JP2752111B2 - スメクチック液晶組成物 - Google Patents
スメクチック液晶組成物Info
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- JP2752111B2 JP2752111B2 JP63287791A JP28779188A JP2752111B2 JP 2752111 B2 JP2752111 B2 JP 2752111B2 JP 63287791 A JP63287791 A JP 63287791A JP 28779188 A JP28779188 A JP 28779188A JP 2752111 B2 JP2752111 B2 JP 2752111B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はスメクチックＣ液晶組成物及びそれを配合し
たカイラルスメクチック液晶組成物に関する。更に詳し
くは、ピリジン環を有する化合物からなるスメクチック
Ｃ（以下Scと略記する）液晶組成物及びそのSc液晶組成
物に強誘電性カイラルスメクチック液晶を添加して得ら
れた応答性の優れた強誘電性液晶組成物およびその組成
物を使用した光スイッチング素子に関する。
たカイラルスメクチック液晶組成物に関する。更に詳し
くは、ピリジン環を有する化合物からなるスメクチック
Ｃ（以下Scと略記する）液晶組成物及びそのSc液晶組成
物に強誘電性カイラルスメクチック液晶を添加して得ら
れた応答性の優れた強誘電性液晶組成物およびその組成
物を使用した光スイッチング素子に関する。
液晶化合物は表示素子材料として広く用いられている
が、そうした液晶表示素子の殆んどはTN型表示方式のも
のであり、液晶材料としてはネマチック相に属するもの
を用いている。
が、そうした液晶表示素子の殆んどはTN型表示方式のも
のであり、液晶材料としてはネマチック相に属するもの
を用いている。
TN型表示方式は受光型のため、目が疲れない、消費電
力が極めて少ないといった特徴を持つ反面、応答が遅
い、見る角度によっては表示が見えないといった欠点が
ある。最近はフラットディスプレイとしての特徴を生か
す方向に転換しつつあり、特に高速応答性と視角の広さ
が要求されている。
力が極めて少ないといった特徴を持つ反面、応答が遅
い、見る角度によっては表示が見えないといった欠点が
ある。最近はフラットディスプレイとしての特徴を生か
す方向に転換しつつあり、特に高速応答性と視角の広さ
が要求されている。
こうした要求に答えるべく液晶材料の改良が試みられ
てきた。しかし、他の発光型ディスプレイ（例えば、エ
レクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディス
プレイ等）と比較すると、TN表示方式では応答時間と視
角の広さという点でかなりの然が認められる。受光型、
低消費電力といった液晶表示素子の特徴を生かし、なお
かつ発光型ディスプレイに匹敵する応答性を確保するた
めにはTN型表示方式に代わる新しい液晶表示方式の開発
が不可欠である。そうした試みの一つに強誘電性液晶の
光スイッチング現象を利用した表示方式がN.A.クラーク
とS.T.ラガウォールにより提案された（アプライド フ
ィジックスレターズ（AppL.Phys.Lett.）第36巻p.899
（1980年）参照）。強誘電性液晶は1975年にR.B.メイヤ
ー等によってその存在が初めて発表されたもので｛ジュ
ルナルド フィジーク（J.Phys.）第36巻p.69（1975
年）参照｝、液晶構造上からカイラルスメクチックＣ
相、カイラルスメクチックＩ相、カイラルスメクチック
Ｆ相、カイラルスメクチックＧ相およびカイラルスメク
チックＨ相（以下、それぞれSC ＊相、SI ＊相、SF ＊相、
SG ＊相およびSH ＊相と略記する）に属する。
てきた。しかし、他の発光型ディスプレイ（例えば、エ
レクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディス
プレイ等）と比較すると、TN表示方式では応答時間と視
角の広さという点でかなりの然が認められる。受光型、
低消費電力といった液晶表示素子の特徴を生かし、なお
かつ発光型ディスプレイに匹敵する応答性を確保するた
めにはTN型表示方式に代わる新しい液晶表示方式の開発
が不可欠である。そうした試みの一つに強誘電性液晶の
光スイッチング現象を利用した表示方式がN.A.クラーク
とS.T.ラガウォールにより提案された（アプライド フ
ィジックスレターズ（AppL.Phys.Lett.）第36巻p.899
