JP3079762B2 - 強誘電性液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は強誘電性スメクチック液
晶組成物および該組成物を用いる液晶素子に関する。さ
らに詳しくは、メモリー性の良好な強誘電性液晶組成物
およびそれを用いる液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶の最大の特色は高速の光学
応答とメモリー性であり、この二つの特質を利用してＴ
Ｎ型液晶素子ではなし得なかったような、大容量かつ高
密度の表示が実現できるものとして期待されている。強
誘電性液晶の特徴であるメモリー性の発現は、液晶素子
の時分割駆動を実現するための必須要件である。しか
し、現在一般に知られている強誘電性液晶材料を使用し
てメモリー性を有する液晶素子を得るためには、セルギ
ャップが２μｍ以下の非常に薄いセルによらねばならな
い。現在ＴＮ型液晶素子で実用化されている最も薄いセ
ルギャップは５μｍ程度である。非常に薄いセルでは電
極間の短絡の可能性が大きいことや厚みむらの発生によ
り製造上の歩留まりが低下することを考慮すると、非常
に薄いセルを量産することは極めて困難と考えられる。
また、ゲスト・ホストモードの強誘電性液晶素子ではセ
ル厚が大きい程コントラスト比が大きくなるので、薄い
セルの量産化が困難であることを併せて考えれば、セル
厚の大きな液晶素子においてもメモリー性を発現できる
強誘電性液晶材料が切望される。強誘電性液晶素子にお
けるメモリー性の発現は液晶材料のチルト角に関係し、
チルト角が３０゜以上であれば良好なメモリー性が得ら
れることが、特開昭６２ー１５９１１８号公報に記載さ
れている。

【０００３】しかし、材料特性としてチルト角を特定し
ただけでは必ずしも良好なメモリー性を発現し得ないこ
とを経験していた発明者らは、液晶材料のその他の特性
をも考慮して、現在ＴＮ型液晶素子に用いられている程
度の厚さのセルにおいても良好なメモリー性を示す強誘
電性液晶材料の探索を続けた。その結果、特定の二種の
成分をその合計含量として全体の６０モル％以上含有
し、室温における自発分極およびチルト角がそれぞれ６
０nC/cm²以上および２４゜以上である強誘電性スメクチ
ックＣ液晶組成物が、セル厚１０μmのセルで十分に良
いメモリー性を発現することを発明者等は既に見いだし
ている（特開平１ー２５６５９０参照）。しかし、前記
の特開昭６２ー１５９１１８は強誘電性液晶の応答速度
には触れておらず、また特開平１ー２５６５９０に記載
の強誘電性組成物の応答速度にも改善が望まれる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述したことから明ら
かなように本発明の目的は、セルギャップが約５μmよ
りも大きい液晶素子においても良好なるメモリー性と高
速応答性とを示す強誘電性スメクチックＣ液晶組成物を
提供することにある。

【課題を解決するための手段】強誘電性液晶を用いた液
晶素子のメモリー性に大きな影響を与える、強誘電性ス
メクチックＣ液晶材料の特性として、本発明者等はその
自発分極の大きさ（以下、Ｐｓと略記することがある）
とチルト角（以下θと略記することがある）の大きさに
着目して研究を重ねた結果、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明の第一は下記の第（１）項に記載される強誘
電性液晶組成物であり、その態様は第（２）項ないし第
（７）項に示される。本発明の第二は後記の第（８）項
に記載される液晶表示素子である。

【０００５】（１） 後記の式（Ｉ）で表される化合物
の少なくとも１つからなる第一成分、式（II）で表され
る化合物の少なくとも１つからなる第二成分、および式
（III）で表される化合物の少なくとも１つからなる第
三成分とからなり、第一成分を全体の１０ー４０重量％
含有し、第一ないし第三の成分を合計で全体の少なくと
も６０重量パーセント含有し、室温における自発分極お
よびチルト角がそれぞれ６０nC/cm²以上および２４゜以
上である強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。

