JPS62127384A - アクテイブマトリクス型液晶表示素子 - Google Patents
アクテイブマトリクス型液晶表示素子Info
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- JPS62127384A JPS62127384A JP60267889A JP26788985A JPS62127384A JP S62127384 A JPS62127384 A JP S62127384A JP 60267889 A JP60267889 A JP 60267889A JP 26788985 A JP26788985 A JP 26788985A JP S62127384 A JPS62127384 A JP S62127384A
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気光学的な液晶ディスプレイに用いられる液
晶表示素子、更に詳しくはスイッチング素子を組み込ん
だアクティブマトリクス型ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表示素子
に関するものである。
晶表示素子、更に詳しくはスイッチング素子を組み込ん
だアクティブマトリクス型ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表示素子
に関するものである。
従来の技術
従来からスイッチング素子、例えばＣ−ＭＯＳあるいは
ＦＥＴを組み込んだアクティブマドｌ）クス型ＴＮ−Ｆ
ＥＭ用液晶表示素子をテレビ受像機として用いる場合に
は、下記要件が必要とされている。
ＦＥＴを組み込んだアクティブマドｌ）クス型ＴＮ−Ｆ
ＥＭ用液晶表示素子をテレビ受像機として用いる場合に
は、下記要件が必要とされている。
（１）低電圧駆動
（２） 高速応答性、しきい値電圧付近でも速いこと
。
。
（３）広視野角
（４） 高コントラスト
（６）高階調性
（６）幅広い使用温度範囲
そして、こハらの′皮件を、ｋたすためには、液晶’ｖ
ｆｌｔｔ物には次のような畦’＋ｔが必要とされる。
ｆｌｔｔ物には次のような畦’＋ｔが必要とされる。
（１）誘電−トｕ方叶（」ε）が大きいこと。
（２） 粘度（η）が低いこと。
（３）屈折率異方性（Ｊｎ）が小さいこと。
（４） 弾性定数比（Ｋ３３／に１１）の値が大きい
こと。
こと。
（５）液晶温度範囲（Ｍ、Ｒ，）が広いこと。
しかしながら、これら物性値の中には、（１）と（２）
。
。
（１）と（３）のごとくお互いに相反する物性もあり、
これらの物性値を充分に満足する液晶組成物は未だ提案
されていない。表１は代表的な液晶化合物の各物性値で
あり、これらの化合物を適当に混合することにより実用
的な液晶組成物を得ているのが現状である。
これらの物性値を充分に満足する液晶組成物は未だ提案
されていない。表１は代表的な液晶化合物の各物性値で
あり、これらの化合物を適当に混合することにより実用
的な液晶組成物を得ているのが現状である。
ｐ型液晶としては誘電率異方性（Δε）が大きいにも拘
らず粘度（η）が小さいシアノフェニルシクロヘキサン
系液晶が多用されている。そしてこの場合、その狭い液
晶温度範囲を広げるためにビフェニルシクロヘキサン系
液晶やシクロヘキシルピフェニルシクロヘキサン系液晶
などの高温用液晶材料などが一般に加えられている。し
かしながらこのような高温用液晶材料を加えると粘度（
η）や屈折率異方性（Ｊｎ）が大きくなってしまうため
、更に液晶の透明点Ｃ１，Ｐ、（ネマチック−等吉相相
転移温度）が比較的高いうえ粘度（η）や屈折率異方性
（Ｊｎ）が小さいアルコキシフェニル−シクロへキシル
カルボキシレート系液晶などが加エラれる。コノアルコ
キシフェニル−シクロへキシルカルボキシレート系液晶
は物性調整用の液晶材料として非常に有用である。
らず粘度（η）が小さいシアノフェニルシクロヘキサン
系液晶が多用されている。そしてこの場合、その狭い液
晶温度範囲を広げるためにビフェニルシクロヘキサン系
液晶やシクロヘキシルピフェニルシクロヘキサン系液晶
などの高温用液晶材料などが一般に加えられている。し
かしながらこのような高温用液晶材料を加えると粘度（
η）や屈折率異方性（Ｊｎ）が大きくなってしまうため
、更に液晶の透明点Ｃ１，Ｐ、（ネマチック−等吉相相
転移温度）が比較的高いうえ粘度（η）や屈折率異方性
（Ｊｎ）が小さいアルコキシフェニル−シクロへキシル
カルボキシレート系液晶などが加エラれる。コノアルコ
キシフェニル−シクロへキシルカルボキシレート系液晶
は物性調整用の液晶材料として非常に有用である。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このようにして調製された液晶組成物は
マルチプレックス駆動のような使い方をする場合には充
分速い応答特性を示すものの、スイツチング素子を咀み
込んだアクティブマトリクス梨ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表示
素子とし７て用いる場合には、電圧無印加の状態からし
きい値電圧に相当する電圧を印加した時の立ち上がり応
答速度を２００ ｒｎＭ以下にするのが非常に困難であ
る。
マルチプレックス駆動のような使い方をする場合には充
