JPS6191284A - ネマチツク液晶組成物 - Google Patents
ネマチツク液晶組成物Info
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- JPS6191284A JPS6191284A JP21307284A JP21307284A JPS6191284A JP S6191284 A JPS6191284 A JP S6191284A JP 21307284 A JP21307284 A JP 21307284A JP 21307284 A JP21307284 A JP 21307284A JP S6191284 A JPS6191284 A JP S6191284A
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- nematic liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は表示装置用ネマチック液晶組１１ｉ！物、特に
電界効果モードに於てダイナミック駆＠特性が良好なる
ネマチック液晶組成物に関する。
電界効果モードに於てダイナミック駆＠特性が良好なる
ネマチック液晶組成物に関する。
従来、表示装置用ネマチック液晶組成物は、例えｉ−ｆ
％開昭５４−８５６９４号公報などに示されているＬう
に、一般式Ｒ−ＣＭ○○ベト０−Ｒ’（Ｒ，Ｒ’は各々
任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す）で表わされる化
＠膓（以後本文中に於てＫＣＥと略記する）などのＮｎ
液晶をベースにして、これらに一般式Ｒ”−ｏ−ｃｏ
赴ペクトＮ （Ｒ” ｔｄ任意の炭ｓｔｙの直鎖アルキ
ル基を示す）で表わされる化＠物（以後本文中に於てＰ
−Ｅと略記する）などのＮｐ液晶を添力口し閾電圧を低
下せしめる。但しＮｐ液晶の象加量が多くなると後述の
急峻性などｃ′区気気光学特性低下するので必要以上に
Ｎｌ）液晶を添加することは４４策でない。更に上記Ｎ
ｎ液晶及びＮｐ液晶に加えて一般式Ｒ’ヘト９代おＣＮ
（Ｒ／＃は任意の炭≠数の直鎖アルキル基を示す）で表
わされる化合物などを添加する碩に工す透明点を高くし
液晶１度題囲を広くしている。
％開昭５４−８５６９４号公報などに示されているＬう
に、一般式Ｒ−ＣＭ○○ベト０−Ｒ’（Ｒ，Ｒ’は各々
任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す）で表わされる化
＠膓（以後本文中に於てＫＣＥと略記する）などのＮｎ
液晶をベースにして、これらに一般式Ｒ”−ｏ−ｃｏ
赴ペクトＮ （Ｒ” ｔｄ任意の炭ｓｔｙの直鎖アルキ
ル基を示す）で表わされる化＠物（以後本文中に於てＰ
−Ｅと略記する）などのＮｐ液晶を添力口し閾電圧を低
下せしめる。但しＮｐ液晶の象加量が多くなると後述の
急峻性などｃ′区気気光学特性低下するので必要以上に
Ｎｌ）液晶を添加することは４４策でない。更に上記Ｎ
ｎ液晶及びＮｐ液晶に加えて一般式Ｒ’ヘト９代おＣＮ
（Ｒ／＃は任意の炭≠数の直鎖アルキル基を示す）で表
わされる化合物などを添加する碩に工す透明点を高くし
液晶１度題囲を広くしている。
今日ネマチック液晶ｍ放物に要求される特性の条件は
■ 電圧−透過率曲線の一電圧付近の立ち上が９が急峻
であること（以後不文中に於て急硬性と略記する） ■ 璽鴻を中Ｉしとして広い温度範囲で駆動できること
、即ち広いネマチック液晶＠囲ｔｉつこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れること ■ 駆動電圧（または閾電圧）が自白に選べること などがある。
であること（以後不文中に於て急硬性と略記する） ■ 璽鴻を中Ｉしとして広い温度範囲で駆動できること
、即ち広いネマチック液晶＠囲ｔｉつこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れること ■ 駆動電圧（または閾電圧）が自白に選べること などがある。
単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をした時
、駆動回路に＝つて選択電極部またに非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々Ｖｏｎ 、 Ｖｏｆｆと
し、走青逗極の本費をＤ本とすれば、比Ｖｏｎ／Ｖｏｆ
ｆは Ｖａｎ／Ｖｏｆｆ＝ （／Ｅ＋１ ）／７［１）
・＋・＋・＋−（１１なる関係があり、ｎが多くなるに
つれて比Ｖｏｎ／Ｖｏｆｆも小さくなって行く。
、駆動回路に＝つて選択電極部またに非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々Ｖｏｎ 、 Ｖｏｆｆと
し、走青逗極の本費をＤ本とすれば、比Ｖｏｎ／Ｖｏｆ
ｆは Ｖａｎ／Ｖｏｆｆ＝ （／Ｅ＋１ ）／７［１）