（1980年）参照）。強誘電性液晶は1975年にR.B.メイヤ
ー等によってその存在が初めて発表されたもので｛ジュ
ルナルド フィジーク（J.Phys.）第36巻p.69（1975
年）参照｝、液晶構造上からカイラルスメクチックＣ
相、カイラルスメクチックＩ相、カイラルスメクチック
Ｆ相、カイラルスメクチックＧ相およびカイラルスメク
チックＨ相（以下、それぞれSC ＊相、SI ＊相、SF ＊相、
SG ＊相およびSH ＊相と略記する）に属する。
SC ＊相の光スイッチング効果を表示素子として応用す
る場合、TN表示方式に比べて二つの優れた特徴がある。
第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間はTN表
示方式の素子と比較すると1/100以下である。第２の特
徴はメモリー効果があることであり、上記の高速応答性
とあいまって時分割駆動が容易である。
る場合、TN表示方式に比べて二つの優れた特徴がある。
第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間はTN表
示方式の素子と比較すると1/100以下である。第２の特
徴はメモリー効果があることであり、上記の高速応答性
とあいまって時分割駆動が容易である。
表示方式としては二つの方式が考えられ、一つの方法
は２枚の偏光子を使用する複屈折型で、他の一つの方法
は二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC ＊相
は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転すること
により、らせん軸を回転軸として液晶分子は反転する。
強誘電性カイラルスメクチック液晶を用いた液晶表示方
式はこの液晶分子の反転現象を利用したものである。複
屈折型表示方式は液晶分子が複屈折率をもち、光学的に
一軸性結晶と同じ振る舞いをすることを応用したもの
で、SC ＊相を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平
行に並ぶように配向処理を施した液晶表示セルに注入
し、直交ニコル状態になるように配置した２枚の偏光子
の間に該液晶セルを液晶分子のダイレクターと一方の偏
光面が平行になるようにはさみ、電圧を印加して、極性
を反転することにより、液晶分子のダイレクターが消光
位および対角位の方向に並ぶことにより、暗視野および
明視野を得ることができる。
は２枚の偏光子を使用する複屈折型で、他の一つの方法
は二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC ＊相
は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転すること
により、らせん軸を回転軸として液晶分子は反転する。
強誘電性カイラルスメクチック液晶を用いた液晶表示方
式はこの液晶分子の反転現象を利用したものである。複
屈折型表示方式は液晶分子が複屈折率をもち、光学的に
一軸性結晶と同じ振る舞いをすることを応用したもの
で、SC ＊相を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平
行に並ぶように配向処理を施した液晶表示セルに注入
し、直交ニコル状態になるように配置した２枚の偏光子
の間に該液晶セルを液晶分子のダイレクターと一方の偏
光面が平行になるようにはさみ、電圧を印加して、極性
を反転することにより、液晶分子のダイレクターが消光
位および対角位の方向に並ぶことにより、暗視野および
明視野を得ることができる。
液晶分子は印加電圧の極性の反転により、らせん軸を
回転軸として回転するため、複屈折型表示方式において
は液晶分子の長軸とらせん軸とのなす角（以下、傾き角
と称す）は22.5度が望ましい。
回転軸として回転するため、複屈折型表示方式において
は液晶分子の長軸とらせん軸とのなす角（以下、傾き角
と称す）は22.5度が望ましい。
一方、ゲストホスト型の場合には、液晶化合物ないし
は液晶組成物中に溶解した２色性色素分子の遷移モーメ
ントの方向と偏光子の偏光面のなす角により、無着色視
野および着色視野を得ることができる。２色性色素分子
の遷移モーメントの方向と偏光面の方向が一方の極性で
は平行に、他の極性では直交するとき最も良いコントラ
ストが得られる。すなわち、液晶分子の傾き角が45度の
ときが最もよいコントラストを得ることができる。
は液晶組成物中に溶解した２色性色素分子の遷移モーメ
ントの方向と偏光子の偏光面のなす角により、無着色視