分速い応答特性を示すものの、スイツチング素子を咀み
込んだアクティブマトリクス梨ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表示
素子とし７て用いる場合には、電圧無印加の状態からし
きい値電圧に相当する電圧を印加した時の立ち上がり応
答速度を２００ ｒｎＭ以下にするのが非常に困難であ
る。
問題点を解決するだめの手段
一般式
（但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基壇たは４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 一般式 （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキン基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 一般式 （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキン基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物とか
らなる群より選ばれる１種以上の化合物と光学活性物質
とからなる液晶組成物を含み、かつ、スイッチング素子
を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示素子を用いる。
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基壇たは４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 一般式 （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキン基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 一般式 （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキン基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物とか
らなる群より選ばれる１種以上の化合物と光学活性物質
とからなる液晶組成物を含み、かつ、スイッチング素子
を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示素子を用いる。
作 用
一般にＴＮ型液晶表示素子における立ち上がり応答速度
ｒｒは次式で表わされる。
ｒｒは次式で表わされる。
ｒ 、−１−ｄ２／ （ｔ。−１ｊｔＶ −ＩＣＨ−ｒ
ｒ２）但し、■は印加電圧、ｄはセルギャップ、ε。は
に空中の誘電率、Ｋｉ ｉ＝に１１ ” （Ｋ３３−２
に２゜）／４（Ｋ１１はスプレーの弾性定数、Ｋ２２は
ツイストの弾性定数、Ｋ３３はベンドの弾性定数）を表
わしている。
ｒ２）但し、■は印加電圧、ｄはセルギャップ、ε。は
に空中の誘電率、Ｋｉ ｉ＝に１１ ” （Ｋ３３−２
に２゜）／４（Ｋ１１はスプレーの弾性定数、Ｋ２２は
ツイストの弾性定数、Ｋ３３はベンドの弾性定数）を表
わしている。
本発明液晶表示素子に用いられる液晶組成物が、何故し
きい値電圧付近で立ち上がり応答速度が速いのかは明ら
かでないが、アルコキシフェニルーンクロへキシルカル
ボキンレート系液晶を含む他の組成系に比べて、各組成
物の分子骨格が類似しており、系全体のに１１が小さく
なっていることによるものであると考えられる。
きい値電圧付近で立ち上がり応答速度が速いのかは明ら
かでないが、アルコキシフェニルーンクロへキシルカル
ボキンレート系液晶を含む他の組成系に比べて、各組成
物の分子骨格が類似しており、系全体のに１１が小さく
なっていることによるものであると考えられる。
実施例
以下に本発明の実施の態様を図面を参照しつつ、詳細に
説明する。本実施例では測定の便宜上、個々の液晶表示
素子は外部駆動回路によりスイッチングを行なった。
説明する。本実施例では測定の便宜上、個々の液晶表示
素子は外部駆動回路によりスイッチングを行なった。
〈実施例１〉
下記組成の液晶組成物（Ａ）を調製した。
Ｃ３Ｈ１１Ｃ（８悴０２Ｈ５１９ｗ ｔ％Ｃ６Ｈ１１召
に涼ＤＣＮａｗｔ％ この液晶組成物（Ａ）の物性値は表２の通りである。
に涼ＤＣＮａｗｔ％ この液晶組成物（Ａ）の物性値は表２の通りである。
表 ２
次に、このようにして得られた液晶組成物（Ａ）に光学
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
）ビフェニルを０．１ｗｔ％添加した後、ＴＮセル〔Ａ
〕（セルギャップ：６．０μｍ１ポリイミド配向膜使用
）に減圧注入した。その後、偏光板を上下基板にラビン
グ方向と偏光軸とが一致するように貼り、常法に従い、
セルの光透過率の電圧依存性および電圧応答特性を測定
した。測定はキャノン社製液晶評価装置を用い、２０℃
で行なった。液晶組成物（Ａ）のしきい値電圧は１．３
７Ｖ、飽和電圧は２．０９Ｖであった。
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
）ビフェニルを０．１ｗｔ％添加した後、ＴＮセル〔Ａ
