期待できるものである。

強誘電性液晶は、メイヤーらにより見い出されて報告さ
れ（ジュルナール・ド拳フィジーク、　５６　（１９７
５）Ｌ−６９）、応答速度がマイクロ秒のオーダーで、
記憶効果のある表示素子を作ることが可能であることが
クラーク（Ｎ、Ａ、Ｃ１ａｒｋ）らにより発表され（ク
ラークら、アプライド・フィツクス・レターズ、　５６
　（ｉ　９８０）８９９）で以来、非常に注目される存
在となったものである。

強誘電性液晶はスメクチック液晶の一分類に属し、その
中でも、分子中に不斉炭素を有する化合物が示すカイラ
ルスメクチック相を有する化合物として分類される。カ
イラルスメクチック相には、カイラルスメクチックＣ相
、カイラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチックＣ
相等多くのカイラルスメクチック相が存在するが、実用
性の面からはカイラルスメクチックＣ相（以下ＳＣ”相
と略記する）が取扱い上も含め望ましいとされている。

ＳＣ相を下す液晶性化合物は、これまでにも多数の発表
があり、その分子構造の一部に不斉炭素原子を有するこ
とを特徴としており、その代表的なものとしては、初め
て合成された強誘電性液晶として知られていル（Ｓ）−
２−メチルブチル　ｐ−デシルオキシベンジリデンアミ
ノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣと略炉れている）をは
じめとして一連のシック塩基系の液晶があげられる。し
かしシック塩基は一般に水分、光等に不安定であること
から実用性の面で大きな問題がある（ケラ−ら、ジャー
ナル・オプ・フィジク、３７１ｊ−１２９：ヨシノらジ
ャパニーズ・ジャーナルーオプ・アプライド・フィツク
ス、２５　Ｌ１７５（１９８４）；截置ら、特開昭５９
−９８０５１）。

さらに、ハロゲン置換強１ｌｌＩ′ＩｌＬ性液晶として
は、特開昭６０−１９３９４７に記載があるが、ＳＣ”
相を示す温度幅が狭い化合物である。

〔発明が解決しようとする間碗点〕

本発明者らは、上記問題点を考慮し水分、光等に対する
安定性にすぐれ、かつ広範囲にＳＣ相を有する液晶性化
合物および液晶性化合物を含有する液晶組成物を提供し
ようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、一般式！で示される液晶性化合物・２提供す
ることが第一点である。

（式中、Ｒは、炭素数が２０以下のアルキル基を、Ｑ＊
は、不斉炭素原子を有する光学活性基を、Ｘは、ＲＯ−
基に対してオルトまたはメタの位置に結合する水素、弗
素、塩素のいずれかの原子を示し、ｎは、０または１を
示す。） そして第二点は、少なくとも２種類の液晶性化合物から
成る液晶組成物において、前記一般式Ｉで表わされる化
合物を含有する液晶組成物を提供することである。

一般に液晶は、それがｌ−構造をもち構成分子が暖法線
に対して傾いている場合に、その構成分子が不斉炭素原
子を有していると、層間でその分子の傾き方向が少しず
つねじれ、らせん構造を示すようになる。そして自発分
極がらせん軸に対し垂直な方向に向いていると液晶が強
誘電性を示す。

従って本発明者らは、液晶性化合物で且つ分子内に不斉
炭素原子を有する化合物について鋭意検討の結果、一般
式１で示される化合物を得たものである。ここで得られ
た化合物は、先に述べたように水分や光等にも安定で実
用性の面からも大きな利点をもつ化合物といえる。

本発明の一般式ｌで示される化合物は種々の特徴を有し
、例えば一般式■における””ｎ　　Ｃ＋２Ｈｔｓ、Ｑ
”＝ＣＨｔ　Ｃ”ＨＣＨｓ　（Ｃｔ　Ｈｓ　）、ｎ　＝
　１の場合においてＸが弗素でアルコキシのオルト位の
場合とＸが水素の場合ではその性能が大きく異なり、Ｘ
が弗素ではＳＣ“相を示すが、Ｘが水素ではＳＣ１相以
外の液晶相を示すに止まる。また一般式１におけるＲ＋
＝ｎ−Ｃ１゜Ｈ，いζうＣＨｔ　Ｃ’ｆ（ＣＨｓ　（Ｃ
ｔ　Ｈｓ　）、ｎ　＝　１の場合、Ｘがアルコキシのオ
ルト位では、Ｘ＝Ｈ，Ｆ、ＣＬの差でＳ０４相の温度域
、温度幅が大きく異なり、それぞれの性能の差異は簡略
に予想を付けることは困難であり、それぞれがそれらの
使用目的などで有効に活用される性質をもりている。

