JPS6213485A - 液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気光学表示体に用いて有効な液晶組成物に
関する。

〔発明の概要〕

本発明は液晶組成物に於て、２−フェニルピリジン誘導
体を成分として構成したことにより、ダイナミック駆動
特性を大幅に向上させたものである。

〔従来の技術〕

従来、電気光学効果を用いた表示体には動的散乱効果、
ゲスト−ホスト効果コレステリンク相転移効果及び５ｃ
ｈａａｔ−Ｈｅｌｆｒｉｃｈ効果（ねじれネマチンク効
果）などのネマチンク液晶組成物を用いたものが一般に
知られている。

これらの表示素子材料としての液晶に対して以下の特性
条件が一般に要求される。

■　光、熱、湿度などに対して化学的に安定であること
。

■　室温を中心として広い温度範囲に於てネマチフク相
またはコレステリック相が安定に存在すること。

■　誘電率異方性などをある範囲で調整することができ
、適当々印加電圧により駆動できること。

■　応答速度が速いこと。　　゛ また、ダイナミック駆動により表示できる情報量全多く
するためには、更に以下の特性が要求される。

■　電圧−透過率曲線が、しきい値電圧付近から飽和電
圧付近にかけて急峻であること（以後本文中に於て、急
峻性と略記する。）近年、液晶表示体は、その低消費電
力性に加え表示装置の厚みを薄くできるという長所から
、ＣＲ７表示体に代わるものとして携帯あるいは卓上を
問わず検討が成されている。中でもコンピュータ一端末
あるいはテレビなどの情報機器への応用は盛んである。

これらの分野に於ては一画面に表示される情報量は少な
くとも２００行×５００列、即ち、１ｏ万画素に上る。

従って、ダイナミック駆動によって多くの情報を表示さ
せるためには、液晶材料に前記■の特性が必要となる。

他方テレビなどの情報機器で動画全表示させようとすれ
ば前記■の特性も必要となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来知られている単独の液晶化合物で、
上記の特性を満足するものはない。従って、広いネマチ
ンク液晶温度範囲を得るため、あるいは適当な駆動電圧
を得るため、種々の液晶化合物を混合・調整してネマチ
ンク液晶組成物′ｆＣ得る事が行なわれている。しかし
、これらのもので前記の液晶に要求される特性条件■〜
■を全て十分に満足するものはなく、特に特性条件■を
改良することは困難であった。

本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは前記■〜■全具備し、かつ急峻性を向上させ
ることによりダイナミック駆動を可能にしく条件■）、
加えて応答速度を速くしく条件■）、表示性能に優れた
特性を持つネマチック液晶組成物を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のネマチック液晶組成物は、少なくとも一般式が
下記Ａで表わされる２−フェニルピリジン誘導体の少な
くとも一種から成ること全特徴とする。

Ａ　−−−°−°Ｙ−Ｑ−ｐ−Ｚ 〔式中Ｙ、Ｚは直鎖状のアルキル、アルコキシ。

シア／、２−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシ
ル）エチル、２−（Ｐ−アルキルフェニル）エチルもＬ
＜１ｄ２−（Ｐ−アルコキシフェニル）エチルのいずれ
かを示し、標記アルキルは１〜１２個の炭素原子を有す
る。〕 本発明に於て上記Ｙ　−（Ｇ−９−Ｚ　　で表わされる
ピリジン銹導体（以後本文中に於てＰＲＤと略記する）
は従来の単なるＮｎ液晶及びＮｐｆｉ晶から成るネマチ
ック液晶組成物に添加する事により急峻性を向上させ、
かつ応答速度を向上させるために用いたものであｔ）　
２　ｗｔ％　　未満では効力がなくその含有量は多い程
良い、しかし８０　ｗｔ％　を越えると共晶組成からの
ズレが大きく成り過ぎて凝固点降下の効果が得られず低
温に於て析出するように成るため２重量％〜８０重量％
が望ましい。

また、本発明に於ては適当な駆動電圧を得るために、正
の誘電異方性を有する液晶化合物（以後、本文中に於て
化合物Ｂと略記する。）を含有して成っても良く、Ｎｐ
液晶としては一般式が下記Ｂで表わされる化合物が望ま
しい。

Ｂ・・・・・・馬−ｏ−ｏＯＯ−ｏ−ｃＮＲｚ　　Ｇ−
Ｑ−ｃＮ Ｒ，４ｏ−ｃ　Ｎ Ｒ−■−Ｇ−ＯＮ Ｒ−３−Ｑ−ａＮ 但し Ｒ１は炭素数１〜１０個の直鎖アルキル基。

Ｒ２は　１１〜１２個の Ｒ３は　１１〜１２個の Ｒ４は　Ｉ　１〜１２個の ＲＳは　ｌ　１〜１２個の を各々表わしている。

化合物ＢはＮｐ液晶でありその含有量の多少により閾値
電圧を低くまたは高くできる。閾値電圧が低ければそれ
に比例して液晶駆動用回路の最大定格出力電圧も低くて
済み、安価なＸＣが使えるため有利となる。しかし化合
物Ｂの含有ｉｔ多、・くしすぎると急峻性などの電気光
学特性の性能を低下させたり、あるいは液晶温度範囲を
狭くするなどの好ましくない影響が出る可能性があるの
でこの含有量は過度ンしない方が良い。゛即ち２重蓋チ
から８０重量％が望ましい。

また、本発明に於て広いネマチック液晶温度範囲を得る
ために、下記Ｃで表わされる化合物（Ｊ：ｊ。

下、本文中に於て化合物Ｃと略記する）を含有して成っ
ても良い。

Ｃ・・・・・・Ｒ６−の−ＣＯＯ−◎−Ｒ７Ｒ８−＠−
〇−Ｒ９ Ｒｌａ−ＮソＮ−■−Ｒ１１ Ｒ１ｒ＠＋　ｃ　Ｈ２１■−Ｒ１３ 但し Ｒ６は炭素数１〜１０個の直鎖アルキル基または炭素ａ
１〜１０個の直鎖アルコキシ基または炭素数１〜１０個
の直鎖アシロキシ基。