〕（セルギャップ：６．０μｍ１ポリイミド配向膜使用
）に減圧注入した。その後、偏光板を上下基板にラビン
グ方向と偏光軸とが一致するように貼り、常法に従い、
セルの光透過率の電圧依存性および電圧応答特性を測定
した。測定はキャノン社製液晶評価装置を用い、２０℃
で行なった。液晶組成物（Ａ）のしきい値電圧は１．３
７Ｖ、飽和電圧は２．０９Ｖであった。
また、電圧無印加の状態からしきい値電圧に相自する電
圧を印加した時の立ち上がり応答速度は１２０ｒｎｓＩ
Ｘであり、５ｖの電圧を印加した状態から電圧無印加の
状態にした時の立ち下がり応答速度は１５ｍ亀であった
。
圧を印加した時の立ち上がり応答速度は１２０ｒｎｓＩ
Ｘであり、５ｖの電圧を印加した状態から電圧無印加の
状態にした時の立ち下がり応答速度は１５ｍ亀であった
。
以上より明らかなよう（で、本発明液晶表示素子は低電
圧駆動が可能であるとともに、高階調性、高応答性に優
れアクティブマ） ＩＪクス型液晶表示素子に適してい
る。
圧駆動が可能であるとともに、高階調性、高応答性に優
れアクティブマ） ＩＪクス型液晶表示素子に適してい
る。
〈実施例２〉
下記組成の液晶組成物（Ｂ）を調製した。
Ｃ３Ｈ７召＜０２Ｈ５２５ｗ ｔチ
Ｃ３Ｈ７＜Ｅ＞◎ＣＮ １５ｗｔ％Ｃ５馬１＜
ＯＮ ２０ｗｔ％Ｃ７Ｈ１６４ＣＮ
１５ Ｗ ｔ％この液晶組成物（
Ｂ）の物性値は表３の通りである。
ＯＮ ２０ｗｔ％Ｃ７Ｈ１６４ＣＮ
１５ Ｗ ｔ％この液晶組成物（
Ｂ）の物性値は表３の通りである。
表 ３
次に、このようにして得られた液晶組成物（Ｂ）に光学
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
）ピフェニルをＱ 、１ ｗ ｔ％添加した後、ＴＮセ
ル〔Ｂ〕（セルギャップ＝５．０μｍ１ポリイミド配向
１ｉＩ使用）に減圧注入した。その後、偏光板を上下基
板にラビング方向と偏光軸とが一致するように貼り、常
法に従い、セルの電圧応答特性を測定した。測定はキャ
ノン社製液晶評価装置を用い、２０℃で行なった。結果
を図に示す。
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
）ピフェニルをＱ 、１ ｗ ｔ％添加した後、ＴＮセ
ル〔Ｂ〕（セルギャップ＝５．０μｍ１ポリイミド配向
１ｉＩ使用）に減圧注入した。その後、偏光板を上下基
板にラビング方向と偏光軸とが一致するように貼り、常
法に従い、セルの電圧応答特性を測定した。測定はキャ
ノン社製液晶評価装置を用い、２０℃で行なった。結果
を図に示す。
また、比較例として下記組成の液晶組成物（Ｃ）を調製
した。
した。
この液晶組成物（Ｃ）の物性値は表４の通りである。
表 ４
次に、このようにして得られた液晶組成物（Ｃ）に光学
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
）ビフェニルを０ 、１ ｗ ｔ％添加した後、液晶組
成物（Ａ）の場合と同様にしてＴ Ｎ 〔Ｃ） （セル
ギャップ：５．０７１ｍ、ポリイミド配向膜使用）に減
圧注入し、セルの電圧応答特性を測定した。
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
）ビフェニルを０ 、１ ｗ ｔ％添加した後、液晶組
成物（Ａ）の場合と同様にしてＴ Ｎ 〔Ｃ） （セル
ギャップ：５．０７１ｍ、ポリイミド配向膜使用）に減
圧注入し、セルの電圧応答特性を測定した。
結果を液晶組成物（Ｂ）の場合と共に図に示す。液晶組
成物（Ｂ）しきい値電圧に１．６１Ｖ、液晶組成物（Ｃ
，）のしきい値電圧は１，７８Ｖであった。何れの場合
も立ち下がり電圧応答特性は、しきい値電圧付近の電圧
ででも５０ｍ５ｅＣ以下であり実用上問題はなかった。
成物（Ｂ）しきい値電圧に１．６１Ｖ、液晶組成物（Ｃ
，）のしきい値電圧は１，７８Ｖであった。何れの場合
も立ち下がり電圧応答特性は、しきい値電圧付近の電圧
ででも５０ｍ５ｅＣ以下であり実用上問題はなかった。
ｉり［より明らかなようにアルコキ／ファニル−／クロ
ヘキ／ルカルボキ／レート系液晶を糸にａ−ますｊハ糸
且ｆ’ｉ 物１ｄ、 、アルコキンフェニル−シルカル
ボキンレート系液晶を系に含む且１成物に比べて、しき
い値電圧付近での立ち上がり応答速度が非常に速く、ア
クティブマ） ＩＪクス型液晶表示素子に用いる場合、
その実用的価値は極めて高い。
ヘキ／ルカルボキ／レート系液晶を糸にａ−ますｊハ糸
且ｆ’ｉ 物１ｄ、 、アルコキンフェニル−シルカル
ボキンレート系液晶を系に含む且１成物に比べて、しき
い値電圧付近での立ち上がり応答速度が非常に速く、ア
クティブマ） ＩＪクス型液晶表示素子に用いる場合、
その実用的価値は極めて高い。
本発明液晶表示素子中に含１れる光学活性物質としては
、４−シアノ−４Ｊ （ ２−メチルブチル）ビフ
ェニルや４−シアノ−４’ −（２−メチルブチルオキ
シ）ビフェニルなどのエステル結合を持たない剛直な分
子が好ましい。光学活性物質の添加割合としては、０．
０１〜０．５ｗｔ％、特に好ましくは０．０６〜０．２
ｗｔ％が適当である。０．０１ｗｔ％未満の場合にはそ
の効果は認められず、０．６ｗｔ％を越えると実用的な
物性を有する液晶組成物を得るのが甚だ困難となる。
