JPS6121186A - ネマチツク液晶組成物 - Google Patents
ネマチツク液晶組成物Info
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- JPS6121186A JPS6121186A JP14169884A JP14169884A JPS6121186A JP S6121186 A JPS6121186 A JP S6121186A JP 14169884 A JP14169884 A JP 14169884A JP 14169884 A JP14169884 A JP 14169884A JP S6121186 A JPS6121186 A JP S6121186A
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- compound
- crystal composition
- voltage
- nematic liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はネマチック液晶組成物、特にダイナミック駆動
に適した高速応答ネマチック液晶組成物に関する。
に適した高速応答ネマチック液晶組成物に関する。
ダイナミック駆動に用いるネマチック液晶組成物には下
記の特性が必要である。
記の特性が必要である。
■ 電圧−透過率曲線の閾電圧付近の立ち上が9が急峻
であること(以後本文中に於て急峻性と略り己する)。
であること(以後本文中に於て急峻性と略り己する)。
■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が早いこと。
■ 室温付近で駆動できる事。
■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れる事。
■ 駆動電圧(または閾電圧)が自由に選べる事。
■、■は表示品位に耐して、■、■は信頼性に対して特
に関係がある。これら■〜■の重要性は次の通シである
。
に関係がある。これら■〜■の重要性は次の通シである
。
■ 単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をし
た時、選択電極と非選択電極に印加される相対的な電圧
の差は走査電極の本数が増えるにつれて小さくなる。従
って、十分なコントラストに得るには液晶の点燈′電圧
〔即ち透過率(または遮蔽率)の飽和する電圧〕と非点
燈電圧(閾電圧)の差も相対的に小さくなければならな
い。即ち、単純マトリクス表示体に於て十分なコントラ
ストを得、しかも走査電極の本数百7多くし、画素数を
増やすには電圧−透過率曲線に於て点燈電圧(飽和電圧
)と非点燈電圧(閾電圧)の間の曲線が急峻である事が
必要である。
た時、選択電極と非選択電極に印加される相対的な電圧
の差は走査電極の本数が増えるにつれて小さくなる。従
って、十分なコントラストに得るには液晶の点燈′電圧
〔即ち透過率(または遮蔽率)の飽和する電圧〕と非点
燈電圧(閾電圧)の差も相対的に小さくなければならな
い。即ち、単純マトリクス表示体に於て十分なコントラ
ストを得、しかも走査電極の本数百7多くし、画素数を
増やすには電圧−透過率曲線に於て点燈電圧(飽和電圧
)と非点燈電圧(閾電圧)の間の曲線が急峻である事が
必要である。
■ 静止画像全表示する場合応答速度はそれ程問題とな
らない。L7かしコンピュータ端末ヤワード・プロセン
サーなどの様に画像を頻繁に切シ侯える必要のある場合
、高速応答性が要求されるようになる。テレビ画1象な
どの動画を表示する場合四に速い応答性が要求されるの
は言うまでも・ない。
らない。L7かしコンピュータ端末ヤワード・プロセン
サーなどの様に画像を頻繁に切シ侯える必要のある場合
、高速応答性が要求されるようになる。テレビ画1象な
どの動画を表示する場合四に速い応答性が要求されるの
は言うまでも・ない。
■、■ 室内用については従来と変わりない。
しかし戸外用1例えば自動車搭載用など一部の用途につ
いては■の要求は厳しくなっており、室温のみならず高
温側は摂氏80度以上、低温側は摂氏マイナス50朋以
下でも駆動できる事が望まれる。従って液晶にもこの温
度範囲でネマテンク相全示す事が要求される場合がある
。
いては■の要求は厳しくなっており、室温のみならず高
温側は摂氏80度以上、低温側は摂氏マイナス50朋以
下でも駆動できる事が望まれる。従って液晶にもこの温
度範囲でネマテンク相全示す事が要求される場合がある
。
(5)液晶表示体は他の表示体と比較して消費電力が小
さい。液晶が低電圧で駆動できると液晶自身を動かすた
めに消費される電力も小さくなるはかりでなく、駆動回
路も低消費電力でしかも価格の安い相補型来槓回路が使
え有利となる。しかし電力が十分得られる場所での使用
を目的とし、しかも生産原価より画1家品位を優先する
場合は駆@電圧の条件は緩められる。
さい。液晶が低電圧で駆動できると液晶自身を動かすた
めに消費される電力も小さくなるはかりでなく、駆動回
路も低消費電力でしかも価格の安い相補型来槓回路が使
え有利となる。しかし電力が十分得られる場所での使用
を目的とし、しかも生産原価より画1家品位を優先する
場合は駆@電圧の条件は緩められる。
液晶組成物に課せられた特性の条件は以上■〜■に示し
た通シで凌)る。しかし従来市販されている液晶組成物
はこれらの条件のうち全てを満たしているものはない。
た通シで凌)る。しかし従来市販されている液晶組成物