これらのことは一般式ｌにおけるｎ　＝　Ｏの場合につ
いても言えることであり、本発明の化合物の有用性を示
すものである。また本発明の化合物は、本出願人の先願
に係る特願昭６０−９８７１２号に記載の化合物に比較
しさらに広い温度範囲に亘ってＳＣ“相を有する化合物
群を含んでおり、これは一般式■の化合物が、ハイドロ
キノンの光学活性カルボン酸モノエステル型の分子構造
を有するためと考えられ、従来には見られない効果であ
る。さらに一般式■に金談れる各種の化合物は、種々混
合することにより、ＳＣ“相を示す温度域が個々の化合
物より低められた液晶組成物を導きうるものである。

さらに、本発明の化合物は、導独で強銹′邂性を示す化
合物もあるが、他の強誘電性液晶性化合物と混合して使
用することもできる。またさらに、本発明の化合物のう
ち強誘電性を示す化合物は、他の液晶性化合物との混合
によっても強誘電性を示す場合もある。このように本発
明の化合物は、各種液晶性化合物を配合することによっ
て、または導独に使用して、強誘電性液晶の光スイッチ
ング現象を利用した光スイッチング素子を構成すること
ができ、表示素子としての利用が可能である。

次に、一般式！で示される化合物の製造方法について述
べる。

一般式■の化合物は、次に示す一般式■と一般式Ｖで表
わされる二つの化合物の縮合反応により製造することが
できる。

（一般式Ｖ中、Ｒは、炭素数２０以下のアルキル基を、
Ｘは、ＲＯ−基に対してオルトまたはメタの位置に結合
する水素、弗素、塩素のいずれかの原子を示し、ｎは、
口または１を示す。） （一般式Ｖ中、Ｑ＊は、不斉炭素原子を有する光学活性
基を表わす。） 次に、一般式■の化合物の製造方法を概略的に示す。

ｎ　＝　０の場合は、４−アルコキシ安息香酸またはそ
のハロゲン（弗素または塩素）ｗｔ換化合吻であり、工
程図１に概略的に示す方法にて製造することができ、ｎ
＝１の場合ハ、４′−アルコキシ−４−ビフェニルカル
ボ／酸または、そのハロゲン置換体であり工稈図２に概
略的に示す方法にて製造することができる。

尚、一般式Ｉにおける官能基ＲおよびＱ＊は、化合物ｌ
の同一性を損わない範囲で、ハロゲン原子その他の置換
基で水素が置換されていても良いことを付記する。

（一般式■の化合物、ｎ　＝　０に相当）（一般式■の
化合物、ｎ＝１に相当） 即ち、一般式■の化合物のｎ　＝　Ｏに相当するハロゲ
ン置換もしくは無置換４−アルコキシ安息香酸は、ハロ
ケン置換もしくは無置換の４−メトキシブロムベンゼン
を、マグネシウムにより対応するマグネシウムフｏマ（
）”としたのち、炭酸ガスにてカルボン［Ｌ、４８ｅＩ
ｊ臭化水素酸水溶液にて脱メチル化し、対応するヒドロ
キシカルボン酸とする。その後、アルキルハライドにて
アルコキシ化して一般式■の化合物（ｎ＝０に相当）を
製造する。

また、一般式■の化合物のｎ　＝　１に相当するハロケ
ン置換もしくは無置換４′−アルコキシ−４−ビフェニ
ルカルボン酸は、ｎ＝０の場合と同様にハロゲン置換も
しくは無置換の４−メトキシブロムベンゼンを、マグネ
シウムにより対応するマグネシウムブロマイドとした後
、塩化パラジウム存在下、天変ベンゼンと反応させ、対
応する４−メトキシビフェニルとする。引キ続いて塩化
アルミニウム存在下、塩化アセチルによるフリーデル・
クラフッ反応により、対応する４−アセチル−４′−メ
トキシビフェニルとする。続いて次亜臭素酸ソーダ水溶
液による酸化反応により、アセチル基をカルボキシル基
に変換し、４８％臭化水素酸水溶液中で脱メチル化し、
ハロゲン置換もしくは無［８の４′−ヒドロキシ−４−
ビフェニルカルボ／酸を得る。そしてアルキルハライド
によるアルコキシ化により一般式■の化合物（ｎ＝１に
相当）を得ることができる。