Ｒ７は　１１〜１０個の　Ｉ　アルキル基。

または　ｌ　１〜１０個の　ｌ　アルコキシ基。

Ｒ８は炭素数１〜１０個の直鎖アルキル基。

Ｒ９は　１１〜１５個の　ｌ または　１１〜１５個の　Ｉアルコキシ基。

ＲＩＯは　１１〜９個の　ｌ　アルキル基。

または　ｌ　１〜１１個の　Ｉ　アルコキシ基。

−１は　１１〜１０個のｌ　アルキル基。

ＲＩ２は　ｌ　１〜１０個のｌ　アルキル基。

ＲｔＳは　１１〜１０個のｌ　アルキル基。

または　ｌ　１〜１０個の　ｌ　アルコキシ基。

０は１．４−ジ置換シクロヘキサン。

または１．４−ジ置換ベンゼン ■はトランス−１，４−ジ置換シクロヘキサン またはトランス−２，５−ジ置換１．３−ジオキサン または２．５−ジ置換ピリミジン を各々表わしている。

化合物Ｃは化合物Ａと全率可溶型の凝固をしにくい物質
として重要である。即ち、化合物ＣはＰＲＤと共晶生成
型の凝固をするため、各々の物質が示す融点よりかなり
低い温度壕で凝固せずネマチック液晶相を示す。また化
合物０は透明点が室温付近から摂氏６０度前後にあり、
化合物Ｃの存在はネマチック液晶組成物の透明点を低下
させる事が無い。化合物Ｃの化合物Ａに対するこの２つ
の効果により、ネマチック液晶温度範囲が低温側と高温
側に低けられている。従って通常の温度範囲、例えば０
℃〜４０℃で使用される場合には化合物Ｏｆ金含有る必
要は無い。しかしより広い温度範囲、例えば−２０℃〜
６０℃で使用する九めには化合物Ｃを２重量−以上含有
する事が望ましい。化合物Ｃの含有量が８６重量％を越
えると共晶組成から組成比が離れ過ぎてその凝固点降下
効果を失う。従って化合物Ｃの含有量は０２量−〜８６
重量％が望ましく、より望ましくは２〜８６重量％であ
る。

更に、本発明に於けるネマチック液晶組成物は、搭載用
など特に広い温度範囲で使用される事を目的とする場合
、より広いネマチック液晶温度範囲を得るために、下記
りで表わされる化合物（以下、本文中に於て化合物りと
略記する）を含有して成っても良い。

Ｄ　−−Ｒｓａ　　（Ｈ）−ｏ−ｏ−ＲｌｓＲｒｓ　−
＠＋ＯＨｚ　）−Ｑ−Ｃ３００−＠−Ｒ１７Ｒｌｇ　−
＠−Ｃ！　ＯＯ→’：ｈ　Ｎ、５　Ｎ−ｏ−Ｒｔ　ｓ−
ＲａＯ−＠）−Ｇ−Ｃ胚Ｏｆｈ　ｌ＜！１ＲｚｔＲＨ−
＜Ｅｌ！）−Ｇ−ｏ−伽Ｒｚｓ 但し Ｒ１４は炭素数１〜１２個の直鎖アルキル基。

Ｒｌｓは　ｌ　１〜１２個の直鎖アルキル基。

Ｒ１６は　ｌ　１〜９個の　ｌ Ｒ１７は　Ｉ　１〜９個の　１ Ｒｌｌｌは　Ｉ　１〜８個の　Ｉ Ｆｔｔｓは　Ｉ　１〜８個の　Ｉ Ｒｚｏｉ′ｔ’　　１〜７個の　１ Ｒ２１は　Ｉ　１〜７個の　ｌ Ｒ２２は　ｌ　１〜１０個の　１ １ｓは　１１〜１０個の　Ｉ を各々表わす。

化合物りは分子形状が他の化合物と比較して長く、高い
透明点を有するものであり、これを添加することにより
液晶組成物の透明点を高くするのに効果がある。更に化
合物Ｃと同様の理由により低温での析出を押える効果が
得られる。但し、化合物りの添加により、駆動するため
に必要な印加電圧が高くなる傾向にあり、これを低くす
るため化合物Ｂを更に添加しなければならなくなる。

従って化合物りも必要以上に添加しないことが望ましい
。

〔実施例〕

以下、ツイスト・ネマチンクモードを用いた場合につい
て説明する。

実施例中に於ける液晶組成物の特性の測定は次の如く行
った、第７図は電気光学特性に対する測定系を表わした
ものである。測定セル５はガラス製基板の片面に蒸着な
どの操作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその
面を有機薄膜で覆い配向処理金施した上、液晶を封入し
た時液晶層が所望の厚みとなるようにスペーサーの役割
を兼ねたナイロン会フィルム製の枠を間に挾んで二枚の
該ガラス基板を対向させて固定したものであり、該セル
の両面には各々一枚づつの偏光板を電圧が印加されてい
ない時元が透過し、′電圧が印加された時光が遮断され
るように偏光軸の向きを調整して貼付けである。尚、本
文中に於てガラス基板とガラス基板の間隔（即ち液晶層
の厚さ）をセル厚と略記しｄなる記号で表わす。白色光
源１から出た光線はレンズ系２を通りセル３に垂直方向
から入射し、後方に設けられた検出器でその透過光強度
が測定される。この時セル３には駆動回路５によって任
意の実効値電圧を持つ周波数１キロ・ヘルツの交番矩形
電圧が印加されている。第７図の測定系を用いて液晶セ
ル測定した電圧−透過率曲線が第８図である。第８図に
於て透過率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった時
及び最も暗くなった時の透過率を各々１００％及び０％
として表わし印加電圧を透過率１００チの電圧から始め
て除々に上げて行き透過率が１０チだけ変化した時の実
効値電圧を光学的閾値電圧ｖｔｈ、　　また更に印加電
圧を上げて透過率が１００俤の時から９０チ変化した時
（即ち透過率が１０％になった時）の実効値電圧を光学
的飽和室圧Ｖｓａｔ　　と各々定める（以後、本文中に
於て各々閾値電圧および飽和電圧と略記する）。この時
、電圧−透過率曲線の閾値電圧付近の立ち上がり（即ち
急峻性）は下式に於けるＩ値として定められる。