、４−シアノ−４Ｊ （ ２−メチルブチル）ビフ
ェニルや４−シアノ−４’ −（２−メチルブチルオキ
シ）ビフェニルなどのエステル結合を持たない剛直な分
子が好ましい。光学活性物質の添加割合としては、０．
０１〜０．５ｗｔ％、特に好ましくは０．０６〜０．２
ｗｔ％が適当である。０．０１ｗｔ％未満の場合にはそ
の効果は認められず、０．６ｗｔ％を越えると実用的な
物性を有する液晶組成物を得るのが甚だ困難となる。
〈実施例３〉
下記組成の液晶組成物（Ｄ）を調製した。
この液晶組成物（Ｄ）の物性値は表６の通りである。
表 ６
次に、このようにして得られた液晶組成物（Ｄ）に光学
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
オキシ）ビフェニルを０，１ｗｔ％添加した後、ＴＮセ
ル〔Ｄ〕（セルギャップ： ５ 、 ０μｍ。
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
オキシ）ビフェニルを０，１ｗｔ％添加した後、ＴＮセ
ル〔Ｄ〕（セルギャップ： ５ 、 ０μｍ。
ポリイミド配向膜使用）に減圧注入した。その後、偏光
板を上下基板にラビング方向と偏光軸とが一致するよう
に貼り、常法に従い、セルの光透過率の電圧依存性およ
び電圧応答特性を測定した。測定はキャノン社製液晶評
価装置を用い、２０’Ｃで行なった。液晶組成物（Ｄ）
のしきい値電圧は１．９８Ｖ、飽和電圧は３，０９Ｖで
あった。
板を上下基板にラビング方向と偏光軸とが一致するよう
に貼り、常法に従い、セルの光透過率の電圧依存性およ
び電圧応答特性を測定した。測定はキャノン社製液晶評
価装置を用い、２０’Ｃで行なった。液晶組成物（Ｄ）
のしきい値電圧は１．９８Ｖ、飽和電圧は３，０９Ｖで
あった。
また、電圧無印加の状態からしきい値電圧に相する電圧
を印加した時の立ち上がり応答速度は１４０ｍｆｆ１で
ちり、５■の電圧を印加した状態かｒ）’；ｆｉ圧無印
加の状態にした時の立ち下がり応答法′ψ（４１Ｓ ｍ
５代であった。
を印加した時の立ち上がり応答速度は１４０ｍｆｆ１で
ちり、５■の電圧を印加した状態かｒ）’；ｆｉ圧無印
加の状態にした時の立ち下がり応答法′ψ（４１Ｓ ｍ
５代であった。
以−ヒより明らかなように、本発明液晶表示素子は高階
調性、高速応答性に優れアクティブマ） ＩＪクス型液
晶表示素子に適している。
調性、高速応答性に優れアクティブマ） ＩＪクス型液
晶表示素子に適している。
〈実施例４〉
下記組成の液晶組成物（Ｅ）を調製した。
Ｃ３Ｈ１１＜ＥＸφハ舗）Ｃ２Ｈｓ ２０
Ｗ ｔ ％この液晶組成物（Ｅ）の物性値は表６の通り
である。
Ｗ ｔ ％この液晶組成物（Ｅ）の物性値は表６の通り
である。
表 ６
次に、このようにして得られた液晶組成物（Ｅ）に光学
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
オキシ）ピフェニルヲｏ 、１ｗ ｔ ％ 添加した後
、ＴＮセル〔Ｅ〕（セルギャップ：６．０８ｍ、ポ゛）
イミド配向膜使用）に減圧注入した。その後、偏尤板を
上下基板にラビング方向と偏光軸とが一致するように貼
り、常法に従い、セルの光透過率の電圧依存性および電
圧応答性を測定した。測定はキャノン社製液晶評価装置
を用い、２０℃で行なった。液晶組成物（Ｅ）のしきい
値電圧は１．７６■、飽和電圧は２．９５Ｖであった。
活性物質として４−シアノ−４’−（２−メチルブチル
オキシ）ピフェニルヲｏ 、１ｗ ｔ ％ 添加した後
、ＴＮセル〔Ｅ〕（セルギャップ：６．０８ｍ、ポ゛）
イミド配向膜使用）に減圧注入した。その後、偏尤板を
上下基板にラビング方向と偏光軸とが一致するように貼
り、常法に従い、セルの光透過率の電圧依存性および電
圧応答性を測定した。測定はキャノン社製液晶評価装置
を用い、２０℃で行なった。液晶組成物（Ｅ）のしきい
値電圧は１．７６■、飽和電圧は２．９５Ｖであった。
まだ、電圧無印加の状態からしきい値電圧に相当する電
圧を印加した時の立ち上がり応答速度は１５５ｒｎＳＣ
Ｃであ０．５ｖの電圧を印加した状態から１１７圧５無
印加の状態にした時の立ち下がり応答速度は１７ｍ５ｅ
Ｃであった。
圧を印加した時の立ち上がり応答速度は１５５ｒｎＳＣ
Ｃであ０．５ｖの電圧を印加した状態から１１７圧５無
印加の状態にした時の立ち下がり応答速度は１７ｍ５ｅ
Ｃであった。
以上より明らかなように、本発明液晶表示素子は低電圧
駆動が可能であるとともに、高階調性、高速応答性に優
れアクティブマ） ＩＪクス型液晶表示素子に適してい
る。
駆動が可能であるとともに、高階調性、高速応答性に優
れアクティブマ） ＩＪクス型液晶表示素子に適してい
る。
発明の効果
以上述べたように、本発明液晶表示素子はスイッチング
素子を有するアクティブマトリクス型において特に優れ
た特性を示す液晶組成物を用いた液晶表示素子であり、
しきい値電圧（Ｖｔｈ）付近での高速応答特性に優れて
おり、その実用的価値は非常に高い。
素子を有するアクティブマトリクス型において特に優れ
た特性を示す液晶組成物を用いた液晶表示素子であり、
しきい値電圧（Ｖｔｈ）付近での高速応答特性に優れて
おり、その実用的価値は非常に高い。
図は本発明の一実施例であるＴＮセルの電圧応答特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｘはアルキル基またはアルコキシ基を表わし、
