JPH0739392B2 - 含ハロゲンピリジン液晶化合物及び液晶組成物 - Google Patents

含ハロゲンピリジン液晶化合物及び液晶組成物

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JPH0739392B2
JPH0739392B2 JP61067960A JP6796086A JPH0739392B2 JP H0739392 B2 JPH0739392 B2 JP H0739392B2 JP 61067960 A JP61067960 A JP 61067960A JP 6796086 A JP6796086 A JP 6796086A JP H0739392 B2 JPH0739392 B2 JP H0739392B2
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    • C07D213/30Oxygen atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09K19/00Liquid crystal materials
    • C09K19/04Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/34Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
    • C09K19/3441Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom
    • C09K19/3444Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered aromatic ring containing one nitrogen atom, e.g. pyridine

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は表示素子用として有用な新規な液晶化合物及び
該液晶化合物と光学活性液晶化合物とよりなるカイラル
スメクチツクC液晶組成物に関する。
〔従来の技術〕
現在、液晶表示素子としてはTN(ねじれネマチツク)型
表示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に
於いて発光型表示素子(エレクトロルミネツセンス、プ
ラズマデイスプレイ等)と比較して劣つており、この点
に於ける改善は種々試みられているにも拘らず、大巾な
改善の可能性はあまり残つていないようである。そのた
めTN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が
種々試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用
する表示方法がある(N.A.Clarkら;Applied Phys.let
t.,36,899(1980))。この方式は強誘電性液晶のカイ
ラルスメクチツクC相(以下SC相と略称する)あるい
はカイラルスメクチツクH相(以下SH相と略称する)
を利用するもので、それらの相を呈する温度範囲が室温
付近にあるのが望ましい。
これらのカイラルスメクチツク液晶材料は、それ自身カ
イラルスメクチツク相を呈する単一化合物の複数を混合
することによつて得ることができるが、又カイラルでな
いスメクチツク液晶(スメクチツクC相(SC相)、スメ
クチツクH相(SH相)などを示すもの)に光学活性液晶
化合物、好ましくはカイラルスメクチツク液晶化合物を
添加することによつても得られることが知られている。
SC相を呈する化合物はすでに各種知られているが、これ
らに光学活性液晶を添加することによつて得られるカイ
ラルスメクチツク液晶材料が強誘電性を利用する液晶表
示に於いてすぐれた性能を示すか否かについては、未だ
最終的な評価が得られていない。それは強誘電性を利用
する液晶表示が技術的に完成していないことによるもの
である。従つて、現状では新しいSC材料を種々試験して
みることが必要である。
〔発明の目的〕
本発明の主たる目的は上記の様な用途に使用するに適し