β−Ｖ８ａｔ　　　　　　（第１式） 一方、急峻性βはセル厚ｄ（μ）と屈折率異方性Δｎの
積であるΔｎｏｄが０．８〜１．０付近の時最も小さく
なる（最良となる）事を見出した（参考文献：山崎淑夫
、竹下裕、永田元夫、宮地幸夫。

Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　５ｒｄ工ｎｔ
ｅｒｎａｔｉｏｎａ’ｌ　ＤｉｓｐｌａｙＲｅｓｅａｒ
ｃｈ　Ｃｏｎｆｏｒｅｎｃｅ　”ＪＡＰＡＮ　Ｄ工ＳＰ
Ｔ、ＡＹ　’　８５”３２０負、１９８３年、Ｏ８より
）。従ってコントラストを重視する場合セル厚ｄをΔｎ
、ｄが０．８〜１．０付近に成る様に液晶表示体を作る
のが最も得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこの
セル厚で行うのが最も妥当であると考えられる。

以上を鑑み、本実施例に於ける表中では急峻性、応答速
度及び閾値電圧の値は全てβが最小となったセル厚（本
文中に於て最適セル厚ｄｏｐｔ　と表わす）の値を示し
、このβの最小値を特に急峻性最小値βｍｉｎ　　と表
記した。

印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にｖｔｈ　　からＶｓａｔ　
へ切り換えた時、定常状態での各々の実効電圧に対する
各々の透過率の差９０％だけ透過率が変化するのに要す
る時間（即ち透過率が９０．俤から１８％へ変化するの
に要する時間）ヲミリ秒単位でＴｏｎ表わし、同様にＶ
ｓａｔ　からｖｔｈへ実効値電圧を瞬間的に切り換えた
時定常状態での各々の実効電圧に対する各々の透過率の
差の９０％だけ透過率が変化するのに要する時間（透過
率が１０チから８２チへ変化するのに要する時間）をミ
リ秒単位でＴｏｆｆ　と表わす。ＴｏｎとＴＯｆｆ　ｆ
足したＴ　（ミＩＪ秒単位）を以て応答速度の指標とす
る。

年平均気温の平年値が東京で１５℃、部組で２２℃であ
る（総理府統計局編「日本の統計Ｊ昭和５５年度版　６
．７負）から室温を２０℃と仮定し測定温度は全て摂氏
２０度とした。

また配向の均一性を高めるため本発明のネマチック液晶
組成物に微量のコレステリンク物質を添加したものをセ
ルに封入した。

ネマチック液晶相の安定性はセルに封入した状態で高温
液晶性及び低温液晶性を以て表わした。

セル全恒温槽に設置し、２０℃を基準としてそれより更
にある温度だけ高い温度に於てネマチフク相が安定か否
かをその温度に於ける高温液晶と称することにし、ネマ
チフク相が安定なら○印、等方性液体（１ｓｏｔｒｏｐ
ｉｃｘｉｑｕｉｄ）なら１で表わす。低温液晶性はセル
を設置した恒温槽の温度を２０℃から始め１日につき５
℃づつ下げて行った時、室温として仮定した２０℃より
ある温度が低くなった時（即ち恒温槽温度０℃または一
２０℃に於てエネマチンク液晶相が安定か否かを低温液
晶性と称し、ネマチツク相が安定なら○印を、固体状態
を呈しているかまたは析出を生じていればＸ印を。

スメクチフク相ならＳｍｉ以って表わす。

また、透明点はスライド・ガラスとプレパラートの間に
保持した試料を偏光顕微焼下で観察しながら、専用の加
熱装置により摂氏２度毎分で昇温した時得られた測定値
である。

〔実施例１〕 従来例１は、構造式Ｒ−＠−ｃｏｏ−Ｇ−０−Ｒ’　　
（Ｒ０Ｒ′は任意の炭素数の直鎖アルキル基金示し、以
後本文中に於てもこの表記を用いる）で表わされる化合
物（以後、本文中に於てＥＣＨ液晶と略記する）、及び
一般式Ｒ−Ｇ−（！０Ｏ−Ｇ−ＯＮ　　テ表ｂすｔＬる
化合物（以後、本文中に於てｐ−Ｈと略記する）から成
るネマチック液晶組成物であり、’ＫＣＨとｐ−には各
々本発明に於ける化合物Ｃと化合物Ｂに相当し、現在こ
れとほぼ同様の組成またはこれに一般式Ｒ−Ｑ−ｃｏｏ
−Ｇ−０−Ｒ’　　などを添加したネマチック液晶組成
物が用いられている。

実施例１は上記従来例と同様のネマチック液晶組成物に
、化合物Ａであるところの Ｃｓ　ｕｎ　ｉｏ−ｏ−ｃ５　［（口を添加したものに
相当する。

具体的には従来例１に於けるＥａＨ４２０重ｉ％だケ重
量ａ　Ｈｏ−Ｑ−Ｇ−ｏ　−Ｃ３Ｓ　Ｈｌｌで置換えた
構成に成っている。この場合ｐ−Ｅの含有量は従来例１
と実施例１で同等（１２重穣チ）であるので、正の誘電
異方性及び光学的閾値電圧は両者ではほぼ等しくなるた
め、両者の電気光学特性の比較が容易と成る。

これらの特性を第１表と第１図〜第２肉に示す尚、第１
図〜第６図は本発明の効果を示すものである。

第１表及び第２図に示される如く、最適急峻性は従来例
１に化合物Ａｉ添加した事により１．２６５から１，２
４１と成り、飛躍的に改良されている。

即ち選択電極及び非選択電極での透過率が各々１０％以
下及び９０チ以上と成る様にダイナミック駆動するため
には走査電極の本数の上限は従来例１では１８本である
のに対して実施例１では２２本と成る。

また、応答速度は第２図に示される如く、全セル厚に於
て実施例１の方が速い。

一方、応答速度に関しては次の事が知られている。即ち
、一般に印加電圧を０から任意の電圧υ（ｖ）へ瞬間的
に切り換えてから透過率が０の状態から９０％へ変化す
るのに要する時間をｔｏｎ。

印加電圧をυから０へ瞬間的に切り換えてから透過率が
１００チの状態から１０％変化するのに要する時間ｆ　
ｔｏｆｆ　　とすると下記の式で表わされる（参考文献
：　Ｍ＊５ｃｈａｄｔ、　　日本学術振興会情報科学用
有機材料第１４２委員会Ａ部会（液晶グループ）第１１
回研究会資料、１９７８年）。