ＹはＦ、アルキル基、アルコキシ基または４−置換フェ
ニル基を表わす）で表わされる骨格を有する化合物とか
らなる群より選ばれる１種以上の化合物と光学活性物質
とからなる液晶組成物を含み、かつ、スイッチング素子
を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示素子。 （２）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６または７を表わす）で表わさ
れるトランス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）
シクロヘキサンの１種以上を含有する液晶組成物を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子。 （３）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６または７を表わす）で表わさ
れる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）−
４′−シアノビフェニルの１種以上を含有する液晶組成
物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
アクティブマトリクス型液晶表示素子。 （４）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、６、または７を表わす
）で表わされる４−（トランス−４−アルキルシクロヘ
キシル）−４′−トランス−４−アルキル−シクロヘキ
シルビフェニルの１種以上を含有する液晶組成物を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示素子。 （６）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または６を表わす）で表
わされる４−アルキル−〔トランス−４′−（トランス
−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベ
ンゼン、および一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または６を表わす）で表
わされる４−アルコキシ−〔トランス−４′−トランス
−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベ
ンゼンからなる群から選ばれる１種以上を含有する液晶
組成物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。 （６）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）−アルキルベンゼン、および一般式▲数式、化学式、
表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）−アルコキシベンゼンからなる群から選ばれる１種以
上と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６または７を表わす）で表わさ
れるトランス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）
シクロヘキサンの１種以上と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−アルキル−４′−（４−トランス−アルキ
ル）シクロヘキシルビフェニルの１種以上と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６または７を表わす）で表わさ
れる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）−
４′−シアノビフェニルの１種以上と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表わ
す）で表わされる４−（トランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）−４′−トランス−４−アルキル−シクロヘ
キシルビフェニルの１種以上と光学活性物質とからなる
液晶組成物を含み、かつ、スイッチング素子を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示素子。 （７）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）−アルキルベンゼン、および一般式▲数式、化学式、
表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）−アルコキシベンゼンからなる群から選ばれる１種以
上と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６または７を表わす）で表わさ
れるトランス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）