次に一般式■の化合物は、ハイドロキノンと光学活性カ
ルボ／酸とのＮ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミ
ドを使用するエステル縮合反応、または光学活性カルボ
ン酸の酸ハロゲン化物とハイドロキノ／ノ縮合によって
製造することができる。

このようにして得られた一般式■の化合物および一般式
■の化合物を使用して一般式１の化合物を製造するが、
その製造方法は、Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジ
イミド使用によるエステル縮合、または一般式■の化合
物の対応する酸ノ・ロゲン化物としたのち、一般式■の
化合物との縮合反応により容易に製造しつるものである
。

このようにして得られた液晶性化合物、あるいはこれを
使用した組成物は、二枚の透明電極板の間に均一な厚さ
く１〜２０μｍ）の薄膜とすることにより液晶表示用セ
ル等の光スイッチング素子として使用することができる
。表示セルの中では液晶分子は分子長軸が電極面に平行
ないわゆるホモジニアスの、かつ向きの均一な配向をと
ったモノドメインである必要がある。このため、セル表
面にラビング、蒸着等の配向処理を施すか、あるいは電
場、磁場等を印加する方法、さらには温度勾配法によっ
て、またこれらの方法を併用する方法等によって等方性
液体相から液晶相まで徐々に冷却して配向させる方法が
一般に用いられており、本発明における化合物あるいは
組成物においてもこのような方法によって均一に配向し
たモノドメインセルを得ることができる。

〔発明の効果〕

本発明に係る一般式！で示される化合物群は、従来代表
的強誘電性液晶化合物として知られているＤＯＢＡＭＢ
Ｃに比較して、またその他これまでに発表されている強
誘電性液晶化合物などと比較しても広範囲に、かつエナ
ンチオトロピククにＳＣ“相を示す化合物を含み、さら
に低温度域においてＳＣ“相を示す化合物も含んでいる
０ このように一般式■で表わされる化合物はそのハロゲン
置換の効果により、化合物の性質を大きく変化させるこ
とができる有用な化合物群を構成する。また、一般式Ｉ
で表わされる化合物を使用した組成物においても、ＳＣ
“相を有する温度域を大きく変化させることができる効
果をもつ。実用面での光、水分に対する安定性について
も、一般式■の化合物は極めて信頼し得る０ 〔実施例〕 以下に実施例および製造例をあげて本発明を具体的に説
明するが、勿論本発明の主旨と適用範囲はこれらの実施
例によって限定されるものではない。なお以下の例にお
いて相転位温度の値は測定方法や純度により多少の差異
を生ずることがある。

実施例１〜２〇 一般式Ｉによって表わされる化合物の相転位温度を示す
。

表１中、Ｘの表示における５Ｆ’は、ビフヱニル環アル
コキ７基のオルト位に弗素原子が置換されている事を示
す。３’ＣＬについても同様に塩素原子が＃：、喫され
ていることを示す。また、３Ｆ、５Ｃ１は、フェニル環
アルコキシ基のオルト位に弗素、塩素原子が置換されて
いる事を示し、２Ｃ６は、同様にメタ位に塩素原子が置
換されている事を示す。

Ｃにおける人は、−ｃｔｉ、　ｃ”Ｈ／ＣＨ３を意味し
、Ｂは、＼Ｃ，）Ｉ。

一〇イン′ＣＩ（、を意味する。

＼ＣｔＩ（。

相転位温度におけるＣは結晶相、ＳＸは、相未決定のス
メクチック相、ＳＡは、スメクチックＡ相、Ｃｈは、コ
レステリック相およびＩは、等方性液体を示し、・は、
その相の存在する事を示し、−は、その相が存在しない
事を示す。また括弧で示したものは、モノトロピックに
即ち過冷却下でその相の存在することを示す。