ｔｏｎＭｙｉＨε０ΔεＥｌ　　１（−）ｔ　）＝ｄＲ
・ηｌ（ε０Δευｔ　−にπｔ　）　　（第２式）＝
ｄ″・η／ｘｄ　　　　　　（第３式）（ここでηはバ
ルク粘度、ε０　は真空誘電率、Δεは相対誘電率の異
方性、Ｅは電場、Ｋはに２□＋　Ｋｓｓ−２Ｋ２２）　
／　４なる弾性定数項、ｄはセル厚を各々表わしη・Δ
εおよびＫは液晶組成物に個有である）。尚、Ｔｏｆｆ
に関しては、単なるバルク粘度ηより、むしろ回転の粘
度γｌ　に比例する事も示されている（参考文献：同上
第３１回合同研究会資料、１９８４年）。

’ｔ；Ｏｆｆ　ｏｏ　　γｔ／Ｋ　　　　（第４式）こ
の様に応答速度は液晶組成物の粘性、誘電率異方性およ
び弾性定数に関係している。本発明のネマチンク液晶組
成物も、Ａ化合物を添加する事によりこれらの物性値を
変化させ、総合的に応答速度が速く成ったと考えられる
（応答速度に関する効果ｌ）。

他方、第２式及び第３式で表わされる如（ｔｏｎ及びｔ
ｏｆｆ　　は共にａｔに比例して長くなる。

本実施例で定義したＴなる応答速度もセル厚と密接な関
係があり、第２図、第６図に示される如くセル厚が薄い
とＴは短かく、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。従
って同じ液晶組成物を用いて液晶表示体を作った場合で
もセル厚を薄くする程応答速度を速くする事ができる。

しかし、第１式の説明でも述べた如く、急峻性はΔｎ、
ａが１８〜１．０付近で最良と成るため、最適セル厚は ｄｏｐｔ、　＃　１　／Δｎ　　（第５式）が望ましい
。従ってΔｎが大きいネマチンク液晶はど、セル厚を薄
くでき、応答速度に関しても有利と成る。

従来例１はΔｎが（ＬＯ９３であり、最適セル厚は１０
６ミクロン（第５式により子側された最適セル厚は１（
Ｌ８ミクロンであり、この実験値とほぼ等しい。）であ
った。これに対して実施例１は化合物Ａｉ添加した効果
によりΔｎが［１１１０と従来例１より大きく成ってい
る。このため最適セル厚もａ９ミクロンと薄くでき、応
答速度に対して有利となっている（応答速度に関する効
果゛［）。

従って、応答速度に関する効果ｌ及び■の相乗効果によ
り、本発明による実施例１は従来例１と比較して極めて
速い応答速度を得ている。

次に比較例１について説明する。

比較例１　ｕ　ｌ？ｌＩ　造式Ｃａ　Ｈｔｓ−Ｑ−ｏ−
０−Ｃｔｚ　Ｈｚｓ　で表わされるピリミジン誘導体を
実施例１と同様の方法で従来例に添加したものである。

該ピリミジン誘導体は弾性定数の比に３３／ｋｌｔはｌ
’、０６　Ｆｒ−ａｎｋ　　の連続体理論に於けるベン
ドまたはスプレィの弾性率’に＝ｆｉわす。参考文献：
　Ｄｉｓｃ、ＦａｒａｄａｙＳｏｃ、、　２９．８８３
頁、１９３３年）が実用に供せられる液晶化合物のうち
で最も小さいものとして従来知られており、その値はａ
５に達する（参考文献：　Ｂ、　Ｓ、　５ｃｈｅｕｂｌ
ｅ、　Ｇ、　Ｂａｕｒ、　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｒｌｇｅｏ
ｆ　ｔｆｅ　３ｒｄ工ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉ
ｓｐｌａｙ　Ｒｅ５ｅａｒ−ｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ　’、ｒＡＰＡＩＪ　Ｄ工８Ｐ’ＬＡＹ　’８３’。

２２４負、１９８３年、■Ｓより）。そして、ｋ３３／
ｋｔｔ　が小さいネマチンク液晶組成物はどその急峻性
も小さい事が示されている（参考文献：Ｍ　、　５ｃｈ
ａｄｔ、　Ｐ、　Ｒ，Ｇｅｒｂｅｒ、Ｚ、　Ｎａｔｕｒ
ｆｏｒｓｃｈ。

３７ａ、　１６５負、１９８２年）。以上から推察され
る通り、測定結果も該ピリミジン誘導体全添加したとこ
ろの比較列１は従来例１と比較して良好な急峻性を示す
。しかし、ＰＲＤを添加したところの本発明実施？ＩＪ
　１の急峻性は比較例１より更に格段に良好な急峻性を
示す。

実施例１と比較例１の急峻性−セル厚のグラフを第３因
に示す。

また応答速度はＰＲＤを添加した実施例１では極めて速
くなったのに対して、該ピリミジン化合物を添加した比
較例１ではΔｎが比較的大きくセル厚をやや薄くできた
にもかかわらず、応答に関する効果Ｉが良好でないため
、従来例１よりもむ°　しろ遅くなっている。実施例１
と比較例１の応答速度Ｔ対セル厚ｄのグラフを第４図に
示す。

最適セル厚に於ける閾値電圧は、実施例１、従来例１及
び比較例１とも全て２．５５〜２．５９１の範囲にあり
、はぼ岡等である。

透明点は３種とも摂氏６０度以上あり、高温液晶性・は
十分である。

摂氏マイナス２０度に於ける低温液晶性は比較例１及び
従来例１は不十分であり、特に比較例１は摂氏０度付近
でも析出が起きる。

これに対して実施例１は十分であり、摂氏マイナス３０
度に於ても安定にネマチツク相を保持している。

以上、実施例１は従来例１及び比較例１と比較して急峻
性及び応答速度が極めて優れており、低温液晶性も改良
されている。

従って実施例１で添加したＰＲＤも、これらの特性を改
良するために用いて有効である。

本実施例に於て、ＰＲＤとして化学式 Ｃ５Ｈ１、Ｏ０）−ｐ−ＣｓＨｔｔ　テ表わサレる化合
物、化合物Ｂトシテ一般式Ｒ−ｏ−０００−ｏ−ＣＮテ
表わされる化合物、化合物Ｃとして一般式Ｒ→トＣ０〇
−ｏ−Ｒ’　（Ｒ＠　Ｒ’は各々任意の炭素数の直鎖ア
ルキル基金示す）で表わされる化合物を各々用いたが、
〔問題を解決するための手段〕で明記された化合物であ
れば、これ以外のＰ’ＲＤ、化合物Ｂ及び化合物ｃ’６
用いても良好なるネマチック液晶組成物が得られる。