野および着色視野を得ることができる。２色性色素分子
の遷移モーメントの方向と偏光面の方向が一方の極性で
は平行に、他の極性では直交するとき最も良いコントラ
ストが得られる。すなわち、液晶分子の傾き角が45度の
ときが最もよいコントラストを得ることができる。
応答時間τと自発分極の大きさPSおよび粘度ηの間に
は （ただし、Ｅは電界強度である。） の関係が存在する。したがって、応答速度を速くするに
は、 （ａ） 粘度ηを小さくする （ｂ） 自発分極の大きさPSを大きくする （ｃ） 印加電圧を高くする の方法がある。しかし、印加電圧はLSIで駆動するの
で、出来るだけ低いほうが望ましいので、現実的には粘
度ηを小さくするか、自発分極の大きさPSの値を大きく
する必要がある。
は （ただし、Ｅは電界強度である。） の関係が存在する。したがって、応答速度を速くするに
は、 （ａ） 粘度ηを小さくする （ｂ） 自発分極の大きさPSを大きくする （ｃ） 印加電圧を高くする の方法がある。しかし、印加電圧はLSIで駆動するの
で、出来るだけ低いほうが望ましいので、現実的には粘
度ηを小さくするか、自発分極の大きさPSの値を大きく
する必要がある。
一般的には自発分極の大きい強誘電性カイラルスメク
チック液晶化合物においては、粘度は大きくなる傾向に
ある。したがって、いたずらに自発分極を大きくして
も、それにつれて粘度も高くなり、結果的には、応答速
度はあまり速くならないことが考えられる。
チック液晶化合物においては、粘度は大きくなる傾向に
ある。したがって、いたずらに自発分極を大きくして
も、それにつれて粘度も高くなり、結果的には、応答速
度はあまり速くならないことが考えられる。
以上述べたように、SC ＊相の光スイッチング効果を応
用して応用速度の速い素子を得るためには、粘度の低い
強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が要求され
る。
用して応用速度の速い素子を得るためには、粘度の低い
強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が要求され
る。
強誘電性液晶組成物の構成としては、カイラルスメク
チック液晶化合物だけから成る場合と、スメクチックＣ
液晶組成物に、光学活性な化合物を添加する場合の２通
りが考えられる。後者の場合が安価な液晶組成物を得ら
れる為、すぐれており、その為、高速応答の強誘電性液
晶組成物を得る為には、スメクチックＣ液晶組成物が非
常に低粘性であることが望まれる。
チック液晶化合物だけから成る場合と、スメクチックＣ
液晶組成物に、光学活性な化合物を添加する場合の２通
りが考えられる。後者の場合が安価な液晶組成物を得ら
れる為、すぐれており、その為、高速応答の強誘電性液
晶組成物を得る為には、スメクチックＣ液晶組成物が非
常に低粘性であることが望まれる。
特許文献としては、同一出願人による特開昭62−2231
71号公報および特開昭62−223172号公報がある。何れも
同様の目的のピリジン系液晶化合物であるが、分子構造
を異にしている。
71号公報および特開昭62−223172号公報がある。何れも
同様の目的のピリジン系液晶化合物であるが、分子構造
を異にしている。
本発明者らは、既に特開昭61−195187号公報にて、ス
メクチックＣ相を有し、且つらせん構造をとらない化合
物と、らせん光造をとる強誘電性カイラルスメクチック
液晶化合物とからなる強誘電性液晶組成物の発明を示し
た。
メクチックＣ相を有し、且つらせん構造をとらない化合
物と、らせん光造をとる強誘電性カイラルスメクチック
液晶化合物とからなる強誘電性液晶組成物の発明を示し
た。
該明細書にはらせんピッチは小さいが、自発分極の大
きい強誘電性化合物をらせん構造をとらないスメクチッ
クＣ相を有する液晶組成物と混合すると、自発分極が大
きく、かつらせんピッチが長く、しかも安価な液晶組成
物が得られることが記載されている。
きい強誘電性化合物をらせん構造をとらないスメクチッ
クＣ相を有する液晶組成物と混合すると、自発分極が大
きく、かつらせんピッチが長く、しかも安価な液晶組成
物が得られることが記載されている。
本発明の第１の目的は、低粘性なスメクチックＣ液晶
組成物を提供することにある。
組成物を提供することにある。
また本発明の第２の目的は、該液晶組成物を用いた応
答速度の速い強誘電性液晶組成物およびそれを使用した
光スイッチング素子を提供することにある。
答速度の速い強誘電性液晶組成物およびそれを使用した
光スイッチング素子を提供することにある。
本発明者らは、前記の特開昭61−195187号公報の発明