製造例１．（実施例１の化合物） ４′−ｎ−オクチルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸
五２６ｆに２０９の塩化チオニルを加え、さらに−滴の
ピリジンを加えて６時間加熱還流させた後、二ノ（ボレ
ーターにて揮発分を留去させた。ここに無水ピリジン２
０Ｆと２．０８９の７〜イドロキノンーモノ−（Ｓ）　
−５−メチルペンタノエイトを加え、３０〜５０℃にて
７時間反応させた。反応後、反応液を多量の酢酸エチル
中に注ぎ、希塩酸で３回洗滌し、続いて水洗を３回行っ
た。酢酸エチル層は、芒硝にて脱水後、酢酸エチルを濃
縮し残渣を５．１０　ｆ得た。

この残渣は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法に
より目的成分を分離し４．１　Ｏｆを得た。

エタノールから２回再結晶し、目的物五８５Ｆを得た。

収率７５％ 得られた目的物は、核磁気共鳴スペクトル、赤外線吸収
スペクトル、マス・スペクトルによシ確認した。

核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣＩｍ　）δ値（プロトン
）（１８５〜２．２４　（２４Ｈ）　：　２．５８〜２
．６９　（２Ｈ）多ｆｆｉ線１１〜４．１５（２Ｈ）三
重線：　６．９０〜ａｇｏ（８Ｈ）赤外線吸収スペクト
ル（ｃｍ−’　）　（主要吸収値）２９５０．２８８０
，１７６０．１７３Ｂ、１６１０，１５１５゜１２８０
．１１９０，１０８０．　８３０．　７７０゜マス・ス
ペクトル　　Ｍ”＝５１６　　（Ｃ，１，法）製造例２ 一般式■におけるｎ＝＝１に相当する化合物（５’−フ
ルオｏ−４−アルコキシー４−ビフェニルカルボン醒の
製造） ５００−五つロフラスコに撹拌機、冷却コンデンサー、
窒素ガス導入管、温度針、さらに滴下ロートを付は冷却
コンデンサー上部より窒素ガスを放出できる装置に、２
．５ｆの削り状金属マグネシウム、１２０−の脱水テト
ラヒドロフランを仕込み、滴下ロートには５０Ｆの脱水
テトラヒドロフランに溶解させた２α５ｆの３−フルオ
ロ−４−メトキシブロムベンゼンを仕込む。

窒素ガス気流下にて、滴下ロートより少量ずつ３−フル
オロ−４−メトキシブロムベンゼンを滴下しながらフラ
スコを加熱し、徐々に反応させながら３０分で３−フル
オロ−４−メトキシブロムベンゼンを滴下させた。滴下
中反応が進行している時は発熱により外部からの加熱は
必要ない。滴下終了後さらに１時間加熱還流させ３−フ
ルオロ−４−メトキシフェニルマグネシウムブロマイド
を製造した。次に２０．３Ｆの法度ベンゼン、α２０ｆ
の塩化パラジウムおよび脱水テトラヒドロ７ラン１００
ｄを仕込んだフラスコ中に、窒素気流下、上記の３−フ
ルオロ−４−メトキシフェニルマグネシウムブロマイド
のテトラヒドロフラン溶液を法度ベンゼン溶液を撹拌さ
せながら滴下する。４０分にて滴下後、２時間加熱還流
させた。その後反応液を室温に戻し、１０％塩酸を加え
１覚拌後、ヘキサンを加え十分撹拌し、有機層を分離し
た。有機層は、さらに水で洗滌後濃縮し、得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー法により、目的
物３−フルオロ−４−メトキシビフェニルを不純物より
分離した。収量１１．２Ｆ、収率５５チ 次にここで得られた５−フルオロ−４−メトキシビフェ
ニル１１．２ｆを、４．３ｆの塩化アセチル、１００＋
ｗｊの二硫化炭素と共に冷却管付反応フラスコに仕込み
、フラスコ上部には無水塩化カルシウム管を付は水分を
遮断した。フラスコを氷冷しながらここに無水塩化アル
ミニウムを９０２加え、２時間撹拌後ゆるやかに５十分
に撹拌した。生じた沈殿を濾過により集め９．１　Ｆを
得た、イングロビルアルコールより再結晶させ目的物４
−アセチル−３′−フルオロ−４′−メトキシビフェニ
ル７．２ｆを得た。収率５３ｑｂ ここで得られた４−アセチル−３′−フルオロ−４′−
メトキシビフェニル７．２ｆを３００ｄのジオキサンに
溶解させ、さらに３６０−の次唾臭素酸ノーダ溶液（苛
性ソーグア５ｆ、ＪＡ素７８ｔより？Ｊ４整）を０〜５
℃にて約４０分で加えた後、２時間６０〜３５℃にて撹
拌した。次に亜硫酸水素す）　ＩＪウムの飽和水溶液に
て過剰の次唾ＪＡ索酸ノーダを分解した後、１０慢塩酸
水溶液を加えＰＨ５〜４にし、１０℃にて２０時間放置
し結晶化させた。生じた結晶を濾過し７．２２の３′−
フルオロ−４′−メトキシ−４−ビフェニルカルボンｍ
ｔ得た。イングロビルアルコールより再結晶しｔｓ、８
ｔの目的物を得た。収率９４％ 引き続き、＆８２０３′−フルオロー４′−メトキシ−
４−ビフェニルカルボ／酸を１５０−の４８％臭化水素
酸水溶液と８０−のジオキサン中で１４時間加熱還流さ
せた。その後揮発分をエバポレーターにて留去した後残
渣を水で数回洗滌し、イングロビルアルコールカラ再結
晶し目的物３′−フルオロ−４′−ヒドロキシ−４−ビ
フェニルカルボン＃１６．１０ｆを得た。収率９５％こ
のように得られた３′−フルオロ−４′−ヒドロキシ−
４−ビフェニルカルボン酸に対し１．２倍モルのアルキ
ルブロマイド、１．９５倍モルの苛性ンーダを使用し含
水エタノール中で１０時間加熱還流させた後１０チ塩酸
水溶液を加え、液のｐＨｔｔ２〜３とし１時間加熱還流
させた。冷却後クロロホルムにより有機物を抽出し、ク
ロロホルム層を水洗、芒硝にて脱水した。クロロホルム
層は濃縮し粗結晶を得る。エタノールより再結晶り目的
物の３′−フルオロ−４′−アルコキシ−４−ビフェニ
ルカルボン酸１に得た。このアルコキシ化反応における
収率は使用するアルキルブロマイドの種類により若干異
なるが概ね６０〜８０慢である。