これ以外の例を実施例２以後に示す。

第　　　　　１　　　　　表 〔実権ｆ１１２：ｉ 第２表に実権例２及び従来例２の組成及び特性を示す。

従来例２Ｆｉ高速応答性のネマチック液晶組成物として
用いられているものであり、化合物Ｏとして一般式ト舎
−＠＞−０−Ｒ’で表わされる化合物を用いた点、及び
化合物りとして新たに一般式Ｒ−＠−％３−ｎ＋Ｒ’で
表わされる化合物を添加した点で従来例１と異っている
。

実権世１２は、前記実権例１と同様の方法で、従来ｆｌ
ｌ　２にＰＲＤとして化学式０３Ｈ７−＠−（ＣＨｔ　
）！−〇−ｐ−０４Ｈｔで表わされる化合物を添加した
ものである。

これらの急岐性対セル厚の関係を第５図に示す。

実権例２の急峻性は比較例２と比べて優れておシ。

急咳性蹟小値β囮は（ｌＱ１１改良されている。

応答速度は第６図に示す如く、実施例２と比較例２でほ
ぼ同等の値である。しかし第２表に示す如く、複屈折Δ
ｎは実権例２の方が大きく、従って最適セル厚も約２ミ
クロンだけ薄くする事ができ比。このため、実権例２は
比較ｆｌ１２と比べて４０ミリ以上速くする事ができた
。

従来例２の透明点は摂氏６６度であり、摂氏マイナス２
０度以上ならば析出が起きない。従って摂氏６０度に於
ける高温液晶性及び摂氏マイナス２０度に於ける低温液
晶性は十分である。しかし。

＝９厳しい条件、即ち摂氏８０度に於ける高温液晶性及
び摂氏マイナス４０度に於ける低温液晶性は十分でない
。これに対して本実施例２は透明点が摂氏８２度であり
、摂氏マイナス４０度以下に成っても析出しない。従っ
て摂氏８０度に於ける高温液晶性及び摂氏マイナス４０
度に於ける低温液晶性も十分でろ９１％捲例２は車載用
表示体などの温度条件の厳しい用途にも十分用いる事が
できる。

応答速度に対する２つの効果、即ち応答速度に関する効
果Ｉお工び菖はＰＲＤ個有の物性であり、通常用いられ
ている液晶化合切お工び液晶組成物に対して全て有効で
あった。従って実権例３以後では籍に効果が表記すべき
ものについてのみ記述介し、他のものについては急峻性
のみを問題として配達した。

第　　　　２　　　　表 〔実池汐１１３へ・６〕 茅５°畏に於て比較９１１３はＰｉ（Ｄのみから成る組
成物であ６　Ｑこのものはネマチック液晶温度範囲が十
分高温では安＞２でありその透明点は６４Ｃである。し
かし融点は高く５２Ｃであるためそのネマチック液晶相
は萬温でのみ安定である。即ち２０Ｃに於ては固体であ
るため電界による駆動ｔユできず、電気光学特性も測定
不可能である。

比較例４はＦ−にのみから成る組成物である。

このものは１０″Ｃから４２０の！ｉ度範茜でネマチッ
ク液晶相を示すため２０Ｃでの′電気光学特性の測定が
可能である。閾値電圧ｖｔｈ　　はｔＬ７４Ｖと非常に
低電圧である。しかし急峻性最小値β−は１．２８であ
り、第１表に示された従来例１（詳しくは前述）工９更
に劣っている。

以上ＰＲＤまたはＰ　　Ｂのみから成る組成物は液晶温
度範囲が狭く、室温での電気光学特性が測定不可能か１
’／（は測定できても急峻性等が劣っている。

！ＩＩ！抱例５〜６はＰＲＤ及びＩ’−Ｋから成るネマ
チック液晶組成物であり本発明の特許請求の範囲第一項
記載のネマチック液晶組成の実権例である。

ＰＲＤとＰ−にの組成比が８０重！に多対２０重量％か
ら２０重量％対８０重量％まで種々変えである。これら
は室温は勿論ＯＣ及び４０℃に於てもネマチック液晶相
を有している。ま次間値電圧は２．０５Ｖ〜１．Ｏｖと
比較的低く、正の誘電率異方性を有するＴ’−１４！を
第１表記載の冥捲例中最も多く含有する実売例は１．０
１Ｖと極めて低い。一方急峻性βは１．２４〜１．２６
であシ全般的に良好であるが第１表記載の実権例中Ｐｆ
ｌｎの含有量が最も多い実権例１は急峻性最小値β−が
１．２４と最も優れている。

以上、本発明による実権例３〜６Ｆｉ、化合物Ａまたは
ｐ−ｇのみから成る組成物である比較例３および４と比
較してネマチック液晶温度範囲が著しく改善され室温を
中心として上下２０Ｃ以内の温度範囲で十分駆動できる
工９に成った。

しかも、いわゆるＮｎ液晶及びＮｐ液晶を混合して成る
。極めて単純なる構成であるにもかがわらずｔＪｎ液晶
として化合物Ａを用いた事により。

急峻性最小値β―も比較例４及び従来ｉｌｌ　１と比較
して極めて良好と成った。

尚、本発明に於ける化合物Ｂとしては、本災帷例５〜６
で示されたアーに’（（含め、下記Ｂの化合物を用いる
事が特にＭ効である。

Ｂ・・・Ｆｌｌ→ヒＣＯＯベトＯＮ （重上Ｐ−Ｋ） Ｒ２づ；、、７−ＯＮ （本文中に於てＩ’−Ｂと【ｅ記する）Ｒａ　＋’−＞
　０７２ （本文中に於てＰ−Ｒ７と略記す／））ＦＩ４−＠−Ｃ
ＦＯＮ （本文中に於てＰ−Ｆと略記する） Ｒ、（３−Ｑ−０１４ （本文中に於てＦ−Ｄと略記する） 但し Ｒ，は炭素数１〜１０個の直鎖アルキル基。