を更に改良すべく鋭意研究を行った結果、強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶組成物を用いた表示素子の応答速
度を特に速くすることのできるらせん構造をとらない化
合物があることを見い出して本発明を完成した。
を更に改良すべく鋭意研究を行った結果、強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶組成物を用いた表示素子の応答速
度を特に速くすることのできるらせん構造をとらない化
合物があることを見い出して本発明を完成した。
本発明の第１は、一般式（Ｉ） （（Ｉ）式中、R1及びR2は炭素数１〜18のアルキル基を
表し、ｎは１を、ｘはハロゲン原子を示す。） で表わされる化合物と、 （（II）式中、R3及びR4は炭素数１〜18のアルキル基を
表わす。） で表わされる化合物を含んでなるスメクチックＣ液晶組
成物であり、その実施態様は次の通りである。
表し、ｎは１を、ｘはハロゲン原子を示す。） で表わされる化合物と、 （（II）式中、R3及びR4は炭素数１〜18のアルキル基を
表わす。） で表わされる化合物を含んでなるスメクチックＣ液晶組
成物であり、その実施態様は次の通りである。
前記スメクチックＣ液晶組成物と光学活性な化合物を
少なくとも１種含んでなる強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶組成物である。
少なくとも１種含んでなる強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶組成物である。
また、この時、スメクチックＣ液晶組成物の濃度は５
〜95重量％、光学活性な化合物の濃度が95〜５重量％で
ある強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物である。
〜95重量％、光学活性な化合物の濃度が95〜５重量％で
ある強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物である。
以下に示す化合物からなるスメクチックＣ液晶組成物
Ａ の相転移温度は、 である。
Ａ の相転移温度は、 である。
（ここでCrは結晶、ScはスメクチックＣ相、Ｎはネマチ
ック相、ISOは等方性液体を示す。） また、以下に示すピリジン誘導体８種を成分とするス
メクチックＣ液晶組成物Ｂ の相転移温度は、 である。
ック相、ISOは等方性液体を示す。） また、以下に示すピリジン誘導体８種を成分とするス
メクチックＣ液晶組成物Ｂ の相転移温度は、 である。
（ここでCrは結晶、ScはスメクチックＣ相、SAはスメク
チックＡ相、ISOは等方性液体を示す） 前述のスメクチックＣ液晶組成物Ａ及びＢに以下に示
す光学活性な化合物 を、それぞれ20重量％混合して強誘電性カイラルスメク
チック液晶組成物Ａ′、Ｂ′を調製し、その物性値を表
１に示す。
チックＡ相、ISOは等方性液体を示す） 前述のスメクチックＣ液晶組成物Ａ及びＢに以下に示
す光学活性な化合物 を、それぞれ20重量％混合して強誘電性カイラルスメク
チック液晶組成物Ａ′、Ｂ′を調製し、その物性値を表
１に示す。
ここでTcはカイラルスメクチックＣ相（以下Sc ＊相と
称す）からスメクチックＡ相（以下、SA相と称す）に転
移する温度、Tc−Ｔは自発分極の測定温度Ｔとの差であ
る。またこれらの液晶組成物を配向処理を施した電極間
隔が2.0μｍのセルに注入し、室温でピークツーピーク
電圧（以下、Vppと略記する）20Vの矩形波を印加して、
応答速度を測定した。
称す）からスメクチックＡ相（以下、SA相と称す）に転
移する温度、Tc−Ｔは自発分極の測定温度Ｔとの差であ
る。またこれらの液晶組成物を配向処理を施した電極間
隔が2.0μｍのセルに注入し、室温でピークツーピーク
電圧（以下、Vppと略記する）20Vの矩形波を印加して、
応答速度を測定した。
この例から判るようにピリジン環を有する化合物を用
いた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物の応答速
度は非常に速くなることが判った。
いた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物の応答速
度は非常に速くなることが判った。
（なお、詳細な例は実施例にて示す。） このようなSc相を有するピリジン環を持つ代表的な化
合物の例を表２−１、２−２に示す。
合物の例を表２−１、２−２に示す。
〔実施例〕 以下に実施例により本発明を詳述するが、本発明はこ