シクロヘキサンの１種以上と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６または７を表わす）で表わさ
れる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）−
４′−シアノビフェニルの１種以上と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表わ
す）で表わされる４−（トランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）−４′−トランス−４−アルキル−シクロヘ
キシルビフェニルの１種以上と光学活性物質とからなる
液晶組成物を含み、かつ、スイッチング素子を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示素子。 （８）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）−アルキルベンゼン、および一般式▲数式、化学式、
表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）−アルコキシベンゼンからなる群から選ばれる１種以
上と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６または７を表わす）で表わさ
れるトランス−４−アルキル−（４−シアノフェニル）
シクロヘキサンの１種以上と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６、７または８を表わす）で表
わされる５−アルキル−２−（４−フルオロフェニル）
ピリミジンの１種以上と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表わ
す）で表わされる４−（トランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）−トランス−アルコキシメチルシクロヘキサ
ンの１種以上と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６、７または８を表わす）で表
わされる４−フルオロ−〔トランス−４′−（トランス
−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベ
ンゼンの１種以上と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−アルキル−〔トランス−４′−（トランス
−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベ
ンゼン、および一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４または５を表わす）で表
わされる４−アルコキシ−〔トランス−４′−（トラン
ス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕
ベンゼンからなる群から選ばれる１種以上と光学活性物
質とからなる液晶組成物を含み、かつ、スイッチング素
子を有することを特徴とする特許請求の範囲第５項記載
のアクティブマトリクス型液晶表示素子。 （９）４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
エチルベンゼン、トランス−４−プロピル−（４−シア
ノフェニル）−シクロヘキサン、トランス−４−ブチル
−（４−シアノフェニル）−シクロヘキサン、トランス
−４−ペンチル−（４−シアノフェニル）−シクロヘキ
サン、４−エチル−４′−（４−トランス−ペンチル）
シクロヘキシルビフェニル、４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）−４′−シアノビフェニル、およ
び４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４
′−トランス−４−プロピルシクロヘキシルビフェニル
と光学活性物質とからなる液晶組成物を含み、かつ、ス
イッチング素子を有することを特徴とする特許請求の範
囲第６項記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。 （１０）４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル
）エチルベンゼン、トランス−４−プロピル−（４−シ
アノフェニル）−シクロヘキサン、トランス−４−ペン
チル−（４−シアノフェニル）−シクロヘキサン、トラ
ンス−４−ヘプチル−（４−シアノフェニル）−シクロ
ヘキサン、４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４′−シアノビフェニル、および４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）−４′−トランス−４
−プロピルシクロヘキシルビフェニルと光学活性物質と
からなる液晶組成物を含み、かつ、スイッチング素子を