【０００６】

【化２】

【０００７】ただし、式（Ｉ）において、Ｒは炭素数１
ー１８のアルキル基またはアルコキシ基を、ｎは１ー１
８の整数をそれぞれ示し、＊は不整炭素原子を意味し、
式（II）において、Ａは−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−
を示し 、ＸおよびＹはＨ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＮを示
すが、ともにＨであることはなく、ｌおよびｍはそれぞ
れ０または１の整数を示すがともに１であることはな
く、ｎは２ー１８の整数を示し、Ｒは前記した意味を持
ち、式（III）において、Ｂは−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−を示し、Ｒ、ｌおよ
びｍはそれぞれ前記した意味を持ち、ｎは２ー１８の整
数を示す。 （２） 前記の第（１）項において、第一成分が式
（Ｉ）におけるＲが炭素数５ー１２のアルキル基または
アルコキシ基であり、ｎが２ー１０の整数である化合物
からなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。 （３） 前記の第（１）項において、第二成分が式（I
I）におけるＲが炭素数５ー１２のアルキル基またはア
ルコキシ基であり、ｎが２ー１０の整数である化合物か
らなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。 （４） 前記の第（１）項において、第三成分が式（II
I）におけるＲが炭素数５ー１２のアルキル基またはア
ルコキシ基であり、ｎが２ー１０の整数である化合物か
らなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。 （５） 前記の第（１）項において、第一ないし第三の
成分がそれぞれ式（Ｉ）ないし式（III）におけるＲが
炭素数５ー１２のアルキル基またはアルコキシ基であ
り、ｎが３ー８の整数である化合物からなる、強誘電性
スメクチックＣ液晶組成物。 （６） 前記の第（１）項において、第一成分が式
（Ｉ）におけるｎが６または８である化合物からなり、
第二成分および第三成分がそれぞれ式（II）および式
（III）におけるｎが３または６である化合物からな
る、強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。 （７） 前記の第（１）項において、第一成分が式
（Ｉ）におけるＲが炭素数５ー１２の直鎖のアルキル基
またはアルコキシ基でありｎが６または８である化合物
からなり、第二成分および第三成分がそれぞれ式（II）
および式（III）におけるＲが炭素数５ー１２の直鎖の
アルキル基またはアルコキシ基でありｎが３または６で
ある化合物からなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成
物。 （８） 前記の第（１）項ないし第（７）項のいずれか
一項に記載の強誘電性スメクチックＣ液晶組成物を用い
ることを特徴とする液晶表示素子。

【０００８】本発明において第一成分として好ましく用
いられる式（Ｉ）の化合物を例示すると以下の化合物
（Ａ１）ないし化合物（Ａ１９）等を挙げることができ
る。

【０００９】

【化３】

【００１０】

【化４】

【００１１】式（Ｉ）で表される光学活性化合物は、不
整炭素原子に大きな双極子モーメントを有するフッ素原
子が結合しているので大きなＰｓの値を有し、高速応答
を可能ならしめる重要な役割をはたしている。その中で
も光学活性基として

【化５】 を持つ化合物が特に好ましい。これらの光学活性化合物
は特開昭６３ー１９０８４２、特開昭６３ー２２０４２
および特開昭６３ー２１６８７８により開示されてい
る。本発明において第二成分として好ましく用いられる
式（II）の化合物を例示すると以下の化合物（Ｂ１）な
いし化合物（Ｂ１２）等を挙げることができる。

【００１２】

【化６】

【００１３】

【化７】

【００１４】式（II）で表される化合物はやはり大きな
Ｐｓの値を有する。特に光学活性基の結合するベンゼン
環のオルト位に−ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ等の極性置換基を有す
るものが大きなＰｓを示すことが知られており、それら
は第二成分として好ましく用いられる。これらの光学活
性化合物は特開昭６１ー４３、特開昭６１ー２１００５
６、および特開昭６３ー４８２５４に開示されている。
本発明において第三成分として好ましく用いられる式
（III）で表される化合物を例示すると以下の化合物
（Ｃ１）ないし化合物（Ｃ１３）等を挙げることができ
る。