た、SC相を呈する新規な液晶化合物を提供することにあ
る。
〔発明の構成〕
即ち、本発明は一般式 (但し、上式に於いて、XはF又はClを示し、R1、R2
炭素数1〜18の直鎖のアルキル基を示す)で表わされる
液晶化合物及びその液晶化合物の少なくとも1種と、少
なくとも1種の光学活性液晶化合物とからなるカイラル
スメクチツク液晶組成物である。(I)式の化合物の代
表的なものの相転移点を第1表に示す。
〔発明の作用、効果〕 (I)式の化合物の大部分の化合物はスメクチツクC相
(SC相)を呈する液晶物質であり、これらに他の光学活
性液晶化合物と混合することによつて、広い温度範囲で
カイラルスメクチツクC相(SC相)を呈する液晶材料
を得ることができる。(I)式の化合物の中でも特に好
ましいのはR1の炭素数が6〜12、R2の炭素数が4〜12
で、XがFの化合物で、第1表に例示するように室温付
近を含む広い温度域でSC相を示す故、強誘電性液晶組成
物を構成するのに極めて好適な物質である。
又、(I)式の液晶化合物は、他の液晶化合物即ちSC
相、SH相を有するカイラルスクメクチツク液晶化合物
及びコレステリツク相を呈する化合物等との相容性がす
ぐれているので、これらと混合してカイラルスメクチツ
ク液晶組成物のSC相を呈する温度範囲、特にその低温
領域の拡大にすぐれた効果を有する。
本発明の化合物の1つの特徴として、化学構造的にハロ
ゲンが側方に置換基として存在するということがある。
非置換体(水素化合物)の水素原子を、ハロゲン原子
(あるいは他の置換体)で置換することによる相転移点
の変化が、特定の液晶化合物に於いて、どのように現わ
れるかは現在のところ予想することは難しい。一般には
液晶状態の上限温度(透明点)が低下するとは云える
が、その程度は推定できず、特定物質を製造して実測す
る以外方法はない。このことはヌマチツク状態のような
比較的単純な場合でもそうであり、本発明の目的とする
スメクチツク状態では各種スメクチツク変態の相転移点
に関しては尚更のことである。本発明の化合物に於て
は、この側方の置換ハロゲン原子が極めて好ましい効果
を与えることが見出された。以下にハロゲン原子導入の
効果を例により具体的に説明する。
((I)式に於いてR1=C7H15、X=F、R2=C8H17の化
合物) 上記の比較で明らかなように、本発明の(I)式に於け
るハロゲン導入の効果は、SC相より低温での別のスメク
チツク相の出現を大きく抑制することにある。化合物
(A)ではSC相の下にSF、SG相が出現するが、本発明の
化合物(B)では全くそのような相は観察されなくな
る。又本発明の化合物と混合する光学活性液晶化合物と
してはカイラルスメクチツクC相を示すものが好ましい
が、カイラルスメクチツクC相を示さない化合物でも、
本発明の化合物と混合することによりカイラルスメクチ
ツクC相を示す液晶組成物が得られる場合もある。
〔化合物の製法〕
次に本発明の(I)式の化合物の製造法について述べ
る。(I)式の化合物は次のような経路により製造する
ことができる。
〔実施例〕 以下、実施例により、本発明の化合物及び液晶組成物に
ついて更に詳細に説明する。
実施例1 〔2−(m−フルオロ−p−ヘキシルオキフエニル)−
5−ヘプチル−ピリジン((I)式に於いてR1=C
7H15、X=F、n=0、R2=C6H13のもの(試料No.
3))の製造〕 (i) ナトリウムメトキシド37.2g(0.688モル)、ト
ルエン2100mlを室温で撹拌したところへ、既知物質であ
るm−フルオローp−メトキシアセトフエノン150.1g
(0.625モル)、ギ酸エチル46.3g(0.625モル)、トル
エン700mlの溶液を滴下した。室温で8時間撹拌を保つ
た後、水500mlを加え分液漏斗に移した(これは(IV)
式でX=Fのものの溶液)。この水溶液に濃硫酸25ml、
水500mlの溶液を加え、析出した結晶を新たなトルエン
に溶解する。この(V)式でX=Fのもののトルエン溶
液を塩化カルシウムで乾燥し、更に塩化チオニル150ml
を冷却しながらゆつくり滴下した。加熱還流を1時間保
つたのち、溶媒と過剰の塩化チオニルを減圧下で留去し
残留物をヘプタンから再結晶してm−フルオロ−p−メ