・＋・＋・＋−（１１なる関係があり、ｎが多くなるに
つれて比Ｖｏｎ／Ｖｏｆｆも小さくなって行く。
一力、液晶表示ｇ置の一つであるツイスト・ネマチック
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第１図に示
す！気光学特性測定装置を用いて該セル４の透過率を光
電増倍管で観桜しながら駆動回路６により該セル４に印
加する実効電圧を変えて行くと第２図に示されるマ０き
て圧−透過率曲が祷られる。電圧を上げて行き透過率が
変化し始める実効電圧を閾で、壬Ｖｔｈ （本明細書中
に於ては透過率ｆ？ｃ１０％だけ変化させるのに必壷な
実効電圧値ｆニアｔｈとする）、（に電圧を上げて行き
透過率が！！２！和する電圧をＶ ｓａｔ （本明細書
に於ては透過率を９０％変化させるのに必要な実効電圧
頃をＶｓａｔとする）とすると、非選択電極部では印加
される実効電圧Ｖｏｆｆが繭逼圧ｖｔｈ工り小さけれは
、即ち、 Ｖｏｆｆ≦Ｖｔｈ ・−
−−−−＋２１であれａｔ圧が印加されていない時と比
較してその透過率は変化せず全く選択されなく、選択電
極部では印加される実効電圧Ｖａｎが飽和電圧Ｖｓａｔ
工υ大きければ、即ち ＶＯｎ≧Ｖｓａｔ −−＋３１であ
れば透過品は十分変化し選択された単になる従って（３
）式を（２）式で割れば とカリ、この関係式が叙シ立つ時非選択電極と選択！極
の透過率の差が十分となる。更に（１）式と（４）式か
ら と力る。走査線の本１５ｎが多くなるにつれ右辺１仁小
さぐな９１に近づいて行く。このため選択電極と非選択
［極で十分カコントラス）ｋ得るにはＶｓａｔ／Ｖｔｈ
も１に近い方が有利となる。即ち第２図の電圧−透過率
曲線の閾電圧から閉オロ電圧にかけての曲線の勾配が急
峻な程、コントラストを一定（または良くした上に）走
査線本職を増やす事ができる。以上が条件■が必要とな
る理由である。
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第１図に示
す！気光学特性測定装置を用いて該セル４の透過率を光
電増倍管で観桜しながら駆動回路６により該セル４に印
加する実効電圧を変えて行くと第２図に示されるマ０き
て圧−透過率曲が祷られる。電圧を上げて行き透過率が
変化し始める実効電圧を閾で、壬Ｖｔｈ （本明細書中
に於ては透過率ｆ？ｃ１０％だけ変化させるのに必壷な
実効電圧値ｆニアｔｈとする）、（に電圧を上げて行き
透過率が！！２！和する電圧をＶ ｓａｔ （本明細書
に於ては透過率を９０％変化させるのに必要な実効電圧
頃をＶｓａｔとする）とすると、非選択電極部では印加
される実効電圧Ｖｏｆｆが繭逼圧ｖｔｈ工り小さけれは
、即ち、 Ｖｏｆｆ≦Ｖｔｈ ・−
−−−−＋２１であれａｔ圧が印加されていない時と比
較してその透過率は変化せず全く選択されなく、選択電
極部では印加される実効電圧Ｖａｎが飽和電圧Ｖｓａｔ
工υ大きければ、即ち ＶＯｎ≧Ｖｓａｔ −−＋３１であ
れば透過品は十分変化し選択された単になる従って（３
）式を（２）式で割れば とカリ、この関係式が叙シ立つ時非選択電極と選択！極
の透過率の差が十分となる。更に（１）式と（４）式か
ら と力る。走査線の本１５ｎが多くなるにつれ右辺１仁小
さぐな９１に近づいて行く。このため選択電極と非選択
［極で十分カコントラス）ｋ得るにはＶｓａｔ／Ｖｔｈ
も１に近い方が有利となる。即ち第２図の電圧−透過率
曲線の閾電圧から閉オロ電圧にかけての曲線の勾配が急
峻な程、コントラストを一定（または良くした上に）走
査線本職を増やす事ができる。以上が条件■が必要とな
る理由である。
しかし従来、電気光学特性に於ける温度依存性の除去が
重要視されていた為条件■そのものを改良する具体的方
策が示されておらず問題である。これに対して１度依存
性はＩＣが安価になった現在温度補償回路を駆動回路に
組み込むφに工り容易に収り除く事が出来る工うに取っ
た。
重要視されていた為条件■そのものを改良する具体的方
策が示されておらず問題である。これに対して１度依存
性はＩＣが安価になった現在温度補償回路を駆動回路に
組み込むφに工り容易に収り除く事が出来る工うに取っ
た。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは表示′装置用のネマチック液晶組成物の急硬
性を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマ
チック液晶偏度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、史に
化学的に安定なネマチック液晶組成物を提供するφにあ
る。
るところは表示′装置用のネマチック液晶組成物の急硬
性を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマ
チック液晶偏度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、史に
化学的に安定なネマチック液晶組成物を提供するφにあ
る。
本発明のネマチック液晶組５ｙ、イ勿は、少なぐとも一
般式Ｒ１へ旨トｏ Ｒｔ （式中Ｒ１は炭素９１〜１０
個の直鎖アルキル基、Ｒ７は炭素敬１〜１５個の直鎖ア
ルキル基を示す）で表わされる化８（の少なくとも−１
１及び一般式、）、−Ω−Ｃｏｏ−：ｑ’−ｃｕ で表
わされる化合物の少なくとも一梓から庶る事を特徴とす
る。
般式Ｒ１へ旨トｏ Ｒｔ （式中Ｒ１は炭素９１〜１０
個の直鎖アルキル基、Ｒ７は炭素敬１〜１５個の直鎖ア
ルキル基を示す）で表わされる化８（の少なくとも−１
１及び一般式、）、−Ω−Ｃｏｏ−：ｑ’−ｃｕ で表
わされる化合物の少なくとも一梓から庶る事を特徴とす
る。
一般式Ｒ，−＠−ｃｏｏ−＠−ｏ−Ｆｔ４ （式中Ｂ、
及びＦｔ４ｉｄ各々炭素６１〜１０個の直鎖アルキル基
である）で表わされる化せ物の少なくとも一抽、及び一
般式Ｒ−Ｇ−Ｃｏｏ−Ｇ−ＣＮ Ｃ式中Ｈ５は炭ｇ ｄ
１〜１０個の直鎖アルキル基である）で表わされる化
＠圀の少なくとも一棹から成る事を特徴とする。
及びＦｔ４ｉｄ各々炭素６１〜１０個の直鎖アルキル基
である）で表わされる化せ物の少なくとも一抽、及び一
般式Ｒ−Ｇ−Ｃｏｏ−Ｇ−ＣＮ Ｃ式中Ｈ５は炭ｇ ｄ
１〜１０個の直鎖アルキル基である）で表わされる化
＠圀の少なくとも一棹から成る事を特徴とする。
不発明に於て一般式馬べ１とＯ−Ｒ，で表わされる化合
物（以後本文中に於てＰＦｔｌ）と略記する）は従来の
率なるＮｎｅ、晶及びＮｐ液晶から成るネマチック液晶
ｆｆｉ叙物に添加する慣により倉、殴性を向上させ、か
つネマチック液晶温度範囲も広げるために用いたもので
あり２ｗｔ％未満では効力がなくその含有量は多い程良
い、しがし８０ｗｔ％を越えると共晶組成からのズレが
太き（ＥｉＭり過ぎて凝固点降下の効果が倚らｉｔｆ低
扇に於て析出するように成るため２重量％〜８０ｉ晃−
チが望ましい。
物（以後本文中に於てＰＦｔｌ）と略記する）は従来の
率なるＮｎｅ、晶及びＮｐ液晶から成るネマチック液晶
ｆｆｉ叙物に添加する慣により倉、殴性を向上させ、か
つネマチック液晶温度範囲も広げるために用いたもので
あり２ｗｔ％未満では効力がなくその含有量は多い程良
い、しがし８０ｗｔ％を越えると共晶組成からのズレが
太き（ＥｉＭり過ぎて凝固点降下の効果が倚らｉｔｆ低
扇に於て析出するように成るため２重量％〜８０ｉ晃−
チが望ましい。
Ｐ−ＥはＮｐ′Ｑ晶でありその含有量の多少に工り閾て
圧を１氏くまたは高くできる。１４逍圧が［氏ければそ
れに比例して液晶、駆動用回路の最大定格出力電圧も低
くてデみ、安価なＩＣが使えるため有利となる。しかし
Ｐ−Ｅ液晶を含有量を多（１すき゛ると急峻性などの電
気光学特性の性能を低下させ、透明点を低ぐし液晶温度
範囲を狭くするなどの好ましくない影９Ｆが出る可能性
があるのでこの富有前は過度にしない方が艮い。即ち２
ｆｆｉｔ％から８０重瞳チが望ましい。
圧を１氏くまたは高くできる。１４逍圧が［氏ければそ
れに比例して液晶、駆動用回路の最大定格出力電圧も低
くてデみ、安価なＩＣが使えるため有利となる。しかし
Ｐ−Ｅ液晶を含有量を多（１すき゛ると急峻性などの電
気光学特性の性能を低下させ、透明点を低ぐし液晶温度
範囲を狭くするなどの好ましくない影９Ｆが出る可能性
があるのでこの富有前は過度にしない方が艮い。即ち２
ｆｆｉｔ％から８０重瞳チが望ましい。
一般弐Ｆｔ、−シＣｏｏ ＋ＯＦ＋４ で表わされる化
合物（以後本文中に於てＥＣＨと略記する）ｌｄＰＲＤ
と全率可溶型の凝固をしない物質として重要である。即
ちＥＣＢはＰＦＩＬＩと共晶生成型の凝固をするため各
々の物質が示す融点エシかな＃）低い温度まで＃固せず
ネマチック液晶相を示す。また透明点はＰＲＤニジもＥ
ＯＥの方が更に高いため、ＫＯＨの存在に工りネマチッ
ク液晶組成物の透明点も高めている。ＥＣ）］がＰＦｔ
１）に対するこの２つの効果にニジネマチック敵晶飄に
範囲が（＃、協側と高温側の両方に広げられている。従
って比較的狭い温度範囲１例えば０℃〜４０℃で使用さ
れる場合ＩＣ！−′１１０Ｂを含有する必要Ｐｉ無い。
合物（以後本文中に於てＥＣＨと略記する）ｌｄＰＲＤ
と全率可溶型の凝固をしない物質として重要である。即
ちＥＣＢはＰＦＩＬＩと共晶生成型の凝固をするため各
々の物質が示す融点エシかな＃）低い温度まで＃固せず
ネマチック液晶相を示す。また透明点はＰＲＤニジもＥ
ＯＥの方が更に高いため、ＫＯＨの存在に工りネマチッ
ク液晶組成物の透明点も高めている。ＥＣ）］がＰＦｔ
１）に対するこの２つの効果にニジネマチック敵晶飄に
範囲が（＃、協側と高温側の両方に広げられている。従
って比較的狭い温度範囲１例えば０℃〜４０℃で使用さ
れる場合ＩＣ！−′１１０Ｂを含有する必要Ｐｉ無い。
しかしニジ広い温度範囲、例えは−２０℃〜６０℃で使