れらの実施例に限定されるものではない。
れらの実施例に限定されるものではない。
（参考例１） 以下に示したピリジン環を有する化合物からなるスメ
クチックＣ液晶組成物Ｄ を調製した。その相転移温度は、 であった。（ここでS1はスメクチックＩ相かまたはスメ
クチックＦ相である）上記のスメクチックＣ液晶組成物
Ｄに以下の３種の光学活性な化合物からなる組成物Ｅ を30重量％混合して強誘電性カイラルスメクチック液晶
組成物Ｄ′を調製した。
クチックＣ液晶組成物Ｄ を調製した。その相転移温度は、 であった。（ここでS1はスメクチックＩ相かまたはスメ
クチックＦ相である）上記のスメクチックＣ液晶組成物
Ｄに以下の３種の光学活性な化合物からなる組成物Ｅ を30重量％混合して強誘電性カイラルスメクチック液晶
組成物Ｄ′を調製した。
この組成物Ｄ′のSc ＊相の温度範囲、自発分極の大き
さ、傾き角および粘度は表３に示す値であった。また、
この組成物を配向処理を施した電極間隔が2.0μｍのセ
ルに注入し、Tc−Ｔ＝20度で、Vppが20Vの矩形波交流
（50Hz）を印加し液晶セルの応答速度を測定し、応答時
間を表３に示した。
さ、傾き角および粘度は表３に示す値であった。また、
この組成物を配向処理を施した電極間隔が2.0μｍのセ
ルに注入し、Tc−Ｔ＝20度で、Vppが20Vの矩形波交流
（50Hz）を印加し液晶セルの応答速度を測定し、応答時
間を表３に示した。
（比較例１） 以下のエステル結合を有する化合物からなるスメクチ
ックＣ液晶組成物Ｆ を調製し、その相転移温度は、 であった。
ックＣ液晶組成物Ｆ を調製し、その相転移温度は、 であった。
上記のスメクチックＣ液晶組成物Ｆに参考例１と同様
の光学活性な化合物からなる組成物Ｅを30重量％加え
て、強誘電性カイラルスメクチックＣ液晶組成物Ｆ′を
調製した。
の光学活性な化合物からなる組成物Ｅを30重量％加え
て、強誘電性カイラルスメクチックＣ液晶組成物Ｆ′を
調製した。
この組成物Ｆ′の物性値を参考例１と同様な方法で測
定し、その結果を表３に示し、参考例１と比較した。
定し、その結果を表３に示し、参考例１と比較した。
PSの血を比較すると、ピリジン環を有する化合物を用
いた参考例１は比較例１よりも小さいにもかかわらず、
応答速度は約1/2である。このことより、参考例１の粘
度は比較例１に比べて約1/3になっていることがわか
る。
いた参考例１は比較例１よりも小さいにもかかわらず、
応答速度は約1/2である。このことより、参考例１の粘
度は比較例１に比べて約1/3になっていることがわか
る。
つまりスメクチックＣ液晶組成物のちがいによって、
粘度の大きさに差が生じ、ピリジン環を有する化合物か
らなるスメクチックＣ液晶組成物は非常に低粘性であ
り、それを使用することにより応答速度の速い強誘電性
液晶組成物を得ることができる。
粘度の大きさに差が生じ、ピリジン環を有する化合物か
らなるスメクチックＣ液晶組成物は非常に低粘性であ
り、それを使用することにより応答速度の速い強誘電性
液晶組成物を得ることができる。
このようにピリジン誘導体からなる組成物はエステル
結合を含む化合物からなる組成物に比べてすぐれた組成
物であることがわかる。
結合を含む化合物からなる組成物に比べてすぐれた組成
物であることがわかる。
（参考例２および比較例２） 実施例２としてSc相を有するピリジン誘導体５種を含
む表4Aに示すカイラルスメクチック液晶組成物を調製し
た。
む表4Aに示すカイラルスメクチック液晶組成物を調製し
た。
これらの組成物の物性と該組成物を用いて実施例１と
同様に作成した液晶セルの特性とを実施例１に準じて測
定し、その結果を表4Cに示す。
同様に作成した液晶セルの特性とを実施例１に準じて測
定し、その結果を表4Cに示す。
比較例２として、表4Bに示す、エステル結合を含む化
合物からなるカイラルスメクチック液晶組成物を調製し
た。該組成物の物性と、該組成物を用いて、参考例１と
同様に作成した液晶セルの特性を表4Cに示す。
合物からなるカイラルスメクチック液晶組成物を調製し
た。該組成物の物性と、該組成物を用いて、参考例１と
同様に作成した液晶セルの特性を表4Cに示す。
参考例２と比較例２を比較すると、自発分極に関して
は実施例に比べて比較例が1.6倍大きいにもかかわら
ず、応答速度は参考例２の方が速い。これは粘度の差に
帰因する。すなわち、ピリジン環を有する化合物を用い
た組成物は比較例２に比べて良い特性を持った組成物で
あることが判る。
は実施例に比べて比較例が1.6倍大きいにもかかわら
ず、応答速度は参考例２の方が速い。これは粘度の差に
帰因する。すなわち、ピリジン環を有する化合物を用い