はこれらの条件のうち全てを満たしているものはない。
例えば一般式R−Q−C1(=N−Q−R’(RR’は
各々任意の数の炭素から成る直鎖アルキル基または直鎖
アルコキシ基゛またはシアン基を表わす)で表わされる
化合は液晶を示す温度範囲(以下、不文中に於て液晶温
度範囲と略記する)が室温付近を中心として比較的広く
、またこれを用いた液晶組成物の電気光学的特性も比較
的良好である。
各々任意の数の炭素から成る直鎖アルキル基または直鎖
アルコキシ基゛またはシアン基を表わす)で表わされる
化合は液晶を示す温度範囲(以下、不文中に於て液晶温
度範囲と略記する)が室温付近を中心として比較的広く
、またこれを用いた液晶組成物の電気光学的特性も比較
的良好である。
しかしこの化合物は化学的に不安定であり水分によ勺答
易に分解されてしまい信頼性に関して十分な特性を有す
るとは言い難い(条件■)。またiR式R−(Q>−N
=N−ur−R’ ffiわされルアソキシ化合物も
液晶温度範囲が室温付近にあり、これを用いた液晶組成
物は篭気光学船性が優れている。しかし紫外線及び短波
長の可視光を1扱収して光劣化を起こすため電気抵抗の
減少や気泡の発生などが生じる。劣化を防ぐためには黄
色フィルターにより液晶を外部光から保瞳する必要があ
るが、表示が黄つほく見える上フィルターの代価やそれ
を貼り付ける手間が増える等の欠点が生じる。従ってア
ゾキシ化合物の用途は駆足される。一般式R−4)−0
:10ベトR′で表われる化合物及び一般式R−o−o
−R’で表われる化合物は液晶温度範囲が広い。これを
用いた液晶組成物は急峻性や視角依存性などの電気光学
特性が優れている。しかし応答速度が遅いためテレビ画
像など全表示するのには適当でない。
易に分解されてしまい信頼性に関して十分な特性を有す
るとは言い難い(条件■)。またiR式R−(Q>−N
=N−ur−R’ ffiわされルアソキシ化合物も
液晶温度範囲が室温付近にあり、これを用いた液晶組成
物は篭気光学船性が優れている。しかし紫外線及び短波
長の可視光を1扱収して光劣化を起こすため電気抵抗の
減少や気泡の発生などが生じる。劣化を防ぐためには黄
色フィルターにより液晶を外部光から保瞳する必要があ
るが、表示が黄つほく見える上フィルターの代価やそれ
を貼り付ける手間が増える等の欠点が生じる。従ってア
ゾキシ化合物の用途は駆足される。一般式R−4)−0
:10ベトR′で表われる化合物及び一般式R−o−o
−R’で表われる化合物は液晶温度範囲が広い。これを
用いた液晶組成物は急峻性や視角依存性などの電気光学
特性が優れている。しかし応答速度が遅いためテレビ画
像など全表示するのには適当でない。
以上従来技術による液晶組成物は安定でしかも筒品位の
画像表示をするには様々の欠点がある事が明らかである
。
画像表示をするには様々の欠点がある事が明らかである
。
本発明の目的は従来技術のかかる欠点會取シ除き、ダイ
ナミック駆動に於て高いコントラスト金得るのに適した
急峻性を持ちしかも応答速度の速く、しかも信頼性の高
いネマチック液晶組成物を提供することにある。
ナミック駆動に於て高いコントラスト金得るのに適した
急峻性を持ちしかも応答速度の速く、しかも信頼性の高
いネマチック液晶組成物を提供することにある。
本発明のネマチック液晶組成物は管理A20:158に
於ける添加剤として一般式R(H鼾R’で表わされる少
なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物(以後不文
中に於て化合物Aと略記する)の少なくとも一釉、一般
式が下記Bで表わされる化合物(以後不文中に於て化曾
物Bと略記する)の少なくとも一種、一般式が下記Cで
表わされる化合物(以後不文中に於て化合物Cと略記す
る)の少なくとも一種及び一般式が下8[2D″′C表
わされる化合物(以後不文中に於て化合物りと略記する
)の少なくとも一種から成る事を%徴とするネマチック
液晶組成物。
於ける添加剤として一般式R(H鼾R’で表わされる少
なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物(以後不文
中に於て化合物Aと略記する)の少なくとも一釉、一般
式が下記Bで表わされる化合物(以後不文中に於て化曾
物Bと略記する)の少なくとも一種、一般式が下記Cで
表わされる化合物(以後不文中に於て化合物Cと略記す
る)の少なくとも一種及び一般式が下8[2D″′C表
わされる化合物(以後不文中に於て化合物りと略記する
)の少なくとも一種から成る事を%徴とするネマチック
液晶組成物。
A・・・R1−@−o−o−R2,R3−@−(cH2
→2 す。 R4。
→2 す。 R4。
B・・・Rs (ト)0 ’N
O・”11唾(H鼾Rt、Rr舎(H洲aNRe Rト
G(間トR1o I R11−■−Q−Q(OH2%
@TRI意D −Rts−@1−G−R14 但し、R1は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基USは
l 1〜11個ノt R3は l 1〜11個の l R4は 11〜12個の l R6は l 1〜12個の l R6は 11〜12個の l R7は 11〜12個の l R8は l 1〜10個の l R9は ′ 1〜12個の I RIGは # 1〜12個ノ1 R11は 11〜10個の I n2重は l 1〜10個の 1 RIBは l 2〜14個の I R口は ′ 2〜14個の 〃 同、本発明によるネマチック液晶組成物は前記A、また
はB、またはCで表わされる化合物以外にシキロヘキサ