用するためにはＥ（Ｒを２重ｆ％以上含肩する事が望ま
しい。ＥＯＥの含有量が８６°゛−重ｔ％を越えると共
晶組成からｍ５！比が離れ過さ゛てその凝固点降下効果
を失う。従ってＥＯＥの含有量は０重欧チ〜８６１ｆ％
が望ましく、ニジ望ましくは２〜８６重ｔ％である。
用するためにはＥ（Ｒを２重ｆ％以上含肩する事が望ま
しい。ＥＯＥの含有量が８６°゛−重ｔ％を越えると共
晶組成からｍ５！比が離れ過さ゛てその凝固点降下効果
を失う。従ってＥＯＥの含有量は０重欧チ〜８６１ｆ％
が望ましく、ニジ望ましくは２〜８６重ｔ％である。
以下、ツイスト・ネマチックモードを用い−ｆｃ場合に
ついて説明する。
ついて説明する。
夷踊例中に於ける液晶組５！物の特注の沖］ぜは仄の非
ぐ行った、第一図は電気光学特性に対する測定系を表わ
したものである。測定セル５はガラス製基板の片面に蒸
眉々どの操作により酸化錫などの透明電極を設け、史に
その面を有悼薄膜で７埴い配向処理を殉じた上、スペー
サーの役蓄１ｊを兼ねたナイロン・フィルムリの枠を闇
に法んで液晶を封入した時液晶層が所望の厚みと二枚の
該ガラス基板を対向させて１冗したものであシ、該セル
の両面には各々一枚づつの偏光板を電圧が印加されてい
ない時光が透過し、電圧が印加された時元が遮断される
ように偏光軸の向きを調整して貼付けである。同、本文
中に於てプラス基板とガラス基板の＋１ｆｌ１４（即ち
薮晶層の厚さ）をセル厚と略記する。
ぐ行った、第一図は電気光学特性に対する測定系を表わ
したものである。測定セル５はガラス製基板の片面に蒸
眉々どの操作により酸化錫などの透明電極を設け、史に
その面を有悼薄膜で７埴い配向処理を殉じた上、スペー
サーの役蓄１ｊを兼ねたナイロン・フィルムリの枠を闇
に法んで液晶を封入した時液晶層が所望の厚みと二枚の
該ガラス基板を対向させて１冗したものであシ、該セル
の両面には各々一枚づつの偏光板を電圧が印加されてい
ない時光が透過し、電圧が印加された時元が遮断される
ように偏光軸の向きを調整して貼付けである。同、本文
中に於てプラス基板とガラス基板の＋１ｆｌ１４（即ち
薮晶層の厚さ）をセル厚と略記する。
白色光源１から出た光＠はレンズ系２ｔ″通りセル３に
垂直方向から入射し、後方に設けられた検出器でその透
過光強度が測定される。この時セル３には駆動回路５に
工つ七任意の実効値電圧を待つ周波数１キロ・ヘルツの
交番矩形電圧が印加されている。簗−図の測定系を用い
て液晶セルを測定した電圧−透過率曲線が舅二図である
。第二図に於て透過率は通常の即７）Ｄ［圧範囲で最も
明るくなった時及び最も暗くなった時の透過率を各々１
００チ及び０％として表わし回加ＴＪＩ圧を透過率１０
０チの電圧から妬めて除々に上げて行き透過率が１０％
だけ変化した時の実効垣砒圧を閾電圧ｖｔｈ。
垂直方向から入射し、後方に設けられた検出器でその透
過光強度が測定される。この時セル３には駆動回路５に
工つ七任意の実効値電圧を待つ周波数１キロ・ヘルツの
交番矩形電圧が印加されている。簗−図の測定系を用い
て液晶セルを測定した電圧−透過率曲線が舅二図である
。第二図に於て透過率は通常の即７）Ｄ［圧範囲で最も
明るくなった時及び最も暗くなった時の透過率を各々１
００チ及び０％として表わし回加ＴＪＩ圧を透過率１０
０チの電圧から妬めて除々に上げて行き透過率が１０％
だけ変化した時の実効垣砒圧を閾電圧ｖｔｈ。
萱た史に印加電圧を上げて透過率が１００％の時から９
０％変化した時の実＠値辺圧を庵オロ旧圧Ｖｓａｔ と
各４足める。この時、電圧−ｒＡＡ率曲線曲線逍圧付近
の立ち上が９（即ち急ロフ憔）は下式に於けるβ１直と
して足めら九る。
０％変化した時の実＠値辺圧を庵オロ旧圧Ｖｓａｔ と
各４足める。この時、電圧−ｒＡＡ率曲線曲線逍圧付近
の立ち上が９（即ち急ロフ憔）は下式に於けるβ１直と
して足めら九る。
一方、急！役性βはセル厚ｄ（μ）と屈折率異方性△Ｄ
の積であるΔｎ−ａがＱ、８〜１．０付近の時最も小さ
くなる（最良となる）タラ見出した（参考文献：山崎淑
夫、竹下殆、永田元夫、宮地幸夫。
の積であるΔｎ−ａがＱ、８〜１．０付近の時最も小さ
くなる（最良となる）タラ見出した（参考文献：山崎淑
夫、竹下殆、永田元夫、宮地幸夫。
Ｐｒｏｃｅｅａｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ５ｒｄ工ｎｔ
ｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｌｌｉｓ−ｐｌａｙ Ｒｅ５ｅ
ａｒｃｈ Ｃ１ｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ” ＪＡＰＡＮ
Ｌｌ工５ＰＬＡＹ’８３”、 ５２０頁、１９８３年
、◎ＦｉｌＤ）。従ってコントラストを重視する揚台セ
ル厚ｃｌ（ｚΔＤ・ｄがα８付近に成る様に液晶表示体
を作るのが最も得策であり、液晶組成物の會、ｑ性の比
較もこのセル厚で行うのが最も妥当であると考えられる