有することを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のア
クティブマトリクス型液晶表示素子。 （１１）４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル
）−エトキシベンゼン、トランス−４−プロピル−（４
−シアノフェニル）−シクロヘキサン、トランス−４−
ブチル−（４−シアノフェニル）−シクロヘキサン、ト
ランス−４−ペンチル−（４−シアノフェニル）−シク
ロヘキサン、５−ペンチル−２−（４−フルオロフェニ
ル）ピリミジン、４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）−トランス−エトキシメチルシクロヘキサン
、４−フルオロ−〔トランス−４′−（トランス−４″
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン
、４−メチル−〔トランス−４′−（トランス−４″−
ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４
−エトキシ−〔トランス−４′−（トランス−４″−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼンと光
学活性物質とからなる液晶組成物を含み、かつ、スイッ
チング素子を有することを特徴とする特許請求の範囲第
８項記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。 （１２）光学活性物質が、４−シアノ−４′−（２−メ
チルブチル）ビフェニルあるいは４−シアノ−４′−（
２−メチルブチルオキシ）ビフェニルであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267889A JPS62127384A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | アクテイブマトリクス型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267889A JPS62127384A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | アクテイブマトリクス型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62127384A true JPS62127384A (ja) | 1987-06-09 |
Family
ID=17451030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267889A Pending JPS62127384A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | アクテイブマトリクス型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62127384A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4923632A (en) * | 1987-11-24 | 1990-05-08 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition for twist nematic mode |
| US5876626A (en) * | 1988-10-20 | 1999-03-02 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Supertwist liquid crystal display |
| JP2003096460A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Minolta Co Ltd | 液晶組成物及び液晶表示素子 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP60267889A patent/JPS62127384A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4923632A (en) * | 1987-11-24 | 1990-05-08 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition for twist nematic mode |
| US5876626A (en) * | 1988-10-20 | 1999-03-02 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Supertwist liquid crystal display |
| JP2003096460A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Minolta Co Ltd | 液晶組成物及び液晶表示素子 |
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