ン壌、ベンゼン環、ナフタレン環などから成る分子骨格
を有しこれにアルキル基およびアルコキシ基などが結合
した棒状の低粘性を特徴とする化合物およびコレステリ
ンク性を有する光学活性物質および染料および色素を含
有して成っても良い。
G(間トR1o I R11−■−Q−Q(OH2%
@TRI意D −Rts−@1−G−R14 但し、R1は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基USは
l 1〜11個ノt R3は l 1〜11個の l R4は 11〜12個の l R6は l 1〜12個の l R6は 11〜12個の l R7は 11〜12個の l R8は l 1〜10個の l R9は ′ 1〜12個の I RIGは # 1〜12個ノ1 R11は 11〜10個の I n2重は l 1〜10個の 1 RIBは l 2〜14個の I R口は ′ 2〜14個の 〃 同、本発明によるネマチック液晶組成物は前記A、また
はB、またはCで表わされる化合物以外にシキロヘキサ
ン壌、ベンゼン環、ナフタレン環などから成る分子骨格
を有しこれにアルキル基およびアルコキシ基などが結合
した棒状の低粘性を特徴とする化合物およびコレステリ
ンク性を有する光学活性物質および染料および色素を含
有して成っても良い。
一般式Aで表わされる化合物は45.0〜84.0重量
%、一般式Bで表わされる化合物は4.2〜56.6重
量%、一般式Cで表わされる化合物は4.0〜30.0
重量%、一般式りで表わされる化合物は0〜50.0
重置チが望ましく、より望ましくは5,0〜2cLO重
量%が望ましい。
%、一般式Bで表わされる化合物は4.2〜56.6重
量%、一般式Cで表わされる化合物は4.0〜30.0
重量%、一般式りで表わされる化合物は0〜50.0
重置チが望ましく、より望ましくは5,0〜2cLO重
量%が望ましい。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
同、液晶組成物の特性の測定は次の如く行った。
第1図は電気光学特性に対する測足糸會表わしたもので
ある。測定セル6はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理f:施した上、スペーサーの役割
を兼ねたナイロン、フィルム裏の枠を間に挾んで液晶を
封入した時液晶層が所望の厚みと成るように2枚の該ガ
ラス基板を対向させて固定したものでおり、該セルの両
面には各々一枚づつの偏光板を電圧が印加されていない
時光が透過し、電圧が印加された時光が遮断されるよう
に偏光軸の向きを調整して貼付けである。同、本文中に
於てガラス製とガラス基板の間隔(即ち液晶ノーの厚さ
)をセル厚と略記する。
ある。測定セル6はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理f:施した上、スペーサーの役割
を兼ねたナイロン、フィルム裏の枠を間に挾んで液晶を
封入した時液晶層が所望の厚みと成るように2枚の該ガ
ラス基板を対向させて固定したものでおり、該セルの両
面には各々一枚づつの偏光板を電圧が印加されていない
時光が透過し、電圧が印加された時光が遮断されるよう
に偏光軸の向きを調整して貼付けである。同、本文中に
於てガラス製とガラス基板の間隔(即ち液晶ノーの厚さ
)をセル厚と略記する。
白色光源1から出た光線はレンズ系2全通りセル5に垂
直方向から入射し、後方に設けられた検出器でその透過
光強度が測定される。この時セル5には駆動回路5によ
って任意の実効埴電圧會持つ周波数1キロ・ベルンの交
番矩形電圧が印加されている。
直方向から入射し、後方に設けられた検出器でその透過
光強度が測定される。この時セル5には駆動回路5によ
って任意の実効埴電圧會持つ周波数1キロ・ベルンの交
番矩形電圧が印加されている。
紀1図の測定系を用いて液晶セル’t fllll定し
fC電圧−透過率曲線が第2図である。第2図に於て透
過率は通常の印710電圧範囲で最も明るくなった時の
透過率を谷々100チ及び0チとして表わし印加′ぼ圧
を透過率100%の電圧から始めて徐々に上げて行き透
過率が10係だけ変化した時の実効値電圧を閾電圧vt
h 、また更に印加電圧を上げて透過率が100%の
時から90チ変化した時の実効値電圧を飽和電圧Vea
tと各々定める。この時、電圧−透過率曲線の閾電圧付
近の立ち上がり(即ち急峻性)は下式に於けるβ値とし
て定めら(マトリクス・セルに於て選択された時)の実
効値電圧(Von と表わす)がVsat I/C
等しく、非点燈時(非顆択時)の実効値電圧(VOFF
と表わす)がvth に等しい電気信号が印加された時
各々透過率が90チ及び10%と成9、画素の点燈及び
非点燈が認識される事と成る。更に言えはVon が
VsatJ:、9やや大きく、V offがvthより
やや小さければ各々の透過率は90チ以上と10%以下
と成る。この時V on/Voff)Vsat7Qth
−βである。
fC電圧−透過率曲線が第2図である。第2図に於て透
過率は通常の印710電圧範囲で最も明るくなった時の
透過率を谷々100チ及び0チとして表わし印加′ぼ圧
を透過率100%の電圧から始めて徐々に上げて行き透
過率が10係だけ変化した時の実効値電圧を閾電圧vt
h 、また更に印加電圧を上げて透過率が100%の
時から90チ変化した時の実効値電圧を飽和電圧Vea
tと各々定める。この時、電圧−透過率曲線の閾電圧付
近の立ち上がり(即ち急峻性)は下式に於けるβ値とし