。
ｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｌｌｉｓ−ｐｌａｙ Ｒｅ５ｅ
ａｒｃｈ Ｃ１ｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ” ＪＡＰＡＮ
Ｌｌ工５ＰＬＡＹ’８３”、 ５２０頁、１９８３年
、◎ＦｉｌＤ）。従ってコントラストを重視する揚台セ
ル厚ｃｌ（ｚΔＤ・ｄがα８付近に成る様に液晶表示体
を作るのが最も得策であり、液晶組成物の會、ｑ性の比
較もこのセル厚で行うのが最も妥当であると考えられる
。
以上を鑑み、本実施例では急設性、応答速度及び閾電圧
の測定は全てβが最小となるセル厚のセルを用いて測定
した。
の測定は全てβが最小となるセル厚のセルを用いて測定
した。
測定温度は全て摂！＋：、２０度とした。
でた配回の同−件全高めるため本発明のネマチック液晶
組成物に微量のコレステリック物質を添加したものをセ
ルに封入した。
組成物に微量のコレステリック物質を添加したものをセ
ルに封入した。
ネマチック液晶相の安定性はセルに封入し定状、昨で關
慝液晶性及び低霧液晶憔を以て表わした。
慝液晶性及び低霧液晶憔を以て表わした。
即ち年平均気幅の平年１直が東京で１５℃、那覇で２２
℃である（総理府統計局４「日本の統計」昭和５５年度
版 ６，７頁）から呈τ品を２０℃と仮定しセルを＠憎
に設置し、それ工９史に２０℃（−！たは４０℃）高い
温度に於てネマチック相が安定か否かを高温液晶と称す
ることにし、ネマチック相が安定なら○印、等方性液体
（１ｓｏｔｒｏｐｉｃ１１ｑｕｌ ） ならｌで表わ
す。低温液晶性はセルを設置した恒Ｓ槽の温度を２０℃
から始め１日につき５℃づつ下げて行つ７′ｃ時、呈温
として仮定した２０℃Ｌシ２０℃だけ（または４０℃だ
け）低くなった時（即ち恒温槽湿度Ω℃または一２０℃
に於て）、ネマチック液晶槽が安定か否かを低湛准晶注
と称し、ネマチック相が安定なら○印を、固体状態を呈
しているかまたは析出を生じていればＸ印を以って表わ
す。
℃である（総理府統計局４「日本の統計」昭和５５年度
版 ６，７頁）から呈τ品を２０℃と仮定しセルを＠憎
に設置し、それ工９史に２０℃（−！たは４０℃）高い
温度に於てネマチック相が安定か否かを高温液晶と称す
ることにし、ネマチック相が安定なら○印、等方性液体
（１ｓｏｔｒｏｐｉｃ１１ｑｕｌ ） ならｌで表わ
す。低温液晶性はセルを設置した恒Ｓ槽の温度を２０℃
から始め１日につき５℃づつ下げて行つ７′ｃ時、呈温
として仮定した２０℃Ｌシ２０℃だけ（または４０℃だ
け）低くなった時（即ち恒温槽湿度Ω℃または一２０℃
に於て）、ネマチック液晶槽が安定か否かを低湛准晶注
と称し、ネマチック相が安定なら○印を、固体状態を呈
しているかまたは析出を生じていればＸ印を以って表わ
す。
〔実施例１〜４〕
第１表に於て比較例１にＰＲＬＩのみから叙る組成物で
ある。このものはネマチック液晶温度軸ｌが十分高温で
は安定でありその透明点は６４℃である。しかし融点は
商〈５２℃であるためその坏マチック液晶相は高温での
み安定である。即ち２０℃に次ては固体であるため電界
による鹿嶋はできず、電気光学特性も測定不可能である
、比較１＋！ｌ ２ ｉｆ Ｐ −Ｅのみから成る組成
物である。
ある。このものはネマチック液晶温度軸ｌが十分高温で
は安定でありその透明点は６４℃である。しかし融点は
商〈５２℃であるためその坏マチック液晶相は高温での
み安定である。即ち２０℃に次ては固体であるため電界
による鹿嶋はできず、電気光学特性も測定不可能である
、比較１＋！ｌ ２ ｉｆ Ｐ −Ｅのみから成る組成
物である。
このものｌ’ｔ１０℃から４２℃の温度範囲でネマチッ
ク液晶相を示すため２０℃での電気光学ｖｆ法の測定が
可能である。閾電圧ｖｔｈは（Ｌ７４Ｖと非常に低電圧
である。しかし急峻性βは１・２８であシ１第２表に示
される従来例１（、ｉｉＬ＜は後述）よりくに劣ってい
る。
ク液晶相を示すため２０℃での電気光学ｖｆ法の測定が
可能である。閾電圧ｖｔｈは（Ｌ７４Ｖと非常に低電圧
である。しかし急峻性βは１・２８であシ１第２表に示
される従来例１（、ｉｉＬ＜は後述）よりくに劣ってい
る。
以上ＰＦｔ］ＪまたはＰ−Ｅのみから成る組成物はα晶
温度範囲が狭く、至記での電気光学特性が測定不可能か
またけ測定できても急峻住専が劣っている一 実施例１〜４はＰＥ１Ｊ及びＰ−Ｅから成るネマチック
液晶組成物であり本発明の特許請求の範囲第−項記載の
ネマチック液晶、＠叙の実＠例である。
温度範囲が狭く、至記での電気光学特性が測定不可能か
またけ測定できても急峻住専が劣っている一 実施例１〜４はＰＥ１Ｊ及びＰ−Ｅから成るネマチック
液晶組成物であり本発明の特許請求の範囲第−項記載の
ネマチック液晶、＠叙の実＠例である。
ＰＲＩＩとＰ−Ｅの組広比が８０重ｆ％対２０重曖壬か
ら２０重ｔ％対８０重量％壇で棹々変えである。これら