【００１５】

【化８】

【００１６】

【化９】

【００１７】式（III）で表される化合物は、式（II）
で表される化合物ほどには大きくないがやはり大きなＰ
ｓの値を持っている。式（II）のカイラルスメクチック
Ｃ液晶化合物には、カイラルスメクチックＣ相（以下Ｓ
Ｃ＊相と略記する）の上限温度がやや低い物が多いのに
比べると、式（III）の化合物はＳＣ＊相上限温度が高
く、得られる液晶組成物のＳＣ＊相上限を高温側に拡げ
るために式（III）の化合物は必要である。また、式（I
II）で表される化合物は、得られる組成物のチルト角を
目的の値に調整する際の成分化合物として有用である。
これらの化合物の中でも、やはり１ーメチルヘプチルオ
キシ基を光学活性基として持つ化合物が特に好ましく用
いられる。これらの光学活性化合物は特開昭６１ー４３
号、および特開昭６１ー６３６３３号の各公報に開示さ
れている。本発明の組成物には発明の目的を損なわない
範囲でその他の成分を混合して用いることができる。そ
れらの化合物としてはスメクチックＣ相（以下ＳＣ相と
略記する）を有する比較的低粘性の物や、ＳＣ＊相の低
温領域を拡張する目的のために、従来から強誘電性スメ
クチックＣ液晶材料の成分としてその効果を知られてい
る化合物等が好ましく用いられる。本発明において、そ
の他の成分として好ましく用いられる化合物として以下
の化合物（Ｄ１）ないし化合物（Ｄ１１）を挙げること
ができる。

【００１８】

【化１０】

【００１９】強誘電性スメクチックＣ液晶の混合におい
て知られているＰｓならびにチルト角の値についての加
成性は、本発明の組成物についても成立する。例えば、
Ｐｓが１００nC/cm²の化合物と２０nC/cm²の化合物との
等量混合物のＰｓは概ね６０nC/cm²となり、チルト角が
３５゜の化合物と２５゜の化合物とを等量混合するとチ
ルト角が略々３０゜の混合物が得られる。従って、組成
物のＰｓ値を６０nC/cm²以上にするためには構成成分化
合物の個々のＰｓ値に基づいてＰｓが６０nC/cm²以上の
成分の混合割合を高めるなどして混合比を決定すればよ
いし、また、チルト角を２４゜以上にするためにも同様
に成分化合物のチルト角に基づいてチルト角の大きな成
分の混合割合を高めるなどして混合比を決定すればよ
い。ただし、Ｐｓには正と負の極性があり、極性の異な
るＰｓ値を持つ強誘電性液晶同志の混合においてはＰｓ
値は互いに打ち消し合う。例えば、極性が正で５０nC/c
m²のＰｓ値を有する化合物と負の５０nC/cm²のＰｓ値を
有する化合物とを等量混合すると、得られる組成物のＰ
ｓ値は略々０となるので、混合に際しては、同じ極性の
Ｐｓを持つ物同志を構成成分とするようにすればＰｓの
大きな組成物を容易に得ることができる。先に具体的に
例示した式（Ｉ）、式（II）および式（III）で表され
る化合物について、そのＳＣ＊相上限温度（Ｔｃと略記
する）よりも１０℃もしくは２０℃低い温度（Ｔと略記
する）において測定したＰｓおよびチルト角の値を表１
に示す。

【００２０】

【表１】

【００２１】表１において、（※１）はＳＣ＊相温度レ
ンジが２０℃未満のため、（※２）はＳＣ＊相を持たな
いため、（※３）はＳＣ＊相温度レンジが１０℃未満の
ためにそれぞれ測定値がない。前記の式（Ｉ）、式（I
I）および式（III）にて表される化合物でＳＣ＊相をま
ったく有さない光学活性化合物については、ＳＣ相をし
めす液晶化合物との混合物としてそのＰｓおよびチルト
角の大きさを測定しておき、該混合物を一つの強誘電性
スメクチックＣ液晶として取り扱うことにより本発明の
成分として用いることができる。以下に本発明の基礎と
なった試験結果を示して、本発明をさらに詳しく説明す
る。試験は特記しない限りつぎの条件で行った。 使用
したセルは１cm²のＩＴＯ透明電極を持つ一対のガラス
基板にポリビニルアルコールを塗布し、アンチパラレル
ラビングを施したセルギャップ１０μmの物である。こ
のセルに等方性液体とした液晶組成物を注入し、徐冷し
て配向させて得られた液晶素子に２５℃で図１のｄに示
す波形のパルスを印加し、直交ニコル下における透過光
強度の時間的変化を観測した。透過光強度の観測結果は
ほぼ三種類の典型に分類でき、それらは図１のａ、ｂお
よびｃの応答波形で示される。図１のａが最もメモリー
性がよい結果を示し、ｂ、ｃの順にメモリー性は低下し
てゆく。試験結果におけるメモリー性の良否はこの三種
類に分けてａ、ｂまたはｃによって表わす。１５種類の
強誘電性スメクチックＣ液晶組成物を調製し、その電気
光学応答を調べた。組成物の組成を重量部にて以下に示
し、組成物の相転移温度を表２に、また、電気光学応答
を表３にそれぞれ示す。