て定めら(マトリクス・セルに於て選択された時)の実
効値電圧(Von と表わす)がVsat I/C
等しく、非点燈時(非顆択時)の実効値電圧(VOFF
と表わす)がvth に等しい電気信号が印加された時
各々透過率が90チ及び10%と成9、画素の点燈及び
非点燈が認識される事と成る。更に言えはVon が
VsatJ:、9やや大きく、V offがvthより
やや小さければ各々の透過率は90チ以上と10%以下
と成る。この時V on/Voff)Vsat7Qth
−βである。
これとは逆にVonがV satより小さく、Voff
がv th より大きければ各々の透過率は90≠以
下と10チ以上と成り視認性が悪くなってしよう。
がv th より大きければ各々の透過率は90≠以
下と10チ以上と成り視認性が悪くなってしよう。
即ち、V o n /V’ off < V s a
t /V t h−βなる信号電圧が印加された場合視
認性が悪くなるのである。
t /V t h−βなる信号電圧が印加された場合視
認性が悪くなるのである。
この様にβ値が電気信号の実効電圧比Von/ Vof
fよシ小さければ視認性の良い画素表示が得られ、同じ
画像表示を得るのにβ値が小さい程Von/Voff比
も小さくて済む。単純マトリクス表示体では走査線本数
を多くする程Von/Voffが小さくなるためβ値も
小さい(1に近づく)事が必要である。
fよシ小さければ視認性の良い画素表示が得られ、同じ
画像表示を得るのにβ値が小さい程Von/Voff比
も小さくて済む。単純マトリクス表示体では走査線本数
を多くする程Von/Voffが小さくなるためβ値も
小さい(1に近づく)事が必要である。
以上β値はVOn/Voffが許容される最小値を示す
ためマルチブレンクス特性の指標となる。
ためマルチブレンクス特性の指標となる。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にvthからVsatへ切り
換えた時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同
志の差の90チだけ透過率が変化するのに要する時間、
即ち、透過率が90%から18優へ変化するのに要する
時間)全ミリ秒単位でTon表わし、同様にVsat
からvthへ実効値電圧を瞬間的に切9挾えた時定常状
態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90チ
だけ透過率が変化するのに要する時間(透過率が10チ
から82俤へ変化するのに要する時間)全ミリ秒単位で
Toff と表わす。TonとToff @足したT
(ミリ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
加する実効値電圧を瞬間的にvthからVsatへ切り
換えた時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同
志の差の90チだけ透過率が変化するのに要する時間、
即ち、透過率が90%から18優へ変化するのに要する
時間)全ミリ秒単位でTon表わし、同様にVsat
からvthへ実効値電圧を瞬間的に切9挾えた時定常状
態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90チ
だけ透過率が変化するのに要する時間(透過率が10チ
から82俤へ変化するのに要する時間)全ミリ秒単位で
Toff と表わす。TonとToff @足したT
(ミリ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
同、一般に印加電圧をOから任意の電圧υ(V)へ瞬間
的に切り侠えてから透過率が0の状態から90チへ変化
するのに要する時間をton、印加電圧をυから0へ瞬
間的に切り侯えてから透過率が100チの状態から10
%変化するのに要する時間1toffとすると下記の式
で表わされる事が知られている(参考文献: M e
5chadt、 日本学術振興会情報科学用有機材料
第142委員会A部会(液晶グループ)第11回研究会
資料、1978年)。
的に切り侠えてから透過率が0の状態から90チへ変化
するのに要する時間をton、印加電圧をυから0へ瞬
間的に切り侯えてから透過率が100チの状態から10
%変化するのに要する時間1toffとすると下記の式
で表わされる事が知られている(参考文献: M e
5chadt、 日本学術振興会情報科学用有機材料
第142委員会A部会(液晶グループ)第11回研究会
資料、1978年)。
ton =η/(ε0ΔεB”−K(−)”)一6t
、η/(ε0Δευ2にπ2)toff=η/K(−) −d2・η/にπ2 (ここでηはバルク粘度、ε0 は真空誘電率、Δεは
相対−電率の異方性、Eは電場、KはKn +(Kl1
3−2に!2)/4なる弾性定数項、dはセル厚を各々
表わしη、Δ、CおよびXは液晶組成物に個有である)
。従ってton及びt offは共[d”、に比例して
長くなる。
、η/(ε0Δευ2にπ2)toff=η/K(−) −d2・η/にπ2 (ここでηはバルク粘度、ε0 は真空誘電率、Δεは
相対−電率の異方性、Eは電場、KはKn +(Kl1
3−2に!2)/4なる弾性定数項、dはセル厚を各々
表わしη、Δ、CおよびXは液晶組成物に個有である)
。従ってton及びt offは共[d”、に比例して
長くなる。
本実施例で定義しfcTなる応答速度もセル厚と密接な