製造例五　（実施例６の化合物） 製造例２に示した方法により６′−フルオロ−４′−ド
デシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸を製造し使用
した。

４、Ｏｆの６′−フルオロ−４′〜ドデシルオキシ−４
−ビフェニルカルボン酸にａ５ｔの塩化チオニルを加え
、さらに１滴のビリジ／を加えて６時間加熱還流した。

その後製造例１に示した方法と全く同様に処理し、２Ｊ
Ｊ８ｆのハイドロキノン−モノ−（ａ）　−３−メチル
ペンタノエイトを使用し、製造例１と全く同様に反応、
後処理を行なって、目的とする（４−オキシカルボニル
−（Ｓ）−２−）ｆルフチル）フェニル　３′−フルオ
ロ−４’−）”デシルオキシ−４−ビフェニルカルボキ
シレート３．８３ｆを得た。収率６５％ 得られ九目的物は、核磁気共鳴スペクトル、赤外１線吸
収スペクトル、マス・スペクトルにより確認した。・核
磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣ１＊　）δ値（プロトン）
Ｑ、８２〜２．２５（３２Ｈ）　：２．４３〜２．７２
（２）（）多重線；４．００〜４．１５　（２Ｈ）三重
線；　７．０１〜ａ３０（１１Ｈ）赤外１線吸収スペク
トル（ａｍ’）　（主要吸収値）２９３０．２８５０，
１７５０，１７３０，１６１０，１５１５゜１２８５．
１１９０．１０９０．　８１５．　７６５マス・スペク
トル　Ｍ／ｅ　＝　５９０　（Ｃ，１，法）製造例４．
（実施例９の化合物） ５′−フルオロ−４′−ドデシルオキシ−４−ビフェニ
ルカルボン酸４．０Ｏｆおよびハイドロキノン−モノ−
（ｓ）−２−メチルブタノエイト１．９４　ｆを使用す
る＃よかは製造例１，３と全く同様に反応、後処理を行
って目的とする（４−オキシカルボニル−（ｓ）　−１
−メチルグロビル）フェニル　３′−フルオロ−４′−
ドデシルオキシ−４−ビフェニル力ルポキシレート工９
２りを得た。