【００２２】組成物 １ Ａ１、Ｂ１、Ｂ４、Ｃ１、
およびＤ２の等量混合物 組成物 ２ Ａ２、Ａ４、Ｂ３、Ｂ６、Ｃ４、Ｄ７、
およびＤ１１の等量混合物 組成物 ３ 組成物２（８０）とＤ１１（２０）の混
合物 組成物 ４ Ａ２（５）、Ｂ２（１２）、Ｂ４（１
２）、Ｃ２（１２）、Ｃ３（１２）、Ｄ４（２０）およ
びＤ７（２０）の混合物 組成物 ５ Ａ４（３５）、Ｂ２（１３）、Ｂ５（１
３）、Ｃ１（１３）、Ｄ４（１３）、およびＤ１０（１
３）の混合物 組成物 ６ Ａ８（４０）、Ｂ８（１２）、Ｃ６（１
２）、Ｄ４（１２）、Ｄ５（１２）、およびＤ８（１
２）の混合物 組成物 ７ Ａ７（４０）、Ｂ２（１２）、Ｂ３（１
２）、Ｂ４（１２）、Ｃ１（１２）、およびＣ７（１
２）の混合物 組成物 ８ Ａ１（１０）、Ｂ３（１８）、Ｂ５（１
８）、Ｃ１（１８）、Ｄ４（１８）、およびＤ５（１
８）の混合物 組成物 ９ Ａ３（５）、Ｂ７（１９）、Ｃ７（１
９）、Ｃ１１（１９）、Ｄ３（１９）、およびＤ８（１
９）の混合物 組成物１０ Ａ５（２０）、Ｂ７（３５）、Ｄ１（１
５）、Ｄ２（１５）、およびＤ３（１５）の混合物 組成物１１ Ｂ２、Ｂ４、Ｃ１、Ｃ４、Ｃ５、および
Ｄ１０の等量混合物 組成物１２ Ｂ２、Ｂ４、Ｃ１、Ｃ３、Ｄ２、および
Ｄ３の等量混合物 組成物１３ Ｂ１、Ｂ６、Ｃ２、Ｃ６、Ｄ５、および
Ｄ７の等量混合物 組成物１４ Ｂ３、Ｂ８、Ｃ３、Ｃ５、Ｄ３、および
Ｄ１１の等量混合物 組成物１５ Ｂ２（１３）、Ｂ３（１３）、Ｃ４（１
３）、Ｃ７（１３）、Ｄ２（６）、Ｄ３（６）、Ｄ４
（６）、Ｄ５（６）、Ｄ７（６）、Ｄ１０（６）、およ
びＤ１１（６）の混合物 上表で括弧内の数字はその前に記載した化合物成分の含
有される割合を重量部にて示すものである。

【００２３】

【表２】

【００２４】表２においてＣ、Ｓ３、ＳＣ＊、ＳＡ、Ｎ
＊、およびＩはそれぞれ結晶相、未確認スメクチック
相、カイラルスメクチックＣ相、スメクチックＡ相、コ
レステリック相、および等方性液相をそれぞれ示し、・
印および−印はその上に記載される相の存在および不在
を示す。また、数字は相転移温度をセ氏にて示し、括弧
内の数字は単変性相転移温度を示す。