は呈湛は勿論Ｏ℃及び４０℃に於てもネマチック液晶相
を有している。また閾電圧はｚｏｓｖ〜１．Ｏｖと比較
的低く、正の誘電率異方性を有するＰ−Ｅを第１表記載
の冥施例中最も多く含有する実施例は１．０’ Ｉ Ｖ
と極めて低い、−刀急ｑ性βは１．２４〜１．２６であ
り全般的に良好であるが第１表記載の実施例中ＰＲＤの
會有量が最も多い実施例１は急・９住βが１．２４と最
も優れている。
ら２０重ｔ％対８０重量％壇で棹々変えである。これら
は呈湛は勿論Ｏ℃及び４０℃に於てもネマチック液晶相
を有している。また閾電圧はｚｏｓｖ〜１．Ｏｖと比較
的低く、正の誘電率異方性を有するＰ−Ｅを第１表記載
の冥施例中最も多く含有する実施例は１．０’ Ｉ Ｖ
と極めて低い、−刀急ｑ性βは１．２４〜１．２６であ
り全般的に良好であるが第１表記載の実施例中ＰＲＤの
會有量が最も多い実施例１は急・９住βが１．２４と最
も優れている。
以上本発明による実施Ａ１〜４はＰＲＩ）またＰ−Ｅの
みから成る組成物である比ｆＩ！Ａ１１及び２と比較し
てネマチック液晶温度範囲が著しく改碧され呈ａｔ中七
・とじて上下２０℃以内の温度範囲で十分駆動できる工
うに成った。ｌに急峻性βも第 １ 表 比較例２及び従来１ｊｌｌ １と比較して極めて良好と
叙った。
みから成る組成物である比ｆＩ！Ａ１１及び２と比較し
てネマチック液晶温度範囲が著しく改碧され呈ａｔ中七
・とじて上下２０℃以内の温度範囲で十分駆動できる工
うに成った。ｌに急峻性βも第 １ 表 比較例２及び従来１ｊｌｌ １と比較して極めて良好と
叙った。
〔実施例５〜９〕
本発明特許請求の範囲第一項記載のネマチック液晶組成
物はｐｕｂまたはＰ−Ｅ以外の物質を富んでも艮（、特
ＫＥＯＩ−］を含む事を特徴とするネマチック液晶組成
物が不発明特許請求の範囲第二項記載のネマチック液晶
組成物である。以下本発明特許請求の範囲第二項記載の
ネマチック液晶組成物の一例である冥＠例５〜９及び実
施ダ］１０〜１４を示し説明する。
物はｐｕｂまたはＰ−Ｅ以外の物質を富んでも艮（、特
ＫＥＯＩ−］を含む事を特徴とするネマチック液晶組成
物が不発明特許請求の範囲第二項記載のネマチック液晶
組成物である。以下本発明特許請求の範囲第二項記載の
ネマチック液晶組成物の一例である冥＠例５〜９及び実
施ダ］１０〜１４を示し説明する。
実施例５〜９はＰ！’ｔｌＪ及びＦＯＥの含有ｉｔを各
々２〜８０重ｔ％、８６〜８重ｔ％の範囲で変化させ、
組成を種々変化させた。
々２〜８０重ｔ％、８６〜８重ｔ％の範囲で変化させ、
組成を種々変化させた。
従来例１はＰ−Ｅ及びｚｃＨから区るネマチック液晶組
成物であり、現在これとほぼ同様の組成またはこれに一
般式丘−＼Ω−Ｃ００ベトＲ’（只、Ｐ′は任意の炭素
０のアルキル基を示す）などと冷加して用いられている
。このものは透明点が７２０であシロ０℃に於てもネマ
チック液晶が安定である、しかし−２０℃で析出するた
め殻しい崗ｅ条件Ｆでは使用で今ない。
成物であり、現在これとほぼ同様の組成またはこれに一
般式丘−＼Ω−Ｃ００ベトＲ’（只、Ｐ′は任意の炭素
０のアルキル基を示す）などと冷加して用いられている
。このものは透明点が７２０であシロ０℃に於てもネマ
チック液晶が安定である、しかし−２０℃で析出するた
め殻しい崗ｅ条件Ｆでは使用で今ない。
ｌｔ！１１７５、実施１ｑｌｌ ５〜９は一２０℃〜６
０℃の温度範囲で全て安冗にネマチック液晶相を示し、
荷に実１１１Ａ６ 、７ 、８は一５０℃以下でもネマ
チック液晶相が安定である。即ち本発明に工れば型温を
２０℃としてその上下４０℃の広い温度範囲で駆動５Ｍ
能な坏マ千ツク液晶ｆｉｉ成物を祷る事ができる。
０℃の温度範囲で全て安冗にネマチック液晶相を示し、
荷に実１１１Ａ６ 、７ 、８は一５０℃以下でもネマ
チック液晶相が安定である。即ち本発明に工れば型温を
２０℃としてその上下４０℃の広い温度範囲で駆動５Ｍ
能な坏マ千ツク液晶ｆｉｉ成物を祷る事ができる。
Ｉ５！に急峻性はＰＦＩＤが２重ｔ％の実施例５では従
来例１と殆んど同じであるがそれエリＰＦＩＬｌの含有
ｔの多い実施例６〜９では良好であり特に実施例８，９
は極めて優れている。即ち選択を極及び非選近Ｎｉでの
透過率が各々ＩＱ％以下及び９０％以上と成る様にダイ
ナミック躯勅するためには短資＠極の本Ｖの上限は従来
例７で１８本であるのに対して実施し１１Ｂ、９は２４
本である。
来例１と殆んど同じであるがそれエリＰＦＩＬｌの含有
ｔの多い実施例６〜９では良好であり特に実施例８，９
は極めて優れている。即ち選択を極及び非選近Ｎｉでの
透過率が各々ＩＱ％以下及び９０％以上と成る様にダイ
ナミック躯勅するためには短資＠極の本Ｖの上限は従来
例７で１８本であるのに対して実施し１１Ｂ、９は２４
本である。
第２表
〔実施例１０〜１５〕
本発明特許梢求の範囲第二項のネマチック液晶組成物に
於てＰ−Ｆ、の含有＃、を櫃々変えて閾電圧を変化させ
た実施例１０〜１５を第三衣に示す。