Ｒ，は　Ｉ　１〜１２個の Ｒ３は　ｌ　１〜１２個の Ｒ４は炭素数１〜１２個の直鎖アルキル基。

Ｒ，は　ｌ　１〜１２個の を各々表わしている。

第　　　　３　　　　表 〔実権例７〜１７〕 化合物Ｃとして。

一般式　Ｒ−ｏ−Ｎ−４１−！；）ヒＢ′　または〇 一般式Ｒ−ｏ−ｎ＝ｎ−ｏ−ｏ−Ｒ’ で表わされるアゾキシ化合物金柑いた例が実ｔｉｆＡ例
７〜１７であり、これらの組成及び特性を第３表〜第９
表に示す。

化合ｖ！ＪＢには実権例６〜６の本文中の未設に示した
種々の液晶化合物を用いており、その含有量も増減した
ものを例示した。従って、しきい値電圧は１．１５ボル
トから五１６ボルトまで種々のものが示されている。

急吠性最良値は１．２４〜１．２６であり、従来例より
全て優れている。

摂氏４０度に於ける高温液晶性及び摂氏０度に於ける低
温液晶性は各々十分である。

第　　　　４　　　　表 第　　　　５　　　　表 第　　　　６　　　　表 第　　　　７　　　　表 第　　　　８　　　　表 〔実権例１８〜２１〕 本発明特許請求の範囲第５項のネマチック液晶組成物に
於て、化合物ＣとしてＫＯＥｉ用い、化合物Ｂであると
ころのｐ−ｚの含有量を種々変えてしきい値電圧を変化
させた実％１ｉ９１１１８〜２１を第９表に示す。

Ｉ’−Ｅの含有量を実権例１８の２重ｔ％から実施例２
１の５２重量優に増加させるに従い、閾値電圧は６．４
７Ｖから１．５６　Ｖへ低くする事ができる。実施例２
１の飽和電圧は１．７０　Ｖであり、フッ化炭素−リチ
ウム電圧のボタン型のもの（３ｖ）を電源として昇圧回
路なしで２分の１バイアス−４分の１デユーティ−の駆
動が可能である。

急設性は閾値電圧とは逆にＦ−Ｅの含有量が最も少ない
実施例１８が最も良い傾向にある。従って十分な表示コ
ントラストを得ながら走査線本線を多く駆動する九めに
は急峻性を良くするためにＰ−にの含有量ができるだけ
少ない方が有利である。但し駆動回路の定格出力電圧に
工って閾値電圧及び飽和電圧の上限が定められるので、
Ｐ−１！ｉの含有量の下限も定められている。

以上、実権例１８〜２１で示した如く化合物ＯとしてＫ
ＯＨｔ−用いた場合も、実施例３〜６お工び８〜１７と
同様、化合物Ｂの含有量にエリ本発明特許請求の範囲第
１項と同様閾値電圧を自由に変えられ、その時急峻性は
従来例工９優れており。

ネマチック液晶温匿も広げられている。

〔実施列２２〕 ＰＲＬの成分数が４成分のネマチック液晶組成物である
１！施例２２ｔ−第１０表に示した。

実施例２２は閾値電圧がＰＲＤが一成分の実施例１と同
じ２．６ｖ台である０急峻性は１．２４　ｉ示し実権例
１と同程度であシ極めて優れている。低温（−２００）
及び高＠（６０Ｃ）に於てもネマチック液晶相を安定に
示し、−３０Ｃ以下でもネマチック液晶相が安定である
。

以上１本発明に工れば１１’ＲＤの成分数及びＰＲＤの
アルキル基またはアルコキシ基の違いに工らず電気光学
特性及び高温・低温液晶性に優れたネマチック液晶組成
物を得ることは明らかである０ 第　　　１　０　　　表 〔実症例２３．２４．２５） 化合物Ａａして、２−フェニルピリジンの５位または５
′位がエタン結合を介してベンゼンまたはシクロヘキサ
ンで置換された化合物（以下、本文中に於て化合物Ａ−
１と略記する）を用いた例が実Ｍ例２３〜２５であり、
その組成お工、び特性を第１１表に示す。

実施例２３の化合物へはエタン結合を介してシクロヘキ
サン環と結合しており１両末端基は直鎖アルキル基であ
る。５ｊ！施例２４の化合物Ａはエタン結合を介してベ
ンゼン環と結合しており、一方の末端基は直鎖アルキル
基であり、他の末端基は直鎖アルコキシ基である。両実
施例のしきい値電圧は約′Ｌ９〜五〇ｖであり、β値も
１ｏ２５まｆｃは１．２４であシ同程度に優れている。

実施ｆｌ１２５の化合物への一力の末端基はシアノ基で
あり、このものはその構造のゆえに分子軸方向の誘電率
が分子軸に垂直な誘電率よシ大きいネマチック相を示す
化合物（いわゆるＮｐｉ晶）である。従ってこの化合物
を用い念実艷９１，１２５は実権例２３お工び２４と比
較して、しきい値電圧を低くすることができた。

化合物Ａ−１は高い透明点（摂氏１５０〜度）を示し、
これを用いたネマチック液晶組成物も高い透明点を示す
０実施９１１２３〜２５の透明点は各々摂氏８２．７お
よび　　　度であり、摂氏８０度に於ける高温液晶性は
十分である。更に低温液晶性も改良されており、摂氏マ
イナス４０度に於てもセル中で安定にネマチック相を示
す。即ち１本発明のネマチック液晶組成物を表示装置に
用いれば室温を摂氏２０度として、その上下６０度の温
度範囲で駆動もしくは保存することができ。

自動車搭載用など温度条件の１敦しい分野にも十分用い
る事ができる。

以上、化合物Ａ−１１を用いれば優れた急峻性を得られ
、かつ液晶温度範囲も広くする事ができる。

化合物Ａ−１は、２−フェニルピリミジンの５位または
５′位がエタン結合を介してベンゼン環またはシクロヘ
キサン環でｆｃ挾されており、末端基はアルキル基、ア
ルコキシ基またはシアノ基であることが望ましい。尚、
末端基をシアノ基にすればしきい値電圧をエリ低くする
ことができる。