【００２５】

【表３】

【００２６】表２と表３の試験結果はつぎのことを示し
ている。 （１）良好なメモリー性と高速応答性を得る条件として 式（Ｉ）の化合物、式（II）の化合物および式（II
I）の化合物をそれぞれ一つ以上含み、その含有量の合
計が全体の概ね６０重量％以上であって、かつ、式
（Ｉ）の化合物の含有量が概ね１０ー４０重量％であ
り、 室温（２５℃）における自発分極の大きさが６０nC
/cm²以上であり、 室温（２５℃）におけるチルト角が２４゜より大き
い、強誘電性液晶組成物であることが必要である。 （２）チルト角が大きい（３０゜以上）というだけでは
必ずしも良好なメモリー性は得られない（組成物３、組
成物１２、および組成物１５）。 （３）しかし、チルト角が２４゜未満では、式（Ｉ）の
化合物、式（II）の化合物および式（III）の化合物の
成分合計量が６０重量％以上で、かつ、室温における自
発分極が６０nC/cm²以上であってもメモリー性の悪い物
がある（組成物６および組成物１３）。 （４）式（Ｉ）、（II）および（III）の化合物の合計
含量が６０重量％以上で、チルト角が２４゜以上あって
もその自発分極が６０nC/cm²未満ではメモリー性は良好
でない。（組成物８および組成物１２） （５）組成物のＰｓおよびチルト角がそれぞれ６０nC/c
m²以上および２４゜以上であっても式（Ｉ）ないし式
（III）の化合物成分の合計含量が６０重量％未満では
メモリー性は良くない（組成物３、組成物４、組成物１
０、及び組成物１５）。 （６）さらに、式（Ｉ）の化合物の含有量が１０重量％
未満では、メモリー性が良好であっても応答速度が小さ
い（組成物９、組成物１１および組成物１４）。 （７）応答時間３００μsecを得るためには式（Ｉ）の
成分が１０％以上必要であるが、式（Ｉ）の成分が４０
％を越えると応答が遅くなることがしばしば生じるので
第一成分の含量は組成物全体の１０ー４０％が適当であ
る。応答速度から考慮すると第一成分が３０ー４０％で
あることがより好ましい。

【００２７】組成物６は試験に供した中では最もチルト
角の小さい物である。チルト角が小さいと液晶の弾性的
性質からツイスト配列をすることが理論的に予想されて
いるが（ジャパニース、ジャーナル、オブ、アプライ
ド、フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．）２５巻、Ｌ２７（１９８６））、ツイスト配列は
メモリー状態の悪い配列と考えても良いので、チルト角
の小さな組成物６のメモリー性が劣るという結果はその
報告と矛盾しない。本発明においてはチルト角が２３．
５゜以下では良好なメモリー性が得られていない。一
方、チルト角が３４．７゜と最も大きな結果を示した組
成物３のメモリー性、およびＰｓが最も大きな結果を示
した組成物５のメモリー性がともに劣ることから、チル
ト角とＰｓ以外にもメモリー性に影響する因子が存在す
ることが分かる。試験結果からメモリー性には主として
第一ないし第三の成分の合計含量が、メモリー性を伴う
高速応答性には主として第一成分の含量がそれぞれ重要
な関係を持っていることが判る。また、メモリー性の発
現には光学活性基として１ーメチルアルキルオキシ基を
持つ化合物がメモリー性を伴う高速応答性の発現には２
ーフルオロアルキルオキシ基を光学活性基として有する
化合物が極めて有用であることが判明した。

【００２８】本発明の強誘電性スメクチックＣ液晶組成
物をゲスト・ホスト用液晶素子に使用する場合には、チ
ルト角が大きい組成物を用いればよく、また複屈折型表
示素子に使用する場合には、メモリー性の発現する範囲
内でチルト角をできるだけ小さく調製した組成物を用い
れば良い。すなわち、本発明の組成物は複屈折モード、
ゲスト・ホストモードのいずれにおいても使用すること
ができる。また、本発明の強誘電性スメクチックＣ液晶
組成物は、セルギャップが２μｍ程度に薄いセルにおい
ても良好なメモリー性を示すことは言うまでもない。な
お、前記の試験において開示された組成物にはＳＣ＊相
温度領域が比較的狭い物がある。しかし、構成成分とし
て互いに近接した同族体化合物を用いて構成成分の数を
多くすることにより、融点を降下させることができる
し、また、見かけの分子鎖長の差の小さい化合物を成分
として構成することにより、ＳＣ＊相上限温度の低下を
抑制することができ（特開昭６１ー１９０５８５参
照）、またＳＣ相の上限温度の高い化合物の混合割合を
大きくすることにより、ＳＣ＊相領域を高温側へ拡張す
ることもできる。これらのすでに知られている技術を併
用することにより実用に適したＳＣ＊相温度領域を持
ち、メモリー性のよい、高速応答性を備えた、強誘電性
液晶素子を調製することができる。