関係があシ、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短か
く、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係
は当業者ならば納得するに難しくない。従って同じ液晶
組成物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くす
る程応答速度を速くする事ができる。
関係があシ、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短か
く、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係
は当業者ならば納得するに難しくない。従って同じ液晶
組成物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くす
る程応答速度を速くする事ができる。
一方、急峻性βはセルJld(μ)と屈折率異方性An
の槍であるΔnodが[18付近の時最も小さくなる(
最良となる)事を見出した(参考文献:山崎淑夫、竹下
裕、永田光夫、宮地幸夫、 procθe−dings
of the 3rd工nternational
Display Re5earchConferenc
e ”、T A P A N D工8 P ’L A
Y ”85”520負:1985年、■BID)。従
ってコントラストを重視する場合セル厚dをΔnodが
α8付近に成る様に液晶表示体全作るのが最も得策であ
り、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル厚で行うのが
jjtも妥当であると考えられる。応答時間も先に記し
た如くセル厚と関係するため液晶組成物の応答時間を比
較するには適当な厚みで測定する事が必要である。
の槍であるΔnodが[18付近の時最も小さくなる(
最良となる)事を見出した(参考文献:山崎淑夫、竹下
裕、永田光夫、宮地幸夫、 procθe−dings
of the 3rd工nternational
Display Re5earchConferenc
e ”、T A P A N D工8 P ’L A
Y ”85”520負:1985年、■BID)。従
ってコントラストを重視する場合セル厚dをΔnodが
α8付近に成る様に液晶表示体全作るのが最も得策であ
り、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル厚で行うのが
jjtも妥当であると考えられる。応答時間も先に記し
た如くセル厚と関係するため液晶組成物の応答時間を比
較するには適当な厚みで測定する事が必要である。
以上を鑑み、本実施例では急設性、応答速度及び閾電圧
の測定は全てΔnodが0.8となるセル厚のセルを用
いて測定した。
の測定は全てΔnodが0.8となるセル厚のセルを用
いて測定した。
測定温度は全て摂氏10度とした。また配向のフ゛−1
−性全冒めるため不発明のネマチック液晶組成物に微膚
のコレステリンク物實を添加したものをセルに封入した
。
−性全冒めるため不発明のネマチック液晶組成物に微膚
のコレステリンク物實を添加したものをセルに封入した
。
〔実施例−1,2〕
第1表は本発明による実施列1.2の組成及び特性を示
したものである。
したものである。
表に於て高温液晶性、低温液晶性とは各々、室温全摂氏
20屁と想足し、これを標準としてそれより50度高い
温度及び60度低い温度(即ち摂氏50度及び摂氏マイ
ナス10度)に於て液晶が安定にネマチック相を示すか
否かを表わし、ネマチック相が安定ならO印、摂氏50
度に於て等方性液体なら文字1.摂氏マイナス10度に
於てスメクチック相なら8m、析出する場合はX印で示
す。以後、全て表中に於ては上記の表現を用いる。
20屁と想足し、これを標準としてそれより50度高い
温度及び60度低い温度(即ち摂氏50度及び摂氏マイ
ナス10度)に於て液晶が安定にネマチック相を示すか
否かを表わし、ネマチック相が安定ならO印、摂氏50
度に於て等方性液体なら文字1.摂氏マイナス10度に
於てスメクチック相なら8m、析出する場合はX印で示
す。以後、全て表中に於ては上記の表現を用いる。
災頬例−1,2は本発明に於て化合物AとしてPOH(
負)を用い、化合物Bとしてビフェニル(正)ケ、化合
?!IOより一般式R11−■ベト◎−(00s)s−
■−R1mケ、化合物りとして一般式R,罰ア掛R14
で表わされる化合物を各々選択し、調整されたネマチッ
ク液晶組成物である。
負)を用い、化合物Bとしてビフェニル(正)ケ、化合
?!IOより一般式R11−■ベト◎−(00s)s−
■−R1mケ、化合物りとして一般式R,罰ア掛R14
で表わされる化合物を各々選択し、調整されたネマチッ
ク液晶組成物である。
比較例−1は整理N[L20158に於ける実帷例の一
つであり、化合物A、化合物B及び化合物0のみから成
るネマチック液晶組成物の一例である。
つであり、化合物A、化合物B及び化合物0のみから成
るネマチック液晶組成物の一例である。
実癩例1及び2は化合物A、化合物B及び化合物C及び
それ以外の化合物である化合物Dカ・ら成る事を特徴と
する本発明によるネマチック液晶組成物である。両実施
例は化合物りとの効果により閾電圧が比較例1と同等乃
しは低くできた上、急峻性は各々0.06改良する事が
できた。、1だ応答時間も比較?!I 1と同等とする
事が出来た。
それ以外の化合物である化合物Dカ・ら成る事を特徴と