トキシフエニル β−クロルビニルケトン((VI)式で
X=Fのもの)83gを得た。
(ii) N−ノネニルピペリジン((VII)式においてR
1=C7H15のもの)沸点103℃/3.5mmHg)39g(0.176モ
ル)、トリエチルアミン17.8g(0.176モル)をエチルエ
ーテル160mlに撹拌溶解した。ここへ系の温度を35℃以
下に保ちながら先に得られたm−フルオロ−p−メトキ
シフエニル β−クロルビニルケトン(VI)35g(0.176
モル)をエチルエーテル400mlで溶解した溶液を滴下し
室温で8時間撹拌した。水100ml、トルエン100mlを加え
分液漏斗に移し有機層を2回水洗した。この有機層より
溶媒を減圧下で留去した。残留物((VIII)式に於いて
R1=C7H15のもの)に過塩素酸(70%)80mlをゆつくり
加えたのち、水80mlを加え加熱還流を10分保つた。冷却
し結晶をエチルエーテルで洗浄し、結晶を乾燥すると2
−(m−フルオロ−p−メトキシフエニル)−5−ヘプ
チルピリリウム パークロレート((IX)に於いてR1
C7H15、X=Fのもの)23gを得た。原料のN−ノネニル
ピペリジンは、n−ノニルアルデヒドとピペリジンより
Mannichらの方法(Chem,Ber,69,2106(1936))より合
成した。
(iii) 2−(m−フルオロ−p−メトキシフエニ
ル)−5−ヘプチルピリリウム パークロレート23.0g
(0.057モル)、酢酸アンモニウム44.1g(0.570モ
ル)、酢酸500mlを加熱撹拌し還流を4時間保つた。反
応液を水にあけ結晶をトルエンに溶解し分液漏斗に移し
水洗を3回行つた。溶媒を減圧下で留去し、残留物を再
結晶して2−(m−フルオロ−p−メトキシフエニル)
−5−ヘプチルピリジン((X)式に於いてX=F、R1
=C7H15のもの)13gを得た。このものの融点は49.1〜5
1.2℃であつた。尚(X)式に於いてX=F、R1=C6H13
のものの融点は52.6〜53.7℃、R1=C8H17のものの融点
は46.3〜48.3℃、R1=Cl0H21のものの融点は53.5〜55.6
℃であつた。
(iv) (iii)で得られた2−(m−フルオロ−p−
メトキシフエニル)−5−ヘプチルピリジン(X)13g
(0.043モル)、臭化水素酸(47%)50ml、酢酸140mlを
加熱還流30時間を保つた。冷却後、水に開け結晶を別
した。結晶を2N−苛性ソーダ水溶液約100mlに溶解し、
更に酢酸30mlを加え酸性溶液とした。析出した結晶を
別してエチルアルコールから再結晶して2−(m−フル
オロ−p−ヒドロキシフエニル)−5−ヘプチルピリジ
ン((XI)式に於いてX=F、R1=C7H15のもの)7.2g
を得た。このものの融点は83.7〜86.1℃であつた。尚
(XI)式に於いてX=F、R1=C6H13のものの融点は10
0.7〜103.0℃、X=F、R1=C8H17のものの融点は73.5
〜74.6℃、X=F、R1=C10H21のものの融点は46.8〜4
8.3℃であつた。
(v) 2−(m−フルオロ−p−ヒドロキシフエニ
ル)−5−ヘプチルピリジン2g(0.007モル)、エタノ
ール20ml、水酸化カリウム0.48g(0.008モル)、n−ヘ
キシルブロミド1.4g(0.008モル)を加熱撹拌し還流4
時間を保つた。冷却し、水とトルエンを加え分液漏斗に
移し有機層を2N−苛性ソーダ水溶液で洗浄し、次いで水
洗し溶媒を減圧下で留去した。残留物をエチルアルコー
ルから再結晶し、冷凍庫内で別し、乾燥して、最終目
的物である2−(m−フルオロ−p−ヘキシルオキシフ
エニル)−5−ヘプチルピリジン1.7gを得た。
このものはスメクチツク液晶であり、そのC−SC点は2
5.0℃、SC−SA点は40.6℃、SA−I点は50.5℃であつ
た。又元素分析値は次の通り計算値とよく一致した。
実測値(%) 計算値(%) (C24H34FNOとし
て) C 77.5 77.59 H 9.0 9.22 F 5.0 5.11 N 3.6 3.77 ステツプ(iii)に於ける2−(m−フルオロ−p−メ
トキシフエニル)−5−ヘプチルピリリウムパークロレ
ートの代りに他の2−(m−フルオロ−p−メトキシフ