【００２９】

【実施例】以下に、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される物で
はない。実施例、ならびに先に述べた試験において、Ｐ
ｓの値はソーヤー・タワー法により求め、チルト角は偏
光顕微鏡を用いて印加電圧の極性を反転させたときの消
光位の変化から求めた。また、光学応答はフォトマルを
陰極線オシロスコープに組み合わせて観測した。実施例
における組成は重量％で表される。また、相転移温度は
相を表す略記号の間にセ氏温度を示す数字を記して示
す。

【００３０】実施例１ 先に第一ないし第三成分の化合物として、またその他の
成分の化合物として例示した物の中から、それぞれ１つ
の化合物を成分とする以下の液晶組成物１６を調製し
た。 組成物１６ 化合物 Ａ７ ２０％ 化合物 Ｂ１ ３０％ 化合物 Ｃ２ ４０％ 化合物 Ｄ７ １０％ この液晶組成物の相転移温度は Ｃ １０ ＳＣ＊ ６９．５ ＳＡ ８７．３〜９０．
９ Ｉ であった。また、２５℃で測定したＰｓおよびチルト角
はそれぞれ、８２nC/cm²および２８°であった。酸化錫
を含む酸化インジウム膜からなる透明電極（ＩＴＯ透明
電極）を設けたガラス基板にポリビニルアルコールを塗
布し、アンチパラレルラビングを施した、セルセルギャ
ップ１０μmのセルに組成物１６を封入し、強誘電性液
晶素子を作成した。この素子に図１のｄに示すような交
番矩形波電圧を印加し、直交ニコル下に複屈折モードで
の透過光強度を測定したところ、図１ａに示すような透
過光強度変化が観測され、良好なメモリー性が示され
た。この液晶素子に電界強度が±１０Ｖ／μmになるよ
うに交番矩形波電圧を印加し、そのパルス幅を変えて、
メモリースイッチングをする最小のパルス幅を求めたと
ころ、６５μsecの非常に短いパルス幅で充分なメモリ
ー性のある光学応答が示された。また、この強誘電性液
晶素子に１００Hz、±１０Ｖ／μmなる矩形波を印加し
たところ、直交ニコル下に複屈折モードでのスイッチン
グ動作が観察され、応答時間は２５℃で２００μsecで
あった。

【００３１】実施例２ １つの第一成分化合物、２つの第二成分化合物、１つの
第三成分化合物、および２つのその他の成分化合物から
なる組成物５を調製した。 組成物 ５ 化合物 Ａ４ ３５％ 化合物 Ｂ２ １３％ 化合物 Ｂ５ １３％ 化合物 Ｃ１ １３％ 化合物 Ｄ４ １３％ 化合物 Ｄ１０ １３％ この組成物の相転移温度、Ｐｓおよびチルト角の大きさ
は表２、および表３に示す。この組成物５の９７部に二
色性色素染料として以下の式で表されるアントラキノン
系色素（ＢＤＨ社製Ｄ−１６）３部を加えてゲスト・ホ
スト型表示用組成物とした。この組成物を実施例１で使
用した物と同じセルに封入し、１枚の偏光子の偏光面が
液晶分子長軸に平行になるように配置して、２５℃での
電界強度が±１０Ｖ／μmとなるようにパルス幅１００
μsecの交番矩系波電圧を印加したところ、メモリー性
ならびにコントラストの非常に良好なスイッチング現象
が観察され、２５℃における応答時間が１６５μsec
と、極めて応答の速いカラー液晶表示素子が得られた。