た組成物は比較例２に比べて良い特性を持った組成物で
あることが判る。
（実施例１および比較例３） 実施例１として表5Aに示す組成物を、比較例３として
表5Bに示す組成物をそれぞれ調製し、それらの物性なら
びに液晶セルの特性を測定した。結果を表5Cに示す。
表5Bに示す組成物をそれぞれ調製し、それらの物性なら
びに液晶セルの特性を測定した。結果を表5Cに示す。
表5Cに示した応答速度は表5Aおよび表5Bの組成物100
重量部にアントラキノン系２色性色素Ｄ−16（BDH社
製）をそれぞれ１重量部添加して測定を行なった。２色
性色素を添加したゲストホスト型でも、粘度が非常に改
善された結果、応答速度が著しく速くなることが判る。
重量部にアントラキノン系２色性色素Ｄ−16（BDH社
製）をそれぞれ１重量部添加して測定を行なった。２色
性色素を添加したゲストホスト型でも、粘度が非常に改
善された結果、応答速度が著しく速くなることが判る。
（実施例２） 下記のピリジン誘導体混合物 を60重量部に２種の光学活性な化合物 をそれぞれ20重量部添加した強誘電性カイラルスメク
チック液晶組成物のSc ＊→SAは53.2℃であり、室温（25
℃）での自発分極値PSは5.9nC/cm2であった。
チック液晶組成物のSc ＊→SAは53.2℃であり、室温（25
℃）での自発分極値PSは5.9nC/cm2であった。
この組成物を用いて参考例１に準じて作成した液晶表
示素子の応答時間（25℃）は120μsecであった。
示素子の応答時間（25℃）は120μsecであった。
これは従来知られている強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶組成物（たとえば、比較例２、３など）に比べ
て、PSが小さいにもかかわらず、応答速度は著しく改善
されている。このように、高価な光学活性な化合物を少
量添加しただけで、すぐれた強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物を得ることは工業的に極めて重要なこと
である。
ク液晶組成物（たとえば、比較例２、３など）に比べ
て、PSが小さいにもかかわらず、応答速度は著しく改善
されている。このように、高価な光学活性な化合物を少
量添加しただけで、すぐれた強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物を得ることは工業的に極めて重要なこと
である。
一般式（Ｉ）（II）で示される化合物を少なくとも一
種含むスメクチックＣ組成物と光学活性な化合物を少な
くとも１種とからなる強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物は以下に述べる利点が得られる。
種含むスメクチックＣ組成物と光学活性な化合物を少な
くとも１種とからなる強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物は以下に述べる利点が得られる。
（ア） 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物の粘
度を非常に小さくすることができ、応答速度の速い光ス
イッチング素子を得ることができる。
度を非常に小さくすることができ、応答速度の速い光ス
イッチング素子を得ることができる。
（イ） 一般に光学活性アルコール類は高価であり、従
ってこれを原料とする強誘電性カイラルスメクチック液
晶化合物は高価である。この高価な強誘電性カイラルス
メクチック液晶化合物の使用量を少量にすることがで
き、比較的安価に強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が得られ、従って安価に高速応答の光スイッチング
素子が得られる。
ってこれを原料とする強誘電性カイラルスメクチック液
晶化合物は高価である。この高価な強誘電性カイラルス
メクチック液晶化合物の使用量を少量にすることがで
き、比較的安価に強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が得られ、従って安価に高速応答の光スイッチング
素子が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−223171（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−223172（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−137983（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 19/42 C09K 19/34