於てＰ−Ｆ、の含有＃、を櫃々変えて閾電圧を変化させ
た実施例１０〜１５を第三衣に示す。
Ｐ−Ｅの含有量を実施列１００２重量％から実力例１６
０５２重ｆ％に増り口させるに従い、閾電圧は＆４７ｖ
から１．５６ Ｖへ低くする４！ができる。
０５２重ｆ％に増り口させるに従い、閾電圧は＆４７ｖ
から１．５６ Ｖへ低くする４！ができる。
実施比１３の飽和電圧は１．７０ Ｖであり、フッ化炭
素−リチウム１！池のボタン型のもの（３Ｖ）を電源と
して昇圧回路なしで２分の１バイアス−４分の１デユー
ティ−の駆動が可能である。
素−リチウム１！池のボタン型のもの（３Ｖ）を電源と
して昇圧回路なしで２分の１バイアス−４分の１デユー
ティ−の駆動が可能である。
急峻性は閾電圧とは逆にＰ−Ｅの富有量が最も少ない実
施例１０が最も良い傾向にある、従って十分な表示コン
トラストを得ながら走ｆ線本碇を多ぐ駆動するためには
急峻性を良くするためＶこＰ−Ｅの含有ｔができるだけ
少ない方が有利である。
施例１０が最も良い傾向にある、従って十分な表示コン
トラストを得ながら走ｆ線本碇を多ぐ駆動するためには
急峻性を良くするためＶこＰ−Ｅの含有ｔができるだけ
少ない方が有利である。
但し駆動回路の冗格出力電圧に工って閾電圧及び飽和電
圧の上限が定められるので、Ｐ−１０富有量の下限も足
められる。
圧の上限が定められるので、Ｐ−１０富有量の下限も足
められる。
第３表
以上％実施例１０〜１５で示した如く本発明特許ｄ求の
範囲第二項に工ればＰ−Ｅの富有量に工υ本発明特許請
求の範囲第一項と同６ｐ、−電圧全自白に変えられ、そ
の時急峻性は従米例工り優れており、ネマチック液晶温
度も広げられている。
範囲第二項に工ればＰ−Ｅの富有量に工υ本発明特許請
求の範囲第一項と同６ｐ、−電圧全自白に変えられ、そ
の時急峻性は従米例工り優れており、ネマチック液晶温
度も広げられている。
〔実施例１４．１５：Ｉ
ＰＲＬＩの成分数が１成分またに４成分のネマチック液
晶組成物である実施例１４及び実施ｆＩＪ１５を第４表
に示した。
晶組成物である実施例１４及び実施ｆＩＪ１５を第４表
に示した。
実施例１４．１５はいずれも閾電圧が２．６Ｖ台である
。急ｉ役性は１．２４を示し実施例７と同程度であり極
めて優れている。低４（−２０℃）及び高温（６０℃）
に於てもネマチック液晶相を安定に示す、特に実施ｉ＋
１１５は一６０℃以下でもネマチック液晶相が安定であ
る。
。急ｉ役性は１．２４を示し実施例７と同程度であり極
めて優れている。低４（−２０℃）及び高温（６０℃）
に於てもネマチック液晶相を安定に示す、特に実施ｉ＋
１１５は一６０℃以下でもネマチック液晶相が安定であ
る。
以上、本発明によればＰＦｔｌ）の成分数及びＰＲＩＪ
のアルキル基またはアルコキン基の違いによらず電気光
学特注及び高温・低温液晶性に優れたネマチックα晶組
成づを伺ることは明らかである。
のアルキル基またはアルコキン基の違いによらず電気光
学特注及び高温・低温液晶性に優れたネマチックα晶組
成づを伺ることは明らかである。
第４表
〔発明の効果〕
以上述べた二うに、不発明によれば、少なくとも一般弐
Ｒｌ トドＯ−Ｒ！で表わされる化合物を２〜８０重ｆ
ｉ％、一般式Ｒ５−ｏ−Ｃ００ｈとＯＮで表わ逼れる化
合物全２〜８０重量％用いて洋マチック１１！晶組成物
を構成した手に工り、０〜４０亡の偏度範囲で駆動でき
、しかも急１・凝性に優れ、閾゛Ｃ圧も任意に自由に変
えられるダイナミック特性に優れたネマチック液晶組成
物を得る事ができた。このネマチック液晶組成物は独々
の廚〃Ω吻を含んでも艮いが特に一般式 Ｒ４−トＣＯ
Ｏ−ト０− Ｒ１で表わされる化合物を８６％以下含有
する小に工り液晶温度範囲を者しく広げる事ができる。
Ｒｌ トドＯ−Ｒ！で表わされる化合物を２〜８０重ｆ
ｉ％、一般式Ｒ５−ｏ−Ｃ００ｈとＯＮで表わ逼れる化
合物全２〜８０重量％用いて洋マチック１１！晶組成物
を構成した手に工り、０〜４０亡の偏度範囲で駆動でき
、しかも急１・凝性に優れ、閾゛Ｃ圧も任意に自由に変
えられるダイナミック特性に優れたネマチック液晶組成
物を得る事ができた。このネマチック液晶組成物は独々
の廚〃Ω吻を含んでも艮いが特に一般式 Ｒ４−トＣＯ
Ｏ−ト０− Ｒ１で表わされる化合物を８６％以下含有
する小に工り液晶温度範囲を者しく広げる事ができる。
本発明による矛マチック液晶組成物を用いればツイスト
ネマチックモードラ始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド（ホスト液晶として）などの表示素子に於て優れた表
示コントラストを祷るのに多大の効果力；ある。
ネマチックモードラ始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド（ホスト液晶として）などの表示素子に於て優れた表
示コントラストを祷るのに多大の効果力；ある。