する本発明によるネマチック液晶組成物である。両実施
例は化合物りとの効果により閾電圧が比較例1と同等乃
しは低くできた上、急峻性は各々0.06改良する事が
できた。、1だ応答時間も比較?!I 1と同等とする
事が出来た。
第 −表
尚、比較例2は化合物A、化合物B、化合物O及びそれ
以外の化合物として一般式R−■−〇−〇−R′で表わ
される化合物(以徒本文中に於て化合物Eと略記する)
から成る組成物である。この組成物は室温(摂氏20度
)に於て結晶の析出が見られるため電気光学特性の測定
は無意味であると判断し行なわなかった。この理由は液
晶組成物が共晶組成でない場合析出物の組成はもとの液
晶組成物の組成と選なるため特定の成分のみが多ぐ析出
され、液晶組成物自体の組成が析出前と肯ってしまうた
めである。更に例え共晶組成であっても(包晶ま′fr
、ハ共晶を答わず)一旦セル内で析出が起こると析出物
の成長に伴い配向膜に物理的な力を及ぼすため配向性が
低下したり電気光学的な特性が劣下するためである。
以外の化合物として一般式R−■−〇−〇−R′で表わ
される化合物(以徒本文中に於て化合物Eと略記する)
から成る組成物である。この組成物は室温(摂氏20度
)に於て結晶の析出が見られるため電気光学特性の測定
は無意味であると判断し行なわなかった。この理由は液
晶組成物が共晶組成でない場合析出物の組成はもとの液
晶組成物の組成と選なるため特定の成分のみが多ぐ析出
され、液晶組成物自体の組成が析出前と肯ってしまうた
めである。更に例え共晶組成であっても(包晶ま′fr
、ハ共晶を答わず)一旦セル内で析出が起こると析出物
の成長に伴い配向膜に物理的な力を及ぼすため配向性が
低下したり電気光学的な特性が劣下するためである。
他方スメクチックの出現は弾性定数及び粘性の増大をも
たらすため電圧印加による駆@はスメクチック相状態に
於て不可能となるが配向性や特性などへの影響は無い、
このためネマチック液晶組成物を充填したセルを低温下
で保存した場合など一旦スメクチツク相が出現してもこ
れをスメクチック相が消えネマチック相のみと成る温度
以上の雰囲気(例えばjQ常の室温にある部屋)にもど
してやわば特性に何らの支障を受けず再び用いる事がで
きる、従って実施例1.2の場合摂氏マイナス10度に
スメクチック相が存在するため駆動はできないが保存し
ておく事に対しては何ら障害がない。
たらすため電圧印加による駆@はスメクチック相状態に
於て不可能となるが配向性や特性などへの影響は無い、
このためネマチック液晶組成物を充填したセルを低温下
で保存した場合など一旦スメクチツク相が出現してもこ
れをスメクチック相が消えネマチック相のみと成る温度
以上の雰囲気(例えばjQ常の室温にある部屋)にもど
してやわば特性に何らの支障を受けず再び用いる事がで
きる、従って実施例1.2の場合摂氏マイナス10度に
スメクチック相が存在するため駆動はできないが保存し
ておく事に対しては何ら障害がない。
先に述べた如く実施例1.2で示される本発明のネマチ
ック液晶組成物が極めて優れ*、電気光学特性を有して
いる。但し低温液晶性は摂氏マイナス10度であシ駆動
は室温以上の温度に限られる。
ック液晶組成物が極めて優れ*、電気光学特性を有して
いる。但し低温液晶性は摂氏マイナス10度であシ駆動
は室温以上の温度に限られる。
こねに対して急峻性などの電気光学特性が従来例よりも
fわ、しかも低温に於てもネマチック相を呈するネマチ
ック液晶組成物を見出したのでその幾例かを実施例6以
後の笑姑例に於て称す。
fわ、しかも低温に於てもネマチック相を呈するネマチ
ック液晶組成物を見出したのでその幾例かを実施例6以
後の笑姑例に於て称す。
他力、化合物Eの如き化合物は整理N[L2015Bの
添加化合物としては20重量係以上用いJb事が好まし
くない事を比較例2で示し左。
添加化合物としては20重量係以上用いJb事が好まし
くない事を比較例2で示し左。
〔実施例5,4.5”J
第二表は電気光学特性並びに液晶温度範囲の両特性がと
もに優れている本発明のネマチック液晶組成物を表わし
たものである、閾電圧はいすゎも2.6v前後である。
もに優れている本発明のネマチック液晶組成物を表わし
たものである、閾電圧はいすゎも2.6v前後である。
β値は1.24及び1.25であり比較例1の1.26
より良い。応答速度も140ミリ秒前後であり非常に速
い。液晶温度範囲も広く特に低温側は摂氏マイナス20
度に於てもネマチック相が安定である。
より良い。応答速度も140ミリ秒前後であり非常に速
い。液晶温度範囲も広く特に低温側は摂氏マイナス20
度に於てもネマチック相が安定である。
〔実施例6,7〕
第三表は実施例6.7を示したものであり、化合物Bの
含有量が30重f11であり本実帷例中最も多いもので
ある。このため閾電圧は2V以下であり最も低く、低電
圧駆動に適して−る。βは1.24及び1.23であシ
急峻性も最も良ぐ、応答性もTが120ミリ秒と最も速
す、以上宙、気光学特性は最も優れている。液晶温度範
囲も十分である。
含有量が30重f11であり本実帷例中最も多いもので
ある。このため閾電圧は2V以下であり最も低く、低電
圧駆動に適して−る。βは1.24及び1.23であシ
急峻性も最も良ぐ、応答性もTが120ミリ秒と最も速
す、以上宙、気光学特性は最も優れている。液晶温度範
囲も十分である。
第 表
〔実施例8〕
第四表に示した実施例8は化合物りを30重量%含有し
ておりその含有1゛が本実施例中最も多い。
ておりその含有1゛が本実施例中最も多い。
閾電圧は約2vと低く低電圧駆動が可能であり、急峻性