収率６８％ 核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ５　）δ値（プロトン
）０．８０〜１．９５（２３Ｈ）：２．５０〜２．８３
（１）１）多重線；４．００〜４．１５　（２Ｈ）　三
ｔ１線；　７．０３〜ａｇｏ（１１Ｈ）赤外線吸収スペ
クトル（ａｍ−′）　（主要吸収値）２９３０．２８６
０，１７５０，１７３０，１６１０，１５１５゜１２８
５．１１９０．１０９０．　８１５．　７１５マス・ス
ペクトル　Ｍ／ｅ　＝　５７６　（Ｃ，１，法）製造例
５．（実施例１０の化合物） ６′−クロル−４′−デシルオキシ−４−ビフェニルカ
ルボン酸五９０ｔを１αＯ２の塩化チオニルに加えさら
に−滴のピリジンを加えて６時間加熱還流した。その後
実施例１と同様に後処理し、２．０８ｆのハイドロキノ
ン−モノ−（ｓ）　−３−メチルペンタノエイトを使用
し製造例１と全く同様に反応、後処理を行って目的とす
る（４−オキシカルボニル−（ａ）−２２−１ｆブチル
）フェニル　３′−フルオロ−４′−デシルオキシ−４
−ビフェニルカルボキシレート４．１６　ｆを得た。収
率７２％核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣ１ｍ　）δ値（
プロトン）０．８６〜２．２２（２８１）　；Ｌ５５〜
２．６６（２Ｈ）多重線；？ｔ９４〜４．０９　（２Ｈ
）三重線：　６．８９〜１ｌＬ１７（１１Ｈ）赤外線吸
収スペクトル（ｅｍ−’　）　（主要吸収値）２９５０
．２８８０，１７６５，１７３５，１６１０．１５２０
゜１２６５．１１７５，１０８０．　８５０．　７６５
マス−スヘ／　トルＭ”＝　５７８　（Ｃ，１，法）製
造例＆　（実施例１３の化合物） ４−デシルオキシ安息香酸５．６２を１５Ｐの塩化チオ
ニル中に加えさらに１滴のピリジ／を加えて６時間加熱
還流した。反応後揮発分をエバポレーターにて留去後＆
９１Ｐのハイドロキノン−モノ−（ｓ）−２−メチルブ
タノエイトと２５ｆの脱水ピリジンを加え２５〜４０℃
にて１０時間反応させた。反応後多量の酢酸エチル中に
ピリジン溶液を注ぎ１０％塩酸で３回洗滌し、さらに水
洗を３回行なってで硝で脱水した。脱水後の酢酸エチル
溶液は、濃縮し９．２０　ｒの残渣を得た。シリカゲル
カラムクロマトグラフィー法により主成分を分離後エタ
ノールより再結晶し目的物（４−オキシカルボニル−（
ｓ）−１−メチルグロビル）フェニル　４−デシルオキ
シベンゾエイト７、３０　ｔを得た。収率８０％核磁気
共鳴スペクトル（ＣＤＣｂ　）δ値（プロトン）１．７
９〜２．００（２４Ｈ）：２．４０〜２．７７（ＩＨ）
多重線；１０〜４．０５　（、２Ｈ）三重線：　＆８６
〜１ｌＬ１１　（８Ｈ）赤外線吸収スペクトル（ａｍ−
’　）　（主要吸収値）２９４０．２Ｂ６０，１７６０
，１７３５，１６０８，１５１５゜１２６０．１１６０
，１０７５．　９０５．　７６５マス・スペクトル　Ｍ
”　＝　４５４　（Ｃ，１，法）製造例Ｚ　（実施例１
５の化合物） ３−フルオロ−４−デシルオキシ安息香酸２．９６ｆを
１ｏｆの塩化チオニル中に加えさらに１滴のピリジンを
加えて６時間加熱還流した。反応後揮発分をエバポレー
ターにて留去したのち、２．１０ｔのハイドロキノン−
モノ−（ｓ）　−３−メチルペンタノエイトを加えピリ
ジン２０ｆを加えて２５〜４０℃にて１０時間反応させ
た。その後製造例６と全く同様に後処理を行って目的物
（４−オ中シカルボニ２−２−メチルブチル）フェニル
　３−フルオロ−４−デシルオキシベンソニー）４．Ｏ
ｆを得た。収率８２チ 核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣＩｍ　）δ値（プロト／
）１．８７〜２．２２（２８Ｈ）：２．３３〜２．７０
Ｃ２Ｈ）多重線；４．０２〜４．１７（２Ｈ）三重線；
＆９０〜７．９９（７Ｈ）赤外線吸収スペクトル（ｃｍ
−’　）　（主要吸収値）２９！１０，２８６０，１７
５０．１７ｓＯ，１６１５，１５１５７１３，０５，１
１？０，１０７５．　９０５．　７５５マス・スペクト
ル　Ｍ”　＝　４８６　（Ｃ，１，法）実施例２１゜ 実施例６の化合物（４−オキシカルボニル−（ａ）　−
２−メチルブチル）フェニル　３′−フルオロ−４′−
ドデシルオキシ−４−ビフェニルカルボキシレート１．
８　＋＜警部と実施例１３の化合物（４−オキシカルボ
ニル−（ｓ）−１−メチルグロビル）フェニル　４−デ
シルオキシイ／シェード１．０重准部を混合し加熱融解
さぞ十分に攪拌した。この混合物は５８℃から６６℃の
範囲でエナンチオトロピ、りにＳｃ＠相を有する混合液
晶となシ、実施例６の化合物のＳｃ”相の温度域を大き
く低下させることができ有用な組成物を得ることができ
た。