Claims (4)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） （（Ｉ）式中、R1及びR2は炭素数１〜18のアルキル基を
表わし、ｎは１を、Ｘはハロゲン原子を示す。） で表わされる化合物と （（II）式中、R3及びR4は炭素数１〜18のアルキル基を
表わす。） で表わされる化合物を含んでなるスメクチックＣ液晶組
成物。 - 【請求項２】請求項１記載のスメクチックＣ液晶組成物
と光学活性な化合物を少なくとも１種含んでなる強誘電
性カイラルスメクチック液晶組成物。 - 【請求項３】請求項２記載のスメクチック液晶組成物の
濃度が５〜95重量％、光学活性な化合物の濃度が95〜５
重量％である強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物。 - 【請求項４】請求項２記載の強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物を使用した液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287791A JP2752111B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | スメクチック液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287791A JP2752111B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | スメクチック液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135278A JPH02135278A (ja) | 1990-05-24 |
| JP2752111B2 true JP2752111B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17721793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63287791A Expired - Lifetime JP2752111B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | スメクチック液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752111B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0481818A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JP4963863B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-06-27 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 新規化合物及び該化合物を含有してなる液晶組成物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0739392B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1995-05-01 | チッソ株式会社 | 含ハロゲンピリジン液晶化合物及び液晶組成物 |
| JPH0739393B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1995-05-01 | チッソ株式会社 | ２−（４′−アルコキシフエニル）−５−アルキルピリジン |
| JPS63137983A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Chisso Corp | ゲストホスト型表示素子用強誘電性液晶混合物 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP63287791A patent/JP2752111B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02135278A (ja) | 1990-05-24 |
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