エニル)−5−アルキルピリリウムパークロレートを用
い、又ステツプ(v)に於けるヘキシルブロミドの代り
に各種のアルキルブロミドを用いることにより、他は上
記と同様にして他の(I)式化合物を得た。その相転移
点を実施例1の結果と共に第1表に記す。
実施例2(組成物例1) 本発明の化合物である試料No.1〜8の8種の液晶化合物
を等量づつ混合して液晶組成物Aを調製した。この液晶
組成物Aの融点は−19℃であり、その温度以上でSC相を
示し、38℃でSA相となり、51℃で等方性液体となる。
この液晶組成物A60重量%に、下記の2種のカイラルス
メクチツク液晶化合物を各々20重量%添加、混合するこ
とによりカイラルスメクチツク液晶組成物Bを調製し
た。
得られたカイラルスメクチツク液晶組成物BのSC相の
上限温度は37℃であり、結晶化は、−70℃まで観察した
が認められず、又、SC相以外のスメクチツク相は出現
しなかつた。又、自発分極の大きさは、25℃にて8nC/cm
2であり、チルト角は17゜であつた。
尚、上記化合物Cと化合物Dの等量混合物の相転移点は である。
前記のカイラルスメクチツク液晶組成物Bを、配向処理
剤としてPVA(ポリビニルアルコール)を塗布し、表面
をラビングして平行配向処理を施した透明電極を備えた
セル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を2枚の直
交する偏光子の間に設置し、電界を印加したところ、15
Vの印加によつて透過光強度の変化が観察された。
この時の透過光強度の変化から応答時間を求めると、25
℃で約150μsecであつた。
以上のように、本発明の一般式(I)で示されるピリジ
ン化合物と光学活性液晶化合物を混合することにより、
広いSC相範囲を持ち、応答性に優れた強誘電性カイラ
ルスメクチツクC液晶組成物が得られることが判る。
実施例3(組成物例2) 実施例2で使用したと同じ液晶成分を使用し配合割合の
み下記の通りにしたカイラルスメクチツク液晶組成物を
調製した。
液晶組成物A((I)式の化合物の混合物) 20重量% 化合物C 20重量% 化合物D 60重量% この液晶組成物について偏光顕微鏡によりテクスチユア
の温度変化を調べたところ、11〜61℃の温度範囲で強誘
電性カイラルスメクチツクC液晶となることが判明し、
その自発分極の大きさは25℃で60nC/cm2であり、チルト
角は26゜であつた。又この液晶組成物を実施例2と同様
なセル厚2μmのセルに注入して、得られた液晶素子を
2枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加したと
ころ15Vの印加によつて透過光強度の変化が観察され
た。この時の透過光強度の変化から応答時間を求めると
25℃で約150μsecであつた。尚化合物Cと化合物Dのみ
の1:3混合物の相転移点は であつた。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (上式に於てXはF又はClを示し、R1、R2は炭素数1〜
    18の直鎖のアルキル基を示す)で表わされる液晶化合
    物。
  2. 【請求項2】一般式 (上式に於てXはF又はClを示し、R1、R2は炭素数1〜
    18の直鎖のアルキル基を示す)で表わされる液晶化合物
    の少なくとも1種と少なくとも1種の光学活性液晶化合
    物とよりなることを特徴とするカイラルスメクチックC
    液晶組成物。
  3. 【請求項3】光学活性液晶化合物がカイラルスメクチッ
    ク液晶化合物であるところの特許請求の範囲第2項記載
    のカイラルスメクチックC液晶組成物。
  4. 【請求項4】一般式 (上式に於てXはF又はClを示し、R1、R2は炭素数1〜
    18の直鎖のアルキル基を示す)で表わされる液晶化合物
    の少なくとも1種と、少なくとも1種の光学活性液晶化
    合物とよりなるカイラルスメクチックC液晶組成物を使
    用して構成された、強誘電性を利用した光スイッチング
    素子。
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