第１図は実施例に於て用いた測定装置を表マクすハード
図、第２図は該測定装置を用いて一般的に祷られる相対
透過率−失効電圧のグラフ。 １・・・光源 ２・・・光線 ６・・・レンズ及びフィルター系 ４・・・セル ５・・・受光部（光電増培管） 以 上 第１図 ＯＶｔｈ Ｖｓａ を 実婁電７ｉ （ｖ） 第２図 手続補正書（自発） ｓａｍ６０工５，１，４゜
図、第２図は該測定装置を用いて一般的に祷られる相対
透過率−失効電圧のグラフ。 １・・・光源 ２・・・光線 ６・・・レンズ及びフィルター系 ４・・・セル ５・・・受光部（光電増培管） 以 上 第１図 ＯＶｔｈ Ｖｓａ を 実婁電７ｉ （ｖ） 第２図 手続補正書（自発） ｓａｍ６０工５，１，４゜
Claims (2)
- （１）少なくとも 一般式▲数式、化学式、表等があります▼（式中Ｒ＿１
は炭素数１〜 １０個の直鎖アルキル基、Ｒ＿２は炭素数１〜１５個の
直鎖アルキル基を各々示す）で表わされる化合物 の少なくとも一種、及び 一般式▲数式、化学式、表等があります▼（式中Ｒ＿３
は炭素数１ 〜１０個の直鎖アルキル基を示す）で表わされる化合物 の少なくとも一種から成る事を特徴とするネマチック液
晶組成物。 - （２）一般式▲数式、化学式、表等があります▼（式中
Ｒ＿４及 びＲ＿４は各々炭素数１〜１０個の直鎖アルキル基を示
す）で表わされる化合物を添加した特許請求の範囲第１
項記載のネマチック液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21307284A JPS6191284A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | ネマチツク液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21307284A JPS6191284A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | ネマチツク液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191284A true JPS6191284A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16633075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21307284A Pending JPS6191284A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | ネマチツク液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4781857A (en) * | 1986-03-26 | 1988-11-01 | Chisso Corporation | Halogen-containing pyridine compound and liquid crystal composition |
| US4784792A (en) * | 1985-12-27 | 1988-11-15 | Chisso Corporation | Ferroelectric pyridine compound and liquid crystal composition |
| US4795587A (en) * | 1986-03-26 | 1989-01-03 | Chisso Corporation | 2-(4'-alkoxyphenyl)-5-alkylpyridines |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21307284A patent/JPS6191284A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784792A (en) * | 1985-12-27 | 1988-11-15 | Chisso Corporation | Ferroelectric pyridine compound and liquid crystal composition |
| US4781857A (en) * | 1986-03-26 | 1988-11-01 | Chisso Corporation | Halogen-containing pyridine compound and liquid crystal composition |
| US4795587A (en) * | 1986-03-26 | 1989-01-03 | Chisso Corporation | 2-(4'-alkoxyphenyl)-5-alkylpyridines |
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