また、実施例３〜６及び実施例８〜１７で示した如く化
合物Ｂの含有量を増減すれば、しきい値電圧を低くする
ことも、高くすることも容易である。

第　　　１　１　　　表 〔実＠例２６，２７，２８） 化合物Ａ（７）うち、構造式Ｒ−０−ｏｊｐ−Ｒ”！　
たｕＲ−＠）−Ｐ−Ｒ’　　で表わされる化合物および
化合物Ｏのうち構造式Ｒ−（針Ｑ−０−Ｒ’で表わされ
る化合物（以後９本文中に於てｎ　−Ｆ　ＯＲと略記す
る）を用いた例が実施例２６，２７．２８であり、その
組成および特性を第１２表に示す。

化合物Ａとｎ　−Ｐ　ＯＨｆ組み合わせることにＬ９、
急峻性が極めて良好な液晶組成物が得られる。

化合物Ａの含ｖｉが多い実施例２７および２８ではβが
１．２２と非常に優れている。

ｎ−ＦＯＲ自身の複屈折ΔｎはＱ、０９前後と小でいが
、粘性が摂氏２０度に於て５０センチ・ボアーズ前後と
極めて小さいため応答速度の速い組成物が得られる。

例えば、実施例２８では応答時間Ｔが１７０ミリ秒と極
めて速い。

第　　　１　２　　　表 〔実施例２９，３０） 化合物Ａのうち、２−フェニルピリジンの５位または５
′位がエタン結合を介してベンゼンまたはシクロヘキサ
ンで置換さｆＬ７’（化合物を用い、化合物Ｃのうち−
ｎ−ＰＯＥ’ｉ用いた例が実施例２９お工び３０である
。両者の組成および特性を第１３表に示す。

急峻性β−は１．２２お工び１，２３と非常に優れてい
る。応答速度も速く、例えば実施例２９０Ｔは２１７ミ
リ秒である。

実施例２９，５０の透明点は各々摂氏９α９゜９１．２
度と極めて高く、摂氏９０置に於ける高温液晶性も十分
である。実施例２９の低温液晶性は摂氏零下４０Ｉｊ＆
：でも十分である。実施例３０では摂氏零下６０度まで
はネマチック相を有し、駆動が可能であるが、零下４０
度ではスメクチック相を呈するため、駆動はできない。

しかしセルに封入された状態でも析出などによるセルの
損傷を受けることが無いため零下４０度に於て安定に保
存することができる。

第　　　１　３　　　表 〔実施例５１〕 化合ｖｌＪＯ（！：　ｔ、−’Ｃ［ｉ造式ｎ−４−Ｃｃ
Ｈｔ　）ｔ−Ｑ−ａ　−ｐ’で表わされる化合物（以後
、本文中に於て（！ＡＰＯと略記する）ｋｎ−ＰＣＢと
ともに用いｔ例であり、第１４表に示す。

０ＡＰＯは粘度が１００置前後と極めて小さく（診考文
献：　Ｍ、８ｃｈａｄｔ＋Ｍ、Ｉ’ｅｔｒｚＬ１ｋａ。

Ｐ、Ｒ，（ｊｅｒｂｅｒ、Ａ、ＶＬｌｌＬｇｅｒ　　ａ
ｎａ　Ｇ。

ＴｒＬｃｋｅａ　、　Ｍｏｌ　、０ｒｙｓｔ　、ＬＬｑ
　、　０ｈｒｙｓｔ　、　＋第９４巻、１３チ 応答速度に対してｎ　−　Ｆ　Ｏ　Ｒと同様の効果が得
られる。

急峻性βも１．２４であり，良好である。

第　　　１　　４　　　表 〔実施例３２．３３） 本発明に於ける化合物Ｃとして、構造式トリー〇〇０１
トＲ’　＊　ＲＯ（トｃｏｏ　１と旦′お工びＲ−００
０−１７；１ｏｏｏ→（１′で表わされるエステル化合
物（以下、本文中に於てｎ　−Ｅと略記する）も有効で
ある。ｎ　−Ｋは複屈折Δｎがα１５前後と大きく、透
明点も室温付近から摂氏８０度付近までであり比較的高
くネマチック液晶性が優れている。これと化合物Ａを組
み合せることにより、前記ｎ　＝Ｒの特性を生かしたま
ま急峻性βが改善される。

この例が実施例５２および３３であり、第１５表お工び
第１６表に組成と特性を示す。

第　　　１　５　　　表 第　　　１　６　　　表 〔実施９１１３４） 構造式Ｒ式）Ｏ−０一旦′で表わされる化合物（以下１
本文中に於てｎ　−Ｐとｌａ！紀する）は実施例１０本
文中で述べたμ口＜、従来用いられていた液晶化合物の
中ではΔｎが比較的大きく１弾性定数の比ｋｓｓ／ｋｎ
　　も小さく、優れ九特性を持つものである。

前記実施例と同様このｎ　−Ｐと化合物Ａを組み合わせ
ることによ一す）急峻性及び応答速度を改良することが
でき、併わせて液晶温度範囲も広くできる０ 第　　　１　７　　　表 〔実施例５５，３６） 本発明による液晶組成物に、化合物Ａ、Ｂ・０またはＤ
以外の液晶性を呈しうる化合物を添加することも有効で
ある。

例えば構造式ｆ’ｔ−Ｑ−ｏ−Ｒ’　　で表わされる化
合物は、単一化合物ではネマチック液晶相を示さず、繊
状の固体であるにもかかわらず１本発明の液晶組成物に
該化合物を添加することにより、やはり液晶組成物が得
られる。即ち、該化合物はビフェニル環の分子形状が平
板状に近いため、規則的な配列がし易いため同相が安定
である。しかし分子全体の形状は細長く、液晶組成物に
添加された時その液晶相を維持したまま、安定に存在す
ることができる。この実例が実施例３５．５６であり。