実施例２２ 実施例６の化合物（４−オキシカルボニル−（ｓ）　−
２−メチルブチル）フェニル　３′−フルオロ−４′−
ドデシルオキシ−４−ビフェニルカルホキシレー）５６
．を警部、実施例５の化合物（４−オキシカルボニル−
（Ｓ）−２−メチルブチル）フェニル　３′−フルオロ
−４′−デシルオキシ−４−ビフェニルカルボキシレー
ト２０を警部、実施例９の化合物（４−オキシカルボニ
ル−（ｓ）−１−、＋’＋ルグロピル）フェニル　３′
−フルオロ−４１−ドデシルオキシ−４−ビフェニルカ
ルボキシレート１２部および実施例１４の化合物（４−
オキシカルボニル−（ａ）−１−メチルグロビル）フェ
ニル　４−ドデフルオキシペ／シェード３２重危部を混
合し、加熱溶融させ十分に撹拌し、液晶組成物を作成し
た。

この組成物は、３４℃から１１０℃の範囲でエナンチオ
トロピックにＳｃＩ相を有する混合液晶となシ、有用な
組成物をイ０ることができた。

実施例２３゜ 実施例２２で得られた液晶組成物を使用し、厚さ３胸の
スペーサーを使用した２枚のラビング配向処理済ガラス
透明電極間に等方性液体として充填し薄膜セルを作成し
た。このセルを１分間に０．５度の割合で冷却しカイラ
ルスメクチック相を均一なモノドメインとして得た。こ
のセルを５５℃にて５ボルトα１ヘルツの電場を印加し
ホトマルチプライヤ−にて元スイッチング動作を検出し
たところその応答速度は約４５０μ秒であった。これに
より応答速度の速い液晶表子素子がイＯられた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 I で表わされる液晶性化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼……（ I ） （式中、Ｒは、炭素数が２０以下のアルキル基を、Ｑ＾
   ＊は、不斉炭素原子を有する光学活性基を、Ｘは、ＲＯ
   −基に対してオルトまたはメタの位置に結合する水素、
   弗素、塩素のいずれかの原子を示し、ｎは、０または１
   を示す。） ２、Ｑ＾＊が光学活性２−メチルブチル基または光学活
   性１−メチルプロピル基である特許請求の範囲第１項記
   載の液晶性化合物。 ３、少なくとも２種類の液晶性化合物から成る液晶組成
   物において、一般式 I で表わされる化合物を含有する
   液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼……（ I ） （式中、Ｒは、炭素数が２０以下のアルキル基を、Ｑ＾
   ＊は、不斉炭素原子を有する光学活性基を、Ｘは、ＲＯ
   −基に対してオルトまたはメタの位置に結合する水素、
   弗素、塩素のいずれかの原子を示し、ｎは、０または１
   を示す。） ４、一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼……（ I ） （式中、Ｒは、炭素数が２０以下のアルキル基を、Ｑ＾
   ＊は、不斉炭素原子を有する光学活性基を、Ｘは、ＲＯ
   −基に対してオルトまたはメタの位置に結合する水素、
   弗素、塩素のいずれかの原子を示し、ｎは、０または１
   を示す。） で表わされる化合物の少くとも１種を構成要素とする光
   スイッチング素子。