もβ値が1.24であり優れてかり、応答性もTが1S
Sミ+7参であり比較的速い。但し液晶から等方性液体
への転移点が摂氏47度であるため、高温液晶性は摂氏
45度に於ては十分安定であるが摂氏50度に於ては不
可である。また低温液晶も摂氏マイナス10度で析出す
る0以上の如く実施例8のネマチック液晶組成物は電気
光学特性は優れているが液晶温度範囲が比較的狭いため
その使用する温度が限定される。D化合物の融点は摂氏
68度から42度の間であり液晶相を通らず直接等方性
液体となる。従ってD化合物の含有量が増せばネマチッ
ク液晶から等方性液体への転移温度は更に低くなり液晶
温度範囲は増々狭くなると考えられる。よって化合物り
の含有−!Iは6゜重is以下が望ましい。
もβ値が1.24であり優れてかり、応答性もTが1S
Sミ+7参であり比較的速い。但し液晶から等方性液体
への転移点が摂氏47度であるため、高温液晶性は摂氏
45度に於ては十分安定であるが摂氏50度に於ては不
可である。また低温液晶も摂氏マイナス10度で析出す
る0以上の如く実施例8のネマチック液晶組成物は電気
光学特性は優れているが液晶温度範囲が比較的狭いため
その使用する温度が限定される。D化合物の融点は摂氏
68度から42度の間であり液晶相を通らず直接等方性
液体となる。従ってD化合物の含有量が増せばネマチッ
ク液晶から等方性液体への転移温度は更に低くなり液晶
温度範囲は増々狭くなると考えられる。よって化合物り
の含有−!Iは6゜重is以下が望ましい。
第表
第 四 表
〔実施例9〕
化合物Aとして一般式R−@−(OHt )2−◎−〇
−妃で示される化合物を用いたネマチック液晶組成物の
一例を第5表に示す。急峻性は1.25で良好であシ応
答性も応答時間Tも124ミリ秒と極めて良い。但し本
実姉例は低湿(摂氏マイナス10度)でスメクチック相
であるためこの温度で駆動はできないが、摂氏0度以上
の温度で駆動できその特性も前述の如く優れている。従
って化合物Aの化合物として一般式R−■−(OH2)
*→−0−R’ を用いる事は整理Nu 2015
Bと同様有効である。
−妃で示される化合物を用いたネマチック液晶組成物の
一例を第5表に示す。急峻性は1.25で良好であシ応
答性も応答時間Tも124ミリ秒と極めて良い。但し本
実姉例は低湿(摂氏マイナス10度)でスメクチック相
であるためこの温度で駆動はできないが、摂氏0度以上
の温度で駆動できその特性も前述の如く優れている。従
って化合物Aの化合物として一般式R−■−(OH2)
*→−0−R’ を用いる事は整理Nu 2015
Bと同様有効である。
〔実施例10〕
化合物A、B、O,D以外の化合物として一般式R−Q
−■−■−ONで表わされる化合物(以下本文中に於て
F化合物と略記する)を含有して成るネマチック液晶組
成物の一例を実施例9として第五表に示す。閾電圧は約
2.9vでやや高い、急峻性は1.26と比較例1と同
程度であるが応答性は約150ミ!J秒であり比較的速
い、また液晶温度範囲も十分である。
−■−■−ONで表わされる化合物(以下本文中に於て
F化合物と略記する)を含有して成るネマチック液晶組
成物の一例を実施例9として第五表に示す。閾電圧は約
2.9vでやや高い、急峻性は1.26と比較例1と同
程度であるが応答性は約150ミ!J秒であり比較的速
い、また液晶温度範囲も十分である。
第 五 表
第 7、 表
本発明の液晶組成物は整理N12015 Bの発明に於
て化合物A、B、O以外の化合物の一つとしてD化合物
が有効である事を見出しkものであり。
て化合物A、B、O以外の化合物の一つとしてD化合物
が有効である事を見出しkものであり。
該発明と同様本発明に於ても化合物A、B、O及びD以
外の化合物を含有して成って良い、同、実抱例9は化合
物Bの含有量が本実加例中最も少なく5重量%である。
外の化合物を含有して成って良い、同、実抱例9は化合
物Bの含有量が本実加例中最も少なく5重量%である。
以上述べた如く本発明によれば急峻性及び応答速度など
の電気光学特性が優わ、閾市1圧の低電圧化が容易で、
液晶温度範囲も十分なネマチック液晶組成物を得る事が
できる。また本発明に用いた化合物は化学的及び耐光性
に対して極めて安定であり、組成物とした場合も耐候性
が極めて良い。
の電気光学特性が優わ、閾市1圧の低電圧化が容易で、
液晶温度範囲も十分なネマチック液晶組成物を得る事が
できる。また本発明に用いた化合物は化学的及び耐光性
に対して極めて安定であり、組成物とした場合も耐候性
が極めて良い。
【図面の簡単な説明】
第1図は実殉例に於て用いた測定装置を表わすハード図
、第2図は該6(1j定装置を用いて一般的に得られる
相対透過率−実効電圧のグラフ。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 3・・・・・・I/ンズ及びフィルター系4・・・・・
・セル 5・・・・・・受光部(光源増倍管) 以上
、第2図は該6(1j定装置を用いて一般的に得られる
相対透過率−実効電圧のグラフ。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 3・・・・・・I/ンズ及びフィルター系4・・・・・
・セル 5・・・・・・受光部(光源増倍管) 以上
Claims (1)
- (1)少なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物の
少なくとも一種、一般式が下記Bで表わされる化合物の