その組成お工び特性を第１８表に示す。

第　　　１　８　　　表 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば一般式Ｙ−◎でＰ−
２で表わされる２−フェニルピリジン誘導体を他の適当
な化合物を組み合わせて液晶組成物上調整することによ
り、急峻性が格段に向上しダイナミック駆動に適した特
性が得られ１光学異方性Δｎが大きくでき次ことお工び
粘性と弾性定数の比を小さくできたことにより応答速度
全速くでき、液晶温度範囲も狭いものでも室温（摂氏２
０度）の上下摂氏２０度広いものでは６０度以上と極め
て広く、しきい値電圧も種々の値にでき。

また本発明に用いｔ化合物は全て元・熱・湿度などに対
して化学的に安定であり、ダイナミック駆動用の液晶組
成物として十分な特性ｔ−Ｖしている。

本発明の液晶組成物はねじれネマチック型の表示装置、
およびゲヌト・ホスト型液晶のホスト液晶として表示装
置に用いて特に有効である。またコレステリック液晶ま
７’（は誘電率の周波数依存性の大きい液晶を各々添加
することにエリ、コレステリック・ネマチック相転移型
または二周波駆動塁の液晶として各種表示装置に用いる
ことができる０

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明の効果を従来例ま友は比較例と
比較して示し九グラフで、 第１図は実ｍｇＡ＋１および従来例１の急峻性βを各セ
ル厚ｄに対して示すグラフ０第２図は実権例１お工び従
来例１の応答時間Ｔｔ−各セル厚ｄに対して示すグラフ
。 第３図は実施例１お工び比較例１の急峻性βを各セル厚
ｄに対して示すグラフ。第４図は実権例１お工び比較例
１の応答時間Ｔを各セル厚ｄに対して示すグラフ。 第５図は実施例２および比較例２の急峻性βを各セル厚
ｄに対して示すグラフ。第６図は実施例２お工び比較例
２の応答時間Ｔｉ各セル厚ｄに対して示すグラフを示し
ている。 第７図は実施例に於て用い九測定装置を表わすブロック
図、第８図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対
透過率−実効電圧の変化を示した概念図。 １・・・光源 ２・・・光線 ３・・・レンズ及びフィルター系 ４　・・・セル ５・・・受光部（元電増培管） 以上

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一般式が下記Ａで表わされる化合物の
   少なくとも一種から成る事を特徴とする液晶組成物。 Ａ……▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｙ、Ｚは直鎖状のアルキル、アルコキシ、シアノ
   、２−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）エ
   チル、２−（Ｐ−アルキルフェニル）エチルもしくは２
   −（Ｐ−アルコキシフェニル）エチルのいずれかを示し
   、標記アルキルは１〜１２個の炭素原子を有する。〕 で表わされる２−フェニルピリジン誘導体。
2. （２）少なくとも一般式が前記Ａで表わされる化合物の
   少なくとも一種及び一般式が下記Ｂで表わされる化合物
   の少なくとも一種から成る事を特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の液晶組成物。 Ｂ……▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し Ｒ＿１は炭素数１〜１０個の直鎖アルキル基、 Ｒ＿２は　〃　１〜１２個の　　　〃　　　、 Ｒ＿３は　〃　１〜１２個の　　　〃　　　、 Ｒ＿４は　〃　１〜１２個の　　　〃　　　、 Ｒ＿５は　〃　１〜１２個の　　　〃　　　、を各々表
   わしている。
3. （３）前記液晶組成物に一般式が下記Ｃで表わされる化
   合物の少なくとも一種を添加した特許請求の範囲第１項
   または第２項に記載の液晶組成物Ｃ……▲数式、化学式
   、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、 Ｒ＿６は炭素数１〜１０個の直鎖アルキル基、 または炭素数１〜１０個の直鎖アルコキシ基、 または炭素数１〜１０個の直鎖アシロキシ基、 Ｒ＿７は　〃　１〜１０個の　〃　アルキル基、 または　〃　　１〜１０個の　〃　アルコキシ基、 Ｒ＿８は　〃　１〜１０個の　〃　アルキル基、 Ｒ＿９は　〃　１〜１５個の　〃　アルキル基、 または　〃　　１〜１５個の　〃　アルコキシ基、 Ｒ＿１＿０は　〃　１〜９個の　〃　アルキル基、 または　〃　１〜１１個の　〃　アルコキシ基、 Ｒ＿１＿１は　〃　１〜１０個の　〃　アルキル基、 Ｒ＿１＿２は　〃　１〜１０個の　〃　アルキル基、 Ｒ＿１＿３は　〃　１〜１０個の　〃　　　〃　　、 または　〃　１〜１０個の　〃　アルコキシ基、 ■は１，４−ジ置換シクロヘキサン、または１，４−ジ
   置換ベンゼン ■はトランス−１，４−ジ置換シクロヘキサンまたはト
   ランス−２，５−ジ置換１，３−ジオキサンまたは２，
   ５−ジ置換ピリミジン を各々表わしている。
4. （４）添加剤として下記Ｄで表わされる化合物の少なく
   とも一種を含む事を特徴とする特許請求の範囲第１項ま
   たは第２項または第３項に記載の液晶組成物。 Ｄ……▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、 Ｒ＿１＿４は炭素数１〜１２個の直鎖アルキル基、 Ｒ＿１＿５は炭素数１〜１２個の直鎖アルキル基、 Ｒ＿１＿６　　〃　１〜９個の　〃　　　〃　　、 Ｒ＿１＿７　　〃　１〜９個の　〃　　　〃　　、 Ｒ＿１＿８　　〃　１〜８個の　〃　　　〃　　、 Ｒ＿１＿９　　〃　１〜８個の　〃　　　〃　　、 Ｒ＿２＿０　　〃　１〜７個の　〃　　　〃　　、 Ｒ＿２＿１は炭素数１〜７個の直鎖アルキル基、 Ｒ＿２＿２は　〃　１〜１０個の　〃　〃　　、 Ｒ＿２＿３は　〃　１〜１０個の　〃　〃　　、を各々
   表わす。 （４）第１項または第２項または第３項記載の液晶組成
   物に染料を添加した事を特徴とするねじれネマチツク型
   表示体用のネマチツク液晶組成物。
5. （５）第１項、第２項、第３項または第４項記載の液晶
   組成物にコレステリツク液晶を添加したことを特徴とす
   るコレステリツク−ネマチツク相転移型表示体用の液晶
   組成物。