【００３２】

【化１１】

【００３３】

【発明の効果】本発明により、セルギャップが大きい液
晶素子に用いても良好なメモリー性を示す強誘電性スメ
クチックＣ液晶材料が提供され、該液晶材料を用いるこ
とによりメモリー性の良い高速応答の液晶素子が得られ
る。これは、単純マルチプレックス駆動で強誘電性液晶
素子をコントラスト良く駆動できること、素子の製造に
おける歩留まりの向上およびゲスト・ホストモードにお
けるコントラスト比の向上等の利点をもたらすものであ
る。

【図面の簡単な説明】

図１は液晶素子のメモリー性の試験において素子に印加
した交番電圧波形および光学応答波形を模式的に示す図
である。ａは良好なメモリー性を、ｃは貧弱なメモリー
性をそれぞれ示し、ｂはその中間のメモリー性を示す。
ｄは印加電圧波形を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09K 19/34 C09K 19/42 - 19/46

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 後記の式（Ｉ）で表される化合物の少な
   くとも１つからなる第一成分、式（II）で表される化合
   物の少なくとも１つからなる第二成分、および式（II
   I）で表される化合物の少なくとも１つからなる第三成
   分とからなり、第一成分を全体の１０ー４０重量％含有
   し、第一ないし第三の成分を合計で全体の少なくとも６
   ０重量パーセント含有し、室温における自発分極および
   チルト角がそれぞれ６０nC/cm²以上および２４゜以上で
   ある強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。 【化１】 ただし、式（Ｉ）において、Ｒは炭素数１ー１８のアル
   キル基またはアルコキシ基を、ｎは１ー１８の整数をそ
   れぞれ示し、＊は不整炭素原子を意味し、式（II）にお
   いて、Ａは−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−を示し 、Ｘ
   およびＹはＨ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＮを示すが、ともに
   Ｈであることはなく、ｌおよびｍはそれぞれ０または１
   の整数を示すがともに１であることはなく、ｎは２ー１
   ８の整数を示し、Ｒは前記した意味を持ち、式（III）
   において、Ｂは−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂Ｏ−
   または−ＯＣＨ₂−を示し、Ｒ、ｌおよびｍはそれぞれ
   前記した意味を持ち、ｎは２ー１８の整数を示す。
2. 【請求項２】 「請求項１」において、第一成分が式
   （Ｉ）におけるＲが炭素数５ー１２のアルキル基または
   アルコキシ基であり、ｎが２ー１０の整数である化合物
   からなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。
3. 【請求項３】 「請求項１」において、第二成分が式
   （II）におけるＲが炭素数５ー１２のアルキル基または
   アルコキシ基であり、ｎが２ー１０の整数である化合物
   からなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。
4. 【請求項４】 「請求項１」において、第三成分が式
   （III）におけるＲが炭素数５ー１２のアルキル基また
   はアルコキシ基であり、ｎが２ー１０の整数である化合
   物からなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成物。
5. 【請求項５】 「請求項１」において、第一ないし第三
   の成分がそれぞれ式（Ｉ）ないし式（III）におけるＲ
   が炭素数５ー１２のアルキル基またはアルコキシ基であ
   り、ｎが３ー８の整数である化合物からなる、強誘電性
   スメクチックＣ液晶組成物。
6. 【請求項６】 「請求項１」において、第一成分が式
   （Ｉ）におけるｎが６または８である化合物からなり、
   第二成分および第三成分がそれぞれ式（II）および（II
   I）におけるｎが３または６である化合物からなる、強
   誘電性スメクチックＣ液晶組成物。
7. 【請求項７】 「請求項１」において、第一成分が式
   （Ｉ）におけるＲが炭素数５ー１２の直鎖のアルキル基
   またはアルコキシ基でありｎが６または８である化合物
   からなり、第二成分および第三成分がそれぞれ式（II）
   および式（III）におけるＲが炭素数５ー１２の直鎖の
   アルキル基またはアルコキシ基でありｎが３または６で
   ある化合物からなる、強誘電性スメクチックＣ液晶組成
   物。
8. 【請求項８】 「請求項１」ないし「請求項７」のいず
   れか一項に記載の強誘電性スメクチックＣ液晶組成物を
   用いることを特徴とする液晶表示素子。