少なくとも一種、一般式が下記Cで表わされる化合物の
少なくとも一種、及び一般式が下記Dで表わされる化合
物の少なくとも一種から成る事を特徴とするネマチツク
液晶組成物。 A・・・▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼ B・・・▲数式、化学式、表等があります▼ C・・・▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ D・・・▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、R_1は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R_2は〃1〜11個の〃 R_3は〃1〜11個の〃 R_4は〃1〜12個の〃 R_5は〃1〜12個の〃 R_6は〃1〜12個の〃 R_7は〃1〜12個の〃 R_8は〃1〜10個の〃 R_9は〃1〜12個の〃 R_1_0は〃1〜12個の〃 R_1_1は〃1〜10個の〃 R_1_2は〃1〜10個の〃 R_1_3は〃2〜12個の〃 R_1_4は〃2〜12個の〃
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14169884A JPS6121186A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | ネマチツク液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14169884A JPS6121186A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | ネマチツク液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6121186A true JPS6121186A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15298125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14169884A Pending JPS6121186A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | ネマチツク液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6121186A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0168012A2 (en) * | 1984-07-09 | 1986-01-15 | Casio Computer Company Limited | Liquid crystal composition |
JPS6178895A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-22 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
JPS62100580A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
JPH01269269A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Sanyo Electric Co Ltd | カセットローディング装置 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP14169884A patent/JPS6121186A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0168012A2 (en) * | 1984-07-09 | 1986-01-15 | Casio Computer Company Limited | Liquid crystal composition |
JPS6121185A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
JPH0629426B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1994-04-20 | カシオ計算機株式会社 | 液晶組成物 |
JPS6178895A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-22 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
JPH0579715B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1993-11-04 | Casio Computer Co Ltd | |
JPS62100580A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
JPH01269269A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Sanyo Electric Co Ltd | カセットローディング装置 |
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